專利名稱：：低電容雙向esd保護器件及其制備方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及半導體器件雙向低壓瞬態(tài)電壓抑制器件的領域，具體為低電容雙向ESD保護器件及其制備方法。
背景技術：
：用于靜電阻抗器(ESD)的器件通常都是齊納二極管，這種二極管一般是由重摻雜PN結構成的，器件電容非常大，用在防護電源線或者數(shù)據(jù)傳輸速率比較低的數(shù)據(jù)線尚可，如果用在高速數(shù)據(jù)傳輸接口，則會由于電容太大而導致數(shù)據(jù)傳輸失真。目前，對于小型化器件，比較常用的降容方法通常是減小芯片面積，是一種以犧牲防護性能換取低電容的方法。但即使這樣單管電容也只能降到10pF左右。與小于lpF的防護需求還相差甚遠。為了滿足高速數(shù)據(jù)傳輸對低電容保護的需求，改善傳統(tǒng)降容方法，不少降容技術被用于提高瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的動態(tài)性能，目前主要的降容技術主要有兩種，分別是集成工藝技術和多芯片封裝技術。集成工藝一般防護能力較弱，多用于對小型化要求比較高的場合，多芯片封裝技術是早期使用較多的降容技術。這種降容技術一般抗浪涌能力較強，但是電容不是很低，而且封裝尺寸比較大，不適合應用于便攜式電子產(chǎn)品。為了滿足高速數(shù)據(jù)傳輸對ESD保護的要求，需要一種雙向極低電容的小型化TVS產(chǎn)品。為此，需要提出一種具有較高ESD保護能力、低鉗位、極低電容的小型化TVS器件。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種小型化的低電容雙向ESD保護器件，改善傳統(tǒng)TVS器件的單芯片降容方法，可以實現(xiàn)極低電容、低鉗位電壓、低漏電流以及雙向保護。本發(fā)明所要解決的另一技術問題在于提供上述低電容雙向ESD保護器件的制備方法。本發(fā)明解決上述技術問題所采取的技術方案是一種低電容雙向ESD保護器件，由低電容二極管和低壓TVS管串聯(lián)構成，包括四個導向二級管和一個TVS管，四個導向二級管分布在TVS管的中部和側(cè)邊，其中，TVS管的陽極與分布在兩側(cè)的二個邊側(cè)二極管的陽極連接，TVS管的陰極與設在中部的二個中部二極管的陰極相連，兩個中部二極管的陽極又分別與其相鄰的邊側(cè)二極管的陰極相連，形成回路。在上述方案基礎上，所述的TVS管為反向?qū)?，自上而下依次由N+埋層區(qū)(陰極)、P+埋層區(qū)(陽極)和P-襯底構成，N+埋層區(qū)覆蓋整個P+埋層區(qū)，整個TVS管的結構在P-襯底上完成；二個導向二極管設在位于ESD保護器件中部區(qū)域A，自上而下由P+擴區(qū)(陽極)和共用的N-外延層(共用陰極)構成，N-外延層(共用陰極)與TVS管的N+埋層區(qū)(陰極)相連；4另二個反向?qū)蚨O管分別設在ESD保護器件的邊側(cè)區(qū)域B和區(qū)域C，自上而下由N+接觸區(qū)(陰極)和共用的N-外延層(陽極)構成；四個二極管分為左右兩組，中部區(qū)域A正向?qū)虻亩O管的P+擴區(qū)(陽極)與相鄰邊側(cè)的反向?qū)虻亩O管的N+接觸區(qū)(陰極)通過金屬層相連，分別構成第一電極；另一中部區(qū)域A正向?qū)虻亩O管的P+擴區(qū)(陽極)與另一相鄰邊側(cè)的反向?qū)虻亩O管的N+接觸區(qū)(陰極)通過金屬層相連，構成第二電極，保證在電隔離的情況下，每個10或電極上都接有一個正向?qū)虻亩O管和一個反向?qū)虻亩O管；向第一電極施加的電流依次經(jīng)過正向?qū)虻亩O管、反向?qū)虻腡VS管和一不相鄰的與TVS管正向?qū)虻姆聪驅(qū)蚨O管，到達第二電極；向第二電極施加的電流依次經(jīng)過另一正向?qū)虻亩O管、反向?qū)虻腡VS管和另一與TVS管正向?qū)虻姆聪驅(qū)蚨O管，到達第一電極。