專利名稱：互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 形成方法。
背景技術(shù)：
目前，在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，可使用氮化硅在晶體管溝道中引發(fā)應(yīng)力，從而調(diào)節(jié)溝 道中載流子遷移率?；パa(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(ComplementaryMetal-Oxide-kmiconduct or, CMOS)結(jié)構(gòu)包括匪OS結(jié)構(gòu)和PMOS結(jié)構(gòu)，對(duì)于CMOS結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，需要在匪OS結(jié)構(gòu)上沉積 具有張應(yīng)力(tensile stress)的氮化硅層，在PMOS結(jié)構(gòu)上沉積具有壓應(yīng)力(compressive stress)的氮化硅層，以確保NMOS結(jié)構(gòu)和PMOS結(jié)構(gòu)的溝道中載流子具有相同的遷移率。現(xiàn)有技術(shù)中CMOS結(jié)構(gòu)的制作方法，結(jié)合其具體剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖Ia至圖If進(jìn) 行說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖la，提供一半導(dǎo)體襯底100，在該半導(dǎo)體襯底100上形成半導(dǎo)體器件的有 源區(qū)和隔離區(qū)。通過(guò)在半導(dǎo)體襯底100中注入雜質(zhì)離子形成阱結(jié)構(gòu)11，定義有源區(qū)；在阱 結(jié)構(gòu)11之間制作淺溝槽隔離區(qū)(STI) 12。其中，N阱結(jié)構(gòu)用以制作PMOS結(jié)構(gòu)，注入雜質(zhì)離 子為磷或砷；P阱結(jié)構(gòu)用以制作NMOS結(jié)構(gòu)，注入雜質(zhì)離子為硼或銦。在半導(dǎo)體襯底100上依次生長(zhǎng)柵氧化層101和沉積多晶硅層102，然后對(duì)多晶硅層 102進(jìn)行刻蝕，形成多晶硅柵極。其中位于STI12上的多晶硅柵極直接與STI12接觸。接下來(lái)在柵極兩側(cè)形成側(cè)壁層103，具體為可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)方法在 柵極表面及柵氧化層表面淀積一層氧化硅，然后刻蝕形成側(cè)壁層103，厚度約為幾十納米。以柵極和側(cè)壁層103為屏蔽，進(jìn)行有源區(qū)注入步驟，以形成源極和漏極104。其中， 由于PMOS結(jié)構(gòu)用空穴作為多數(shù)載流子，所以PMOS結(jié)構(gòu)的源極和漏極為P型，注入的離子為 硼或銦；而NMOS結(jié)構(gòu)用電子作為多數(shù)載流子，所以NMOS結(jié)構(gòu)的源極和漏極為N型，注入的 離子為磷或砷。實(shí)施硅化物工藝(silicide process)，就是沉積鎳(Ni)、鈦(Ti)或者鈷(Co)等 任一種金屬，由于這些金屬可以與硅反應(yīng)，但是不會(huì)與硅氧化物如二氧化硅(SiO2)、硅氮化 物如氮化硅(Si3N4)或者是硅氮氧化物(SiON)等反應(yīng)，所以該工藝只會(huì)在露出的多晶硅柵 極表面或者半導(dǎo)體襯底100表面，硅與沉積的金屬反應(yīng)形成硅化物層105。上述結(jié)構(gòu)以STI12為界，將形成PMOS結(jié)構(gòu)的左側(cè)區(qū)域定義為第一區(qū)域，將形成 NMOS結(jié)構(gòu)的右側(cè)區(qū)域定義為第二區(qū)域。請(qǐng)參閱圖lb，在上述區(qū)域的表面沉積具有tensile stress的氮化硅層106，接 著在具有tensile stress的氮化硅層106的表面沉積硬掩膜氧化層(HardMask Oxide, ΗΜ0) 107，然后在HM0107的表面涂布光阻膠層108，并曝光顯影圖案化該光阻膠層108，使得 圖案化的光阻膠層108的開口顯露出第一區(qū)域上的HM0107，但覆蓋第二區(qū)域上的HM0107。請(qǐng)參閱圖lc，以圖案化的光阻膠層108為掩膜，對(duì)顯露出的第一區(qū)域上的HM0107 進(jìn)行刻蝕。由于HM0107與具有tensile stress的氮化硅層106在刻蝕時(shí)具有很高的選擇比，所以刻蝕在具有tensile stress的氮化硅層106終止。