專利名稱：有機el器件制造裝置、成膜裝置及其成膜方法、液晶顯示基板制造、定位裝置及定位方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機EL器件制造裝置、成膜裝置及其成膜方法、液晶顯示基板制造裝置以及定位裝置及定位方法，尤其涉及適用于大型基板的定位的有機EL器件制造裝置以及成膜裝置以及液晶顯示基板制造裝置。
背景技術：
作為制造有機EL器件的有力的方法有真空蒸鍍法。真空蒸鍍法需要基板和掩模的定位。隨著逐年處理基板的大型化，6G—代基板規(guī)格成為1500mmX 1800mm。若基板規(guī)格大型化，掩模當然也大型化，其尺寸達到2000mmX 2000mm程度。尤其是，若使用鋼制的掩模，則其重量在有機器將中達到300kg。 一直以來，使基板以及掩模處于水平來實施定位(對位)。而且，由于大型化，定位精度也變得嚴格，其要求較高。作為與這種定位相關的現有技術，有下述的專利文獻1、2。另外，關于定位的補正，在專利文獻2中公開了在水平的定位方面加進定位檢測量與實際的補正量之差來進行定位的方法。
專利文獻1 :日本特開2006-302896號公報
專利文獻2 :日本特開2008-004358號公報 然而，專利文獻1公開的將基板和掩模橫置進行對位的方法如圖14所示，基板以及掩模因其薄度和自重而產生較大地撓曲。如果該撓曲是均勻的，考慮到這種情況也可以制作掩模，但是若中心撓曲相對變大，基板規(guī)格變大則制作變得困難。另外，一般情況下，其中心點的撓曲量在將基板的撓曲設為dl、將掩模的撓曲設為d2時，則為dl > d2。若基板撓曲大，則基板蒸鍍面與掩模接觸進行定位時，對在前工序中蒸鍍的有機膜產生接觸傷，因此在定位時需要使基板和掩模較大地分離。但是，若分離到景深以上進行定位，則精度變差，存在成為不良產品的問題。特別是顯示裝置用基板不能得到高質量的圖像。
為了對付該問題，有使基板和掩模大致垂直地進行蒸鍍的方法。通過使其垂直，從而能夠大幅度地減少因基板和蔭罩的自重引起的撓曲。但是，蔭罩其掩模部薄至20 50ym，其制造時如圖l所示，掩模整體從中心向周圍發(fā)生翹曲，其影響在掩模部端部較大。圖ll夸張地描述了該狀態(tài)，從而可知在基板和蔭罩之間產生數十ym的間隙，該間隙引起蒸鍍模糊，存在不能高精度地進行蒸鍍的問題。 另外，如圖15所示，專利文獻1所記載的現有方法為了防止蒸鍍材料附著在定位標記上，使用所謂反射型光學系統(tǒng)，該反射型光學系統(tǒng)配置了在與蒸鍍側相反的一側，接受從垂直或斜方向照明的光源及其反射的攝像機，檢測定位標記進行定位。在現有的有機EL器件制造裝置中，將如圖3的引出圖所示，設置在鋼制掩模上的四邊形的凹部和設置在透明基板上的金屬部作為定位標記，以金屬部來到四邊形的中心的方式定位。然而，反射型光學系統(tǒng)存在如下問題，并存在不能精度良好地定位的問題。(1)由于掩模表面進行了鏡面精加工而引起暈光，因此不能提高照明強度，若變低則無法檢測金屬部。(2)為了定位時不損傷基板表面而需要在與掩模之間設置0. 5mm左右的間隙，但是反射型光學系統(tǒng)由于景深變小而導致圖像成為模糊。 其次，在專利文獻1所公開的方法中，由于將對基板和掩模進行定位的整個機構設置在真空內，因此有可能產生伴隨著驅動部等的移動的粉塵以及熱量或者來自通往驅動部等的配線的氣體、來自潤滑劑的氣體、來自部件表面的氣體使真空度降低。第一，通往真空內的粉塵其粉塵附著在基板和掩模上引起蒸鍍不良，第二，發(fā)熱助長掩模的熱膨脹使蒸鍍規(guī)格發(fā)生變化，并且，第三，氣體使真空度下降，因此均存在使成品率即生產性下降的問題。 另外，由于對基板和掩模進行定位的整個機構設置在真空內，因此存在一旦在驅動部等發(fā)生故障，則維修需要時間，裝置的工作效率下降之類的問題。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的第一目的在于，提供降低基板和掩模的撓曲，可高精度地蒸鍍的有機EL器件制造裝置及成膜裝置以及液晶顯示基板制造裝置。 另外，本發(fā)明的第二目的在于，提供降低蔭罩的翹曲的影響，可高精度地蒸鍍的有機EL器件制造裝置、成膜裝置及其成膜方法。 再有，本發(fā)明的第三目的在于，提供可精度良好地定位的定位裝置以及定位方法。
另外，本發(fā)明的第四目的在于，提供使用上述定位裝置或定位方法，可高精度地蒸鍍的有機EL器件制造裝置以及成膜裝置。 再有，本發(fā)明的第五目的在于，提供通過將驅動部等配置在大氣側從而降低真空內的粉塵或氣體的發(fā)生，且生產性高的有機EL器件制造裝置以及成膜裝置。
另外，本發(fā)明的第六目的在于，提供通過將驅動部等配置在大氣側從而提高維修性、提高工作效率的有機EL器件制造裝置以及成膜裝置。 為了實現上述任一目的，第一特征是，具有將基板保持為立起的姿勢的基板保持機構；將蔭罩保持為下垂的姿勢的蔭罩下垂機構；對設置在上述基板和蔭罩上的定位標記進行攝像的定位光學機構；以上述下垂姿勢的狀態(tài)驅動上述蔭罩的定位驅動機構；以及，基于上述定位光學機構的結果控制上述定位驅動機構的控制機構。 另外，為了實現上述任一 目的，在第一特征的基礎上，第二特征是，上述蔭罩下垂
機構具有將上述蔭罩可旋轉地支撐在上述蔭罩或保持上述蔭罩的定位基座上的多個旋轉
支撐部，上述定位驅動機構具有驅動上述多個旋轉支撐部中至少一處的主動旋轉支撐部的
主動驅動機構，上述有機EL器件制造裝置還具有使上述主動旋轉支撐部以外的其他旋轉
支撐部即從動旋轉支撐部跟隨上述主動旋轉支撐部的動作而動作的定位從動機構。 再有，為了實現上述任一 目的，在第二特征的基礎上，第三特征是，在上述蔭罩或
保持上述蔭罩的定位基座的上部、兩端側設置兩處上述主動旋轉支撐部。 另外，為了實現上述任一目的，在第二特征基礎上，第四特征是，上述定位驅動機
構具有上述主動驅動機構和左右從動機構；上述主動驅動機構具有對上述兩處獨立地沿上
下方向進行驅動的上下驅動機構、和對上述兩處中的一處沿左右方向進行驅動的左右驅動
機構；上述左右從動機構使上述另一處跟隨上述左右方向的動作而動作。 另外，為了實現上述任一目的，在第一至第四特征的基礎上，第五特征是，上述定 位驅動機構以及定位從動機構設置在上述真空室之外。
再有，為了實現上述任一 目的，在第一至第五特征的基礎上，第六特征是，將上述 定位驅動機構設置在上述蔭罩的上部側，將上述定位從動機構設置在上述蔭罩的下部側。
另外，為了實現上述任一 目的，在第一至第六特征的基礎上，第七特征是，上述基 板保持機構具有將上述基板從水平狀立起的機構。 另外，為了實現上述任一 目的，在第一至第六特征的基礎上，第八特征是，上述基 板保持機構具有使上述基板在立起的狀態(tài)與蔭罩接近或密合的機構。 再有，為了實現上述任一目的，第九特征是，在具有在真空室內進行基板和蔭罩的 定位的定位機構，并具有將蒸發(fā)源內的蒸鍍材料蒸鍍在基板上的真空蒸鍍室的成膜裝置 中，具有載置上述基板并將上述基板保持為立起的姿勢的基板保持架；以與上述立起的 姿勢的上述基板相面對的方式保持上述蔭罩的蔭罩保持機構；以及降低上述蔭罩的翹曲造 成的影響的補正機構。 另外，為了實現上述任一 目的，在第九特征的基礎上，第十特征是，上述補正機構 保持上述基板的基板架或者具有按壓上述蔭罩的按壓機構。 再有，為了實現上述任一 目的，在第十特征的基礎上，第十一特征是，上述補正機 構具有測定上述基板架與上述蔭罩間的距離的測定機構，基于上述測定機構結果或者基于 預定的補正量控制上述按壓機構。 另外，為了實現上述任一 目的，在第十一特征的基礎上，第十二特征是，上述按壓
機構按壓上述基板架的按壓位置為上述基板的端部蒸鍍部的外側周圍，或者，上述按壓機
構按壓上述蔭罩的按壓位置為與上述基板的端部蒸鍍部的外側周圍相對應的位置。 再有，為了實現上述任一 目的，在第十二特征的基礎上，第十三特征是，上述按壓
