專利名稱：用于再生襯底的表面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于再生襯底的表面的方法，其中該表面，特別為硅表面，該表面包括 特別是由于層轉(zhuǎn)移工藝而產(chǎn)生的突起殘留形貌，該層轉(zhuǎn)移工藝通常包括離子注入步驟、結(jié) 合(bonding)步驟以及分離步驟。
背景技術(shù)：
圖1中示出的所謂的智能剝離(Smart Cut )工藝，提供了高質(zhì)量的絕緣體上硅 (S0I)襯底。在該工藝過程中，被稱為操作襯底101和供體襯底103的兩個(gè)襯底，通常為硅 晶片，經(jīng)過某些工藝步驟將供體襯底103的具有給定厚度的層轉(zhuǎn)移到操作襯底101上。在 工藝過程中，供體襯底103通常被氧化105以在之后形成S0I結(jié)構(gòu)的埋氧層(BOX)，并且實(shí) 施離子注入步驟以形成限定待轉(zhuǎn)移層的預(yù)定分裂區(qū)域107。隨后，特別是通過結(jié)合，利用范 德華力，將源襯底103附接到操作襯底101，以獲得源-操作復(fù)合物109。當(dāng)機(jī)械處理和/ 或熱處理時(shí)，半導(dǎo)體層111連同埋氧層113—起在預(yù)定分裂區(qū)域107處發(fā)生分離，使得這兩 層被轉(zhuǎn)移到操作襯底101上，以獲得期望的絕緣體上硅結(jié)構(gòu)115。供體襯底101的剩余部分117，也被稱為負(fù)襯底(negative)，能在Smart Cut 型 工藝中被重復(fù)利用并作為新的供體或操作襯底而被再次使用。由于該重復(fù)利用的工藝，使 得Smart Cut 型的SOI制造工藝具有明顯的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)。確實(shí)，該工藝提供了對(duì)原材料(例 如硅晶片)的優(yōu)化利用。如圖1所示，負(fù)襯底在邊緣區(qū)域具有呈現(xiàn)為突起殘留119a和119b的特征形貌，其 與由于初始的晶片103和/或101的邊緣形狀而沒有發(fā)生層轉(zhuǎn)移的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。突起殘留 119a和119b之間的負(fù)襯底117的表面具有第一內(nèi)部區(qū)域121，分離在第一內(nèi)部區(qū)域121處 發(fā)生以在操作襯底109上提供轉(zhuǎn)移層111，并且與標(biāo)準(zhǔn)硅晶片的1-3ARMS相比，第一內(nèi)部區(qū) 域121通常具有由原子力顯微鏡(AFM)所測(cè)量的接近60-70ARMS的相當(dāng)粗糙的表面。具 有突起殘留119a和119b的剩余部分117的邊緣實(shí)際上為斜面的形狀，并且另外包括從內(nèi) 部區(qū)域121看來為臺(tái)階狀的結(jié)構(gòu)123，該臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)123包括離子注入的預(yù)定分裂區(qū)域129 的剩余部分之上的未轉(zhuǎn)移的硅127和埋氧層125的剩余部分。附帶地，負(fù)襯底117的邊緣 131和背面133也被氧化物所覆蓋。負(fù)襯底117的臺(tái)階123通常具有厚度為大約1000-10000A、最可能在2000到 3000A之間的硅，100到10000A的硅氧化物，并且具有橫向方向上大約l-3mm的寬度w。在將負(fù)襯底117再次用作為供體襯底103或操作襯底101之前，需要降低內(nèi)部區(qū) 域121的表面粗糙度并且需要去除突起殘留形貌119a和119b。實(shí)施該處理的方法例如為 EP 1156531A1和US7，402，520B2中所已知的方法。通常實(shí)施下列工藝來去除突起殘留形 貌從脫氧步驟開始該再生工藝，以去除剩余部分117的邊緣上的突起殘留形貌的頂部上 的、以及側(cè)面131上的和其背面133上的氧化層125。例如能夠?qū)嵤〩F浴來進(jìn)行脫氧，其 中酸消耗掉氧化層125、131和133。隨后，實(shí)施襯底1的邊緣區(qū)域的第一拋光步驟，以至少 部分地去除邊緣上的突起硅部分127。然后，實(shí)施雙面拋光(DSP)步驟來改善內(nèi)部區(qū)域121中的表面粗糙度，并且還進(jìn)一步沿突起殘留形貌119a和119b的方向去除臺(tái)階123。最后， 實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光步驟(CMP)，以在剩余部分117的前表面上獲得適宜的表面粗糙度。