接著采用光阻膠灰化(ashing) 的方法，將光阻膠干法刻蝕去除。這時(shí)，第二區(qū)域上的HM0107由于之前有圖案化的光阻 膠層108的覆蓋，所以仍然保留，以第二區(qū)域上的HM0107為硬掩膜，對(duì)第一區(qū)域上的具有 tensile stress的氮化硅層106進(jìn)行去除。其中，HM0107的材料為氧化硅層，采用化學(xué)氣相沉積的方法形成，例如采用正硅酸 乙酯-臭氧方法進(jìn)行等離子增強(qiáng)方式(Plasma EnhancedTEOS, PETE0S)的沉積，或者等離子 增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)，或者深高寬比的亞大氣壓制程化學(xué)氣相沉積(HARP-CVD)。 HM0107的主要作用在于作為刻蝕具有tensile stress的氮化硅層106的硬掩膜，否則 如果將HM0107和具有tensile stress的氮化硅層106都刻蝕完成之后，再去除光阻膠層 108，這時(shí)下層的硅化物層105在氮化硅層106剝離之后就顯露出來(lái)，而灰化去除光阻膠層 108的時(shí)候是需要氧氣進(jìn)行去除的，氧氣與硅化物層105 —旦接觸，就會(huì)將硅化物層105氧 化，這是制程中所不允許的。所以在將HM0107去除之后，需要先將光阻膠層108去除，再去 除具有tensilestress的氮化硅層106。請(qǐng)參閱圖ld，在第二區(qū)域上的HM0107的表面以及第一區(qū)域的表面沉積具有 compressive stress的氮化娃層109,接著在所述具有compressive stress的氮化娃層 109表面涂布第二光阻膠層110，并曝光顯影圖案化該第二光阻膠層110，使得圖案化的第 二光阻膠層Iio的開口顯露出第二區(qū)域上的具有compressive stress的氮化硅層109，同 時(shí)覆蓋第一區(qū)域上的具有compressivestress的氮化硅層109。請(qǐng)參閱圖le，以圖案化的第二光阻膠層110為掩膜，對(duì)顯露出的第二區(qū)域上具有 compressive stress的氮化硅層109進(jìn)行刻蝕，以下層的HM0107作為蝕刻的停止層，并保 留剩余部分的HM0107。然后去除第二光阻膠層110。請(qǐng)參閱圖If，在上述結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上形成層間介質(zhì)層(ILD) 111。ILD的成分也為氧化 硅。圖If中所示ILDlll為第一層ILD。后續(xù)會(huì)在該ILD上形成連接孔112，連接孔中有導(dǎo) 電金屬填充，與有源區(qū)電性連接。需要注意的是，在以第二區(qū)域上的HM0107為硬掩膜，對(duì)第一區(qū)域上的具有 tensile stress的氮化硅層106進(jìn)行去除時(shí)，雖然HM0107與具有tensilestress的氮化硅 層106在刻蝕時(shí)具有很高的選擇比，但完全不對(duì)第二區(qū)域上的HM0107進(jìn)行刻蝕，只是一種 理想狀況，除非選擇比能夠達(dá)到非常高的要求。所以此時(shí)第二區(qū)域上的HM0107會(huì)有一些損 耗(loss) ο另外，以圖案化的第二光阻膠層110為掩膜，對(duì)顯露出的第二區(qū)域上具有 compressive stress的氮化硅層109進(jìn)行刻蝕時(shí)，雖然以下層的HM0107作為蝕刻的停止 層，但下層的HM0107仍然會(huì)被刻蝕掉一部分，出現(xiàn)與上述類似的第二區(qū)域上的HM0107損耗 問(wèn)題。如果第二區(qū)域上的HM0107在兩個(gè)過(guò)程中都損耗的比較嚴(yán)重，那么在刻蝕第二區(qū)域上 具有compressivestress的氮化硅層109的速率非?？斓那闆r下，非常容易將第二區(qū)域上 HM0107下層的具有tensile stress的氮化硅層106刻穿，從而導(dǎo)致第二區(qū)域上的NMOS結(jié) 構(gòu)也遭受刻蝕，出現(xiàn)所稱的穿通(punch through)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是減少第二區(qū)域上HMO的損耗。