位置為設置在上述基板架或上述蔭罩的四個拐角附近的四個部位。 另外，為了實現上述任一目的，第十四特征是，在真空室內進行基板和蔭罩的定 位，將蒸鍍材料蒸鍍在上述基板上的成膜方法中，具有補正上述蔭罩所具有的翹曲的補正 工程。 再有，為了實現上述任一 目的，在第十四特征的基礎上，第十五特征是，上述補正 工序是通過按壓保持基板的基板架或按壓上述蔭罩而進行的工序。 另外，為了實現上述任一 目的，在第十四特征的基礎上，第十六五特征是，上述補 正工序在進行定位之前、或者進行定位之后實施。 再有，為了實現上述任一目的，在第十四至第十六特征的基礎上，第十七特征是， 在進行定位之后具有使上述基板整體與蔭罩密合的工序。 另外，為了實現上述任一 目的，在第十特征的基礎上，第十八特征是，上述補正機 構設置在中空箱內，具有將一端與上述中空箱連接、將另一端向大氣敞開的中空的連接部， 借助于上述連接部敷設上述補正機構所需要的配線。 再有，為了實現上述任一 目的，在第九特征的基礎上，第十九特征是，具有使上述 基板架和上述補正機構從水平的狀態(tài)成為立起的狀態(tài)的基板回旋機構。 另外，為了實現上述任一 目的，在第十九特征的基礎上，第二十特征是，上述基板 回旋機構是使上述連接部回旋的機構 再有，為了實現上述任一 目的，第二十一特征是，上述蔭罩具有定位用的貫通孔； 上述定位部具有定位光學系統(tǒng)和控制部，該定位光學系統(tǒng)具有使光從上述貫通孔的一端側
9入射的光源、和對上述另一端進行攝像的攝像機構，該控制部基于上述攝像機構的輸出進 行定位。 另外，為了實現上述任一目的，在上述第二十一特征的基礎上，第二十二特征是， 上述貫通孔是貫通上述蔭罩的前后的孔，上述定位光學系統(tǒng)至少具有對上述基板進行處理 時遮蔽處理材料附著到上述貫通孔的遮蔽機構。 再有，為了實現上述任一 目的，在上述第二十二特征的基礎上，第二十三特征是， 上述定位光學系統(tǒng)具有使上述遮蔽機構在進行處理時向處理位置、即進行定位時向定位位 置移動的遮蔽移動機構。 另外，為了實現上述任一目的，在上述第二十一特征的基礎上，第二十四特征是， 上述貫通孔的一端為定位用的開口部，在另一端開口部連接或插入光纖，將上述光纖的另 一端與光源或攝像機構連接。 再有，為了實現上述任一 目的，在上述第二十二特征的基礎上，第二十五特征是， 上述貫通孔的一端為定位用的開口部，上述貫通孔具有L字部。 另外，為了實現上述任一 目的，第二十六特征是，具有定位光學系統(tǒng)，該定位光學 系統(tǒng)具備對設置在上述基板和蔭罩上的定位標記照射光的光源、和對上述定位標記進行攝 像的攝像機構，上述光學定位機構具有使上述光源或攝像機構中的至少一方追隨上述基板 或上述蔭罩的定位動作而移動的追隨機構。 再有，為了實現上述任一 目的，在上述第二十六特征的基礎上，第二十七特征是， 上述追隨機構是與驅動上述定位動作的驅動部的移動聯動的機構。 另外，為了實現上述任一 目的，第二十八特征是，具有定位光學系統(tǒng)，該定位光學
系統(tǒng)具備對設置在基板和蔭罩上的定位標記照射光的光源、和對上述定位標記進行攝像的
攝像機構，分別對應地設置多個上述定位標記，相對各定位標記設置多個上述定位光學系
統(tǒng)，基于上述多個攝像機構的輸出，以上述基板的中心位置為基準進行定位。 再有，為了實現上述任一 目的，在上述第二十八特征的基礎上，第二十九特征是，
上述多個為四個，將上述定位標記設置在上述基板以及上述蔭罩的四個拐角附近。 另外，為了實現上述任一 目的，在上述第二十一至二十九特征的基礎上，第三十特
征是，上述定位是將上述基板以及蔭罩立起設置。 再有，為了實現上述任一 目的，在上述第二十一至三十特征的基礎上，第三十一特 征是，上述定位在真空室內進行，具有將蒸發(fā)源內的蒸鍍材料蒸鍍在基板上的真空蒸鍍室。
另外，為了實現上述任一目的，在上述第三十一特征的基礎上，第三十二特征是， 將上述定位光學系統(tǒng)中至少上述攝像機構內置從上述真空室的上部的大氣側突出的凹部， 并在上述凹部前端設置光學窗口 。 再有，為了實現上述任一 目的，在上述第三十一特征的基礎上，第三十三特征是， 上述遮蔽移動機構具有設置在大氣側的驅動機構；以及，借助于真空密封機構連接上述 驅動機構和上述遮蔽機構的連接機構。 另外，為了實現上述任一目的，在上述第三十一特征的基礎上，第三十四特征是， 上述定位裝置具有為了進行上述定位而驅動上述蔭罩的驅動機構；以及，連接上述蔭罩 或保持上述蔭罩的定位基座與上述驅動機構的定位軸，上述驅動機構設置在大氣側，上述 定位軸借助于真空密封機構而動作。
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最后，為了實現上述任一目的，在上述第三十一特征的基礎上，第三十五特征是， 成膜裝置使用有機EL作為上述蒸鍍材料，。
本發(fā)明具有如下效果。 根據本發(fā)明，能夠提供降低基板和掩模的撓曲，可高精度地蒸鍍的有機EL器件制 造裝置或成膜裝置以及液晶顯示基板制造裝置。 另外，根據本發(fā)明，能夠提供降低蔭罩的翹曲的影B向，可高精度地蒸鍍的有機EL 器件制造裝置、成膜裝置及其制造方法以及成膜方法。 再有，根據本發(fā)明，能夠提供可精度良好地定位的定位裝置以及定位方法。 另外，根據本發(fā)明，能夠提供使用上述定位裝置或定位方法，可高精度地蒸鍍的有
機EL器件制造裝置以及成膜裝置。 再有，根據本發(fā)明，能夠提供通過將驅動部等配置在大氣側從而降低真空內的粉 塵或氣體的發(fā)生，且生產性高的有機EL器件制造裝置或成膜裝置。 另外，根據本發(fā)明，能夠提供通過將驅動部等配置在大氣側從而提高了維修性、提 高了工作效率的有機EL器件制造裝置或成膜裝置。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式的有機EL器件制造裝置的圖。 圖2是表示本發(fā)明的實施方式的搬送室2和處理室1的結構概要的圖。 圖3是表示本發(fā)明的實施方式的搬送室和處理室的結構的模式圖和動作說明圖。 圖4是表示本發(fā)明的實施方式的定位部的結構的圖。 圖5是表示本發(fā)明的實施方式的蔭罩的圖。 圖6是表示本發(fā)明的實施方式的定位光學系統(tǒng)的基本結構的圖。 圖7是表示本發(fā)明的其他實施方式的定位光學系統(tǒng)的基本結構的圖。 圖8是表示本發(fā)明的實施方式的基板回旋接近機構的結構的圖。 圖9是表示本發(fā)明的實施方式的施加了補正蔭罩的翹曲的補正機構的處理的動
作的流程的圖。 圖10是表示本發(fā)明的實施方式所具有的基板旋轉機構、基板密合機構以及基板 端部密合機構的圖。 圖11是表示本發(fā)明的實施方式的補正機構的第一實施方式的圖。 圖12是表示具有本發(fā)明的實施方式的補正機構的第二實施方式的定位部的圖。 圖13是表示本發(fā)明的實施方式的補正機構的第二實施方式的圖。 圖14是表示現有技術(水平定位)的課題的圖。 圖15是說明現有技術(由反射型光學系統(tǒng)得到的定位)課題的圖。
圖中 1-處理室，lbu-真空蒸鍍室，2-搬送室，3-負載線束(口 一卜'夕，^夕)，6-基 板，6m-基板的定位標記，7-蒸鍍部，8-定位部，9-處理交接部，60-控制裝置，71-蒸發(fā)源，
81- 蔭罩，81a d-旋轉支撐部，81m-蔭罩的定位標記，81k-設置在蔭罩框架上的貫通孔，
82- 定位基座，83-定位驅動部，83Z-Z軸驅動部，83X-X軸驅動部，84_定位從動部，85-定 位光學系統(tǒng)，85as-遮蔽型臂，85c-攝像機，85cm-攝像機側反射鏡，85k_光源，85km_光源側反射鏡，851-粗略定位光學系統(tǒng)，91-基板架，93-基板回旋轉機構，9311-基板回旋驅動 部，93八-基板回旋轉接近機構，936-基板接近機構(93g基板接近驅動部)，94-基板端部 密合機構，94A 94D-補正機構，9411-補正機構箱，941(-測定傳感器部，94 -按壓機構部， 94S-補正機構密封部，100-有機EL器件的制造裝置，A D-線束。
具體實施例方式