發(fā)明內(nèi)容
盡管可以利用所描述的再生工藝來獲得能夠在Smart Cut 工藝中被再次使用的 重復(fù)利用的襯底，但是本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種改進(jìn)的再生工藝，該工藝不再需要雙面拋 光步驟來再生供體襯底的剩余部分。確實(shí)，DSP工藝步驟所具有的主要缺點(diǎn)在于，在拋光過 程中，為了除去突起殘留形貌119a和119b，去除的厚度達(dá)到了 10微米(襯底每側(cè)上為5微 米)。使用根據(jù)權(quán)利要求1的方法實(shí)現(xiàn)了該目標(biāo)。由此，用于再生襯底的表面的方法(其 中，該表面特別是硅表面，包括突起殘留形貌，該突起殘留形貌特別是由層轉(zhuǎn)移工藝所產(chǎn)生 的，并且包括至少一層諸如硅的第一材料)包括以下步驟a)在所述襯底的所述表面的非 突起區(qū)域中設(shè)置特別是硅的填充材料，以及，b)拋光所述表面，其中在拋光步驟b)中，所述 填充材料和所述突起殘留形貌的至少一部分被同時(shí)拋光。通過使用所述填充材料平坦化所 述突起區(qū)域和非突起區(qū)域，使得有可能免除消耗材料的雙面拋光。由此能夠更加多次地再 使用襯底。優(yōu)選地，可以選擇所述第一材料和所述填充材料，使得步驟b)中的拋光以基本上 相同的去除速率來進(jìn)行。在情況下，可以優(yōu)選地選擇所述填充材料，以使得其機(jī)械和/或化 學(xué)拋光特性與所述第一材料相當(dāng)。這會(huì)使得所述拋光步驟b)最優(yōu)化。優(yōu)選地，所述填充材料和所述第一材料是相同化學(xué)特性的。使用根據(jù)本發(fā)明的方 法，可以免除雙面拋光步驟。優(yōu)選地，所述突起殘留形貌的所述第一材料可以為單晶態(tài)并且所述填充材料可以 為多晶態(tài)。由于相對(duì)于拋光來說，材料是否為單晶態(tài)或多晶態(tài)都沒有關(guān)系，因此可以利用與 單晶態(tài)的生長(zhǎng)相比更快的、以多晶態(tài)沉積的材料的沉積。這使得根據(jù)本發(fā)明的方法更加有 效。有利地，步驟b)可以包括化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。本發(fā)明僅僅需要CMP拋光來代替 實(shí)施總共去除大約10微米(兩側(cè)均為5微米)的材料的DSP方法，在CMP拋光中僅除去1 微米的材料。由于該有限的材料去除，在保持在關(guān)于材料厚度和幾何形狀的SEMI標(biāo)準(zhǔn)之內(nèi) 的情況下，可以更多次地再使用供體襯底。有利地，具有所述填充材料的層的厚度可以在所述突起形貌的所述第一材料的厚 度的50%到150%范圍之內(nèi)，特別是在所述第一材料的厚度的80%到120%范圍之內(nèi)，更特 別地，可以與所述第一材料的厚度相當(dāng)。在該填充材料厚度的范圍之內(nèi)，可以實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)拋光 工藝(如CMP)來再生所述襯底的所述表面，并且同時(shí)保證所述邊緣區(qū)域的幾何形狀。根據(jù)第一優(yōu)選變型，所述突起形貌可包括在所述突起殘留形貌的第一層之上的、 特別是在所述突起殘留形貌的第一層上的、特別為二氧化硅的第二材料的第二層，并且其 中，步驟a)可包括在所述突起形貌的所述第二材料上和在所述非突起區(qū)域上沉積所述填 充材料，特別是在使用例如硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、Si3H8…的硅前驅(qū)體(precursor)的 反應(yīng)器中進(jìn)行沉積，并且去除所述第二層，以由此同時(shí)去除所述突起形貌之上的所述填充 材料。在該實(shí)施方式中，可以是例如氧化物的第二材料因此起到物理掩模的作用。實(shí)際上，在所有的表面上沉積所述填充材料，而不依賴于其是否為所述第二材料(氧化物)或是所 述第一材料(硅)。有利地，在沉積步驟期間，所述襯底可以布置成使得與具有所述突起形貌的所述 表面相對(duì)的表面?zhèn)缺３譀]有所述填充材料的層。由于其保持了可至少部分地接近去除劑， 這就簡(jiǎn)化了對(duì)于所述第二層的去除。