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明公開一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底上以淺溝槽隔離區(qū)為界，形成具有PMOS結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有 NMOS結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；在所述區(qū)域的表面依次沉積具有張應(yīng)力tensile stress的氮化硅層和硬掩膜氧 化層HMO ；在所述HMO的表面涂布光阻膠層，并曝光顯影圖案化該光阻膠層，使得圖案化的 光阻膠層的開口顯露出第一區(qū)域上的ΗΜ0，同時(shí)覆蓋第二區(qū)域上的HMO ；以圖案化的光阻膠層為掩膜，對(duì)顯露出的第一區(qū)域上的HMO進(jìn)行刻蝕；灰化去除 所述圖案化的光阻膠層的一部分；以剩余部分的光阻膠層和第二區(qū)域上的HMO為掩膜，對(duì)第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層進(jìn)行去除，顯露出第一區(qū)域，而且所述剩余部分的光阻膠層消耗完畢。在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層過(guò)程中所述剩余部分的光阻 膠層消耗完畢。在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層步驟完成時(shí)，所述剩余部分的 光阻膠層消耗完畢。在所述HMO的表面涂布光阻膠層的厚度為3000 3400埃；去除所述圖案化的 光阻膠層的一部分之后，剩余部分的光阻膠層的厚度為500 800埃；第一區(qū)域上具有 tensile stress的氮化硅層的厚度為400 500埃。該方法在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層之后，進(jìn)一步包括濕法 清洗的步驟。所述濕法清洗采用濃硫酸。所述HMO的形成方法為正硅酸乙酯-臭氧方法進(jìn)行等離子增強(qiáng)方式PETEOS的沉 積，或者等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積PECVD，或者深高寬比的亞大氣壓制程化學(xué)氣相沉積 HARP-CVD。由上述的技術(shù)方案可見(jiàn)，本發(fā)明以第二區(qū)域上的HMO以及位于其上的部分光阻膠 層為硬掩膜，對(duì)第一區(qū)域上的具有tensile stress的氮化硅層進(jìn)行去除，由于HMO有了部 分光阻膠層的遮擋，不至于使得HMO在去除具有tensile stress的氮化硅層時(shí)被同時(shí)嚴(yán)重 地?fù)p耗。而且所述的部分光阻膠層，在去除具有tensile stress的氮化硅層的過(guò)程中，或 者在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層步驟完成時(shí)被消耗完畢，不存在殘留 的光阻膠層，否則的話，下層的硅化物層在氮化硅層剝離之后就顯露出來(lái)，而灰化去除光阻 膠層是需要氧氣進(jìn)行去除的，氧氣與硅化物層一旦接觸，就會(huì)將硅化物層氧化，這是制程中 所不允許的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，不再以單獨(dú)的HMO為掩膜，在HMO之上有了一層較薄光阻膠 層的保護(hù)，所以HMO的損耗大大降低，厚度均勻性明顯提高，從而有效減少了后續(xù)第二區(qū)域 上的NMOS結(jié)構(gòu)被穿通的可能性，提高了產(chǎn)品的良率。


圖Ia至圖If為現(xiàn)有技術(shù)CMOS結(jié)構(gòu)的具體制作過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明CMOS結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例， 對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明?，F(xiàn)有技術(shù)中，在圖Ib中，沉積HM0107之后，對(duì)所沉積的HM0107的厚度進(jìn)行測(cè)量， 稱為刻蝕之前的HMO厚度；然后在如圖Ic中，以第二區(qū)域上的HM0107為硬掩膜，對(duì)第一區(qū) 域上的具有tensile stress的氮化硅層106進(jìn)行去除之后，對(duì)此時(shí)第二區(qū)域上的HM0107厚 度進(jìn)行測(cè)量，稱為刻蝕之后的HMO厚度。測(cè)量方法可以采用在線(inline)光學(xué)測(cè)量方法， 也可以采用透射電子顯微鏡(TEM，Transmission Electron Microscope)的切片測(cè)量方法。 TEM的工作原理是將需檢測(cè)的樣片，放入TEM觀測(cè)室，以高壓加速的電子束照射樣片，將樣 片形貌放大，投影到屏幕上，照相，然后進(jìn)行分析，這里就是利用TEM進(jìn)行尺寸測(cè)量。本實(shí)施例以TEM測(cè)量方法為例，對(duì)晶圓上的13個(gè)晶粒(die)中的HMO刻蝕之前和 刻蝕之后的厚度分別進(jìn)行測(cè)量，將刻蝕之前的HMO厚度表示為Tl，將刻蝕之后的HMO厚度表 示為T2，HMO厚度變化表示為Δ，單位都為埃。如表1所示。晶粒TlT2Δ