使用圖1對本發(fā)明的第一實施方式進行說明。有機EL器件制造裝置并不是僅形 成發(fā)光材料層(EL層)并用電極夾住的構造，而是將各種各樣的材料做成薄膜在陽極上形 成空穴注入層或輸送層、在陰極上形成電子注入層或輸送層等而成的多層構造，并對基板 進行洗凈。圖1表示該制造裝置的一個例子。 本實施方式的有機EL器件制造裝置100大致包括搬入處理對象的基板6的負載 線束3，處理上述基板6的四個線束(A D)、各線束間或線束與負載線束3或下一個工序 (密封工序)之間所設的六個交接室。在本實施方式中，將基板的蒸鍍面作為上面搬送，蒸 鍍時將基板立起來進行蒸鍍。 負載線束3包括為了維持真空在前后具有閘閥10的負載鎖閉室31 ;以及，從負 載鎖閉室31接收基板6 (以下簡稱為基板)并回轉而將基板6搬入交接室4a的搬送機器 人5。各0及各交接室4在前后具有閘閥IO，一邊控制該閘閥10的開閉維持真空一邊向負 載線束3或下一個線束等交接基板。 各線束(A D)具備具有一臺搬送機器人5的搬送室2 ;從搬送機器人5接收基 板，在進行規(guī)定的處理的圖面上沿上下配置的兩個處理室1 (第一添加字a d表示線束， 第二添加字u、 d表示上側下側)。在搬送室2和處理室1之間設有閘閥10。
圖2表示搬送室2和處理室1的結構的概要。處理室1的結構根據處理內容而不 同，但是以在真空中蒸鍍發(fā)光材料并形成EL層的真空蒸鍍室lbu為例進行說明。圖3是此 時搬送室2b和真空蒸鍍室lbu的結構的模式圖和動作說明圖。圖2中的搬送機器人5具 有使整體可上下移動(參照圖3的箭頭59)且可左右回旋的連桿構造的臂57，在其前端分 上下兩段具有兩個基板搬送用的梳齒狀把手58。 一根把手的情況下，在搬入搬出處理期間 需要用于將基板交接到下一個工序的旋轉動作、用于從上一個工序接收基板的旋轉動作、 以及伴隨于此的閘閥的開閉動作，但是通過做成上下兩段，從而保持搬入一方把手的基板 并用不保持基板的把手進行從真空蒸鍍室搬出基板的動作后，能夠連續(xù)進行搬入動作。
是做成兩根把手還是做成一根把手根據所要求的生產能力決定。在以后的說明 中，為了使說明變得簡單而用一根把手進行說明。 另一方面，真空蒸鍍室lbu大致包括使發(fā)光材料升華而使其蒸鍍在基板6上的蒸 鍍部7 ;進行基板6與蔭罩的對位、使基板6的必要的部分蒸鍍的定位部8 ;以及進行搬送機 器人5和基板的交接，并使基板6向蒸鍍部7移動的處理交接部9。定位部8和處理交接部 9設有右側R線和左側L線這兩個系統(tǒng)。 于是，本實施方式中的處理的基本方法是，在一方的線(例如R線)進行蒸鍍期 間，在另一方的線進行基板的搬入板出，使基板6和蔭罩81定位，從而完成蒸鍍的準備。通 過交替進行該處理，能夠減少未蒸鍍在基板就無用地升華的時間。 首先，第一，對作為本發(fā)明的第一特征的定位部8的實施方式進行說明。在本實施
12方式中，如圖4所示，將基板6和蔭罩大致垂直地起立來進行。而且，用于定位的機構部盡可 能設置在真空蒸鍍室1的外側的大氣側，具體地說，設置在真空蒸鍍室1的上部臂1T上或 下壁部1Y下。而且，必須設置在真空蒸鍍室lbu內是指從大氣部設置凸部并設在其內部。
在本實施方式中，定位時，固定基板6，使蔭罩81移動并進行對位，以便能夠蒸鍍 在基板6的必要的部分。 以下對定位部8的機構和其動作進行說明。 定位部8包括蔭罩81 ;固定蔭罩81的定位基座82 ;保持定位基座82且規(guī)定定位 基座82即蔭罩81在XZ平面的姿勢的定位驅動部83 ;從下方支撐定位基座82且與定位驅 動部83協作并規(guī)定蔭罩81的姿勢的定位從動部84 ;檢測設置在基板6和上述蔭罩81上 的后述的定位標記的定位光學系統(tǒng)85 ;以及，處理定位標記的影像，求出定位量并控制定 位驅動部83的控制裝置60 (參照圖8)。 首先，圖5表示蔭罩81。蔭罩81由掩模81M和框架81F構成，例如對G6的基板的 規(guī)格1500mmX 1800mm的尺寸為2000mmX 2000mm左右，其重量也達到300kg。在掩模81M上 具有用于規(guī)定蒸鍍位置的窗口。例如形成發(fā)出紅(R)光的蒸鍍膜時，在與R對應的部分具 有窗口。該窗口的大小根據顏色而不同，但平均是寬度30iim、高度150iim左右。掩模81M 的厚度是50 ii m左右，今后還有變薄的傾向。另一方面，在掩模81M上，設有四處精密定位 標記81m、兩處粗略定位標記81mr，共計在六處設有定位標記81m。與此相對應，在基板上也 設有四處精密定位標記6ms、兩處粗略定位標記6mr，共計在六處設有定位標記6m。
定位基座82具有保持蔭罩81的上部以及下部的保持部82u、82d，蔭罩81的里側 成為回字那樣的空洞，以便能夠蒸鍍在基板6上。而且，定位基座82在其四個拐角附近利 用設置在上部兩處81a、81b、設置在該兩處各自之下的81c、81d共計四處的旋轉支撐部可 旋轉自如地支撐。 其次，對規(guī)定蔭罩81的姿勢的定位驅動部83和定位從動部84進行說明。首先， 對四個旋轉支撐部的動作進行說明，對驅動四個旋轉支撐部或跟隨旋轉支撐部的動作而動 作的定位驅動部83和定位從動部84的結構和動作進行說明。 若使上述四個旋轉支撐部中的旋轉支撐部81a在Z方向主動動作(積極地驅動)， 使旋轉支撐部81b在Z方向以及X方向主動動作，則旋轉支撐部81a借助于定位基座82在 X方向從動，旋轉支撐部81c、81d進行由上述主動動作的復合作用形成的以旋轉支撐部81a 為支點的從動旋轉。 連接各旋轉支撐部和后述的驅動部或從動部的作用點的定位軸83a、84a通過花 鍵軸83s、84s不會傾斜，而是沿Z方向垂直而且/或者沿X方向平行移動。因此，各旋轉支 撐部相對于定位基座82可旋轉地安裝。因而，上述的旋轉支撐部81c、81d的從動旋轉成為 被分解到X方向以及Z方向的動作。 SP，在本實施方式中，利用旋轉支撐部81a、81b在Z方向的移動進行Z位置的補 正，而且利用兩者之差進行旋轉補正，并且利用旋轉支撐部81b在X方向的移動進行X位置 補正。而且，旋轉支撐部81a、81b這兩者間的間距長具有對相同方向的動作能夠精度良好 地進行旋轉補正的優(yōu)點。 驅動上述的旋轉支撐部81a、81b蔭罩驅動部83包括左驅動部83L，其設置在真 空蒸鍍室lbu的上部壁1T(也參照圖2)上的大氣中，且具有使旋轉支撐部81a在Z方向移動的Z驅動部83Z ;以及右驅動部83R，其具有使旋轉支撐部81b與左驅動部83L同樣地在 Z方向移動的Z驅動部83Z和使上述Z驅動部整體在X方向(圖中Z的左方向)移動的X 驅動部83X。左右驅動部83L、83R的Z驅動部基本上是相同的結構，因此標注相同符號，而 且省略一部分符號。以下帶有符號、省略符號的部件在機構部中都一樣。
以左驅動部83L為例對Z驅動部83Z進行說明。Z驅動部83Z如上所述，固定在沿 X方向在軌道83r上從動的Z驅動部固定板83k上，利用Z方向驅動馬達83zm并借助于滾 珠螺桿83n、錐形件83t使連接棒83 j在Z方向移動。定位軸83a通過在其上部連接的連接 棒83j在Z方向移動。錐形件83t是為了利用定位基座82等的重力防止上述Z方向的運 動損失而設置的部件，其結果，滯后現象消失，具有迅速向目標值收斂的效果。另外，各定位 軸83a借助于波紋管83v動作，該波紋管83v將一端固定在真空蒸鍍室lbu的上部壁IT上 所設的密封部(未圖示)上。 右驅動部83R除了上述Z驅動部83Z外還具有X驅動部83X，該X驅動部固定在真 空蒸鍍室lbu的上部壁IT上，且沿X軸軌道83r驅動搭載了 Z驅動部83Z的Z驅動部固定 板83k。 X驅動部83X的驅動方法是使X方向驅動馬達83xm的旋轉力借助于滾珠螺桿83n 等基本上與Z軸驅動部83Z相同，但是其驅動力需要使定位基座82旋轉驅動以及借助于定 位基座使其他驅動部或從動部移動的動力。由于右驅動部83R的定位軸83a也在X方向移 動，因此該波紋管83v也具有對X方向的自由度，伸縮的同時在左右具有柔軟性。
定位從動軸84具有可使各自的定位軸84a沿Z方向、Y方向移動的左右的從動部 84L、84R，以便能夠對應旋轉支撐部81c、81d的上述的從動旋轉。從動部在中心部設在一處 即可，但是在本實施方式中，為了使其穩(wěn)定地動作而設在兩處。兩從動部基本上左右線對稱 地具有同一構造，因此以84R為代表進行說明。定位軸84a借助于在真空蒸鍍室lbu的下 部壁1Y上所設的、密封部84c上的、一端被固定波紋管83v和同樣地密封了處理室lbu內 真空波紋管84v、花鍵軸84s，固定在X軸從動板84k上。。于是，X方向的從動在敷設于固 定定位從動部84的定位支撐部固定臺84b上的軌道84r上移動來進行，上述Z方向的從動 通過上述花鍵84s來進行。 上述的定位部的實施方式中，通過將四處旋轉支撐部81中設置在真空蒸鍍室上 部的兩處旋轉支撐部向Z方向、而且其中一處在X方向實施主動驅動(積極驅動)，從而實 施蔭罩的定位。除此之外還可舉出各種驅動方法。例如在上部三處設置旋轉支撐部，使中 央的旋轉支撐部旋轉，用左右的旋轉支撐部在Z方向和X方向上主動或從動并進行定位。 在下部至少設置一處從動部。或者，與上述實施方式同樣地設置兩處上部旋轉支撐部，使旋 轉、Z方向以及X方向的主動動作集中到其中一處，此外還有作為從動的方法。另外，在上 述實施方式中，基本上是將上部作為主動，將下部作為從動，但是與之相反也可以。