根據(jù)第二優(yōu)選變型，所述突起形貌可包括在所述第一層之上的、特別是在所述第 一層上的、特別為氧化硅的第二材料的第二層，其中所述填充材料提供步驟可以包括利用 所述第二層作為掩模而僅在所述非突起區(qū)域上沉積所述填充材料。實(shí)際上，依賴于在所述 反應(yīng)器中所使用的前驅(qū)體的選擇，所述填充材料沉積可以是選擇性的。例如，可以使用二氯 硅烷(DSC :SiH2Cl2)、TCS(SiHCl3)、SiCl4來得到選擇性的沉積。特別地，不在被氧化物覆蓋 的所述突起區(qū)域上面沉積，反之在所述非突起硅區(qū)域上獲得沉積。在該情況下，在所述突起 形貌上的所述第二層起到化學(xué)掩模的作用，由于其化學(xué)特性，防止了所述填充材料沉積在 其表面上。有利地，這個(gè)變型包括去除所述第二層、由此去除所述掩模的附加步驟。根據(jù)該 變型的工藝可以實(shí)施為對(duì)所述襯底的所述背面批處理(涉及所述填充材料的沉積以及所 述第二層的去除)，因此與呈現(xiàn)所述突起形貌相對(duì)的側(cè)面不起任何特別的作用。有利地，所述第二層去除步驟包括使用特別為HF浴的脫氧步驟。在第一變型中， 這同時(shí)導(dǎo)致通過剝離而去除在所述突起形貌上的所述填充材料。通過阻止在所述背面上沉 積所述填充材料，所述HF浴可以經(jīng)由所述背面來進(jìn)行處理，這導(dǎo)致期望的剝離以及氧化物 的去除。在第二變型中，防止了在所述突起區(qū)域上沉積填充材料的化學(xué)掩?？梢员挥行У?去除。優(yōu)選地，在步驟b)過程中，至少可去除與所述第一層的厚度相應(yīng)的厚度。由此，全 部的所述突起形貌被去除并獲得平坦的再生表面。有利地，材料的去除可以超過具有注入缺陷的區(qū)域。不用必須除去與在雙面拋光 過程中同樣多的材料，依然能使所述襯底的質(zhì)量回到適宜的水平，使得所述襯底可以被再 次使用。優(yōu)選地，材料的去除可以具體根據(jù)與離子注入工藝相關(guān)聯(lián)的所述突起形貌的最大 高度而在2000-12000A的范圍之內(nèi)，在所述離子注入工藝中離子的能量限定了注入的深度。根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式，該方法可進(jìn)一步包括邊緣拋光步驟，以去除所述襯底的斜面 邊緣區(qū)域中的離子注入?yún)^(qū)域。該附加的步驟有助于進(jìn)一步提高再生襯底的質(zhì)量。該發(fā)明還涉及根據(jù)權(quán)利要求15的襯底，該襯底包括基底、在所述基底之上的、特 別是在所述基底的邊緣區(qū)域中的離子注入?yún)^(qū)域和非離子注入?yún)^(qū)域、在所述離子注入?yún)^(qū)域上 的第一材料的第一層、以及在所述非離子注入?yún)^(qū)域上的填充材料的填充層。通過實(shí)施拋光 步驟、特別為CMP拋光步驟以使其準(zhǔn)備用于Smart Cut 型應(yīng)用中的再生，這樣的襯底能夠 被容易地重復(fù)利用。優(yōu)選地，所述第一材料可以為單晶態(tài)并且所述填充材料可以為多晶態(tài)。如上面已 經(jīng)描述的，通過提供多晶填充層，能夠快速得到所期望的結(jié)構(gòu)。


將參考以下附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的有利實(shí)施方式圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的Smart Cut 工藝，圖2a_2e示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，其中剩余部分的氧化層被用作物理掩 模，以及圖3a_3e示出第二實(shí)施方式，其中氧化層起化學(xué)掩模的作用。
具體實(shí)施例方式圖2a_2e示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，其中剩余部分的氧化層被用作物理掩模。圖2a示意性示出了已被用于層轉(zhuǎn)移工藝的供體襯底的剩余部分21，該層轉(zhuǎn)移工 藝?yán)鐬樯厦鎱⒄請(qǐng)D1進(jìn)一步描述的Smart Cut 工藝。在圖2a中示出的剩余部分21實(shí) 際上對(duì)應(yīng)于圖1中所示的負(fù)襯底117。剩余部分21因此包括基底層23，例如硅或鍺?；讓?3的邊緣區(qū)域中的表面承 載有突起形貌25a和25b。如在前言中已經(jīng)公開的，該突起殘留形貌25a、25b為由于晶片的 邊緣幾何形狀包括斜面區(qū)域而導(dǎo)致的未轉(zhuǎn)移部分的結(jié)果。