1359.6195.3-164.2
2357186.8-170.1
3363.3201.2-162.2
4364.6196.8-167.8
5351.2229.8-121.5
6345.6204.2-141.4
7349208.2-140.9
8354.9217.9-137
9353.1214.9-138.2
10358.6199.4-159.2
11360.6202.6-158
12363.2205.2-158
13364.6204.3-160.3
最大值364.6229.8-121.5
最小值345.6186.8-170.1
range194348.rU% 2. 70% 10. 50% -16. 00%表 1從表1可以看出，HMO厚度變化很大，也就是說(shuō)以第二區(qū)域上的HM0107為硬掩膜， 對(duì)第一區(qū)域上的具有tensile stress的氮化硅層106進(jìn)行去除時(shí)，HMO損耗比較嚴(yán)重。而 且，HMO在刻蝕之后的均勻性范圍(range)為43埃，均勻性指標(biāo)為10. 5%，說(shuō)明在以第 二區(qū)域上的HM0107為硬掩膜，對(duì)第一區(qū)域上的具有tensile stress的氮化硅層106進(jìn)行 去除后，HMO的均勻性變得較差。range指的是刻蝕之后的最大值與最小值的差，是指 (刻蝕后最大值-刻蝕后最小值)/2倍平均值。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明以第二區(qū)域上的HM0107以及位于其上的部分光阻膠 層為硬掩膜，對(duì)第一區(qū)域上的具有tensile stress的氮化硅層106進(jìn)行去除，由于HMO有了 部分光阻膠層的遮擋，不至于使得HMO在去除具有tensile stress的氮化硅層106時(shí)被同 時(shí)嚴(yán)重地?fù)p耗。而且所述的部分光阻膠層，在去除具有tensile stress的氮化硅層106的 過(guò)程中，或者在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層步驟完成時(shí)被消耗完畢， 不存在殘留的光阻膠層，否則的話，下層的硅化物層105在氮化硅層106剝離之后就顯露出 來(lái)，而灰化去除光阻膠層是需要氧氣進(jìn)行去除的，氧氣與硅化物層105 —旦接觸，就會(huì)將硅 化物層105氧化，這是制程中所不允許的。本發(fā)明CMOS結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖如圖2所示，其包括以下步驟步驟21、在半導(dǎo)體襯底上以淺溝槽隔離區(qū)為界，形成具有PMOS結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和 具有NMOS結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；步驟22、在所述區(qū)域的表面依次沉積具有張應(yīng)力tensile stress的氮化硅層和 HMO ；步驟23、在HMO的表面涂布光阻膠層，并曝光顯影圖案化該光阻膠層，使得圖案化 的光阻膠層的開口顯露出第一區(qū)域上的ΗΜ0，同時(shí)覆蓋第二區(qū)域上的HMO ；步驟24、以圖案化的光阻膠層為掩膜，對(duì)顯露出的第一區(qū)域上的HMO進(jìn)行刻蝕，然 后灰化去除上述圖案化的光阻膠層的一部分；步驟25、以剩余部分的光阻膠層和第二區(qū)域上的HMO為掩膜，對(duì)第一區(qū)域上具有 tensile stress的氮化硅層進(jìn)行去除，顯露出第一區(qū)域，而且所述剩余部分的光阻膠層消 耗完畢。具體地，可以在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層過(guò)程中，或者在 去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層步驟完成時(shí)，剩余部分的光阻膠層消耗完 畢。顯然，在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層步驟完成時(shí)，剩余部分的光 阻膠層消耗完畢的情況下，為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，因?yàn)檫@樣HMO被光阻膠層保護(hù)的時(shí)間 最長(zhǎng)，因而HMO的損耗也就最小。