專利名稱：電容及金屬-氧化物-金屬電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體電容，更具體地，有關(guān)于緊湊的三端或多端金屬-氧化物-金 屬(metal-oxide-metal, MOM)電容。
背景技術(shù)：
無源元件(例如電容)廣泛使用于集成電路設(shè)計(jì)中以用于射頻和混合信號(hào)的應(yīng)用 (例如旁路、級(jí)間耦合)以及廣泛使用于諧振電路和濾波器中。其中最常使用的一種電容即 MOM電容。圖1為示范的MOM電容示意圖。如圖1所示，MOM電容10包括在多個(gè)金屬層中 形成的交叉指形多指條(interdigitated multi-fingers) 12和14。在由金屬層間絕緣 層(inter-metal dielectrics)分隔的垂直后端工藝(back end of line, BEOL)堆疊 (stack)中，交叉指形多指條可選擇性的由過孔(vias)16和18連接。MOM電容的制造過程 可與連接過程相結(jié)合，因此，不需要額外的光掩模(photo mask) 0舉例而言，通常與集成電 路中銅多層連接布線(multilevel connection metallization)技術(shù)共同使用的雙鑲嵌 (dual-damascene)技術(shù)可用于構(gòu)造成堆的填銅過孔和溝槽(trench)。氧化物電介質(zhì)分隔 的兩個(gè)或多個(gè)此種填銅過孔和溝槽形成MOM電容。然而，上述的示范MOM電容是兩端MOM電容。在一些情形下，如圖2和圖3所示的 等效電路示意圖中，通常需要兩個(gè)離散的兩端MOM電容22和24以形成虛線區(qū)域20所示的 電路配置。其中圖2和圖3為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)采用離散的兩端MOM電容的示范等效電路示意 圖。在前述的等效電路示意圖中采用的兩個(gè)離散的MOM電容22和24占據(jù)相對(duì)較大的電路 平面布置(circuit floor plan)。由于減小電路平面布置可改善電路密度，因此有待于減 少芯片上電路元件，例如MOM電容，以減小電路平面布置。

發(fā)明內(nèi)容
為了減少芯片上電路元件以減小電路平面布置，本發(fā)明提供一種電容以及一種金 屬-氧化物-金屬電容。本發(fā)明提供一種金屬_氧化物_金屬電容，包括第一垂直金屬板，連接第一端； 第二垂直金屬板，與所述第一垂直金屬板緊密相鄰，且所述第二垂直金屬板連接第二端；第 三垂直金屬板，與所述第一垂直金屬板緊密相鄰，且所述第三垂直金屬板置于所述第一垂 直金屬板的與所述第二垂直金屬板相對(duì)的一側(cè)，且所述第三垂直金屬板與第三端連接；至 少一個(gè)氧化層，置于所述第一垂直金屬板、所述第二垂直金屬板和所述第三垂直金屬板之 間。本發(fā)明另提供一種金屬_氧化物_金屬電容，包括第一垂直金屬板；第二垂直金 屬板，與所述第一垂直金屬板平行，其中，所述第一垂直金屬板和所述第二垂直金屬板均連 接第一端；第一分段金屬板，位于所述第一垂直金屬板和所述第二垂直金屬板之間，且所述 第一分段金屬板連接第二端；以及第二分段金屬板，大致與位于所述第一垂直金屬板和所述第二垂直金屬板之間的所述第一分段金屬板對(duì)齊，且所述第二分段金屬板連接第三端。本發(fā)明另提供一種電容，包括多個(gè)第一級(jí)導(dǎo)電條，布置于第一平面，所述多個(gè)第 一級(jí)導(dǎo)電條中的每一個(gè)均在第一方向上相互平行延伸，其中所述多個(gè)第一級(jí)導(dǎo)電條包括與 第一端連接的第一導(dǎo)電條、與第二端連接的第二導(dǎo)電條以及與第三端連接的第三導(dǎo)電條； 以及多個(gè)第二級(jí)導(dǎo)電條，布置在與所述第一平面不同的第二平面中，所述多個(gè)第二級(jí)導(dǎo)電 條中的每一個(gè)均在第二方向上相互平行延伸，且所述第二方向與所述第一方向不平行，其 中所述多個(gè)第二級(jí)導(dǎo)電條包括連接于所述第一端的第四導(dǎo)電條、第一分段導(dǎo)電條對(duì)和第二 分段導(dǎo)電條對(duì)，所述第一分段導(dǎo)電條對(duì)將所述第四導(dǎo)電條夾心于其中，所述第二分段導(dǎo)電 條對(duì)也將所述第四導(dǎo)電條夾心于其中，且所述第一分段導(dǎo)電條對(duì)與所述第二端連接，所述 第二分段導(dǎo)電條對(duì)與所述第三端連接。