專利名稱：一種硅晶承載裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種承載裝置，具體而言，是關(guān)于一種方形太陽(yáng) 能電池硅晶的承載裝置。
背景技術(shù)：
目前，太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)和應(yīng)用是世界上增長(zhǎng)最快的產(chǎn)業(yè)之一。
太陽(yáng)能電池大都采用半導(dǎo)體材料制造，其中多晶硅電池約占5 0 %左右， 是太陽(yáng)能電池中成本^^、產(chǎn)量增長(zhǎng)最快的一個(gè)品種。。
在太陽(yáng)能硅電池的生產(chǎn)工藝中，需要使用硅晶承載器，在一定溫 度下的NaOH溶液、HCI溶液、HF溶液中對(duì)硅晶進(jìn)行清洗。該承載器 需滿足硅晶轉(zhuǎn)換的要求，并長(zhǎng)期使用不變形，使用時(shí)不污染硅晶。
現(xiàn)有的硅晶承載器都是用于半導(dǎo)體硅晶及晶片的承載，這些硅晶 均為圓形，其承載結(jié)構(gòu)無(wú)法滿足方形硅晶的承載要求；同時(shí)，現(xiàn)有承 載器構(gòu)造過(guò)于復(fù)雜，本身重量過(guò)重；承載器的結(jié)構(gòu)形狀不利于清洗液 的順暢流動(dòng)，容易造成清洗液滯留在硅晶上。
此外，現(xiàn)有的硅晶承載器其生產(chǎn)工藝需要用液體和氣體對(duì)承載器 內(nèi)硅晶浸泡洗滌，其中的化學(xué)洗液含有強(qiáng)酸、強(qiáng)堿等腐蝕性液體，且 需在高溫(180°C )下使用。
因此，盛裝硅晶的承載器，要求不但能夠長(zhǎng)期耐受清洗液的溫度、 清洗液的酸、堿腐蝕，還要有較強(qiáng)的剛性、強(qiáng)度精確的外形尺寸和嚴(yán) 格的產(chǎn)品重量，以滿足硅晶生產(chǎn)線和清洗設(shè)備的要求。

實(shí)用新型內(nèi)容
鑒于上述方形硅晶承載器的特殊需求以及現(xiàn)有技術(shù)存在的不足， 本實(shí)用新型提出了一種硅晶承載裝置，該承載裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，利于清洗液流動(dòng)，且本身重量和尺寸較小，長(zhǎng)期使用不會(huì)變形、不會(huì)污染硅 片。
一種硅晶承載裝置，其特征在于，該裝置包括有第一端板、第二 端板，在第一端板和第二端板之間上端平行設(shè)置有第一限位桿、第二 限位桿，且第一端板、第一限位桿、第二端板、第二限位桿依次呈矩
形固定連接，形成容置硅晶的空間；在第一端板和第二端板之間下端 設(shè)置有至少一用以支撐硅晶的、與第一限位桿和第二限位桿平行的支 撐桿；所述第一限位桿、第二限位桿相對(duì)之一側(cè)均開設(shè)有用以裝卡硅
晶的牙口；所述第一端板、第二端板上端之兩側(cè)均開設(shè)有卡勾。
進(jìn)一步，所述第一限位桿、第二限位桿之間的距離為所承載的硅 晶的長(zhǎng)度。
進(jìn)一步，所述支撐桿與第一限位桿、第二限位桿之間的距離小于 或等于所承載的硅晶的高度。
進(jìn)一步，所述第一端板、第二端板的材料為聚四氟乙烯。 進(jìn)一步，所述第一限位桿、第二限位桿、支撐桿的材料為氟塑料。 進(jìn)一步，所述第一端板、第二端板的下端均開設(shè)有導(dǎo)流孔。 進(jìn)一步，所述牙口是平滑結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步，在第一限位桿、第二限位桿與支撐桿之間有水平平行設(shè) 置的第三限位桿、第四限位桿，分別位于第一限位桿、第二限位桿的 正下方。
采用本實(shí)用新型的硅晶承載裝置，由于其結(jié)構(gòu)主要為端板和桿結(jié)
構(gòu)組成，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，剛性較強(qiáng)，使得其本身重量和尺寸較??；此外， 由于在承載裝置底部開設(shè)有導(dǎo)流孔，保證了清洗液的通暢流動(dòng)，有效 的避免了清洗液滯留。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的硅晶承載裝置的結(jié)構(gòu)特征和性能加 以詳細(xì)說(shuō)明。

圖1為本實(shí)用新型的硅晶承載裝置的立體視圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖l，為本實(shí)用新型的硅晶承載裝置示意圖。
該承載裝置包括有第一端板1、第二端板2，在第一端板l和第二 端板2之間上端水平平行設(shè)置有第一限位桿3、第二限位桿4，且第一 端板l、第一限位桿3、第二端板2、第二限位桿4依次呈矩形固定連 接，形成容置硅晶(圖中未示出硅晶)的空間。第一限位桿3、第二限 位桿4之間的距離為所承載的硅晶的長(zhǎng)度。
