專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，更具體地，涉及可防止焊盤(pán)部 分的損壞從而提高產(chǎn)量的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
本申請(qǐng)要求2009年5月29日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 10-2009-0047342的優(yōu)先 權(quán)，此處以引證的方式并入其內(nèi)容，就像在此進(jìn)行了完整闡述一樣。近來(lái)，各種平板顯示設(shè)備正在向減少重量和體積的方向發(fā)展，這也正是陰極射線 管的缺點(diǎn)。在平板顯示設(shè)備中，有液晶顯示設(shè)備LCD，場(chǎng)致發(fā)射顯示設(shè)備FED，等離子顯示面 板PDP，通過(guò)采用有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備(有機(jī)EL顯示設(shè)備)的電致發(fā)光顯示設(shè)備等等。 正在積極進(jìn)行用于提高顯示質(zhì)量和制造大尺寸屏幕的研究。在平板顯示設(shè)備中，有機(jī)EL顯示設(shè)備，作為一種自發(fā)發(fā)射設(shè)備(spontaneous emission device)，具有快響應(yīng)速度、高發(fā)光效率和亮度、和廣視角的優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)EL顯示 設(shè)備具有在透明基板上形成的薄膜晶體管陣列單元、位于薄膜晶體管陣列單元上的有機(jī)EL 陣列單元、以及用于將有機(jī)陣列單元與外部環(huán)境隔離開(kāi)的玻璃蓋。薄膜晶體管陣列單元具有選通線、數(shù)據(jù)線、和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL單元的驅(qū)動(dòng)部，例 如單元驅(qū)動(dòng)部。有機(jī)EL陣列單元具有有機(jī)EL單元的矩陣，該有機(jī)EL單元連接到薄膜晶體管陣列 單元中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。有機(jī)EL陣列單元中的有機(jī)EL單元由于濕氣和氧氣而易受劣化的影響。為了解決 這些問(wèn)題，執(zhí)行封裝步驟以保護(hù)有機(jī)EL陣列單元免受外力、以及空氣中的氧氣和濕氣的影 響。同時(shí)，近來(lái)，為了使有機(jī)EL顯示設(shè)備制造得薄或纖巧，以減小有機(jī)EL顯示設(shè)備的 體積，將蝕刻劑噴涂到其上形成有薄膜晶體管陣列單元的下基板上，從而減小其厚度。在這 種情況下，即使利用蝕刻劑減小下基板的厚度能使有機(jī)EL顯示設(shè)備制造得薄或纖巧，但是 也會(huì)產(chǎn)生與薄膜晶體管陣列單元連接的焊盤(pán)部分的周邊(neighborhood)被破壞的問(wèn)題。更詳細(xì)地說(shuō)，如果利用蝕刻液來(lái)減小下基板的厚度，雖然整個(gè)下基板的厚度變薄， 但是，隨著厚度變薄，與焊盤(pán)部分交疊的下基板會(huì)在玻上芯片步驟、FPC (柔性印刷電路)步 驟、或模塊化步驟中破裂。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，其可防止焊盤(pán)部 分的損壞以提高產(chǎn)量。本公開(kāi)的附加優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在下面的描述中部分描述且將對(duì)于本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員在研究下文后變得明顯，或可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐來(lái)了解。通過(guò)書(shū)面的說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，一種有機(jī) 電致發(fā)光顯示設(shè)備包括形成在下基板的正面上的薄膜晶體管陣列單元和從所述薄膜晶體 管陣列單元延伸出的焊盤(pán)部分；有機(jī)電致發(fā)光陣列單元，其位于所述薄膜晶體管陣列單元 上，并具有有機(jī)電致發(fā)光單元的矩陣；以及保護(hù)元件，其用于保護(hù)所述有機(jī)電致發(fā)光陣列單 元和所述薄膜晶體管陣列單元，并將所述焊盤(pán)部分暴露在外面，其中所述下基板的與所述 焊盤(pán)部分交疊的第一區(qū)域的厚度比與所述薄膜晶體管陣列單元交疊的第二區(qū)域的厚度更 厚。