本發(fā)明的雙向ESD器件的電路結構決定其具有低電容和低鉗位特性，低電容特性可以幫助器件提高響應時間，減小對數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠绊?。當向任一電極加載電流時，在電流通路上均是先通過一個正向?qū)虻亩O管、再通過一個反向TVS管，最后又通過一個正向?qū)虻亩O管到達另一電極。根據(jù)電路特性，TVS管的電容大一些，對整個器件的電容影響不大，因此TVS管的鉗位電壓可以做的很小，使器件具有低鉗位特性，這種低鉗位特性可以有效地保護被保護系統(tǒng)免受ESD等脈沖電壓的損壞。為消除I/0(第一電極和第二電極)之間存在寄生JFET，導向二極管之間的隔離采用對通方式在所述兩個邊側(cè)導向二極管與兩個中部導向二極管之間設有垂直的環(huán)形？+上墻，在邊側(cè)二極管的N-外延層與TVS管的P-襯底之間設有一層水平的P+下墻，且P+上墻與P+下墻對通相接連接在一起。在N-外延層下面增加P+下墻，并在P+下墻正上方制作左右兩個環(huán)形的P+上墻，將N-外延層分割為中部和左右邊側(cè)三個部分，通過高溫退火將P+上墻與P+下墻對通相接，這樣可以有效屏蔽降容管(兩個邊側(cè)二極管)之間的漏電。在上述方案的基礎上，根據(jù)封裝的不同，本發(fā)明的器件可以是一個兩端器件，第一電極和第二電極是器件的輸入或輸出端，由于器件具有雙向?qū)ΨQ性，因此第一電極和第二電極既可作輸入端，也可以作為輸出端使用；也可以是一個三端器件，所述TVS管的P-襯底背面設有多層金屬，構成接地電極。根據(jù)器件制作工藝的不同，器件具有不同的工作電壓，一般有5V、8V、12V、15V或24V。對于差模保護應用，選用兩端器件，第一電極和第二電極分別接在一對差分數(shù)據(jù)線上，與負載形成并聯(lián)。當需要進行差共模一起保護時，則選用三端器件，將接地電極接地即可。針對上述的低電容雙向ESD保護器件的制備方法，包括下述步驟第一步在P-襯底中部摻雜硼元素制作P+埋層區(qū)，又在P+埋層區(qū)的窗口上摻雜磷元素制作N+埋層區(qū)并覆蓋整個P+埋層區(qū)，制成TVS管；第二步在TVS管的P-襯底周圍摻雜硼元素制作一層P+下墻，再在TVS管整體的上方生長一層N-外延層，然后在P+下墻正上方的位置，在N-外延層中摻雜硼元素制作兩個環(huán)形的縱向P+上墻，通過高溫退火將P+上墻與P+下墻連在一起，將N-外延層分割成中部區(qū)域A和左右邊側(cè)區(qū)域B、C三個部分；第三步在N-外延層的中部A區(qū)域上方摻雜硼元素制作P+擴區(qū)，在左右邊側(cè)B、C區(qū)域上方分別摻雜磷元素制作N+接觸區(qū)，與共同N-外延層和P+下墻構成四個導向二級管；第四步在器件表面沉積一層金屬層，通過光刻將金屬層分成兩部分，一金屬層將一邊側(cè)二極管的N+接觸區(qū)與相鄰中部二極管的P+擴區(qū)接通，構成第一電極；另一金屬層將另一邊側(cè)二極管的N+接觸區(qū)與其相鄰的中部二極管的P+擴區(qū)接通，構成第二電極，封裝后制成雙端的雙向ESD保護器件。在上述方案的基礎上，第一步中，P-襯底的硼元素摻雜濃度不大于lX1019atomS/cm3，P+埋層區(qū)的硼元素摻雜濃度至少1X10toms/cm3;N+埋層區(qū)的磷元素摻雜濃度至少1.5X10atoms/cm。在上述方案的基礎上，P+埋層區(qū)的硼元素摻雜濃度為1X1018atOmS/Cm32X1019atoms/cm3;N+埋層區(qū)的磷元素摻雜濃度為1.5X1019atoms/cm32X1021atoms/3cmo在上述方案的基礎上，第二步中，所述的P+上墻及P+下墻的硼元素摻雜濃度2X1015atoms/cm31X1019atoms/cm3。