需要說(shuō)明的是，在不同的制程中，第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層厚 度是不同的，所以在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層時(shí)，能夠同時(shí)消耗剩 余部分光阻膠層的厚度也是不同的。在具體實(shí)施禮中，當(dāng)?shù)谝粎^(qū)域上具有tensile stress 的氮化硅層的厚度為400 500埃時(shí)，在所述HMO的表面涂布光阻膠層的厚度為3000 3400埃；去除所述圖案化的光阻膠層的一部分之后，剩余部分的光阻膠層的厚度為500 800埃。這樣與現(xiàn)有技術(shù)相比，不再以單獨(dú)的HMO為掩膜，在HMO之上有了一層較薄光阻膠 層的保護(hù)，所以刻蝕具有tensile stress的氮化硅層時(shí)，就不會(huì)被損耗嚴(yán)重。此時(shí)，500 800埃的剩余的光阻膠層在去除具有tensile stress的氮化硅層的過(guò)程中，或者在去除第 一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層步驟完成時(shí)被消耗完畢，不存在殘留的光阻膠 層，否則的話，下層的硅化物層105在氮化硅層106剝離之后就顯露出來(lái)，而灰化去除光阻 膠層是需要氧氣進(jìn)行去除的，氧氣與硅化物層105 —旦接觸，就會(huì)將硅化物層105氧化，這 是制程中所不允許的。一般，為去除過(guò)程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物，例如聚合物(polymer)等，采用濃硫酸或者其 他酸溶液，在步驟25之后濕法清洗上述副產(chǎn)物。
通過(guò)本發(fā)明的方法，對(duì)第一區(qū)域上的具有tensile stress的氮化硅層106進(jìn)行去除之后，得到的HMO損耗明顯降低，厚度均勻性明顯升高，具體數(shù)據(jù)如表2所示。表2為通過(guò)本發(fā)明的方法測(cè)量得到刻蝕前后HMO的厚度變化的數(shù)據(jù)表。同樣，本實(shí)施例以／EM測(cè)量方法為例，對(duì)晶圓上的13個(gè)die中的HMO刻蝕之前和刻蝕之后的厚度分別進(jìn)行測(cè)量，將刻蝕之前的HMO厚度表示為Tl，將刻蝕之后的HMO厚度表示為／2，HMO厚度變化表示為厶，單位都為埃。
晶粒TlT2厶
l376．6277．1—99．5
2378．2273．9—104．2
3374．1269．6—104．5
4364．4256．4—108
5368．9275．3—93．6
6370．3275．8—94．5
7370．7275．2—95．6
8358257．2—100．8
9357．1259．1—97．9
10377277．3—99．7
l l376．4276．7—99．8
12366．1258—108．1
13368．9268．5—100．4
最大值378．2 277．3 —93．6
最小值357．1 256．4 —108．1
range 21．120．914．5
U％2．90％ 3．90％ 一7．20％
表2
從表2可以看出，[9／i0厚度變化明顯變小，也就是說(shuō)[9／i0損耗比較小。而且，[9／i0在刻蝕之后的range為20．9埃，U％為3．9％，與原來(lái)的range為43埃，U％為lo．5％相比，說(shuō)明HMO的均勻性也明顯提高。
從現(xiàn)有技術(shù)中可以得知，IM?？赡艹霈F(xiàn)兩次loss，一次為以第二區(qū)域上的HMO為硬掩膜，對(duì)第一區(qū)域上的具有tensile stress的氮化硅層進(jìn)行去除時(shí)；一次為以圖案化的第二光阻膠層為掩膜，對(duì)顯露出的第二區(qū)域上具有compressive stress的氮化硅層進(jìn)行刻蝕時(shí)，下層的[9／i0作為蝕刻停止層。本發(fā)明的技術(shù)方案主要在于減少[9／i0在上述第一種情況下的loss，同時(shí)提高了HMO的厚度均勻性，這樣HMO雖然在第二種情況下會(huì)有損耗，但由于已經(jīng)克服了第一種情況下出現(xiàn)的問(wèn)題，所以大大減少了第二區(qū)域上的NMOS結(jié)構(gòu)被穿通的可能性，提高了產(chǎn)品的良率。