所述下基板的第一區(qū)域是從所述下基板的背面突出的區(qū)域。該有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備還包括偏振板，該偏振板附接在所述下基板的背面并位 于除了突出區(qū)域之外的區(qū)域中。所述保護(hù)元件是用透明粘性膜粘附于所述下基板的金屬片。所述保護(hù)元件是用密封劑粘結(jié)到所述下基板的玻璃蓋。在本發(fā)明的另一方面，一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法包括以下步驟在 下基板的正面上形成薄膜晶體管陣列單元，并且形成從所述薄膜晶體管陣列單元延伸出的 焊盤(pán)部分；在所述薄膜晶體管陣列單元上形成有機(jī)電致發(fā)光陣列單元；執(zhí)行用于保護(hù)所述 有機(jī)電致發(fā)光陣列單元和所述薄膜晶體管陣列單元的封裝并將所述焊盤(pán)部分暴露在外面； 以及蝕刻所述下基板，使得與所述焊盤(pán)部分交疊的第一區(qū)域具有比與所述薄膜晶體管陣列 單元交疊的第二區(qū)域更厚的厚度。蝕刻所述下基板的步驟包括以下步驟在位于所述下基板的背面、隔著所述下基 板與所述焊盤(pán)部分交疊的區(qū)域中形成蝕刻防止部；向所述下基板噴涂蝕刻劑，以部分地去 除所述下基板的未與所述蝕刻防止部交疊的下側(cè)；去除所述蝕刻防止部；以及在部分去除 后的下基板的整個(gè)背面上對(duì)所述下基板進(jìn)行蝕刻。形成所述蝕刻防止部的步驟包括以下步驟在所述下基板的背面上涂敷耐酸劑； 烘干由此涂敷的耐酸劑；以及蝕刻由此烘干的耐酸劑，以形成所述蝕刻防止部。所述蝕刻防止部是通過(guò)層疊而形成的耐酸膜。該方法還包括在所述下基板的背面的與所述薄膜晶體管陣列單元交疊的區(qū)域上 形成偏振板的步驟。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的上述一般描述和下述詳細(xì)描述是示例性和說(shuō)明性的，且旨在 提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括在本申請(qǐng)中以提供對(duì)本公開(kāi)的進(jìn)一步理解，并粘結(jié)到本申請(qǐng)中且構(gòu)成 本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本公開(kāi)的實(shí)施方式，且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本公開(kāi)的原理。 附圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示設(shè)備的截面圖。圖2僅詳細(xì)示出了圖1中的薄膜晶體管陣列單元和有機(jī)EL陣列單元的截面圖。圖3示出了圖2中的薄膜晶體管陣列單元中的一個(gè)像素的電路圖。圖4A至4E示出了圖1中的有機(jī)EL顯示設(shè)備的制造方法的步驟的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，在附圖中例示出了其示例。在可能的情 況下，相同的標(biāo)號(hào)在整個(gè)附圖中代表相同或類(lèi)似部件。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示設(shè)備的截面圖，圖2僅詳細(xì)示 出了圖1中的薄膜晶體管陣列單元15和有機(jī)EL陣列單元20的截面圖，并且圖3示出了圖 2中的薄膜晶體管陣列單元中的一個(gè)像素P的電路圖。參見(jiàn)圖1和2，有機(jī)EL顯示設(shè)備包括形成在下基板2的正面上的薄膜晶體管陣列 單元15，從薄膜晶體管陣列單元15延伸并暴露在外面的焊盤(pán)部分A，位于薄膜晶體管陣列 單元15上的有機(jī)EL陣列單元20，和用于將有機(jī)EL陣列單元20與外部環(huán)境隔離開(kāi)的保護(hù) 元件50。薄膜晶體管陣列單元15具有如圖3所示的電路。參見(jiàn)圖3，薄膜晶體管陣列單元 15具有形成在由選通線GL和數(shù)據(jù)線DL交叉限定的每個(gè)區(qū)域的像素P的矩陣。當(dāng)選通脈沖 提供到選通線GL時(shí)，像素P在從數(shù)據(jù)線DL接收到數(shù)據(jù)信號(hào)之后發(fā)出與數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的 光。為此，像素P包括有機(jī)EL單元EL和單元驅(qū)動(dòng)部60，其中該有機(jī)EL單元EL具有 連接到基礎(chǔ)電壓源GND的陰極，該單元驅(qū)動(dòng)部60連接到選通線GL、數(shù)據(jù)線DL、供電電壓源 VDD、和有機(jī)EL單元EL的陽(yáng)極，以用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL單元EL。