利用本發(fā)明能夠更有效節(jié)省芯片面積，減小電路平面布置，且具有更好的電氣性 能。以下為根據(jù)多個(gè)圖式對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀后 應(yīng)可明確了解本發(fā)明的目的。


圖1為示范的MOM電容示意圖。圖2和圖3為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)采用離散的兩端MOM電容的示范等效電路示意圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的指狀3T-M0M電容的部分簡(jiǎn)化透視圖。圖5為圖4所示的指狀3T-M0M電容的俯視圖。圖6為圖4和圖5中所示的3T-M0M電容的等效電路示意圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的指狀3T-M0M電容的一種變形的俯視圖。圖8為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的示范指狀四端MOM電容的俯視圖。圖9為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的編織狀3T-M0M電容的部分簡(jiǎn)化透視圖。圖10為在圖9所示編織狀3T-M0M電容的各自金屬層中定義的金屬條布局的平面 圖。圖11為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的部分電容陣列的俯視圖，其中本圖示的下部 分為等效電路示意圖。
具體實(shí)施例方式以下提供本發(fā)明的實(shí)施例及其附圖的詳細(xì)描述，其中相同的參考符號(hào)指代相同的 元件，且所示結(jié)構(gòu)并非一定按比例繪制。此處使用的術(shù)語“水平”定義為與半導(dǎo)體芯片或芯 片基底的傳統(tǒng)主平面或表面平行的平面，而與其方向無關(guān)。術(shù)語“垂直”指的是與前述定義 的“水平”相垂直的方向。例如“上”、“下”、“底部”、“上部”、“側(cè)”(側(cè)壁中)、“較高”、“較 低”、“上面”和“下面”的術(shù)語均參考“水平”而定義。文中所用術(shù)語“大致”是指在可接受 的誤差范圍內(nèi)，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問題，基本達(dá)到 所述技術(shù)效果。舉例而言，“大致對(duì)齊”是指在不影響結(jié)果正確性時(shí)，技術(shù)人員能夠接受的與 “完全對(duì)齊”有一定誤差的放置方式。隨著設(shè)備變小和電路密度增加，在電容占據(jù)較小電路平面區(qū)域的情況下仍可保持其電容值，則更為關(guān)鍵。減少電路平面布置可改善電路密度和節(jié)省成本?？蓪⒈景l(fā)明實(shí)施例 的緊湊的三端(three-terminal，3T_)MOM電容應(yīng)用至圖2和圖3所示的示范等效電路示意 圖中，替代兩個(gè)離散的兩端MOM電容。因此，利用本發(fā)明可比現(xiàn)有技術(shù)更節(jié)省面積。此外， MOM電容可提供更好的電性性能，且具有較小的失配(mismatched)。請(qǐng)注意，除了圖2和圖3所示的等效電路示意圖外，還可將本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)用至 其它的電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用。