需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中定義PMOS結(jié)構(gòu)和NMOS結(jié)構(gòu)的位置時(shí)，將PMOS結(jié)構(gòu)定義在左側(cè)，NMOS結(jié)構(gòu)定義在右側(cè)，其實(shí)也可以將NMOS結(jié)構(gòu)定義在左側(cè)，PMOS結(jié)構(gòu)定義在右側(cè)，那么最終具有tensile stress的氮化硅層就形成在左側(cè)，具有compressivestress的氮化硅層就形成在右側(cè)。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在 本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底上以淺溝槽隔離區(qū)為界，形成具有PMOS結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有NMOS結(jié) 構(gòu)的第二區(qū)域；在所述區(qū)域的表面依次沉積具有張應(yīng)力tensile stress的氮化硅層和硬掩膜氧化層HMO ；在所述HMO的表面涂布光阻膠層，并曝光顯影圖案化該光阻膠層，使得圖案化的光阻 膠層的開口顯露出第一區(qū)域上的ΗΜ0，同時(shí)覆蓋第二區(qū)域上的HMO ；以圖案化的光阻膠層為掩膜，對(duì)顯露出的第一區(qū)域上的HMO進(jìn)行刻蝕；灰化去除所述 圖案化的光阻膠層的一部分；以剩余部分的光阻膠層和第二區(qū)域上的HMO為掩膜，對(duì)第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層進(jìn)行去除，顯露出第一區(qū)域，而且所述剩余部分的光阻膠層消耗完畢。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在去除第一區(qū)域上具有tensilestress的氮 化硅層過(guò)程中所述剩余部分的光阻膠層消耗完畢。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在去除第一區(qū)域上具有tensilestress的氮 化硅層步驟完成時(shí)，所述剩余部分的光阻膠層消耗完畢。
4.如權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，在所述HMO的表面涂布光阻膠層的厚度 為3000 3400埃；去除所述圖案化的光阻膠層的一部分之后，剩余部分的光阻膠層的厚度 為500 800埃；第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層的厚度為400 500埃。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法在去除第一區(qū)域上具有tensile stress的氮化硅層之后，進(jìn)一步包括濕法清洗的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述濕法清洗采用濃硫酸。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述HMO的形成方法為正硅酸乙酯-臭氧方 法進(jìn)行等離子增強(qiáng)方式PETEOS的沉積，或者等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積PECVD，或者深高 寬比的亞大氣壓制程化學(xué)氣相沉積HARP-CVD。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在半導(dǎo)體襯底上以淺溝槽隔離區(qū)為界，形成具有PMOS結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有NMOS結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；在所述區(qū)域表面依次沉積具有張應(yīng)力的氮化硅層和HMO；在HMO的表面涂布光阻膠層，并曝光顯影圖案化該光阻膠層，使圖案化的光阻膠層開口顯露出第一區(qū)域上的HMO，覆蓋第二區(qū)域上的HMO；以圖案化的光阻膠層為掩膜，對(duì)顯露出的第一區(qū)域上的HMO進(jìn)行刻蝕；灰化去除所述圖案化的光阻膠層的一部分；以剩余部分的光阻膠層和第二區(qū)域上的HMO為掩膜，去除第一區(qū)域上具有張應(yīng)力的氮化硅層，顯露出第一區(qū)域，而且剩余部分的光阻膠層消耗完畢。該方法有效減少第二區(qū)域上HMO的損耗。
文檔編號(hào)H01L21/8238GK102097380SQ20091020107
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月10日
發(fā)明者王新鵬, 韓秋華, 黃敬勇 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司