在該實(shí)施方式中的突起形貌包括 臺(tái)階狀殘留第一層27 (這里為硅或鍺)和第二層29 (這里為氧化硅或氧化鍺)。該第二層 還在基底23的側(cè)邊緣31和背面33的表面上延伸，因此與具有突起殘留形貌25a、25b的一 側(cè)相對(duì)。最后，通過注入離子形成的預(yù)定分裂區(qū)域35仍然呈現(xiàn)在基底23和突起形貌25a、 25b的第一層27之間。如圖2b所示的下一步驟，用于再生襯底21的表面的方法包括在基底23的表面 上、由此不僅在突起部分25a、25b之間而且在突起部分25a、25b上以及在基底23的側(cè)面上 設(shè)置填充材料層37。然而，在這個(gè)實(shí)施方式中，在基底23的背面33上不設(shè)置填充材料。對(duì)于硅的基底23和對(duì)于氧化硅的第二層29，所使用的填充材料為硅。它可以利用 基于硅前驅(qū)體(例如硅烷(SiH4、Si2H6、……))的CVD工藝來沉積。在后面的工藝中，填充 材料37將連同突起第一層27 —起被去除，使得不必提供外延生長(zhǎng)。為了相較于單晶或外 延沉積工藝提高再生工藝的速度，實(shí)施該CVD工藝來沉積非晶或多晶層。選擇填充材料37的特性，使其拋光特性與第一材料的特性相當(dāng)。特別是在填充材 料和第一材料為相同化學(xué)特性時(shí)是如此。在此情況下，填充材料和突起殘留形貌25a和25b 的拋光基本上是以相同的去除速率進(jìn)行的。由此，拋光之后的表面平坦性使得能夠?qū)嵤┚?片結(jié)合。不過，使用接觸拋光或鏡面拋光可以進(jìn)一步降低粗糙度。在這個(gè)實(shí)施方式中，多晶硅材料層37的厚度基本上與形成臺(tái)階的第一層27的厚 度相當(dāng)。層37的厚度至少呈現(xiàn)為第一層27厚度的50%并且最多為150%，使得能夠?qū)崿F(xiàn) 隨后所描述的該方法的優(yōu)勢(shì)。圖2c示出了后續(xù)工藝步驟的結(jié)果，該步驟包括去除在突起形貌上、側(cè)面31上和背 面33上的第二層29。這導(dǎo)致同時(shí)去除了設(shè)置在第一突起形貌區(qū)域25a和第二突起形貌區(qū) 域25b中的第二層上的、以及基底23的側(cè)面31上的填充材料層部分39、41。當(dāng)?shù)诙訛檠趸钑r(shí)，可以通過脫氧步驟來實(shí)現(xiàn)第二層的去除。使用HF浴來去除 氧化物。該HF浴導(dǎo)致氧化層29、31和33的消耗，并且還導(dǎo)致沉積在突起形貌25a和25b 以及側(cè)面上的填充材料的剝離效應(yīng)，該填充材料在這里為多晶硅。然而，直接定位于基底23上的填充材料層37的部分不受HF浴的影響并且保留在原處。如上面所提到的，在襯底21的背面33上不設(shè)置填充材料層，使得HF溶液可以有 效地處理第二層29的氧化物。當(dāng)然也可以讓酸經(jīng)由側(cè)面處理來代替經(jīng)由背面處理氧化物， 在這種情況下必須保證襯底的側(cè)面的至少一部分在表面上具有第二層的氧化物。在剝離之后，如圖2c中所示，保留了基底23、突起形貌的第一層27以及定位于突 起部分25a、25b之間的多晶硅填充材料層37。作為下一步驟，實(shí)施如現(xiàn)有技術(shù)中所使用的邊緣拋光，以至少部分地去除突起形 貌25a、25b的臺(tái)階狀第一層27。在該步驟期間，還從橫向邊緣43和背面上的斜面部分45 去除一些材料。在圖2d中示出了邊緣拋光之后得到的結(jié)構(gòu)。然后，實(shí)施拋光步驟，優(yōu)選地實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟，以將層37連同殘留的 第一層27—起去除，以得到準(zhǔn)備在諸如Smart Cut 工藝的層轉(zhuǎn)移工藝中再次使用的、再生 的供體襯底47，如圖2e中所示。在拋光步驟期間，實(shí)際上不僅層37和臺(tái)階狀第一層27的剩余部分被去除，而且材 料的去除超過了這兩層，從而還去除了由于離子注入而具有缺陷的基底23的區(qū)域?？傮w 上，去除了大約2000-12000A厚度的層。根據(jù)第一實(shí)施方式的方法具有的優(yōu)勢(shì)在于，能夠獲得滿足在諸如Smart Cut 工藝 的半導(dǎo)體工藝中再次使用的所有標(biāo)準(zhǔn)的再生襯底47。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，不必進(jìn)行雙面拋 光，使得從基底23除去較少的材料。