舉例而言，本發(fā)明實(shí)施例的新穎的3T-M0M電容可應(yīng)用于數(shù)控晶體 振蕩器(digitally controlled crystal oscillator，DCX0)的電容陣列，以節(jié)省大量的芯 片面積。已知，晶體振蕩器通常由石英晶體和有源放大器構(gòu)成，由于晶體振蕩器可提供相對(duì) 精確的頻率/頻率源，因此受到廣泛應(yīng)用，其中有源放大器可提供負(fù)電阻值以使振蕩持久。 相對(duì)其他頻率源(例如陶瓷諧振器、LC諧振電路等)，晶體振蕩器通?？商峁└玫拈L(zhǎng)期的 高質(zhì)量頻率。DCXO是參考頻率振蕩器，其可補(bǔ)償晶體諧振器的頻率誤差，且可通過采用模擬 電路和數(shù)字電路產(chǎn)生參考頻率。請(qǐng)參考圖4和圖5，圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的指狀3T-M0M電容的部分簡(jiǎn)化透視 圖。圖5為圖4所示的指狀3T-M0M電容的俯視圖。如圖4和圖5所示，3T-M0M電容4形成 于半導(dǎo)體基底40上并且作為集成電路的一部分，3T-M0M電容4包括第一垂直金屬板(例如 垂直金屬板42)、第二垂直金屬板(例如垂直金屬板44)和第三垂直金屬板(例如垂直金屬 板46)，其中多個(gè)垂直金屬板42、44和46平行布置。簡(jiǎn)化起見，在圖4中略去了金屬層間絕 緣層。垂直金屬板42與一個(gè)共用端(即端子A，也稱為第一端)電連接，端子A可例如是地 或輸出端。垂直金屬板44與第二端(如端子B)電連接，端子B可例如是PMOS晶體管的源 極。垂直金屬板46與第三端(如端子C)電連接，端子C可例如是NMOS晶體管的漏極。請(qǐng) 注意，盡管在圖4中所示僅有一個(gè)垂直金屬板44和一個(gè)垂直金屬板46，在其它實(shí)施例可能 有多個(gè)垂直金屬板44和46。需要理解的是，圖4中僅顯示了部分指狀3T-M0M電容，用于電 連接三個(gè)垂直金屬板42的共用條(bar)或共用板在圖4中未顯示。垂直金屬板42、44和46中的每一個(gè)均有堆疊的導(dǎo)電條和導(dǎo)電過孔，且導(dǎo)電條和導(dǎo) 電過孔可與集成電路中的金屬連接結(jié)構(gòu)一起生成。例如垂直金屬板42包括定義于金屬層 Mn的金屬條42a、定義于金屬層Mn-I的金屬條42b以及定義于金屬層Mn_2的金屬條42c。 金屬條42a通過過孔43a與下方的金屬條42b連接，金屬條42b通過過孔43b與下方的金 屬條42c連接。請(qǐng)注意，上述的導(dǎo)電條和導(dǎo)電過孔也可采用其它導(dǎo)電材料(例如摻雜層) 實(shí)現(xiàn)。在金屬層Mn-3或者更低的金屬層中定義的金屬屏蔽層48可選擇性的插入于3T-M0M 電容4和半導(dǎo)體基底40之間。并且，垂直金屬板并非必須由多個(gè)金屬層構(gòu)成，在其它情形 下，也可由一個(gè)單一層構(gòu)成。金屬條42a、42b、42c、44a、44b、44c、46a、46b、46c 以及過孔 43a、43b、45a、45b、 47a、47b可由傳統(tǒng)的銅雙鑲嵌過程形成，可包括導(dǎo)電材料例如W、Al、AlCu, Cu、Ti、TiSi2、 Co、CoSi2、Ni. NiSi、TiN、Tiff, Ta或者TaN，但并不僅限于此。如圖5中所示，垂直金屬板 42,44和46位置緊密相鄰，相互之間有至少一電介質(zhì)層或氧化層50相隔。舉例而言，垂直 金屬板42和44之間或者垂直金屬板42和46之間的距離S大致是最小設(shè)計(jì)規(guī)則。此處的 最小設(shè)計(jì)規(guī)則可指在集成電路芯片制造中采用的最小設(shè)計(jì)規(guī)則或者指制造層狀結(jié)構(gòu)的特 定層時(shí)采用的最小設(shè)計(jì)規(guī)則。圖6為圖4和圖5中所示的3T-M0M電容的等效電路示意圖。請(qǐng)參考圖7，圖7為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的指狀3T-M0M電容的一種變形的俯視圖。