專利名稱：一種在硅晶圓背面生長(zhǎng)多晶硅層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種單晶硅圓的生產(chǎn)中一種在表面處理過程中在背面生長(zhǎng)一層多晶 硅的方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在單晶硅圓經(jīng)過磨平和清洗之后，一般在單晶硅圓表面生長(zhǎng)一定厚度的多晶硅作 為外吸雜層。利用多晶和單晶不同的熱膨脹系數(shù)產(chǎn)生應(yīng)力達(dá)到外部去瑕疵的目的，提升芯 片品質(zhì)。目前，在進(jìn)行背面多晶生長(zhǎng)時(shí)公知的方法都是采用晶圓單片排列在晶舟上，在石英 爐管內(nèi)進(jìn)行多晶硅層生長(zhǎng)，由于硅晶圓雙面同時(shí)暴露于生長(zhǎng)環(huán)境當(dāng)中，再其兩面會(huì)同時(shí)生 長(zhǎng)多晶硅層。之后再將其中一面多晶硅層在拋光時(shí)拋除，只保留需要的一面。但是這種方 法一方面會(huì)浪費(fèi)生長(zhǎng)多晶硅層的原料和設(shè)備資源，另一方面會(huì)導(dǎo)致芯片在后續(xù)階段拋光時(shí) 拋除量增加。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有背面生長(zhǎng)多晶硅層方法一方面會(huì)浪費(fèi)生長(zhǎng)多晶硅層的原料和設(shè)備 資源、一方面會(huì)導(dǎo)致芯片在后續(xù)階段拋光時(shí)拋除量增加的不足，本發(fā)明提供一種新的背面 生長(zhǎng)多晶硅層的方法。本發(fā)明所采用的方案是采用齒口寬度增加的晶舟，在將晶圓排在晶舟上的時(shí)候， 改單片排列為雙片排列，即每個(gè)晶舟的一個(gè)齒口里放兩片貼合在一起的晶圓。這樣，在石英 爐管里生長(zhǎng)多晶硅層的時(shí)候，每片晶圓各自只有靠外面的一面會(huì)生長(zhǎng)多晶硅層，而貼在一 起兩面則不會(huì)生長(zhǎng)多晶硅層。本發(fā)明的有益效果是在不改變石英爐管內(nèi)各種參數(shù)指標(biāo)，同時(shí)保證單晶硅圓背面 生長(zhǎng)多晶硅層各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)不下降的前提下，生產(chǎn)效率提高了一倍，同時(shí)節(jié)約了原料和設(shè) 備資源。
具體實(shí)施例方式在單晶硅圓背面生長(zhǎng)一層多晶硅的工藝中，使用齒口寬度合適的晶舟。在將晶圓 排在晶舟上的時(shí)候，采用雙片排列方式，即每個(gè)晶舟的一個(gè)齒口里放兩片貼合在一起的晶 圓。然后在石英爐管內(nèi)進(jìn)行多晶硅層生長(zhǎng)。
權(quán)利要求
1.一種在硅晶圓表面處理過程中背面生長(zhǎng)一層多晶硅的方法，其特征在于在石英舟上 排片時(shí)，采用每?jī)善A貼合在一起方式排列。
2.如權(quán)利要求1所述的兩片晶圓放置于石英舟的同一個(gè)齒口里。
全文摘要
本發(fā)明提供一種單晶硅圓的生產(chǎn)中一種在表面處理過程中背面生長(zhǎng)一層多晶硅的方法，具體是關(guān)于在單晶硅圓背面生長(zhǎng)多晶硅的工藝中，關(guān)于將硅晶圓排列在晶舟上的方法，此方法具有提高生產(chǎn)效率，節(jié)約原料和設(shè)備資源的效果。
文檔編號(hào)H01L21/683GK102082083SQ20091024611
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2009年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月1日
發(fā)明者李漢生, 蔡雪良 申請(qǐng)人:昆山中辰矽晶有限公司