在上述方案的基礎上，第二步中，將P+上墻與P+下墻連在一起的退火溫度為11501200°C。在上述方案的基礎上，第三步中，共用的N-外延層的磷元素摻雜濃度不大于lX1015atoms/cm3，結深不小于5iim;P+擴區(qū)的硼元素摻雜濃度為6X1018atoms/cm32X10toms/W，結深1.53iim，N+接觸區(qū)的磷元素摻雜濃度為1X1019atoms/cm32X1021atoms/cm3，結深1.53iim。在上述方案的基礎上，在第四步制成第一電極及第二電極之后，將P-襯底的厚度減薄至100m150m，在P-襯底的背面制作多層金屬，作為接地電極，封裝后制成三端的雙向ESD保護器件。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的電路具有低電容、低鉗位和快速響應的特點，能夠很好地滿足手機等便攜式電子產(chǎn)品對器件低電容、小型化的要求；對于不同保護電壓要求，可通過調(diào)整P+埋層區(qū)濃度實現(xiàn)。兩端器件小型化封裝后，性能要遠好于普通小型化TVS器件，本發(fā)明器件在3G等高頻領域應用更為廣闊。圖1為本發(fā)明低電容雙向ESD保護器件的電路圖。圖2為實施例1本發(fā)明雙端器件的側(cè)剖結構示意圖。圖3為實施例1本發(fā)明雙端器件的電路圖。圖4為實施例1本發(fā)明雙端器件中TVS管的俯視結構示意圖。圖5為實施例1本發(fā)明雙端器件中TVS管的側(cè)剖結構示意圖。圖6為實施例1本發(fā)明雙端器件中A區(qū)縱向摻雜濃度的分布圖。圖7為實施例1本發(fā)明雙端器件中B、C區(qū)縱向摻雜濃度的分布示意圖。圖8為實施例1雙端器件的俯視結構示意圖。圖9為實施例2三端器件的電路圖。6附圖中標號說明10-EDS器件ll-第一電極12-第二電極13、14-中部二極管15、16-邊側(cè)二極管17-TVS管21-P-襯底22-N-外延層23-外延襯底PN結31-P+埋層區(qū)32-N+埋層區(qū)33-P+下墻34-P+上墻35、38-P+擴區(qū)36、39-N+接觸區(qū)37、40-金屬層A-中部區(qū)域B、C--邊側(cè)區(qū)域51-兩端器件52-三端器件具體實施例方式請參閱圖1本發(fā)明低電容雙向ESD保護器件的電路圖所示，低電容ESD器件結構包括了一個TVS管17和四個導向二極管13、14、15、16，TVS管17的陽極與兩個邊側(cè)二極管15、16的陽極連接，TVS管17的陰極與兩個中部二極管13、14的陰極相連，兩個中部二極管13、14的陽極又與兩個邊側(cè)導向二極管15、16的陰極相連，形成回路。實施例1請參閱圖2為實施例1雙端器件的側(cè)剖結構示意圖，圖3為實施例1雙端器件的電路圖，圖4為實施例1雙端器件中TVS管的俯視結構示意圖，圖5為實施例1雙端器件中TVS管的側(cè)剖結構示意圖，圖6為實施例1雙端器件中A區(qū)縱向摻雜濃度的分布圖，圖7為實施例1雙端器件中B、C區(qū)縱向摻雜濃度的分布圖和圖8為實施例1雙端器件的俯視結構示意圖所示，一種低電容雙向ESD保護器件，由低電容導向二極管和低壓TVS管串聯(lián)構成，其中，所述的TVS管17為反向?qū)?，自上而下依次由N+埋層區(qū)32、P+埋層區(qū)31和P-襯底21構成，N+埋層區(qū)32覆蓋整個P+埋層區(qū)31;兩個中部二極管13、14為正向?qū)颍陨隙掠蒔+擴區(qū)35、38和共用的N-外延層22構成；兩個邊側(cè)二極管15、16與TVS管正向?qū)?，自上而下由N+接觸區(qū)36、39和共用的N-外延層22以及P+下墻33構成；四個二極管分為左右兩組，中部二極管13的P+擴區(qū)35與相鄰邊側(cè)二極管15的N+接觸區(qū)36通過金屬層40相連，構成第一電極11;另一中部二極管14的P+擴區(qū)38與其相鄰邊的側(cè)二極管16的N+接觸區(qū)39通過金屬層37相連，構成第二電極12;向第一電極11施加的電流依次經(jīng)過正向?qū)虻亩O管13、反向?qū)虻腡VS管17和另一與TVS管正向?qū)虻亩O管16，到達第二電極12;向第二電極12施加的電流依次經(jīng)過正向?qū)虻亩O管14、反向?qū)虻腡VS管17和另一與TVS管正向?qū)虻亩O管15，到達第一電極ll。