在上述定位部8的實施方式中，將定位驅動部83、定位從動部84、定位光學系統(tǒng)85 設置在真空蒸鍍室lbu的上部或下部的大氣側，但是也可以設置在真空蒸鍍室lbu的側壁 的大氣側，當然，分散到上部、下部以及側壁部也可以。 其次，對作為本發(fā)明的特征的定位光學系統(tǒng)85的一個實施方式進行說明。本實施 方式的定位光學系統(tǒng)為了能夠分別獨立地拍攝上述的定位標記，而由與四個精密定位標記 81ms相對的四個精密定位光學系統(tǒng)85s、與兩個粗略定位標記81mr相對的兩個粗略定位光 學系統(tǒng)85r共計六個光學系統(tǒng)構成。
圖6表示六個定位光學系統(tǒng)的基本結構。光學系統(tǒng)的基本結構具有所謂的透過型 的結構，該透過型結構隔著蔭罩81在定位基座82側設置了在前端具有光學窗口 85ws且固 定在真空蒸鍍室lbu的上部IT上并借助于光學窗口 85w進行照射的光源85k、和固定在后 述的遮斷臂85as上的光源側反射鏡85k ;在基板6側設置了從攝像機容納筒85t伸出的臂 85a上所安裝的攝像機側反射鏡85cm以及容納在攝像機容納筒85t內的作為攝像機構的 攝像機85c。攝像機容納筒85t、臂85a等利用波紋管85v等可移動到虛線所示的臂85a位 置，以免妨礙基板成為垂直姿勢時的軌道K。 由于是透過型，因而為了光能夠通過而在掩模81M上設置四邊形的貫通孔的定位 標記81m，并且在框架81F上也設置圓筒狀的貫通孔81k。另一方面，基板6的定位標記6m 與在光透過性的基板上形成金屬性的四邊形的蔭罩的定位標記81m相比較是非常小的標 記。 若設置貫通孔81k，則如果蒸鍍時蒸鍍材料進入貫通孔并被蒸鍍在定位標記上，從 下一個工序開始不能定位。為了防止該現象而進行遮蔽以免在蒸鍍時蒸鍍材料進入貫通孔 81k。在本實施方式中，由于定位時安裝了光源反射鏡的臂遮斷蒸鍍時對蒸鍍有效的區(qū)域， 因此可以移動該臂，而且做成具有蒸鍍時遮蔽貫通孔81k的構造的遮蔽型臂85as。遮蔽型 臂85as利用設置在大氣側的被驅動馬達(未圖示)上下驅動的連接棒85b進行伸縮，借助 于將其一端固定在密封部85s上的波紋管85v而被驅動。圖6所示的虛線表示遮蔽狀態(tài)， 實線表示定位狀態(tài)。 圖7表示其它實施方式。如圖7(a)所示，如果蔭罩的框架81F的厚度充分，則可 以在框架81F上設置L字型的貫通孔81k，還可以將光源85k與光源側反射鏡85km —起裝 在內部。該場合，由于框架81F自身起了遮蔽體的作用，因而不需要遮蔽型臂。
另外，如圖7(b)所示，定位時光源側反射鏡85km未遮斷蒸鍍區(qū)域的場合，能夠將 遮蔽型臂固定在定位基座82上，能夠一直處于遮蔽狀態(tài)。 另外，如圖7(b)所示，也可以在攝像機側加長攝像機容納筒85t，將光源反射鏡 85km內置。 再有，如圖7(c)所示，將光纖85f的一端以遮蔽的狀態(tài)固定在光源側開口部，將另 一端與設置在大氣側的光源85k連接。在本實施方式中，能夠將作為發(fā)熱體的光源以簡單 的構造設置在大氣側，不需要設置特別的遮蔽體。 再有，以其它目的設置在真空蒸鍍室lbu的構造物如果在蒸鍍時起到遮蔽體的作 用就不需要重新設置遮蔽體。 另一方面，攝像機容納筒85t如圖4所示，具有從真空蒸鍍室lbu的上部1T突出 的構造，在前端設置光學窗口 85w，并將攝像機85c維持在大氣側，并且能夠對定位標記6m、 81m攝像(序號參照圖6)。 另外，雖然在蒸鍍面?zhèn)仍O置了光源，但是也可以改變位置而設置攝像機。精密定位光學系統(tǒng)85s和粗略定位光學系統(tǒng)85r在結構上的不同點是，前者是為
了高精度地定位，具有縮小視野而以高分別率對定位進行攝像的高放大率透鏡85h。伴隨于
此，圖3所示的基板以及蔭罩的定位標記6m、81m的尺寸不同。在精密定位的場合，視野與
粗略定位的場合相比較小一個量級以上，最終可以實現P m級的定位。 因此，精密定位時，需要不脫離視野地與蔭罩81的定位標記81m的移動一致，精密定位光學系統(tǒng)85s也追隨地進行移動。使分別固定攝像機85c和光源85k的固定板85p、
85ps與Z驅動部固定板83k或X軸從動板84k連接并隨其移動。另外，對于粗略定位光學
系統(tǒng)85r，為了在初期的安裝時能夠進行位置調整而設置攝像機對位載物臺85d。 在上述實施方式中，使用了六個定位光學系統(tǒng)，但是根據定位的要求精度，不必設
置粗略定位光學系統(tǒng)，并且即使在精密定位光學系統(tǒng)中也不需要四個，包含粗略、精密在內
最低有兩個即可。 其次，對作為本發(fā)明的第三特征的在實施定位前將基板立起，定位結束后，使基板 6接近蔭罩的機構的一個實施方式進行說明。圖3所示的處理交接部9具有與搬送機器 人5的梳齒狀把手58不干涉就可交接基板6的梳齒狀把手91 ;以及，由固定并載置位于上 述梳齒狀把手91上的基板6且使該基板6回旋并立起的基板回旋機構93、和使基板6進一 步接近定位部8的基板接近機構93G構成的基板回旋接近機構93A。作為進行上述固定的 機構，考慮到在真空中的情況，用靜電吸附或機械的夾具等構成，至少設置在將基板立起時 的上部側94u 。 圖8詳細地表示了基板回旋接近機構93A，而且是表示避免了源自配線的覆蓋材 料等的外部氣體的問題、或配管疲勞發(fā)生損傷的流體泄漏的危險等的真空內配線 配管機 構的應用的圖。 首先，對基板回旋接近機構93A進行說明?；寤匦咏鼨C構93包括載置基板6 的載置臺93d ;蒸鍍時對基板6進行冷卻的冷卻套管93j ;使基板6、載置臺93d以及冷卻套 管93j成為一體而旋轉的基板回旋驅動部93b ;以及，可旋轉地支撐冷卻套管94j等的旋轉 支撐臺93k。在冷卻套管93j上敷設有冷卻水管43、44。另外，基板回旋驅動部93b具有 設置在大氣側的回旋用馬達93sm ;利用旋轉馬達93sm并借助于齒輪93^、93h2向箭頭A方 向回旋的中空的第一連桿41 ;以及，以具有與第一連桿的中空部連接的中空部的方式固定 在第一連桿41上，且以沿著上述冷卻套管93j的側面部的方式設置的第二連桿42。還有， 第一連桿借助于將一端固定在真空蒸鍍室lbu的側壁上所設的密封部93s上的波紋管93v， 利用旋轉支撐臺93k可旋轉地支撐。還有，回旋用馬達93sm用設置在大氣側的控制裝置60 控制。 在上述中，通過僅用圖3所示的固定機構94中設置在基板上部的固定機構94u支 撐立起的基板6，從而消除了基板6因自重而撓曲。該撓曲被消除后，用設置在基板下部的 固定機構94d固定整體也可以。若垂直地將基板6立起，則有可能在基板6和載置臺93d 之間產生微小間隙，因而使其稍微傾斜例如1度左右而穩(wěn)定地載置的同時，能夠可靠地消 除這些撓曲。 在本實施方式中，由于將基板蒸鍍面作為上面進行搬送，因而只要將基板6立起 便能夠定位。 其次，對基板接近機構93G進行說明。基板接近機構93G(基板接近驅動部93g) 具有固定基板回旋驅動部93b且在軌道93r上向箭頭B方向移動的回旋驅動部載置臺93t、 借助于滾珠螺桿93n驅動回旋驅動部載置臺93t的接近用馬達93d。通過用控制裝置60控 制這種機構，從而使基板6接近蔭罩81，如果需要能夠使其密合。 根據上述實施方式，能夠消除蒸鍍時基板的撓曲。另外，能夠保持基板和蔭罩不接 觸的距離并定位，然后通過使基板與蔭罩接觸或密合，從而能夠減少蒸鍍時的污點，可以實現高精度的蒸鍍。 再有，基板回旋接近機構93A具有避免了源自配線的覆蓋材料等的外部氣體的問 題、或配管疲勞發(fā)生損傷的流體泄漏的危險等的真空內配線 配管機構。