如圖7所示，指狀3T-M0M電容4a包括多個(gè)平行布置的垂直金屬板142a、142b和 142c,這些垂直金屬板與一個(gè)共用端A連接，共用端A可例如是地或輸出端。分段金屬板 144a和146a插入于垂直金屬板142a和142b之間，其中分段金屬板144a與端子B連接，分 段金屬板146a與端子C連接。分段金屬板144a橫向(lateral)大致與分段金屬板146a 對(duì)齊。更具體的，分段金屬板144a和分段金屬板146a沿著橫向并排放置。分段金屬板對(duì) 144a和分段金屬板對(duì)146a分別將垂直金屬板142a夾心于其中。與分段金屬板144a和分 段金屬板146a對(duì)應(yīng)的，分段金屬板144b和分段金屬板146b插入于垂直金屬板142b和垂 直金屬板142c之間。同樣地，分段金屬板144b與端子B連接，分段金屬板146b與端子C 連接。分段金屬板144a和分段金屬板146b將垂直金屬板142b夾心于其中。分段金屬板 146a和分段金屬板144b將垂直金屬板142b夾心于其中。分段金屬板對(duì)144b和分段金屬 板對(duì)146b分別將垂直金屬板142c夾心于其中。在金屬板間有至少一個(gè)電介質(zhì)層或氧化層 150(例如氧化硅)。氧化層150可作為電容電介質(zhì)。舉例而言，分段金屬板146b可通過氧 化層150與分段金屬板144b電隔離。一方面，圖7進(jìn)一步顯示MOM電容包括第一垂直金屬板142b、第二垂直金屬板 144a、第三垂直金屬板146b以及至少一個(gè)氧化層150，其中第一垂直金屬板142b與第一端 (如端子A)連接，其中第二垂直金屬板144a與第一垂直金屬板142b緊密相鄰，且與第二 端(如端子B)連接，其中第三垂直金屬板146b與第一垂直金屬板142b緊密相鄰，且第三 垂直金屬板146b置于第一垂直金屬板142b的與第二垂直金屬板144a相對(duì)的一側(cè)，且第三 垂直金屬板146b與第三端(如端子C)連接，其中氧化層150置于第一、第二和第三垂直金 屬板之間，第二垂直金屬板144a大致與第三垂直金屬板146b并列(juxtaposition)放置。另一方面，圖7進(jìn)一步顯示MOM電容包括第一垂直金屬板142c、第二垂直金屬板 144b、第三垂直金屬板146b以及至少一個(gè)氧化層150，其中第一垂直金屬板142c與第一 端(如端子A)連接，其中第二垂直金屬板144b與第一垂直金屬板142c緊密相鄰，且與 第二端(如端子B)連接，其中第三垂直金屬板146b與第一垂直金屬板142c緊密相鄰， 且第三垂直金屬板146b置于第一垂直金屬板142c的與第二垂直金屬板144b相對(duì)的一 側(cè)，且第三垂直金屬板146b與第三端(如端子C)連接，其中氧化層150置于第一、第二和 第三垂直金屬板之間，第二垂直金屬板144b與第三垂直金屬板146b大致以對(duì)角線錯(cuò)位 (catercornermalposition)放置，上述第二垂直金屬板144b與連接于第二端(如端子B) 的第四垂直金屬板144b大致并列放置，第四垂直金屬板144b與位于第一垂直金屬板142c 同一側(cè)的第三垂直金屬板146b對(duì)齊。請(qǐng)注意，本發(fā)明的MOM電容可具有多于三個(gè)端，例如四個(gè)端或五個(gè)端，這些均屬于 本發(fā)明的范疇。圖8為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的示范指狀四端(four-terminal，4T_)MOM 電容的俯視圖。如圖8所示，4Τ-Μ0Μ電容4b包括多個(gè)平行布置的垂直金屬板142a、142b和 142c，這些垂直金屬板與一個(gè)共用端A連接，共用端A可例如是地或輸出端。連接于端子D 的垂直金屬板對(duì)148a將垂直金屬板142a夾心于其中。連接于端子B的分段金屬板對(duì)144a 以及連接于端子C的分段金屬板對(duì)146a將垂直金屬板142c夾心于其中。請(qǐng)參考圖9和圖10，圖9為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的編織狀3T-M0M電容的部 分簡(jiǎn)化透視圖。