7制備方法是，首先在P-襯底21上完成TVS管的制作，然后再在N-外延層22上通過注入、擴散的方式完成四個導向二極管的制作，最后通過金屬層實現(xiàn)互聯(lián)，具體包括下述步驟第一步在P-襯底21中部通過硼注入或擴散的摻雜方式高溫退火制作深結的P+埋層區(qū)31，又在P+埋層區(qū)31的窗口上通過磷注入退火制作N+埋層區(qū)32并覆蓋整個P+埋層區(qū)31，制成TVS管17;第二步在TVS管17的P-襯底21周圍通過硼注入退火制作一層P+下墻33，再在TVS管17整體的上方生長一層N-外延層22，然后在P+下墻33正上方的位置，在N_外延層22中通過硼注入退火制作兩個垂直的環(huán)形P+上墻34，通過高溫退火將P+上墻34與P+下墻33連在一起，利用PN隔離將N-外延層22分割成中部區(qū)域A和左右邊側(cè)區(qū)域B、C三個部分；第三步在N-外延層22的中部區(qū)域A上方通過硼擴散摻雜方式制作P+擴區(qū)35、38，在左右邊側(cè)區(qū)域B、C上方分別通過磷擴散摻雜方式制作N+接觸區(qū)36、39，與共同N_外延層22和P+下墻33構成四個二級管13、14、15、16;第四步在器件表面沉積一層金屬層，通過光刻將金屬層分成兩部分，金屬層40將邊側(cè)二極管15的N+接觸區(qū)36(陰極)與中部二極管13的P+擴區(qū)35(陽極)接通，構成第一電極11;金屬層37將邊側(cè)二極管16的N+接觸區(qū)39(陰極)與中部二極管14的P+擴區(qū)38(陽極)接通，構成第二電極12，最后對器件進行打線封裝，形成兩端器件51。以下對各區(qū)域的摻雜濃度及結深/厚度進行具體說明考慮到不同工作電壓要求不同，P-襯底21的噴摻雜濃度應該不大于1X1019atomS/Cm3，而對于5V工作電壓來說，P+埋層31的硼摻雜濃度不能小于1X1019atoms/cm3，濃度范圍優(yōu)選在1X1019atoms/cm3到2X1021atoms/cm3之間，TVS二極管17的雪崩擊穿電壓(或齊納擊穿電壓)可以通過調(diào)整P+埋層31的摻雜濃度來改變，這樣可以形成不同電壓要求的TVS二極管。N+埋層32的磷濃度不能小于1.5X1019atOmS/Cm3，濃度范圍優(yōu)選在1.5X1019atoms/cm3禾口2X1021atoms/cm3之間。N-外延層22的厚度不小于5iim，磷摻雜濃度不大于1X10toms/cm摻雜濃度范圍優(yōu)選在2X1014atoms/cm3到2X1015atoms/cm3之間。P+上墻34及P+下墻的硼摻雜濃度優(yōu)選在5X1014atoms/cm2到1X1015atoms/cm2之間，注入能量lOOKeV，注入劑量7el46el5，退火溫度在1150120(TC之間，通過退火將P+上墻34與P+下墻33連在一起。P+上墻墻34和P+下墻33共同將外延層分成了中部區(qū)域A和邊側(cè)區(qū)域B、C。在N-外延層22的中部區(qū)域A上方的P+擴區(qū)35、38，摻雜濃度范圍在6X1018atoms/cm32X1019atoms/cm3，結深2.0iim;在邊側(cè)區(qū)域B、C上方的N+接觸區(qū)36、39，摻雜濃度范圍優(yōu)選在1X1019atoms/cm32X1021atoms/cm3，結深2.0iim。本實施例的低電容雙向ESD器件在制作過程中各層摻雜濃度的最小值和最大值均列于表1中，在制作完成后測得的中部區(qū)域A及邊側(cè)區(qū)域B、C的摻雜濃度分布如圖6、圖7所示。