專利名稱：激光器晶體的冷卻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
激光器晶體的冷卻裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種應(yīng)用于端面泵浦激光器晶體的冷卻裝
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的激光器激光晶體冷卻是針對不同的晶體來單獨設(shè)計冷卻 結(jié)構(gòu)方式，由于晶體散熱要求的不同，其在結(jié)構(gòu)上有很大的不同，都 采用直接壓緊的方式。其缺點為1、不同的晶體設(shè)計不同冷卻結(jié)構(gòu) 方式，通用性不強；2、直接壓緊方式由于對晶體的壓緊力不好把握 容易造成接觸不良，帶來冷卻的不穩(wěn)定。
實用新型內(nèi)容
本實用新型所欲解決的技術(shù)問題在于提供一種可以調(diào)節(jié)晶體壓 緊力、從而充分冷卻晶體的激光器晶體的冷卻裝置。
本實用新型所采用的技術(shù)方案是 一種激光器晶體的冷卻裝置， 包括晶體蓋、固定晶體的晶體座、包裹晶體的包裹銦膜、壓緊包裹 有晶體的包裹銦膜的定位塊、推動定位塊的推動裝置、及將該定位塊 鎖在晶體座內(nèi)的至少一鎖緊螺釘。其中，所述包裹銦膜適合不同材料的晶體。 其中，所述推動裝置為兩螺孔。 其中，還包括冷卻晶體的冷卻水路。 其中，所述鎖緊螺釘有兩個。
本實用新型通過定位塊來調(diào)整晶體的壓緊力，且晶體由包裹銦膜 包裹，其優(yōu)勢在于1、相同尺寸的不同晶體可互相更換安裝，有很 強的通用性；2、有一晶體壓緊塊可調(diào)節(jié)對晶體的壓緊力，并對被冷 卻晶體與包裹銦膜以及冷卻塊充分接觸，使晶體冷卻處于良好穩(wěn)定的 狀態(tài)。
圖1為本實用新型激光器的結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1所示激光器的局部示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明。
如圖1和圖2，為本激光器的結(jié)構(gòu)示意圖，本實用新型涉及一種
應(yīng)用于端面泵浦激光器的冷卻裝置，其包括晶體蓋l、固定晶體的
晶體座2、晶體定位塊3、兩個晶體4、包裹晶體4的包裹銦膜5、壓 緊裝置6、冷卻水路7及兩鎖緊螺釘8，其中，晶體座2與晶體蓋1 固定在一起；晶體4由包裹銦膜5包裹后放入晶體座2內(nèi)，晶體4及 包裹銦膜5的兩端貼緊晶體座2的兩端面，且晶體4可用相同尺寸的 不同材料，相同尺寸的不同晶體可互相更換安裝，有很強的通用性，且晶體也可一個，當然本實施例中，晶體4為兩個；晶體定位塊3與 包裹有晶體4的包裹銦膜5貼近；壓緊裝置6為一螺孔。
操作時，首先通過兩固定件(圖未示)分別作用在兩螺孔6內(nèi)，
使其推動晶體定位塊3向一定方向移動直至壓緊包裹有晶體4的包裹 銦膜5，壓緊至適當?shù)奈恢煤?，調(diào)節(jié)對晶體4的壓緊力，調(diào)節(jié)適當后 立即用鎖緊螺釘8將晶體定位塊3鎖緊，后取走固定件，使晶體定位 塊3在晶體座2內(nèi)不能移動，并使晶體定位塊3與晶體座2貼實，裝 好后蓋上晶體蓋l。
冷卻水路7由晶體座2進入后通過晶體蓋1，使得整個激光器內(nèi) 冷卻水連續(xù)流通，由于晶體4及包裹銦膜5由晶體定位塊3壓緊，使 得包裹銦膜5與晶體4充分接觸，從而冷卻水路7和冷卻晶體4、包 裹銦膜5以及冷卻塊充分接觸，使晶體冷卻處于良好穩(wěn)定的狀態(tài)，達 到充分冷卻晶體4的作用。
權(quán)利要求1、一種激光器晶體的冷卻裝置，包括晶體蓋、固定晶體的晶體座，其特征在于，還包括包裹晶體的包裹銦膜、壓緊包裹有晶體的包裹銦膜的定位塊、推動定位塊的推動裝置、及將該定位塊鎖在晶體座內(nèi)的至少一鎖緊螺釘。
2、 如權(quán)利要求1所述的激光器晶體的冷卻裝置，其特征在于所 述包裹銦膜適合不同材料的晶體。
3、 如權(quán)利要求1所述的激光器晶體的冷卻裝置，其特征在于所 述推動裝置為兩螺孔。
4、 如權(quán)利要求1所述的激光器晶體的冷卻裝置，其特征在于還 包括冷卻晶體的冷卻水路。
5、 如權(quán)利要求l所述的激光器晶體的冷卻裝置，其特征在于所 述鎖緊螺釘有兩個。
專利摘要一種激光器晶體的冷卻裝置，包括晶體蓋、固定晶體的晶體座、包裹晶體的包裹銦膜、壓緊包裹有晶體的包裹銦膜的定位塊、推動定位塊的推動裝置、及將該定位塊鎖在晶體座內(nèi)的至少一鎖緊螺釘。本實用新型通過定位塊來調(diào)整晶體的壓緊力，且晶體由包裹銦膜包裹，其優(yōu)勢在于1.相同尺寸的不同晶體可互相更換安裝，有很強的通用性；2.有一晶體壓緊塊可調(diào)節(jié)對晶體的壓緊力，并對被冷卻晶體與包裹銦膜以及冷卻塊充分接觸，使晶體冷卻處于良好穩(wěn)定的狀態(tài)。
文檔編號H01S3/042GK201365062SQ200920129299
公開日2009年12月16日 申請日期2009年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月12日
發(fā)明者何柏林, 呂啟濤, 蔡元平, 高云峰 申請人:深圳市大族激光科技股份有限公司