圖10為在圖9所示編織狀3T-M0M電容的各自金屬層中定義的金屬條布局 的平面圖，其中，簡(jiǎn)化起見，在 10中略去了金屬層間絕緣層。如圖9和圖10所示，編織狀3T-M0M電容5包括第一級(jí)導(dǎo)電條和第二級(jí)導(dǎo)電條。第一級(jí)導(dǎo)電條包括第一導(dǎo)電條、第二導(dǎo) 電條和第三導(dǎo)電條，第一導(dǎo)電條可例如導(dǎo)電條152a和導(dǎo)電條152c，第二導(dǎo)電條可例如導(dǎo)電 條154a和導(dǎo)電條154c，第三導(dǎo)電條可例如導(dǎo)電條156a和導(dǎo)電條156c，其中導(dǎo)電條152a、 154a和156a定義于金屬層Mn中，導(dǎo)電條152c、154c和156c定義于金屬層Mn_2中。金屬 層Mn中的導(dǎo)電條152a、154a和156a在第一平面上交錯(cuò)布置，且在第一方向(或者稱為橫 向方向)上相互平行延伸。導(dǎo)電條152a與共用端A連接，共用端A可以為地或輸出端。導(dǎo) 電條154a與端子B連接，導(dǎo)電條156a與端子C連接，端子A、B和C是電路中三個(gè)不同的端 子或節(jié)點(diǎn)。根據(jù)本實(shí)施例，導(dǎo)電條152a、154a和156a均是連續(xù)的直線形條狀，且在這些導(dǎo) 電條中無不連續(xù)處。如圖10所示，第二級(jí)導(dǎo)電條包括第四導(dǎo)電條(例如導(dǎo)電條152b)、第一分段導(dǎo)電條 (例如分段導(dǎo)電條154b)和第二分段導(dǎo)電條(例如分段導(dǎo)電條156b)，其中多個(gè)導(dǎo)電條152b 以及多個(gè)分段導(dǎo)電條154b和156b定義于金屬層Mn-I中，且位于導(dǎo)電條152a、154a和156a 的下方。導(dǎo)電條152b、154b和156b在與第一平面不同的第二平面上交錯(cuò)布置，且在第二方 向上(或者縱向方向上)相互平行。請(qǐng)注意，第一方向和第二方向不平行。更具體的，第一 方向與第二方向交叉，以使得導(dǎo)電條形成編織狀導(dǎo)體，因此，第一方向和第二方向并不僅限 于實(shí)施例中所示的特定方向。導(dǎo)電條152b通過過孔151a(可稱為第一過孔)與其上面的 導(dǎo)電條152a連接，因此導(dǎo)電條152b與端子A連接。分段導(dǎo)電條154b通過過孔153a (可稱 為第二過孔)與其上面的導(dǎo)電條154a連接，因此導(dǎo)電條154b與端子B連接。分段導(dǎo)電條 156b通過過孔155a (可稱為第三過孔)與其上面的導(dǎo)電條156a連接，因此導(dǎo)電條156b與 端子C連接。由于分段導(dǎo)電條154b和分段導(dǎo)電條156b連接于不同的端子，因此位于同一 列的導(dǎo)電條154b和導(dǎo)電條156b間形成不連續(xù)處160。并且兩個(gè)分段導(dǎo)電條154b(即第一 分段導(dǎo)電條對(duì))將導(dǎo)電條152b夾心于其中，兩個(gè)分段導(dǎo)電條156b (即第二分段導(dǎo)電條對(duì)) 將導(dǎo)電條152b夾心于其中。在金屬層Mn-2中，多個(gè)導(dǎo)電條152c、154c和156c位于導(dǎo)電條152b和分段導(dǎo)電條 154b和156b下方。導(dǎo)電條152c、154c和156c交錯(cuò)布置，且在橫向方向上相互平行延伸。 導(dǎo)電條152c與端子A連接，導(dǎo)電條154c與端子B連接，導(dǎo)電條156c與端子C連接。導(dǎo)電條 152c通過過孔151b (可稱為第一過孔)與其上面的導(dǎo)電條152b連接，導(dǎo)電條154c通過過 孔153b (可稱為第二過孔)與其上面的導(dǎo)電條154b連接，導(dǎo)電條156c通過過孔155b (可 稱為第三過孔)與其上面的導(dǎo)電條156b連接。