真空內配線 配 管機構40由上述第一連桿41以及第二連桿42構成，在其中空部，為了在冷卻套管93j中 流動冷卻水，配置有供給用冷卻水配管43和回收用冷卻水配管44。各連桿由對銹具有足夠 的強度的金屬例如不銹鋼、鋁等構成，第一連桿41的中空部的回旋用馬達93sm側在大氣中 敞開。上述兩根冷卻水配管一般由在大氣中使用的具有柔軟性的材料構成或由金屬構成， 配置成由第一連桿41以及第二連桿42形成的L字狀以免在連桿內具有可撓部，可撓部設 置在大氣側，若使用后者則能夠構成疲勞損傷更少的配管。而且，使上述真空蒸鍍室lbu的 側壁的連接部比冷卻套管93j的連接部低，萬一冷卻水從冷卻水配管43、44泄漏也會向大 氣側排出。 根據本實施方式的真空內配線 配管機構40，在將一端向大氣側敞開、將另一端 連接在移動部上的連桿機構的中空部設置配管，上述連桿機構的旋轉部被真空密封，完全 與真空側遮斷，因而萬一從冷卻水配管漏水也不會向真空側漏水，而且也不需要使連桿機 構的中空部處于真空。再有，由于用不銹鋼或鋁構成連桿機構，因而外部氣體的發(fā)生也較 少。而且，由于真空內配線，配管機構構成基板回旋驅動部的一部分，因而能夠將整體做成 簡單的結構。上述例子是將配管敷設在連桿內的例子，即使將信號線配置在連桿內，也能夠 提供不會使從信號線發(fā)生的外部氣體到達真空內的結構。因此，能夠保持高真空，能夠進行 可靠性高的蒸鍍處理。 其次，以定位動作為主體對具有上述的定位部8、定位光學系統(tǒng)85S以及基板回旋 接近機構93A的真空蒸鍍室中的處理動作進行說明。 以下表示基板被搬入真空蒸鍍室lbu后的處理流程。(1)首先，將搬入了圖3所示 的R線的基板6的上部固定在基板載置臺上，然后大致垂直地立起并消除撓曲。(2)在離 基板6—定距離的狀態(tài)下，利用粗略定位標記實施粗略定位，檢測粗略定位中的位置偏移， 求出粗略補正量。基于(2)的該粗略補正量使蔭罩81在圖4所示ZX平面移動進行粗略對 位。(3)在保持一定距離的狀態(tài)下，用精密定位標記實施精密定位，檢測精密定位中的位置 偏移，求出補正量。(4)基于該精密補正量使蔭罩81在圖4所示ZX平面移動進行精密對 位。(5)使基板6與蔭罩81密合。(6)檢測(3)的定位結果(位置偏移)。(7)如果位置 偏移量在容許范圍，則等待圖3所示的L線的基板的蒸鍍結束。(8) L線的蒸鍍結束后，使蒸 發(fā)源71移動到R線進行蒸發(fā)。(9)如果(7)中位置偏移量在容許范圍外，則是兩者分離一 次，為了進行精密定位而返回(3)。 在上述過程中，粗略定位的對位用兩臺攝像機85c攝像，如設置在基板6上的圖3 的引出圖所示那樣，能夠對蔭罩81和基板6的定位標記81mr、6mr進行攝像，并以兩個定位 標記的中間點為基準進行根本意義的對位。另一方面，精密定位在基板的四個拐角附近設 置四個定位標記，以基板的中心點為基準進行補正。針對理論上用兩個確定根本意義，四個 信息過多。這是因為，通過以基板的中心點為中心進行決定以便根據四個拐角的信息使四 個拐角的偏移為最小量，從而基板6和蔭罩81的偏移變小，作為產品會加大可有效地使用 的面積。如粗略定位那樣以上部中心點為基準，則下部側的歪斜變大，作為產品可利用的面 積變小。
根據以上說明的本實施方式，能夠提供能以垂直或大致垂直的狀態(tài)對基板以及蔭 罩定位的有機EL器件制造裝置。其結果，可排除因基板或蔭罩的自重引起的撓曲產生的影 響，可消除因位置偏移或基板和蔭罩不能接近引起的膜污點，可高精度地蒸鍍，能夠提供可 制造高質量的基板的有機EL器件制造裝置。 另外，根據本實施方式，在定位所需要的機構中，通過將驅動裝置設置在大氣中來 抑制粉塵或氣體的發(fā)生，可降低粉塵或氣體引起的蒸鍍不良，能夠提供生產性高的EL器件 制造裝置。 再有，根據本實施方式，在定位所需要的機構中，通過將驅動裝置或發(fā)熱的機構或 大多數的定位光學系統(tǒng)構成要素設置在大氣中，從而能夠提供維修保養(yǎng)性良好、工作效率 高的有機EL器件制造裝置。 另外，通過實施以基板為中心的定位，作為產品可實現有效面積大的蒸鍍，S卩能夠 提供成品率高、即生產性高的EL器件制造裝置。 再有，根據以上實施方式，通過將定位標記做成透過型，從而能夠提供能可靠地檢 測基板和蔭罩的可靠性高EL器件制造裝置。 至此說明的實施方式是將基板6和蔭罩81立起進行定位，然后保持立起的狀態(tài)并 進行蒸鍍的實施例。不一定必須以立起狀態(tài)進行蒸鍍，通過附加將蔭罩交接到基板側的機 構，保持定位后的狀態(tài)，使其暫時處于水平然后蒸鍍也可以。例如，其第一方法是利用圖8 所示的基板回旋機構93使其再次處于水平，從上部進行蒸鍍的方法。 作為第二方法是將圖3所示的兩個處理線中的一個線作為定位專用線(例如R 線)、將另一個線(L線)作為蒸鍍專用線的方法。是用R線定位后，利用搬送機器人5移動 到L線，然后用設置在L線上的基板回旋機構93回旋180度，從下部進行蒸鍍的方法。在 本方法中，雖然花費一些處理時間，但是可以在定位專用線的兩側設置蒸鍍專用線而交替 地進行處理。 在上述水平地進行蒸鍍的實施方式中也能夠得到與在立起的狀態(tài)下進行蒸鍍的 實施方式同樣的效果。 在以上說明的實施方式中，對將基板水平地搬送到處理交接部的情況進行了說 明，但也可以垂直地搬送基板，然后實施定位。 再有，根據本實施方式，在定位所需要的機構中，能夠提供將不能在真空中設置的 驅動裝置能設置在大氣中的有機EL器件制造裝置。 再有，上述定位機構還能夠應用于在大氣中進行的液晶顯示裝置等的定位。
另外，通過實施以基板為中心的定位，作為產品可實現有效面積大的蒸鍍，S卩能夠 提供成品率高、即生產性高的EL器件制造裝置。 再有，根據以上實施方式，通過將定位標記做成透過型，從而能夠提供能可靠檢測 基板和蔭罩的可靠性高EL器件制造裝置。 至此說明的實施方式是將基板6和蔭罩81立起進行定位，然后保持立起的狀態(tài)并 進行蒸鍍的實施例。不一定必須以立起狀態(tài)進行蒸鍍，通過附加將蔭罩交接到基板側的機 構，保持定位后的狀態(tài)，使其暫時處于水平然后蒸鍍也可以。例如，其第一方法是利用圖8 所示的基板回旋機構93使其再次處于水平，從上部進行蒸鍍的方法。 作為第二方法是將圖3所示的兩個處理線中的一個線作為定位專用線(例如R線)、將另一個線(L線)作為蒸鍍專用線的方法。用R線定位后，利用搬送機器人5移動到 L線。然后用設置在L線上的基板回旋機構93回旋180度，從下部進行蒸鍍的方法。在本 方法中，雖然花費一些處理時間，但是可以在定位專用線的兩側設置蒸鍍專用線而交替地 進行處理。 在上述水平地進行蒸鍍的實施方式中也能夠得到與在立起的狀態(tài)下進行蒸鍍的 實施方式同樣的效果。 在以上說明的實施方式中，對將基板水平地搬送到處理交接部的情況進行了說 明，但也可以垂直地搬送基板，然后實施定位。 以上說明的實施方式以立起的狀態(tài)實施了定位，但是將定位標記做成透過型，伴 隨于此為了進行蒸鍍而具有遮蔽構造，將定位光學系統(tǒng)設置在大氣側，而且該光學系統(tǒng)追 隨蔭罩和基板的定位動作，設置四個定位并以基板的中心位置為基準進行對位等也能夠適 用于水平地進行定位的方法或構造。 其次，對作為本發(fā)明的第四特征的具有補正蔭罩的翹曲的基板端部密合機構的一 個實施方式進行說明。圖9表示基板被搬入上述的真空蒸鍍室lbu后的處理程序，并且表 示施加了補正蔭罩的翹曲的處理的處理流程。在本實施方式中，如圖9所示，為了即使基板 規(guī)格大，基板和蔭罩間的間隙也能夠以數Pm蒸鍍，而采用以下方法(l)將基板搬入處理 交接部9，然后(2)將上述基板大致垂直地立起，接著(3)使基板接近直到離蔭罩81—定 距離例如0. 5mm的位置，(4)補正蔭罩的翹曲引起的與基板的間隙，(5)在該狀態(tài)下進行定 位。定位結束后，(6)使基板6與蔭罩81密合，(7)將蒸鍍材料蒸鍍在基板上。
蒸鍍結束后，(8)將基板6從蔭罩81離開一定距離，(9)解除(4)的補正，(10)使 基板及其他處于水平，(11)將基板從處理交接部9搬出。 在上述步驟中，在(5)的定位前實施了步驟(4)，但是也可以在定位后或步驟(6)