單元驅(qū)動(dòng)部60包括開(kāi)關(guān)薄膜 晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2、和電容器C。當(dāng)掃描脈沖提供到選通線GL時(shí)，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Tl導(dǎo)通以將數(shù)據(jù)信號(hào)從數(shù)據(jù)線 DL提供到第一節(jié)點(diǎn)m。由此提供到第一節(jié)點(diǎn)m的數(shù)據(jù)信號(hào)充入到電容器c中并被提供到 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極端。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2響應(yīng)于提供到柵極端的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)控制 從供電電壓源VDD提供到有機(jī)EL單元EL的電流I的強(qiáng)度，以控制有機(jī)EL單元EL的發(fā)光 量。即使開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Tl截止，由于數(shù)據(jù)信號(hào)從電容器C釋放，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2也能 通過(guò)從供電電壓源VDD將電流I提供給有機(jī)EL單元EL直到提供下一幀的數(shù)據(jù)信號(hào)，來(lái)維 持有機(jī)EL單元EL的發(fā)光。在從薄膜晶體管陣列單元15延伸的焊盤(pán)部分A處，有從選通線延伸出來(lái)的柵焊盤(pán) 和從數(shù)據(jù)線延伸出來(lái)的數(shù)據(jù)焊盤(pán)。柵焊盤(pán)和數(shù)據(jù)焊盤(pán)通過(guò)膜上芯片C0F、帶式自動(dòng)接合TAB 連接到驅(qū)動(dòng)集成電路D-IC上，或者驅(qū)動(dòng)集成電路D-IC通過(guò)玻上芯片COG直接安裝到焊盤(pán) 部分A。為此，焊盤(pán)部分A沒(méi)有被保護(hù)元件50覆蓋，而是暴露在外面。有機(jī)EL陣列單元20具有有機(jī)EL單元EL的矩陣以及陽(yáng)極4和陰極12，其中各個(gè) 有機(jī)EL單元EL具有有機(jī)EL層10，該有機(jī)EL層10夾在陽(yáng)極4和陰極12之間。由薄膜晶 體管陣列單元15驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL單元EL向保護(hù)元件50或下基板2發(fā)光。在通過(guò)向保護(hù)元 件50的方向發(fā)光而生成圖像的上側(cè)發(fā)光有機(jī)EL顯示設(shè)備的情況下，反射板可設(shè)置在有機(jī) EL單元EL和薄膜晶體管陣列單元15之間。金屬片用作保護(hù)元件50。金屬片利用透明粘性膜26而粘附到下基板2、有機(jī)EL 陣列單元20等等上。同時(shí)，玻璃蓋可用作保護(hù)元件50。如果采用玻璃蓋，則玻璃蓋利用密 封劑而粘結(jié)到下基板2上。下基板2具有與焊盤(pán)部分A交疊的第一區(qū)域Gl和不與焊盤(pán)部分A交疊的第二區(qū)域G2。第二區(qū)域G2是與薄膜晶體管陣列單元15和有機(jī)EL陣列單元20交疊的區(qū)域。第一 區(qū)域Gl具有從其上形成有焊盤(pán)部分A的下基板2的正面的相反面(即背面)突出的結(jié)構(gòu)。 由此，下基板2的第一區(qū)域Gl具有比第二區(qū)域G2更厚的厚度。也可以表示為第二區(qū)域G2 具有比第一區(qū)域Gl更薄的厚度。由于噴涂蝕刻劑以部分地去除下基板2的第二區(qū)域G2，所以第一區(qū)域Gl比第二區(qū) 域G2厚，并且再次蝕刻下基板2的背面以將其整體去除。下基板2的厚度整體變薄，以使 得有機(jī)EL顯示設(shè)備更薄且更纖巧。在焊盤(pán)部分A通過(guò)C0F、TAB、或COG連接到驅(qū)動(dòng)集成電 路的情況下，第一區(qū)域Gl變得比第二區(qū)域G2更厚，使得下基板2與焊盤(pán)部分A交疊以具有 足夠的硬度。就是說(shuō)，如果第一區(qū)域Gl被蝕刻為與第二區(qū)域G2相同的高度，則焊盤(pán)部分A所在 的下基板2很可能在將焊盤(pán)部分A連接到驅(qū)動(dòng)集成電路的步驟中斷裂。