圖11為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的部分電容陣列的俯視圖，其中本圖示的下部 分為等效電路示意圖。如圖11所示，電容陣列200包括多個(gè)電容元件，例如電容元件202a、 202b,204a和204b，其中這些電容元件具有共用端A。電容元件202a與電容元件202b整 合為單個(gè)的3T-M0M電容202，電容元件204a與電容元件204b整合為單個(gè)的3T-M0M電容 204。3T-M0M電容202和3T-M0M電容204均具有與上述的圖4至圖10中類似的結(jié)構(gòu)。如 此配置的優(yōu)勢(shì)在于可節(jié)省大量的芯片面積，且可形成較小失配的電容陣列。特別地，此類的 電容陣列200適用于DCXO電路。各種變形、修改和所述實(shí)施例各種特征的組合均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā) 明的權(quán)利范圍應(yīng)以申請(qǐng)專利權(quán)利要求為準(zhǔn)。
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權(quán)利要求
一種金屬 氧化物 金屬電容，包括第一垂直金屬板，連接第一端；第二垂直金屬板，與所述第一垂直金屬板緊密相鄰，且所述第二垂直金屬板連接第二端；第三垂直金屬板，與所述第一垂直金屬板緊密相鄰，且所述第三垂直金屬板置于所述第一垂直金屬板的與所述第二垂直金屬板相對(duì)的一側(cè)，且所述第三垂直金屬板與第三端連接；以及至少一個(gè)氧化層，置于所述第一垂直金屬板、所述第二垂直金屬板和所述第三垂直金屬板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬_氧化物_金屬電容，其特征在于，所述第一端、所述第 二端和所述第三端為集成電路的三個(gè)不同端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬_氧化物_金屬電容，其特征在于，在所述第一垂直金屬 板和所述第二垂直金屬板之間或者在所述第一垂直金屬板和所述第三垂直金屬板之間的 距離大致為最小設(shè)計(jì)規(guī)則。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬_氧化物_金屬電容，其特征在于，所述第一垂直金屬 板、所述第二垂直金屬板和所述第三垂直金屬板中的每一個(gè)均由堆疊的金屬條組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬-氧化物-金屬電容，其特征在于，通過過孔連接所述堆 疊的金屬條。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬_氧化物_金屬電容，其特征在于，所述第二垂直金屬板 與所述第三垂直金屬板大致并列放置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬_氧化物_金屬電容，其特征在于，所述第二垂直金屬板 與所述第三垂直金屬板大致以對(duì)角線錯(cuò)位放置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬_氧化物_金屬電容，其特征在于，所述第二垂直金屬板 與連接于所述第二端的第四垂直金屬板大致并列放置，所述第四垂直金屬板與位于所述第 一垂直金屬板同一側(cè)的所述第三垂直金屬板大致對(duì)齊。
9.一種金屬-氧化物-金屬電容，包括第一垂直金屬板；第二垂直金屬板，與所述第一垂直金屬板平行，其中，所述第一垂直金屬板和所述第二 垂直金屬板均連接于第一端；第一分段金屬板，位于所述第一垂直金屬板和所述第二垂直金屬板之間，且所述第一 分段金屬板連接于第二端；以及第二分段金屬板，與位于所述第一垂直金屬板和所述第二垂直金屬板之間的所述第一 分段金屬板大致對(duì)齊，且所述第二分段金屬板連接第三端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬-氧化物-金屬電容，其特征在于，所述第一分段金屬 板通過至少一個(gè)氧化層與所述第二分段金屬板電隔離。