專(zhuān)利名稱(chēng)：一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種薄膜電容器，特別是涉及一種適用于高頻大 脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器。
背景技術(shù)：
薄膜電容器是電容器中的一種，它是一種性能優(yōu)越的電容器，其 具有如下主要特性無(wú)極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響 應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很小。由于薄膜電容器體積小容量大，因此， 有著較為廣泛的用途，可以形成不同的系列產(chǎn)品，如高比能儲(chǔ)能電容 器、抗電磁干擾電容器、抗輻射電容器、安全膜電容器、長(zhǎng)壽命電容 器、高可靠電容器、高壓全膜電容器等。
薄膜電容器的結(jié)構(gòu)形式主要有二種， 一種結(jié)構(gòu)形式是以金屬箔當(dāng) 電極，將金屬箔和塑料薄膜重疊后巻繞在一起而制成。薄膜電容器的 另一種結(jié)構(gòu)形式，是采用金屬化薄膜來(lái)制作，金屬化薄膜是由塑料薄 膜上真空蒸鍍上一層很薄的金屬構(gòu)成，該層金屬被用來(lái)作為電極，即 相當(dāng)于傳統(tǒng)薄膜電容器的金屬箔;采用金屬化薄膜來(lái)制作薄膜電容器， 可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以該種方式 較容易制成小型，容量大的電容器。
無(wú)論是箔式結(jié)構(gòu)的薄膜電容器，還是金屬化薄膜結(jié)構(gòu)的薄膜電容 器，現(xiàn)有技術(shù)的產(chǎn)品都很難滿足高頻大脈沖場(chǎng)合下的使用。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種適用于高 頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，是結(jié)合了箔式結(jié)構(gòu)和金屬化薄膜結(jié)構(gòu)的 優(yōu)點(diǎn)，使該薄膜電容器能夠適于高頻大脈沖場(chǎng)合下的使用。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是 一種適用于高 頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，包括
絕緣的第一介質(zhì)層；
設(shè)在第一介質(zhì)層之上的絕緣的第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層的兩邊端 分別與第一介質(zhì)層的兩邊端相對(duì)齊；
層疊在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的第一金屬箔層，第一金屬 箔層的外邊端伸在第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外；
層疊在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的第二金屬箔層，第二金屬 箔層的外邊端伸在第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外，第二 金屬箔層與第一金屬箔層并排而設(shè)，兩者之間設(shè)有間隙；
層疊在第二介質(zhì)層上的第一雙面金屬化薄膜層，第一雙面金屬化 薄膜層分別覆蓋于部分第一金屬箔層、部分第二金屬箔層以及第一金 屬箔層與第二金屬箔層之間的間隙；第一雙面金屬化薄膜層的兩邊端 分別縮在第二介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的邊端之內(nèi)。
本技術(shù)方案的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，構(gòu)成了 內(nèi)串結(jié)構(gòu)的電容器，第一金屬箔層和第二金屬箔層的外邊端噴金后用 來(lái)與外接線相連接，第一金屬箔層與第一雙面金屬化薄膜層所相互覆 蓋的部分分別作為第一電容的兩電極，第二金屬箔層與第一雙面金屬 化薄膜層所相互覆蓋的部分則分別作為第二電容的兩電極，對(duì)應(yīng)于第一金屬箔層與第二金屬箔層之間間隙的第一雙面金屬化薄膜層部分則 相當(dāng)于第一電容、第二電容串接的連接線，由此形成了第一電容與第 二電容串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的另一技術(shù)方案是 一種適用 于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，包括
絕緣的第一介質(zhì)層；
設(shè)在第一介質(zhì)層之上的絕緣的第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層的兩邊端 分別與第一介質(zhì)層的兩邊端相對(duì)齊；
層疊在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的第一金屬箔層，第一金屬 箔層的外邊端伸在第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外；