在第一端板1和第二端板2下端設(shè)置有至少一用以支撐硅晶的、 與第一限位桿3和第二限位桿4平行的支撐桿5。該支撐桿5與第一限 位桿3、第二限位桿4之間的距離小于或等于所承載的硅晶的高度。
為了保證承載裝置能夠滿足硅晶的高溫、強(qiáng)酸、強(qiáng)堿和高剛度生 產(chǎn)工藝要求(在150° C以下的NaOH溶液、HC1溶液、HF溶液中對(duì)硅 晶進(jìn)行清洗、轉(zhuǎn)換)，第一端板l、第二端板2的材料為聚四氟乙烯， 第一限位桿3、第二限位桿4、支撐桿5的材料為氟塑料。
在所述第一限位桿3、第二限位桿4相對(duì)之一側(cè)均開設(shè)有用以裝卡 硅晶的牙口 6，該牙口 6是平滑過(guò)渡的，使得方形硅晶在硅晶承載裝置 內(nèi)可以隨意插入、取出，硅晶在進(jìn)出承載器方向并不完全垂直時(shí)，可 以自動(dòng)調(diào)整至正確位置，順利進(jìn)出，沒(méi)有阻礙，也不至于損壞硅晶。
在第一端板l、第二端板2上端之兩側(cè)均開設(shè)有卡勾7。該卡勾7 用來(lái)放置夾持工具以操作和緊固該硅晶承載裝置。
在第一端板l、第二端板2的下端均開設(shè)有導(dǎo)流孔8。由于方形硅 晶底部平直，很容易造成清洗液滯留。因此，在承載裝置底部開設(shè)導(dǎo) 流孔8之后，能夠?qū)⑶逑匆和〞硨?dǎo)出，避免滯留。
為了在清洗時(shí)，更好的固定硅晶，在第一限位桿3、第二限位桿4 與支撐桿5之間有水平平行設(shè)置的第三限位桿9、第四限位桿IO，分 別位于第一限位桿3、第二限位桿4的正下方。
綜合以上，本實(shí)用新型提供的硅晶承載裝置，由于其結(jié)構(gòu)主要為端板和桿結(jié)構(gòu)組成，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，剛性和強(qiáng)度都較高，使得其本身重量 和尺寸較?。淮送?，由于在承載裝置底部開設(shè)有導(dǎo)流孔，保證了清洗 液的通暢流動(dòng)，有效的避免了清洗液滯留。
權(quán)利要求1、一種硅晶承載裝置，其特征在于，該裝置包括有第一端板、第二端板，在第一端板和第二端板之間上端平行設(shè)置有第一限位桿、第二限位桿，且第一端板、第一限位桿、第二端板、第二限位桿依次呈矩形固定連接，形成容置硅晶的空間；在第一端板和第二端板之間下端設(shè)置有至少一用以支撐硅晶的、與第一限位桿和第二限位桿平行的支撐桿；所述第一限位桿、第二限位桿相對(duì)之一側(cè)均開設(shè)有用以裝卡硅晶的牙口；所述第一端板、第二端板上端之兩側(cè)均開設(shè)有卡勾。
2、 如權(quán)利要求1所述的硅晶承載裝置，其特征在于，所述第一限位桿、 第二限位桿之間的距離為所承載的硅晶的長(zhǎng)度。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的硅晶承載裝置，其特征在于，所述支撐桿 與第 一 限位桿、第二限位桿之間的距離小于或等于所承載的硅晶的高度。
4、 如權(quán)利要求1或2所述的硅晶承載裝置，其特征在于，所述第一端 板、第二端板的材料為聚四氟乙烯。
5、 如權(quán)利要求1或2所述的硅晶承載裝置，其特征在于，所述第一限 位桿、第二P艮位桿、支撐桿的材料為氟塑料。
6、 如權(quán)利要求1或2所述的硅晶承載裝置，其特征在于，所述第一端 板、第二端板的下端均開設(shè)有導(dǎo)流孔。
7、 如權(quán)利要求1或2所述的硅晶承載裝置，其特征在于，所述牙口是 平滑結(jié)構(gòu)。
8、 如權(quán)利要求1或2所述的硅晶承載裝置，其特征在于，在第一限位 桿、第二限位桿與支撐桿之間有水平平行設(shè)置的第三限位桿、第四限 位桿，分別位于第一限位桿、第二限位桿的正下方。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種硅晶承載裝置，該裝置包括有第一端板、第二端板，在第一端板和第二端板之間上端平行設(shè)置有第一限位桿、第二限位桿，且第一端板、第一限位桿、第二端板、第二限位桿依次呈矩形固定連接，形成容置硅晶的空間；在第一端板和第二端板之間下端設(shè)置有至少一用以支撐硅晶的、與第一限位桿和第二限位桿平行的支撐桿；第一限位桿、第二限位桿相對(duì)之一側(cè)均開設(shè)有用以裝卡硅晶的牙口；第一端板、第二端板上端之兩側(cè)均開設(shè)有卡勾。該承載裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，利于清洗液流動(dòng)，本身重量和尺寸小，長(zhǎng)期使用不會(huì)變形、不會(huì)污染硅片。
文檔編號(hào)H01L31/18GK201430157SQ20092013378
公開日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2009年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月5日
發(fā)明者鵬 成 申請(qǐng)人:深圳市明鑫高分子技術(shù)有限公司