后實施，另外，在(8)之后實施了步驟(9)，但是也可以在(8)之前實施。 于是，對實現上述本實施方式的步驟中(2) (6)以及(8) (10)步驟的結構以
及動作依次進行說明。圖10表示的是具有實現上述步驟中(2) (10)的基板回旋機構93、實
現(3) (6) (8)的基板接近機構93G、以及實現(4) (9)的基板端部密合機構94的圖3所示的
處理交接部9，而且是表示適用于消除了源自配線的覆蓋材料的外部氣體的問題的真空內
配線機構的圖。 首先，使用圖10對實現(2) (10)的基板回旋機構93進行說明。基板回旋機構93 具有使載置并保持搬入到處理交接部9的基板6的基板架91、基板6以及后述的基板端部 密合機構94為一體地在實施定位前大致垂直地立起，定位結束后返回水平狀態(tài)的功能。作 為進行上述固定的機構，考慮到是在真空中的情況而由靜電吸附或機械的夾具等構成。
在圖10中，回旋機構93大致包括使作為回旋對象的基板6、基板端部密合機構 94及基板架等的回旋部回旋的真空內配線連桿結構93L，以及借助于上述機構將上述回旋 物向箭頭A方向回旋驅動的基板回旋驅動部93b。 真空內配線連桿機構93L包括第一連桿93L1和第二連桿93L2以及將它們從真空 側隔離且將其內部維持在大氣氛圍的密封部93S。上述第一連桿93L1將一端支撐在回旋支 撐臺93k，將另一端以具有中空部的方式連接在后述的基板端部密合部94上。上述第二連 桿93L2設置在相對于上述基板端部密合機構94與上述第一連桿93L1相反的一側，將一端與第一連桿93L1同樣以具有中空部的方式連接在上述基板端部密合機構94上，將另一端 部連接在圖1所示的設置在分隔部11上的支撐部11A上。上述密封部93S由將一端連接 在上述基板端部密合機構的連接部上、將另一端分別連接在真空蒸鍍室lbu的側壁和支撐 部11A上的第一密封部93S1和第二密封部93S2構成。各密封部93S1、93S2具有連接各兩 端的波紋管93Svl、93Sv2，而且，各密封部93Sl、93S2的基板端部密合機構94側的連接部可 旋轉地支撐第一連桿93L1和第二連桿93L2。 在上述實施方式中，為了在連桿內敷設配線94f而將連桿內做成真空，但由于密 封部93S以包含各連桿的方式構成，因此在連桿和真空密封部之間敷設配線也可以。該場 合，不必將連桿做成真空。 另一方面，基板回旋驅動部93b具有設置在大氣側的回旋用馬達93m ;將回旋用 馬達93sm的回旋傳遞到上述第一連桿93L1的齒輪93h"93h2 ;以及支撐第一連桿Ll的一 端的旋轉支撐臺93k。還有，回旋用馬達93sm用設置在大氣側的控制裝置60控制。
另夕卜，圖10是真空蒸鍍室lbu的R線，以圖1所示的分隔部11為面對象中心，L線 也配置有同一結構。因此，R線的第一連桿93L1、基板端部密封機構94、第二連桿93L2以及 L線的第一連桿93Ll、基板端部密封機構94、第二連桿93L2的中空部成為借助于設置在分 隔部ll上的支撐部IIA而在大氣中連接的構造。第二連桿93L2不一定必須是中空的，但 如后述那樣，第二連桿93L2必須在分隔部11的中空部向圖10所示的B方向移動，因此有 能在移動部出現粉塵，因此采用形成支撐部11A的中空部的一部分，且與大氣連接的構造。
在上述中，若將基板6垂直地立起，則在基板6和基板架91之間也有可能產生微 小的間隙，因此使其稍微傾斜例如1度左右而穩(wěn)定地載置的同時，能夠利用基板的自重可 靠地消除基板的撓曲。在本實施方式中，由于將基板蒸度面作為上面進行搬送，因而只要將 基板立起便能夠進行上述的定位。 第二，對于實現步驟(5)的定位的結構和動作已經使用圖4進行了說明，因而這里 省略。 其次，使用圖10對使(3) (6) (8)的基板6與蔭罩81密合的基板接近機構93G的 結構以及動作進行說明。基板接近機構93G是通過使基板回旋機構93整體地向箭頭B方 向前后移動，從而使基板6首先接近到至蔭罩81 —定距離的部位，然后使其密合，蒸鍍后返 回到原位置的機構。因此，基板接近機構93G(基板接近驅動部93g)具有載置基板回旋機 構93的回旋驅動部載置臺93t ;回旋驅動部載置臺93t行駛用的軌道93r ;以及借助于滾珠 螺桿93n驅動回旋驅動部載置臺93t的接近用馬達93m。分隔部11的中空部也具有跟隨回 旋驅動部載置臺93t的動作而動作，并使基板回旋機構93的第二連桿93L2向B方向移動 的軌道(未圖示)。就軌道而言，其工作長度是高度2mm左右。通過用控制裝置60控制這 種機構，從而能夠使基板6與蔭罩81接近、密合以及脫離。 根據上述實施方式，能夠消除蒸鍍時基板的撓曲。而且，保持基板與蔭罩不接觸的 距離例如0. 5mm左右的同時能夠進行定位，然后通過使基板與蔭罩密合，從而能夠減少蒸 鍍中的污點，可實現高精度的蒸鍍。 最后，使用圖10對實現使(4) (9)的蔭罩的翹曲引起的與基板的間隙進一步密合 的基板端部密合機構94進行說明。即使通過基板接近機構93G使基板6與蔭罩81密合， 也會如圖11所示由于蔭罩81具有的翹曲而在基板端部在蒸鍍區(qū)域和蔭罩81上產生數十
20P m的間隙。于是，在本實施方式中，測定基板架91與蔭罩81間的距離，按壓基板架91的 上述端部蒸鍍區(qū)域的外側周圍，補正基板6與蔭罩81間的間隙，使基板6沿著蔭罩81密合。
圖10表示實現它的基板端部密合機構94的實施方式?；宥瞬棵芎蠙C構94為 了補正蔭罩的翹曲使其沿著基板，在箱94H的內部上部設置兩處、在下部設置兩處、共計設 置四處補正機構94A 94D。共計四處的補正機構94A 94D中用上部兩處補正上部的翹 曲，用下部兩處補正下部的翹曲，用右部兩處補正右部的翹曲，并且用左部兩處補正左部的 翹曲。 圖11是表示補正機構94A 94D的一個實施方式的結構的圖。以94A為代表來 表示。由于各機構的結構都相同因此各機構要素的添加字(A D)省略。補正機構94A包
括測定上述距離的測定傳感器部94k ;按壓基板架91的按壓機構部94P ;以及進行真空密
封的密封部94S。密封部94S由設置在箱94H和基板架91上的密封件94sl、94s2、和連接 它們的密封用波紋管94sv。傳感器部94k包括測定至蔭罩81的距離的激光距離計94kr ; 為了確保光程而設置在基板架91上的光程坑94kh及光學窗口 94kw。另一方面，按壓機構 部(按壓機構)94P包括基板架的按壓部94pp ;其前端部可轉動地安裝在該按壓部上的按 壓棒94pb ;將該按壓棒向前后移動的滾珠螺桿94pn ;螺母94pt ;螺母導向件94pg ;以及驅 動滾珠螺桿的伺服馬達94pm。 控制裝置60基于來自激光距離計94kr的檢測結果按壓基板架91，以使基板6沿 著蔭罩81。作為目標間隙例如在10iim以下。沒有達到目標間隙以下時，取四個間隙的平 均值進行補正。 根據上述實施方式的基板端部密封機構，能夠使基板高精度地沿著蔭罩所具有的 翹曲，其結果，即使在基板端部也能夠消除膜污點且高精度地蒸鍍。 在上述實施方式中，在四處補正了蔭罩的翹曲，但是上部的翹曲比目標間隙小的 話側在上部中央設置一處也可以。 另外，在上述實施方式中，將基板端部密合機構94和基板架91 一體化，但是例如 基板端部密合機構的傳感器部分別測量基板架與蔭罩81的距離的話，則能夠根據它們的 差來測定基板與蔭罩間的距離，因而不一定必須一體化。該場合，例如也可以使基板端部密 合機構94在基板的上部具有回旋軸從上部回旋并使其沿著基板架91，在大致垂直地立起 的基板架91上進行端部密合補正。 再有，在上述實施方式中，用傳感器測定基板架與蔭罩的距離作為補正量，但對大
多數的蔭罩預先測定上述距離，根據其統(tǒng)計上的處理的距離作為補正量也可以。 即使在以上的實施方式中也能夠得到與詳細說明的實施方式同樣的效果。 另外，在圖10所示的實施方式中，箱94H內部如在基板回旋機構93處說明的那
樣，借助于第一連桿93L1向大氣側敞開。其結果，伴隨著按壓，馬達等的粉塵向大氣排出，
不會給真空蒸鍍帶來惡劣影響。另外，由于實現了將通往馬達的驅動線以及來自傳感器部
的信號線94f借助于箱94H和第一連桿93L1連接在控制裝置上的真空內部配線機構，因而
不會發(fā)生由于源自配線的覆蓋材料的外部氣體而導致真空度降低的問題。再有，將上述箱