因而，一個(gè)襯底在其變得太薄之前能夠以更加多次的 循環(huán)來再次使用。另外，襯底的幾何形狀，特別是對(duì)于將發(fā)生結(jié)合的表面的幾何形狀，可以 保持不變。圖3a_3e示出了本發(fā)明的用于再生襯底的表面的方法的第二實(shí)施方式，其中該表 面特別為硅表面，包括突起殘留形貌。圖3a再次示出了將被再生的襯底21，如已經(jīng)在圖2a而且也在圖1中所示的。對(duì) 襯底21以及其元素的描述將不再詳細(xì)地重復(fù)，而是參考圖2a的描述。第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的不同在于使用不同類型的工藝來沉積填充材料。 在第一實(shí)施方式中，選擇一種工藝，其中填充材料37存在于除了背面33外的整個(gè)襯底21 之上，然而第二實(shí)施方式提出了一種工藝，其中第二層29，因而氧化層，起不同的作用。在第 二實(shí)施方式中，氧化層29為化學(xué)掩模，使得在又為多晶硅的填充材料51的沉積期間，僅僅 在硅終止的表面上發(fā)生沉積，因此直接在突起區(qū)域25a、25b之間的基底23上發(fā)生沉積。圖3b因此僅示出了直接在基底23上的填充材料51。可使用基于允許選擇性沉 積的硅前驅(qū)體的CVD工藝來實(shí)現(xiàn)這種沉積，其中該前驅(qū)體例如為二氯硅烷(DCS)、SiHCl3、 SiCl4。隨后，在圖3c中示出，如第一實(shí)施方式中，使用HF浴去除突起區(qū)域25a和25b中 的、以及基底23的邊緣31和背面33上的第二層29的氧化物。填充材料51以及第一層27 保留在基底23上。隨后，實(shí)施如第一實(shí)施方式中的邊緣拋光，去除第一層27的一部分，并去除來自 橫向邊緣43的以及基底23的斜面區(qū)域45中的背面的材料。最后，實(shí)施CMP拋光步驟來得 到最終的再生襯底53，如圖3e中所示。邊緣拋光和CMP步驟與第一實(shí)施方式的步驟相應(yīng)， 因此其描述作為參考引入。
與第一實(shí)施方式相比較，該第二實(shí)施方式具有的優(yōu)勢(shì)在于，由于填充材料51僅僅 在非突起區(qū)域直接沉積到基底23上，因此其不需要實(shí)施剝離工藝步驟。因此，在沉積工藝 期間，由于無論如何都不會(huì)在背面上所存在的氧化物上發(fā)生沉積作用，所以襯底21的背面 也能夠暴露于前驅(qū)體。因此，可以使用批量類型的工藝，其中可以同時(shí)處理多個(gè)襯底。與之 對(duì)比，在第一實(shí)施方式中，需要保護(hù)背面以保持沒有沉積層。能使用單個(gè)晶片處理工具來實(shí) 現(xiàn)對(duì)背面所必需的掩模，其中襯底定位于襯底保持物上。然而，相較于第一實(shí)施方式，第二實(shí)施方式具有相同的優(yōu)勢(shì)，即不進(jìn)行去除至少10 微米材料的雙面拋光，可以由簡(jiǎn)單的化學(xué)機(jī)械拋光來代替，使得在再生期間去除較少的材 料(僅僅達(dá)到大約1微米)，第二實(shí)施方式具有的另外的優(yōu)點(diǎn)在于，由于晶片可以以批量類 型的工藝被重復(fù)利用，因此可以提高生產(chǎn)量。在圖1到3中，相較于整個(gè)襯底21、101、103，沒有按照真實(shí)的比例示出邊緣區(qū)域。 僅為了示意性示出導(dǎo)致未轉(zhuǎn)移區(qū)域的邊緣的幾何形狀影響，實(shí)際上以夸張的方式呈現(xiàn)出該 斜面區(qū)域。
權(quán)利要求
用于再生襯底的表面的方法，其中所述表面特別為硅表面，包括突起殘留形貌，所述突起殘留形貌特別是由層轉(zhuǎn)移工藝所產(chǎn)生，包括至少一層的諸如硅的第一材料，所述方法具有以下步驟a)在所述襯底的所述表面的非突起區(qū)域中提供填充材料，特別是硅，以及b)拋光所述表面，其中，在拋光步驟b)期間，所述填充材料和所述突起殘留形貌的至少一部分被同時(shí)拋光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一材料和所述填充材料使得步驟b)中的 拋光基本上以相同的去除速率進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述第一材料為單晶態(tài)并且所述填充材料為多晶態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的一項(xiàng)所述的方法，其中，步驟b)包括化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的一項(xiàng)所述的方法，其中，具有所述填充材料的層的厚度在 所述第一材料的厚度的50%到150%范圍之內(nèi)，特別是在所述第一材料的厚度的80%到 120%范圍之內(nèi)，更特別地與所述第一材料的厚度相當(dāng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中的一項(xiàng)所述的方法，其中，所述突起形貌包括在第一層之上 的、特別是在所述第一層上的特別為Si02的第二材料的第二層，并且其中步驟a)包括a. i.