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      帶門(mén)極電阻布局的功率mosfet模塊的制作方法

      文檔序號(hào):7191540閱讀:256來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):帶門(mén)極電阻布局的功率mosfet模塊的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體封裝及功率模塊領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種新 型帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊。
      技術(shù)背景
      功率MOSFET (即功率金屬-氧化物-硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)模塊主要 包括基板、直接敷銅基板(DBC)、功率MOSFET芯片和功率端子。 在對(duì)該模塊中的直接敷銅基板(DBC)進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),要考慮熱設(shè)計(jì)、 結(jié)構(gòu)應(yīng)力設(shè)計(jì)、EMC設(shè)計(jì)和電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),此還同時(shí)要考慮設(shè)計(jì)產(chǎn) 品的生產(chǎn)成本?,F(xiàn)有的功率MOSFET模塊(功率金屬-氧化物-硅場(chǎng)效 應(yīng)晶體管模塊)設(shè)計(jì)中存在的主要問(wèn)題是產(chǎn)品的兼容性不夠、熱設(shè)計(jì) 不合理和生產(chǎn)成本高。
      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的是設(shè)計(jì)出一種帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET 模塊。
      本實(shí)用新型要解決的現(xiàn)有功功率MOSFET模塊(功率金屬-氧化 物-硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管模塊)存在的兼容性不夠、熱設(shè)計(jì)不合理和生產(chǎn) 成本高的問(wèn)題。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是它包括基板、直接敷銅基板(DBC)、
      MOSFET芯片和功率端子,基板和直接敷銅基板(DBC)通過(guò)釬焊 結(jié)合,MOSFET芯片和直接敷銅基板(DBC)之間通過(guò)釬焊結(jié)合, 基板和直接敷銅基板(DBC)通過(guò)釬焊結(jié)合?;迳镶F焊有兩組四塊 直接敷銅基板(DBC),每塊直接敷銅基板(DBC)都由門(mén)極、源極
      和漏極組成。
      本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是本實(shí)用新型的兼容性好,最大化了漏極 區(qū)域,應(yīng)用的電流范圍大,生產(chǎn)成本低。


      圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖2是本實(shí)用新型直接敷銅基板(DBC)的布局圖。
      圖3是本實(shí)用新型的電路原理圖。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。 如圖1所示,本實(shí)用新型包括基板l、門(mén)極電阻2、 MOSFET芯 片3、 S極引線4、連接橋5、直接敷銅基板(DBC) 6、門(mén)極連接 橋7、門(mén)極引線8、功率端子3號(hào)9、S極引線10、功率端子2號(hào)11、 連接橋12、功率端子1號(hào)13、門(mén)極連接橋14、門(mén)極引線15?;?板l和直接敷銅基板(DBC) 6通過(guò)釬焊結(jié)合,MOSFET芯片3、門(mén)極電阻2和直接敷銅基板(DBC) 6之間通過(guò)釬焊結(jié)合。基板1 上釬焊有兩組四塊呈方形排布直接敷銅基板(DBC) 6,四塊直接 敷銅基板(DBC)之間用lmm寬的溝道隔開(kāi)。如圖2,每塊直接敷 銅基板(DBC) 6都由門(mén)極16、漏極18和源極17組成。
      所述的四塊直接敷銅基板(DBC)中,左上直接敷銅基板
      (DBC)和右上直接敷銅基板(DBC)、左下直接敷銅基板(DBC) 和右下直接敷銅基板(DBC)的結(jié)構(gòu)相同。左上直接敷銅基板(DBC) 和右上直接敷銅基板(DBC)是鏡像對(duì)稱(chēng),左下直接敷銅基板(DBC) 和右下直接敷銅基板(DBC)是鏡像對(duì)稱(chēng)。
      直接敷銅基板(DBC) 6的邊側(cè)區(qū)域?yàn)殚T(mén)極。左上直接敷銅基 板(DBC)的門(mén)極16和左下直接敷銅基板(DBC)的門(mén)極通過(guò)橋 M連接,并通過(guò)引線15引出。右上直接敷銅基板(DBC)的門(mén)極 和右下直接敷銅基板(DBC)的門(mén)極通過(guò)橋7連接,并通過(guò)引線8 引出。直接敷銅基板(DBC) 6的中間區(qū)域是漏極,直接敷銅基板
      (DBC) 6通過(guò)釬焊和MOSFET芯片3漏極連接在一起。左邊兩塊 直接敷銅基板(DBC)的源極,通過(guò)功率端子11引出,構(gòu)成模塊的 負(fù)極輸入。右邊兩塊直接敷銅基板(DBC)的漏極,通過(guò)功率端子 9引出,構(gòu)成模塊的正極輸入。MOSFET芯片3通過(guò)直接敷銅基板