94H和上述連桿用對銹具有足夠的強度的金屬例如不銹鋼、鋁等構成，因而不會產生外部氣體。 因此，根據本實施方式，能夠保持高真空，能夠進行可靠性高的蒸鍍處理。
21
以上說明的實施方式的基板端部密合機構使基板沿著蔭罩，反之，也可以使蔭罩 沿著基板。 圖12表示的是表示基板端部密合機構的第二實施方式的定位部8，圖13表示的是 按壓蔭罩81的四角的補正機構。在圖12、13中，具有與第一實施方式相同功能的部件附注
同一符號。 在圖12中，L字狀的補正機構箱94H具有設置在蔭罩的四角(94A、94D未圖示)且 將一端在按壓蔭罩的部位進行真空密封的圖13所示的密封部94S，并具有將另一端與大氣 側連接的構造。 四個補正機構基本上具有同一構造，因而以上側的補正機構為例進行說明。在圖 13中，與圖11的不同點是在蔭罩上設置光程坑94kh和光學窗口 94kw ;激光距離計94kr 測定至基板架91的距離；密封部94S設置在補正機構箱94H與蔭罩間。對于其他方面，基 本上與圖ll相同。 在該第二實施方式中也與第一實施方式同樣，能夠保持高真空，能夠進行可靠性 高的蒸鍍處理。 另外，在上述說明中，以有機EL器件為例進行了說明，但是進行與有機EL器件具 有相同背景的蒸鍍處理的成膜裝置以及成膜方法也可適用。 另外，在上述說明中，以有機EL器件為例進行了說明，但是進行與有機EL器件具
有相同背景的蒸鍍處理的成膜裝置以及成膜方法也可適用。 再有，上述定位機構在大氣中進行的液晶顯示裝置等的定位也可適用。
權利要求
一種有機EL器件制造裝置，在真空室內進行基板和蔭罩的定位，并具有將蒸發(fā)源內的蒸鍍材料蒸鍍在基板上的真空蒸鍍室，其特征在于，具有將上述基板保持為立起的姿勢的基板保持機構；將上述蔭罩保持為下垂的姿勢的蔭罩下垂機構；對設置在上述基板和蔭罩上的定位標記進行攝像的定位光學機構；以上述下垂姿勢的狀態(tài)驅動上述蔭罩的定位驅動機構；以及，基于上述定位光學機構的結果控制上述定位驅動機構的控制機構。
2. 根據權利要求1所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述蔭罩下垂機構具有將上述蔭罩可旋轉地支撐在上述蔭罩或保持上述蔭罩的定位基座上的多個旋轉支撐部，上述定位驅動機構具有驅動上述多個旋轉支撐部中至少一處的主動旋轉支撐部的主動驅動機構，上述有機EL器件制造裝置還具有使上述主動旋轉支撐部以外的其他旋轉支撐部即從動旋轉支撐部跟隨上述主動旋轉支撐部的動作而動作的定位從動機構。
3. 根據權利要求2所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，在上述蔭罩或保持上述蔭罩的定位基座的上部、兩端側設置兩處上述主動旋轉支撐部。
4. 根據權利要求3所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述定位驅動機構具有上述主動驅動機構和左右從動機構；上述主動驅動機構具有對上述兩處獨立地沿上下方向進行驅動的上下驅動機構、和對上述兩處中的一處沿左右方向進行驅動的左右驅動機構；上述左右從動機構使上述另一處跟隨上述左右方向的動作而動作。
5. 根據權利要求1 4任一項所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述定位驅動機構以及定位從動機構設置在上述真空室之外。
6. 根據權利要求1 4任一項所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，將上述定位驅動機構設置在上述蔭罩的上部側，將上述定位從動機構設置在上述蔭罩的下部側。
7. 根據權利要求1 4任一項所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，將上述定位驅動機構和上述定位從動機構設置在上述蔭罩的側面部。
8. 根據權利要求2所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述旋轉支撐部用上述定位驅動機構以及定位從動機構和定位軸連接。
9. 根據權利要求8所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述定位軸具有約束其相對于上下方向平行地移動的約束機構。
10. 根據權利要求9所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述約束機構是設置在上述定位軸上的花鍵。
11. 根據權利要求8所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述定位軸借助于真空密封機構和波紋管與上述旋轉支撐部連接。
12. 根據權利要求1 4任一項所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述基板保持機構具有將上述基板從水平狀態(tài)立起的豎立機構。
13. 根據權利要求12所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述控制機構使用上述豎立機構傾斜微小角度。
14. 根據權利要求1 4任一項所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述基板保持機構具有在將上述基板立起的狀態(tài)下使其與蔭罩接近或密合的機構。
15. —種成膜裝置，在真空室內進行基板和蔭罩的定位，并具有將蒸發(fā)源內的蒸鍍材料蒸鍍在基板上的真空蒸鍍室，其特征在于，具有將上述基板保持為立起的姿勢的基板保持機構；利用將上述蔭罩可旋轉地支撐在上述蔭罩或保持上述蔭罩的定位基座上的多個旋轉支撐部將上述蔭罩保持為下垂的姿勢的蔭罩下垂機構；對設置在上述基板和蔭罩上的定位標記進行攝像的定位光學機構；具有使上述多個旋轉支撐部的至少一處的主動旋轉支撐部以上述下垂姿勢的狀態(tài)驅動上述蔭罩的主動驅動機構的定位驅動機構；使上述主動旋轉支撐部以外的其他旋轉支撐部即從動旋轉支撐部跟隨上述主動旋轉支撐部的動作而動作的定位從動機構；以及，基于上述定位光學機構的結果控制上述定位驅動機構的控制機構。
16. 根據權利要求15所述的成膜裝置，其特征在于，在上述蔭罩或保持上述蔭罩的定位基座的上部、兩側部設置兩處上述主動旋轉支撐部。
17. 根據權利要求16所述的成膜裝置，其特征在于，上述定位驅動機構具有上述主動驅動機構和左右從動機構；上述主動驅動機構具有對上述兩處獨立地沿上下方向進行驅動的上下驅動機構、和對上述兩處中的一處沿左右方向進行驅動的左右驅動機構；上述左右從動機構使上述另一處跟隨上述左右方向的動作而動作。
18. 根據權利要求15 17任一項所述的成膜裝置，其特征在于，上述定位驅動機構以及定位從動機構設置在上述真空室之外。
19. 一種液晶顯示基板制造裝置，進行基板和蔭罩的定位，并將液體涂敷在上述基板，其特征在于，具有將上述基板保持為立起的姿勢的基板保持機構；利用將上述蔭罩可旋轉地支撐在上述蔭罩或保持上述蔭罩的定位基座上的多個旋轉支撐部將上述蔭罩保持為下垂的姿勢的蔭罩下垂機構；對設置在上述基板和蔭罩上的定位標記進行攝像的定位光學機構；具有使上述多個旋轉支撐部的至少一處的主動旋轉支撐部以上述下垂姿勢的狀態(tài)驅動上述蔭罩的主動驅動機構的定位驅動機構；使上述主動旋轉支撐部以外的其他旋轉支撐部即從動旋轉支撐部跟隨上述主動旋轉支撐部的動作而動作的定位從動機構；以及，基于上述定位光學機構的結果控制上述定位驅動機構的控制機構。
20. 根據權利要求19所述的液晶顯示基板制造裝置，其特征在于，在上述蔭罩或保持上述蔭罩的定位基座的上部、兩側部設置兩處上述主動旋轉支撐部。
21. 根據權利要求20所述的液晶顯示基板制造裝置，其特征在于，上述定位驅動機構具有上述主動驅動機構和左右從動機構；上述主動驅動機構具有對上述兩處獨立地沿上下方向進行驅動的上下驅動機構、和對上述兩處中的一處沿左右方向進行驅動的左右驅動機構；上述左右從動機構使上述另一處跟隨上述左右方向的動作而動作。
22. —種有機EL器件制造裝置，具有在真空室進行基板和蔭罩的定位的定位機構、和將蒸發(fā)源內的蒸鍍材料蒸鍍在基板上的真空蒸鍍室，其特征在于具有載置上述基板并保持為立起的姿勢的基板架；以與上述立起的姿勢的上述基板相面對的方式保持上述蔭罩的蔭罩保持機構；以及降低上述蔭罩的翹曲造成的影響的補正機構。