在所述突起形貌和所述非突起區(qū)域的所述第二材料上沉積所述填充材料，特別是 在使用更特別為硅烷(SiH4)的硅前驅(qū)體的反應(yīng)器中進(jìn)行沉積，a. ii.去除所述第二層并且由此同時(shí)去除所述突起形貌之上的所述填充材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述襯底布置成使得在步驟a.i.期間與具有所 述突起形貌的上述表面相對(duì)的表面?zhèn)缺３譀]有所述填充材料的層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到5中的一項(xiàng)所述的方法，其中，所述突起形貌包括在第一層之上 的、特別是在所述第一層上的特別為Si02的第二材料的第二層，并且其中步驟a)包括a. 1.利用所述第二層作為掩模，僅在所述非突起區(qū)域上沉積所述填充材料，特別是 在使用允許選擇性沉積的硅前驅(qū)體的反應(yīng)器中進(jìn)行沉積，該前驅(qū)體更特別地為二氯硅烷 (SiH2Cl2)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，該方法還包括去除所述第二層的步驟a.2.。
10.根據(jù)權(quán)利要求6到9中的一個(gè)所述的方法，其中，步驟a.ii或步驟a. 2包括使用特 別為HF浴的脫氧步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1到10中的一項(xiàng)所述的方法，其中，在步驟b)期間去除至少與所述 第一層的厚度相當(dāng)?shù)暮穸取?br> 12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在步驟b)期間，材料的去除超過具有注入缺陷 的區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，材料的去除在2000A到12000A范圍之內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到13中的一項(xiàng)所述的方法，該方法還進(jìn)一步包括邊緣拋光步驟，以 去除所述襯底的斜面邊緣區(qū)域中的離子注入?yún)^(qū)域。
15.一種襯底，所述襯底包括基底、在所述基底之上的、特別是在所述基底的邊緣區(qū)域中的離子注入?yún)^(qū)域和非離子注入?yún)^(qū)域、在所述離子注入?yún)^(qū)域上的第一材料的第一層、以及 在所述非離子注入?yún)^(qū)域上的填充材料的填充層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的襯底，其中，所述第一材料為單晶態(tài)并且所述填充材料為多晶態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于再生襯底的表面的方法，其中該表面，特別為硅表面，包括突出殘留形貌，該突出殘留形貌包括至少一層的第一材料。通過在襯底的表面的非突起區(qū)域中設(shè)置填充材料并且隨后進(jìn)行拋光，能夠?qū)嵤┧鲈偕沟迷诂F(xiàn)有技術(shù)中所用的消耗材料的雙面拋光步驟不再是必需的。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101866824SQ200910246888
公開日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2009年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月12日
發(fā)明者塞巴斯蒂安·凱爾迪勒, 沃爾特·施瓦岑貝格, 阿齊茲·哈拉米-艾蒂里斯 申請(qǐng)人:硅絕緣體技術(shù)有限公司