由于當上層摻雜層將下層摻雜層覆蓋后會使下層摻雜層的摻雜濃度下降，因此表1中各層的摻雜濃度均略高于圖6、7中所示的實測摻雜濃度。其典型電容值只有0.3pF，能夠很好地應用于手機、3G設備等高速數(shù)據(jù)接口上。表1各層摻雜濃度范圍<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>實施例2請參閱圖9為實施例2三端器件的電路圖所示，其他結構與實施例1均相同，只是在該低電容TVS器件是一個三端器件52，由于雙向?qū)ΨQ，第一電極11和第二電極12均可作為器件的輸入或輸出端，接地電極18為接地端。權利要求一種低電容雙向ESD保護器件，由低電容二極管和低壓TVS管串聯(lián)構成，其特征在于包括四個導向二級管和一個TVS管，四個導向二級管分布在TVS管的中部和側(cè)邊，其中，TVS管(17)的陽極與分布在兩側(cè)的二個邊側(cè)二極管(15、16)的陽極連接，TVS管(17)的陰極與設在中部的二個中部二極管的陰極相連，兩個中部二極管(13、14)的陽極又分別與其相鄰的邊側(cè)二極管(15、16)的陰極相連，形成回路。2.根據(jù)權利要求1所述的低電容雙向ESD保護器件，其特征在于所述的TVS管(17)為反向?qū)?，自上而下依次由N+埋層區(qū)(32)、P+埋層區(qū)(31)和P-襯底(21)構成，N+埋層區(qū)(32)覆蓋整個P+埋層區(qū)(31)，整個TVS管(17)的結構在P-襯底(21)上完成;二個設在ESD保護器件中部區(qū)域(A)的中部二極管(13、14)為正向?qū)?，中部二極管(13、14)自上而下由P+擴區(qū)(35、38)和共用的N-外延層(22)構成，N-外延層(22)與TVS管(17)的N+埋層區(qū)(32)相連；<另二個設在ESD保護器件的邊側(cè)區(qū)域(B或C)的邊側(cè)二極管(15、16)為反向?qū)?，自上而下由N+接觸區(qū)(36、39)和共用的N-外延層(22)構成；四個二極管分為左右兩組，中部區(qū)域(A)正向?qū)虻亩O管(13)的P+擴區(qū)(35)與相鄰邊側(cè)的反向?qū)虻亩O管(15)的N+接觸區(qū)(36)通過金屬層(40)相連，構成第一電極(11);另一中部區(qū)域(A)正向?qū)虻亩O管(14)的P+擴區(qū)(38)與另一相鄰邊側(cè)的反向?qū)虻亩O管(16)的N+接觸區(qū)(39)通過金屬層(37)相連，構成第二電極(12);向第一電極(11)施加的電流依次經(jīng)過正向?qū)虻闹胁慷O管(13)、反向?qū)虻腡VS管(17)和一反向?qū)虻倪厒?cè)二極管(16)，到達第二電極(12);向第二電極(12)施加的電流依次經(jīng)過另一正向?qū)虻闹胁慷O管(14)、反向?qū)虻腡VS管(17)和另一反向?qū)虻倪厒?cè)二極管(15)，到達第一電極(11);在所述兩個邊側(cè)二極管(15、16)與兩個中部二極管(13、14)之間均設有垂直的P+上墻(34)，在邊側(cè)二極管(15、16)的N-外延層(22)與TVS管(17)的P_襯底(21)之間設有水平的P+下墻(33)，且P+上墻(34)與P+下墻(33)對通相接。3.根據(jù)權利要求2所述的低電容雙向ESD保護器件，其特征在于所述TVS管(17)的P-襯底(21)背面設有多層金屬，構成接地電極(18)。4.