      (DBC) 6上的門(mén)極電阻2,再通過(guò)門(mén)極引線15引出去。
      直接敷銅基板(DBC) 6的左邊區(qū)域是源極,直接敷銅基板
      (DBC) 6和MOSFET芯片上表面源極連接在一起。左邊兩塊直接敷銅基板(DBC)的源極是通過(guò)橋12、橋5和右邊兩塊直接敷銅基 板(DBC)的漏極連接在一起,再由功率端子1引出去。源極區(qū)域還 通過(guò)引出信號(hào)與門(mén)極組成信號(hào)控制端。直接敷銅基板(DBC) 6上還 設(shè)有信號(hào)引線S極引線4和S極引線10。
      如圖2所示的4塊直接敷銅基板(DBC)布局結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了圖3 所示的電路。在圖3電路原理圖中17、 18、 6分別為輸出、負(fù)極輸入 和正極輸出;電路原理圖中8、 IO分別為上管門(mén)極和S極信號(hào)輸入; 電路原理圖中15、 4分別為下管門(mén)極和S極信號(hào)輸入。
      權(quán)利要求1、一種帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊,包括基板、直接敷銅基板、功率MOSFET芯片和功率端子,基板和直接敷銅基板通過(guò)釬焊結(jié)合,門(mén)極電阻、功率MOSFET芯片和直接敷銅基板之間通過(guò)釬焊結(jié)合,基板和直接敷銅基板通過(guò)釬焊結(jié)合,其特征在于基板上釬焊有兩組四塊直接敷銅基板,每塊直接敷銅基板都由門(mén)極、源極和漏極組成。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊, 其特征在于基板上的四塊直接敷銅基板呈方形排布,其中左上直接敷 銅基板和右上直接敷銅基板、左下直接敷銅基板和右下直接敷銅基板(DBC)的結(jié)構(gòu)相同。
      3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊, 其特征在于直接敷銅基板的邊側(cè)區(qū)域?yàn)殚T(mén)極,左上直接敷銅基板的門(mén) 極和左下直接敷銅基板的門(mén)極、右上直接敷銅基板的門(mén)極和右下直接 敷銅基板的門(mén)極分別通過(guò)橋連接,且分別通過(guò)引線引出。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊, 其特征在于直接敷銅基板的邊側(cè)區(qū)域?yàn)殚T(mén)極,功率MOSFET芯片的 門(mén)極通過(guò)一個(gè)門(mén)極電阻和直接敷銅基板的門(mén)極區(qū)域連接在一起,再通 過(guò)引線引出。
      5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊, 其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極,直接敷銅基板通過(guò)釬悍 和功率MOSFET芯片連接在一起,左上、左下兩塊直接敷銅基板的漏極和右上、右下兩塊直接敷銅基板源極通過(guò)橋連在一起,共同組成模塊的輸出,通過(guò)功率端子引出。
      6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊,其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極,直接敷銅基板通過(guò)釬焊 和功率MOSFET芯片連接在一起,左上和左下兩塊直接敷銅基板源 極共同組成半橋模塊的負(fù)極輸入,通過(guò)功率端子引出。
      7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模i央, 其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極,直接敷銅基板和功率 MOSFET芯片連接在一起,右上和右下直接敷銅基板的中間區(qū)域作 為模塊的正極輸入,通過(guò)功率端子引出去。
      8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊, 其特征在于直接敷銅基板上還設(shè)有信號(hào)引線。
      專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種帶門(mén)極電阻布局的功率MOSFET模塊,它主要包括基板、直接敷銅基板(DBC)、功率MOSFET晶體管芯片、門(mén)極電阻和功率端子,基板和直接敷銅基板(DBC)通過(guò)釬焊結(jié)合,門(mén)極電阻,功率MOSFET晶體管芯片和直接敷銅基板(DBC)之間通過(guò)釬焊結(jié)合,基板和直接敷銅基板(DBC)通過(guò)釬焊結(jié)合。基板上釬焊有兩組四塊直接敷銅基板(DBC),每塊直接敷銅基板(DBC)都由門(mén)極、源極和漏極組成。本實(shí)用新型具有兼容性好,應(yīng)用的電流范圍大,均流性能好,生產(chǎn)成本低的特點(diǎn)。
      文檔編號(hào)H01L23/13GK201417772SQ20092011698
      公開(kāi)日2010年3月3日 申請(qǐng)日期2009年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月2日
      發(fā)明者劉志宏, 翔 朱, 馮 李, 華 沈, 胡少華, 金曉行 申請(qǐng)人:嘉興斯達(dá)微電子有限公司
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