23. 根據權利要求22所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述補正機構具有按壓上述基板架的按壓機構。
24. 根據權利要求22所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述補正機構具有按壓上述蔭罩的按壓機構。
25. 根據權利要求24所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述補正機構具有測定上述基板架與上述蔭罩間的距離的測定機構，基于上述測定機構結果控制上述按壓機構。
26. 根據權利要求23或24所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述補正機構基于預定的補正量控制上述按壓機構。
27. 根據權利要求23所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述按壓機構按壓上述基板架的按壓位置為上述基板的端部蒸鍍部的外側周圍。
28. 根據權利要求24所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述按壓機構按壓上述蔭罩的按壓位置為與上述基板的端部蒸鍍部的外側周圍相對應的位置。
29. 根據權利要求27或28所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述按壓位置為設置在上述基板架或上述蔭罩的四個拐角附近的四個部位。
30. 根據權利要求23或24所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述補正機構設置在中空箱上，具有將一端與上述中空箱連接、將另一端向大氣敞開的中空的連接部，借助于上述連接部敷設上述補正機構所需要的配線。
31. 根據權利要求22所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，具有使上述基板架和上述補正機構從水平的狀態(tài)成為立起的狀態(tài)的基板回旋機構。
32. 根據權利要求31所述的有機EL器件制造裝置，其特征在于，上述基板回旋機構是使上述連接部回旋的機構。
33. —種成膜裝置，具有在真空室進行基板和蔭罩的定位的定位機構、和將蒸發(fā)源內的蒸鍍材料蒸鍍在基板上的真空蒸鍍室，其特征在于，具有載置上述基板并保持為立起的姿勢的基板架；以與上述立起的姿勢的上述基板相面對的方式保持上述蔭罩的蔭罩保持機構；以及降低上述蔭罩的翹曲造成的影響的補正機構。
34. —種成膜方法，在真空室內進行基板和蔭罩的定位，將蒸鍍材料蒸鍍在上述基板上，其特征在于，具有補正上述蔭罩所具有的翹曲的補正工序。
35. 根據權利要求34所述的成膜方法，其特征在于，上述補正工序是按壓保持基板的基板架或按壓上述蔭罩的工序。
36. 根據權利要求34或35所述的成膜方法，其特征在于，上述補正工序在進行定位之前實施。
37. 根據權利要求34或35所述的成膜方法，其特征在于，上述補正工序在進行定位之后實施。
38. 根據權利要求34或35任意一項所述的成膜方法，其特征在于，具有使上述基板整體在進行了定位之后與蔭罩密合的工序。
39. —種定位裝置，進行基板和蔭罩的定位，其特征在于，上述蔭罩具有定位用的貫通孔；上述定位部具有定位光學系統(tǒng)和控制部，該定位光學系統(tǒng)具有使光從上述貫通孔的一端側入射的光源、和對上述另一端進行攝像的攝像機構，該控制部基于上述攝像機構的輸出進行定位。
40. 根據權利要求39所述的定位裝置，其特征在于，上述貫通孔是貫通上述蔭罩的前后的孔，上述定位光學系統(tǒng)具有至少對上述基板進行處理時遮蔽處理材料附著到上述貫通孔的遮蔽機構。
41. 根據權利要求40所述的定位裝置，其特征在于，上述定位光學系統(tǒng)具有使上述遮蔽機構在進行處理時向處理位置移動，并在進行定位時向定位位置移動的遮蔽移動機構。
42. 根據權利要求41所述的定位裝置，其特征在于，在上述遮蔽機構上設置使來自光源的光和/或向攝像機構反射的光進行反射的反射鏡。
43. 根據權利要求39所述的定位裝置，其特征在于，上述貫通孔的一端為定位用的開口部，在另一端開口部連接或插入光纖，將上述光纖的另一端與光源或攝像機構連接。
44. 根據權利要求39所述的定位裝置，其特征在于，上述貫通孔的一端為定位用的開口部，上述貫通孔具有L字部。
45. 根據權利要求44所述的定位裝置，其特征在于，在上述L字部的拐角設置反射鏡。
46. —種定位裝置，進行基板和蔭罩的定位，其特征在于，具有定位光學系統(tǒng)，該定位光學系統(tǒng)具備對設置在上述基板和蔭罩上的定位標記照射光的光源、和對上述定位標記進行攝像的攝像機構，上述定位光學系統(tǒng)具有使上述光源或攝像機構中的至少一方追隨上述基板或上述蔭罩的定位動作而移動的追隨機構。
47. 根據權利要求46所述的定位裝置，其特征在于，上述追隨機構是與驅動上述定位動作的驅動部的移動聯動的機構。
48. —種定位裝置，進行基板和蔭罩的定位，其特征在于，具有定位光學系統(tǒng)，該定位光學系統(tǒng)具備對設置在上述基板和蔭罩上的定位標記照射光的光源、和對上述定位標記進行攝像的攝像機構，分別對應地設置多個(至少三處以上)上述定位標記，相對各定位標記設置多個上述定位光學系統(tǒng)，具有基于上述多個攝像機構的輸出，以上述基板的中心位置為基準進行定位的控制機構。
49. 根據權利要求48所述的定位裝置，其特征在于，上述多個為四個，將上述定位標記設置在上述基板以及上述蔭罩的四個拐角附近。
50. —種成膜裝置，具有在真空室內進行基板和蔭罩的定位的定位裝置、和將蒸發(fā)源內的蒸鍍材料蒸鍍在基板上的真空蒸鍍室，其特征在于，作為上述定位裝置，使用了權利要求39至49所述的定位裝置。
51. 根據權利要求50所述的成膜裝置，其特征在于，上述定位裝置立起設置。
52. 根據權利要求50所述的成膜裝置，其特征在于，將上述定位光學系統(tǒng)中至少上述攝像機構內置從上述真空室的上部的大氣側突出的凹部，并在上述凹部前端設置光學窗口 。
53. 根據權利要求50所述的成膜裝置，其特征在于，上述遮蔽移動機構具有設置在大氣側的驅動機構；以及，借助于真空密封機構連接上述驅動機構和上述遮蔽機構的連接機構。
54. 根據權利要求50所述的成膜裝置，其特征在于，上述定位裝置具有為了進行上述定位而驅動上述蔭罩的驅動機構；以及，連接上述蔭罩或保持上述蔭罩的定位基座與上述驅動機構的定位軸，上述驅動機構設置在大氣側，上述定位軸借助于真空密封機構而動作。
55. 根據權利要求50所述的成膜裝置，其特征在于，上述成膜裝置是使用了有機EL作為上述蒸鍍材料的有機EL器件制造裝置。
56. —種定位方法，對與基板和蔭罩相對應地設置的一組定位標記照射光，并對被照射的上述定位標記進行攝像，基于上述攝像機構的輸出進行定位，其特征在于，在基板的周邊部設置多個(至少三處以上)上述一組的定位標記，基于上述多個定位標記的檢測結果，以上述基板的中心位置為基準進行定位。
57. 根據權利要求56所述的定位方法，其特征在于，上述多個為四處，上述周邊部為基板的四個拐角附近。
全文摘要
本發(fā)明提供一種降低基板和掩模的撓曲或蔭罩的翹曲的影響，能夠高精度地蒸鍍、或者通過將驅動部等配置在大氣側從而降低真空內的粉塵和氣體的發(fā)生，生產性高或維修保養(yǎng)性高，工作效率高的有機EL器件制造裝置或成膜裝置。而且提供能夠高精度地定位的定位裝置以及定位方法。本發(fā)明的第一特征在于使蔭罩以下垂的姿勢進行與基板的對位并將蒸鍍材料蒸鍍在基板上。另外，第二特征在于用使光入射到設置于蔭罩上的定位用的貫通孔的透過型進行定位。再有，第三特征在于降低蔭罩的翹曲進行蒸鍍。
文檔編號H01L51/56GK101783397SQ200910253190
公開日2010年7月21日 申請日期2009年12月14日 優(yōu)先權日2008年12月15日
發(fā)明者弓場賢治, 落合行雄, 韭澤信廣 申請人:株式會社日立高新技術