為了通過(guò)在焊盤(pán)部 分A所在的區(qū)域加強(qiáng)下基板2的硬度來(lái)防止這種情況發(fā)生，將第一區(qū)域Gl制造為具有比第 二區(qū)域G2更厚的厚度。通過(guò)將偏振板55附接在下基板2的具有較薄厚度的第二區(qū)域G2 上，改進(jìn)了將有機(jī)EL顯示設(shè)備制造得使整個(gè)有機(jī)EL顯示設(shè)備薄和纖巧的方法，防止了焊盤(pán) 部分A的損壞，從而提高了產(chǎn)量。下面參見(jiàn)圖4A到4E描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示設(shè)備的制造 方法。在下基板2上形成薄膜晶體管陣列單元15和從薄膜晶體管陣列單元15延伸出的 焊盤(pán)部分A。薄膜晶體管陣列單元15包括選通線GL和數(shù)據(jù)線DL，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Tl，驅(qū)動(dòng) 晶體管T2，電容器C等等。隨后，在薄膜晶體管陣列單元15上形成有機(jī)EL陣列單元20。隨后，利用透明粘性膜26將保護(hù)元件50粘結(jié)到下基板2和有機(jī)EL陣列單元20， 以保護(hù)有機(jī)EL陣列單元20免受外部環(huán)境的影響。焊盤(pán)部分A，不受保護(hù)元件50保護(hù)，而是 暴露在外面。同時(shí)，采用金屬片作為保護(hù)元件50，利用透明粘性膜26將其粘附到下基板2和有 機(jī)EL陣列單元20。同時(shí)，玻璃蓋可用作保護(hù)元件50。在采用玻璃蓋的情況下，利用密封劑 將玻璃蓋粘結(jié)到下基板2。隨后，參見(jiàn)圖4A，將下基板2放置為其背面S朝上，使得薄膜晶體管陣列單元15和 有機(jī)EL陣列單元20朝下。參見(jiàn)圖4B，通過(guò)平網(wǎng)印刷(screen printing)或絲網(wǎng)印刷將耐酸劑 (acidresistant paste)涂敷在下基板的背面S，并對(duì)其進(jìn)行烘干和蝕刻以在與焊盤(pán)部分A 交疊的區(qū)域形成蝕刻防止部62。參見(jiàn)圖4C，利用蝕刻劑噴涂器70將蝕刻劑72噴涂在下基板2上。在這種情況下， 在將下基板2垂直地立起使得焊盤(pán)部分A位于下側(cè)的狀態(tài)下，從上側(cè)向下將蝕刻劑噴涂到 下基板2。在這種情況下，除了下基板2之外的部分由附加的裝置和/或膜來(lái)覆蓋，使得蝕 刻劑72從上側(cè)到下側(cè)移動(dòng)以?xún)H蝕刻下基板20。由此，與焊盤(pán)部分A交疊的區(qū)域，即，下基板2的設(shè)置有蝕刻防止部62的區(qū)域不被 蝕刻，僅部分地蝕刻下基板2的未設(shè)置有蝕刻保護(hù)部62的區(qū)域。更詳細(xì)地，部分地蝕刻下 基板2的下側(cè)。例如，如果下基板2具有0. 5mm的厚度，則從未設(shè)置有蝕刻防止部62的區(qū) 域去除的厚度在0. Imm的范圍內(nèi)。
6
據(jù)此，參見(jiàn)圖4D，在下基板2中，與焊盤(pán)部分A交疊的第一區(qū)域Gl具有比不與焊盤(pán) 部分A交疊的第二區(qū)域G2更厚的厚度。隨后，利用苛性鈉(或氫氧化鈉)來(lái)去除蝕刻防止 部62。同時(shí)，雖然參見(jiàn)圖4B描述了利用膏劑來(lái)形成蝕刻防止部62的技術(shù)，但該技術(shù)不限 于此，也可利用層疊法來(lái)形成耐酸膜。利用附加的蝕刻步驟來(lái)在具有第一和第二區(qū)域Gl和G2的整個(gè)背面S對(duì)下基板2 進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，如圖4E所示，雖然保留了第一和第二區(qū)域Gl和G2，但是減小了下基板2 的整體厚度。例如，如果下基板2的厚度為0.5mm，通過(guò)控制蝕刻速度，第一區(qū)域Gl被形成 為具有大約為0. 2mm的厚度，第二區(qū)域G2被形成具有大約為0. Imm的厚度。之后，通過(guò)將偏振板50附接在比第一區(qū)域Gl更薄的第二區(qū)域G2，來(lái)完成如圖1所 示的有機(jī)EL顯示設(shè)備。如已描述的，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法具有下述優(yōu)點(diǎn)。在下基板2中，焊盤(pán)部分所位于的第一區(qū)域Gl被形成得比沒(méi)有焊盤(pán)部分的第二區(qū) 域G2更厚。而且，偏振板55附接在下基板2的厚度較薄的第二區(qū)域G2上。由此，改進(jìn)了 將有機(jī)EL顯示設(shè)備制造得更薄和更纖巧的方法，并防止了在COG和模塊化中的焊盤(pán)部分A 的損壞，從而提高了產(chǎn)量。