層疊在第二介質(zhì)層上的第二金屬箔層，第二金屬箔層的外邊端伸 在第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外，第二金屬箔層與第一金屬箔層之間 錯(cuò)位排列，兩者之間設(shè)有間隙；
層疊在第二介質(zhì)層上的第一雙面金屬化薄膜層，第一雙面金屬化 薄膜層與第二金屬箔層并排而設(shè)，兩者之間設(shè)有間隙，第一雙面金屬
化薄膜層的外邊端縮在第二介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的邊端之內(nèi)，第一雙面金屬化 薄膜層覆蓋于部分第一金屬箔層；
層疊在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的第二雙面金屬化薄膜層， 第二雙面金屬化薄膜層與第一金屬箔層并排而設(shè)，兩者之間設(shè)有被第 一雙面金屬化薄膜層所覆蓋的間隙，第二雙面金屬化薄膜層的外邊端 縮在第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之內(nèi)，第二雙面金屬化薄 膜層覆蓋于部分第二金屬箔層、部分第一雙面金屬化薄膜層以及第二 金屬箔層與第一雙面金屬化薄膜層之間的間隙。本技術(shù)方案的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，構(gòu)成了 三串結(jié)構(gòu)，第一金屬箔層和第二金屬箔層的外邊端噴金后可與外接線 相連接，第一金屬箔層與第一雙面金屬化薄膜層所相互覆蓋的部分分 別作為第一電容的兩電極，第二金屬箔層與第二雙面金屬化薄膜層所 相互覆蓋的部分則分別作為第二電容的兩電極，第一雙面金屬化薄膜 層與第二雙面金屬化薄膜層所相互覆蓋的部分分別作為第三電容的兩 電極，對(duì)應(yīng)于第一金屬箔層與第二雙面金屬化薄膜層之間間隙的第一 雙面金屬化薄膜層部分則相當(dāng)于第一電容、第三電容串接的連接線， 對(duì)應(yīng)于第二金屬箔層與第一雙面金屬化薄膜層之間間隙的第二雙面金 屬化薄膜層部分則相當(dāng)于第二電容、第三電容串接的連接線，由此形 成了第一電容與第三電容串聯(lián)，第三電容與第二電容串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，相對(duì)于 前一種技術(shù)方案，在第二介質(zhì)層上再增加一個(gè)第一雙面金屬化薄膜層， 在第一金屬箔層與第二金屬箔層之間再增設(shè)一個(gè)第二雙面金屬化薄膜
層，可以構(gòu)成四串結(jié)構(gòu)；在第二介質(zhì)層上再增加二個(gè)第一雙面金屬化 薄膜層，在第一金屬箔層與第二金屬箔層之間再增設(shè)二個(gè)第二雙面金 屬化薄膜層，可以構(gòu)成六串結(jié)構(gòu)；依此類(lèi)推。
本實(shí)用新型的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，相對(duì)于 后一種技術(shù)方案,在第二介質(zhì)層上再增加一個(gè)第一雙面金屬化薄膜層, 在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間再增設(shè)一個(gè)第二雙面金屬化薄膜層， 可以構(gòu)成五串結(jié)構(gòu)；在第二介質(zhì)層上再增加二個(gè)第一雙面金屬化薄膜 層，在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間再增設(shè)二個(gè)第二雙面金屬化薄膜 層，可以構(gòu)成七串結(jié)構(gòu)；依此類(lèi)推。本實(shí)用新型的有益效果是，由于采用了第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、 第一金屬箔層、第二金屬箔層、第一雙面金屬化薄膜層來(lái)構(gòu)成薄膜電 容器，或是采用了第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第一金屬箔層、第二金 屬箔層、第一雙面金屬化薄膜層、第二雙面金屬化薄膜層來(lái)構(gòu)成薄膜 電容器，利用箔式結(jié)構(gòu)來(lái)作為電容器的引出端，利用第一雙面金屬化 薄膜層、第二雙面金屬化薄膜層來(lái)構(gòu)成多個(gè)相串接的電容，使得該結(jié) 構(gòu)的薄膜電容器既有箔式電容耐大電流以及端面接觸比較好，抗脈沖
能力比較強(qiáng)，高dv/dt的特點(diǎn)，還有金屬化膜所具有的自愈性，可恢復(fù) 性，可以耐比較高的交流電壓，以及不容易電暈的特點(diǎn)；由于采用了 雙面金屬化膜，相對(duì)于單面金屬化膜，由于導(dǎo)電面積比較大，因此耐 電流水平也比較好。該結(jié)構(gòu)的薄膜電容器可以滿足不同的交流電壓， 不同頻率大電流的需求，可以廣泛運(yùn)用在電視和顯示器的偏轉(zhuǎn)電路， 電子振流器，開(kāi)關(guān)式電源等大電流場(chǎng)合。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明；但本實(shí) 用新型的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器不局限于實(shí)施例。

圖1是實(shí)施例一本實(shí)用新型的構(gòu)造分解示意圖； 圖2是實(shí)施例二本實(shí)用新型的構(gòu)造分解示意圖。