針對權利要求1至3之一所述的低電容雙向ESD保護器件的制備方法，其特征在于包括下述步驟第一步在P-襯底(21)中部摻雜硼元素制作P+埋層區(qū)(31)，又在P+埋層區(qū)(31)的窗口上摻雜磷元素制作N+埋層區(qū)(32)并覆蓋整個P+埋層區(qū)(31)，制成TVS管(17);第二步在TVS管(17)的P-襯底(21)周圍摻雜硼元素制作環(huán)形的P+下墻(33)，再在TVS管(17)整體的上方生長一層N-外延層(22)，然后在P+下墻(33)正上方的位置，在N-外延層(22)中摻雜硼元素制作P+環(huán)形上墻(34)，通過高溫退火將P+上墻(34)與P+下墻(33)連在一起，將N-外延層(22)分割成中部區(qū)域(A)和左右邊側(cè)區(qū)域(B、C)三個部分；第三步在N-外延層(22)的中部區(qū)域A上方摻雜硼元素制作P+擴區(qū)(35、38)，在左右邊側(cè)區(qū)域B、C上方分別摻雜磷元素制作N+接觸區(qū)(36、39)，與共同N-外延層(22)構成四個導向二級管；第四步在器件表面沉積一層金屬層，通過光刻將金屬層分成兩部分，金屬層(40)將邊側(cè)二極管(15)的N+接觸區(qū)(36)與中部二極管(13)的P+擴區(qū)(35)接通，構成第一電極(11);金屬層(37)將邊側(cè)二極管(16)的N+接觸區(qū)(39)與中部二極管(14)的P+擴區(qū)(38)接通，構成第二電極(12)，封裝后制成雙端的雙向ESD保護器件。5.根據(jù)權利要求4所述的低電容雙向ESD保護器件，其特征在于第一步中，P-襯底(21)的硼元素摻雜濃度不大于1X10toms/cm3，P+埋層區(qū)(31)的硼元素摻雜濃度至少IX1018atoms/cm3;N+埋層區(qū)(32)的磷元素摻雜濃度至少1.5X1019atoms/cm3。6.根據(jù)權利要求5所述的低電容雙向ESD保護器件，其特征在于P+埋層區(qū)(31)的硼元素摻雜濃度為1X1018atoms/cm32X1019atoms/cm3;N+埋層區(qū)(32)的磷元素摻雜濃度為1.5X1019atoms/cm32X1021atoms/cm3。7.根據(jù)權利要求4所述的低電容雙向ESD保護器件，其特征在于第二步中，所述的？+上墻(34)及P+下墻(33)的硼元素摻雜濃度2X1015atoms/cm31X1019atoms/cm3。8.根據(jù)權利要求7所述的低電容雙向ESD保護器件的制備方法，其特征在于第二步中，將P+上墻(34)與P+下墻(33)連在一起的退火溫度為11501200°C。9.根據(jù)權利要求4所述的低電容雙向ESD保護器件，其特征在于第三步中，共用的N-外延層(22)的磷元素摻雜濃度不大于lX10"atoms/cm結深不小于5iim;P+擴區(qū)(35、38)的硼元素摻雜濃度為6X1018atoms/cm32X1019atoms/cm3，結深1.53iim，N+接觸區(qū)(36、39)的磷元素摻雜濃度為1X1019atoms/cm32X1021atoms/cm3，結深1.53iim。10.根據(jù)權利要求4所述的低電容雙向ESD保護器件的制備方法，其特征在于在第四步制成第一電極及第二電極之后，將P-襯底(21)的厚度減薄至100iim150iim，在P-襯底(21)的背面制作多層金屬，作為接地電極，封裝后制成三端的雙向ESD保護器件。全文摘要本發(fā)明涉及半導體器件雙向低壓瞬態(tài)電壓抑制器件的領域，具體為低電容雙向ESD保護器件及其制備方法。一種低電容雙向ESD保護器件，由低電容二極管和低壓TVS管串聯(lián)構成，其特征在于包括四個導向二級管和一個TVS管，四個導向二級管分布在TVS管的中部和側(cè)邊，其中，TVS管(17)的陽極與分布在兩邊側(cè)的邊側(cè)二極管(15、16)的陽極連接，TVS管(17)的陰極與設在中部的二個導向二極管的陰極相連，兩個中部二極管(13、14)的陽極又與其相鄰的邊側(cè)二極管(15、16)的陰極相連，形成回路。具有低電容、低鉗位和快速響應的特點，能夠很好地滿足手機等便攜式電子產(chǎn)品對器件低電容、小型化的要求；在3G等高頻領域應用更為廣闊。文檔編號H01L23/60GK101714759SQ20091019863公開日2010年5月26日申請日期2009年11月11日優(yōu)先權日2009年11月11日發(fā)明者吳興農(nóng),張關保,蘇海偉申請人:上海長園維安微電子有限公司