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的條件下，可以 在本發(fā)明中做出各種修改和變型。因而，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物的 范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括形成在下基板的正面上的薄膜晶體管陣列單元和從所述薄膜晶體管陣列單元延伸出的焊盤(pán)部分；有機(jī)電致發(fā)光陣列單元，其位于所述薄膜晶體管陣列單元上，并具有有機(jī)電致發(fā)光單元的矩陣；以及保護(hù)元件，其用于保護(hù)所述有機(jī)電致發(fā)光陣列單元和所述薄膜晶體管陣列單元，并將所述焊盤(pán)部分暴露在外面，其中所述下基板的與所述焊盤(pán)部分交疊的第一區(qū)域的厚度比與所述薄膜晶體管陣列單元交疊的第二區(qū)域的厚度更厚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述下基板的第一區(qū)域是從所 述下基板的背面突出的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備還包括偏 振板，該偏振板附接在所述下基板的背面并位于除了突出區(qū)域之外的區(qū)域中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述保護(hù)元件是用透明粘性膜 粘附于所述下基板的金屬片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述保護(hù)元件是用密封劑粘結(jié) 到所述下基板的玻璃蓋。
6.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括以下步驟在下基板的正面上形成薄膜晶體管陣列單元，并且形成從所述薄膜晶體管陣列單元延 伸出的焊盤(pán)部分；在所述薄膜晶體管陣列單元上形成有機(jī)電致發(fā)光陣列單元；執(zhí)行用于保護(hù)所述有機(jī)電致發(fā)光陣列單元和所述薄膜晶體管陣列單元的封裝并將所 述焊盤(pán)部分暴露在外面；以及蝕刻所述下基板，使得與所述焊盤(pán)部分交疊的第一區(qū)域具有比與所述薄膜晶體管陣列 單元交疊的第二區(qū)域更厚的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中蝕刻所述下基板的步驟包括以下步驟在位于所述下基板的背面、隔著所述下基板與所述焊盤(pán)部分交疊的區(qū)域中形成蝕刻防 止部；向所述下基板噴涂蝕刻劑，以部分地去除所述下基板的未與所述蝕刻防止部交疊的下側(cè)；去除所述蝕刻防止部；以及在部分去除后的下基板的整個(gè)背面上對(duì)所述下基板進(jìn)行蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述蝕刻防止部的步驟包括以下步驟在所述下基板的背面上涂敷耐酸劑；烘干由此涂敷的耐酸劑；以及蝕刻由此烘干的耐酸劑，以形成所述蝕刻防止部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述蝕刻防止部是通過(guò)層疊而形成的耐酸膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，該方法還包括在所述下基板的背面的與所述薄膜晶 體管陣列單元交疊的區(qū)域上形成偏振板的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，其可防止焊盤(pán)部分的損壞以提高產(chǎn)量。該有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括形成在下基板的正面上的薄膜晶體管陣列單元和從所述薄膜晶體管陣列單元延伸出的焊盤(pán)部分；有機(jī)電致發(fā)光陣列單元，其位于所述薄膜晶體管陣列單元上，并具有有機(jī)電致發(fā)光單元的矩陣；以及保護(hù)元件，其用于保護(hù)所述有機(jī)電致發(fā)光陣列單元和所述薄膜晶體管陣列單元，并將所述焊盤(pán)部分暴露在外面，其中所述下基板的與所述焊盤(pán)部分交疊的第一區(qū)域的厚度比與所述薄膜晶體管陣列單元交疊的第二區(qū)域的厚度更厚。
文檔編號(hào)H01L23/485GK101901824SQ20091024688
公開(kāi)日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2009年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月29日
發(fā)明者俞臺(tái)淵, 李在暎 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司