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬-氧化物-金屬電容，其特征在于，所述第一端、所述第 二端和所述第三端為集成電路的三個(gè)不同端子。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬-氧化物-金屬電容，進(jìn)一步包括第三垂直金屬板，所 述第三垂直金屬板與所述第一垂直金屬板緊密相鄰，且與所述第一垂直金屬板平行，以及所述第三垂直金屬板連接第四端。
13. 一種電容，包括多個(gè)第一級(jí)導(dǎo)電條，布置于第一平面，所述多個(gè)第一級(jí)導(dǎo)電條中的每一個(gè)均在第一方 向上相互平行延伸，其中所述多個(gè)第一級(jí)導(dǎo)電條包括與第一端連接的第一導(dǎo)電條、與第二 端連接的第二導(dǎo)電條以及與第三端連接的第三導(dǎo)電條；以及多個(gè)第二級(jí)導(dǎo)電條，布置在與所述第一平面不同的第二平面中，所述多個(gè)第二級(jí)導(dǎo)電 條中的每一個(gè)均在第二方向上相互平行延伸，且所述第二方向與所述第一方向不平行，其 中所述多個(gè)第二級(jí)導(dǎo)電條包括連接于所述第一端的第四導(dǎo)電條、第一分段導(dǎo)電條對(duì)和第二 分段導(dǎo)電條對(duì)，所述第一分段導(dǎo)電條對(duì)將所述第四導(dǎo)電條夾心于其中，所述第二分段導(dǎo)電 條對(duì)將所述第四導(dǎo)電條夾心于其中，且所述第一分段導(dǎo)電條對(duì)與所述第二端連接，所述第 二分段導(dǎo)電條對(duì)與所述第三端連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電容，其特征在于，所述第一分段導(dǎo)電條和所述第二分段 導(dǎo)電條之間形成不連續(xù)處。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電容，其特征在于，所述第一導(dǎo)電條通過第一過孔與所述 第四導(dǎo)電條電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電容，其特征在于，所述第二導(dǎo)電條通過第二過孔與所述 第一分段導(dǎo)電條對(duì)電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電容，其特征在于，所述第三導(dǎo)電條通過第三過孔與所述 第二分段導(dǎo)電條對(duì)電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電容，所述第一端、所述第二端和所述第三端為集成電路 的三個(gè)不同端子。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電容及金屬-氧化物-金屬電容。金屬-氧化物-金屬電容包括第一垂直金屬板，連接第一端；第二垂直金屬板，與所述第一垂直金屬板緊密相鄰，且所述第二垂直金屬板連接第二端；第三垂直金屬板，與所述第一垂直金屬板緊密相鄰，且所述第三垂直金屬板置于所述第一垂直金屬板的與所述第二垂直金屬板相對(duì)的一側(cè)，且所述第三垂直金屬板與第三端連接；至少一個(gè)氧化層，置于所述第一垂直金屬板、所述第二垂直金屬板和所述第三垂直金屬板之間。利用本發(fā)明能更有效節(jié)省芯片面積，減小電路平面布置，且具有更好的電氣性能。
文檔編號(hào)H01L29/41GK101908563SQ200910169928
公開日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2009年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月3日
發(fā)明者林哲煜 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司