具體實(shí)施方式

實(shí)施例一，參見(jiàn)圖1所示，本實(shí)用新型的一種適用于高頻大脈沖 場(chǎng)合的薄膜電容器，包括
絕緣的第一介質(zhì)層11，比如采用0PP材料制作而成； 設(shè)在第一介質(zhì)層11之上的絕緣的第二介質(zhì)層12，比如采用0PP材料制作而成；第二介質(zhì)層12的兩邊端分別與第一介質(zhì)層11的兩邊 端相對(duì)齊；
層疊在第一介質(zhì)層11與第二介質(zhì)層12之間的第一金屬箔層21， 比如鋁箔層，第一金屬箔層21的外邊端伸在第一介質(zhì)層11、第二介 質(zhì)層12所對(duì)應(yīng)的邊端之外；
層疊在第一介質(zhì)層11與第二介質(zhì)層12之間的第二金屬箔層22, 比如鋁箔層，第二金屬箔層22的外邊端伸在第一介質(zhì)層11、第二介 質(zhì)層12所對(duì)應(yīng)的邊端之外，第二金屬箔層22與第一金屬箔層21并排 而設(shè)，兩者之間設(shè)有間隙20;
層疊在第二介質(zhì)層12上的第一雙面金屬化薄膜層31，比如在OPP 材料層的雙面鍍上一層很薄的鋁金屬；第一雙面金屬化薄膜層31分別 覆蓋于部分第一金屬箔層、部分第二金屬箔層以及第一金屬箔層與第 二金屬箔層之間的間隙20;第一雙面金屬化薄膜層31的兩邊端分別 縮在第二介質(zhì)層12對(duì)應(yīng)的邊端之內(nèi)。
本實(shí)施例的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，構(gòu)成了內(nèi) 串結(jié)構(gòu)的電容器，第一金屬箔層21和第二金屬箔層22的外邊端噴金 后用來(lái)與外接線相連接，第一金屬箔層21與第一雙面金屬化薄膜層 31所相互覆蓋的部分分別作為第一電容的兩電極，第二金屬箔層22 與第一雙面金屬化薄膜層31所相互覆蓋的部分則分別作為第二電容 的兩電極，對(duì)應(yīng)于第一金屬箔層與第二金屬箔層之間間隙20的第一雙 面金屬化薄膜層部分則相當(dāng)于第一電容、第二電容串接的連接線，由 此形成了第一電容與第二電容串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，在內(nèi)串結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上可以進(jìn)一步延伸出四串結(jié)構(gòu)、六串結(jié)構(gòu)等，在第二介質(zhì) 層上再增加一個(gè)第一雙面金屬化薄膜層，在第一金屬箔層與第二金屬
箔層之間再增設(shè)一個(gè)第二雙面金屬化薄膜層，可以構(gòu)成四串結(jié)構(gòu)；在 第二介質(zhì)層上再增加二個(gè)第一雙面金屬化薄膜層，在第一金屬箔層與 第二金屬箔層之間再增設(shè)二個(gè)第二雙面金屬化薄膜層，可以構(gòu)成六串 結(jié)構(gòu)；依此類(lèi)推。
實(shí)施例二，參見(jiàn)圖2所示，本實(shí)用新型的一種適用于高頻大脈沖 場(chǎng)合的薄膜電容器，包括
絕緣的第一介質(zhì)層ll;
設(shè)在第一介質(zhì)層11之上的絕緣的第二介質(zhì)層12,第二介質(zhì)層12 的兩邊端分別與第一介質(zhì)層11的兩邊端相對(duì)齊；
層疊在第一介質(zhì)層11與第二介質(zhì)層12之間的第一金屬箔層21， 第一金屬箔層21的外邊端伸在第一介質(zhì)層11、第二介質(zhì)層12所對(duì)應(yīng) 的邊端之外；
層疊在第二介質(zhì)層12上的第二金屬箔層22,第二金屬箔層22的 外邊端伸在第二介質(zhì)層12所對(duì)應(yīng)的邊端之外，第二金屬箔層22與第 一金屬箔層21之間錯(cuò)位排列，兩者之間設(shè)有間隙；
層疊在第二介質(zhì)層12上的第一雙面金屬化薄膜層31，第一雙面 金屬化薄膜層31與第二金屬箔層22并排而設(shè),兩者之間設(shè)有間隙30， 第一雙面金屬化薄膜層31的外邊端縮在第二介質(zhì)層12對(duì)應(yīng)的邊端之 內(nèi)，第一雙面金屬化薄膜層31覆蓋于部分第一金屬箔層；
層疊在第一介質(zhì)層11與第二介質(zhì)層12之間的第二雙面金屬化薄 膜層32,第二雙面金屬化薄膜層32與第一金屬箔層21并排而設(shè)，兩者之間設(shè)有被第一雙面金屬化薄膜層所覆蓋的間隙40，第二雙面金屬 化薄膜層32的外邊端縮在第一介質(zhì)層11、第二介質(zhì)層12所對(duì)應(yīng)的邊 端之內(nèi)，第二雙面金屬化薄膜層32覆蓋于部分第二金屬箔層、部分第 一雙面金屬化薄膜層以及第二金屬箔層與第一雙面金屬化薄膜層之間 的間隙30。
本實(shí)施例的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，構(gòu)成了三 串結(jié)構(gòu)，第一金屬箔層21和第二金屬箔層22的外邊端噴金后可與外 接線相連接，第一金屬箔層21與第一雙面金屬化薄膜層31所相互覆 蓋的部分分別作為第一電容的兩電極，第二金屬箔層22與第二雙面金 屬化薄膜層32所相互覆蓋的部分則分別作為第二電容的兩電極，第一 雙面金屬化薄膜層31與第二雙面金屬化薄膜層32所相互覆蓋的部分 分別作為第三電容的兩電極，對(duì)應(yīng)于第一金屬箔層與第二雙面金屬化 薄膜層之間間隙40的第一雙面金屬化薄膜層部分則相當(dāng)于第一電容、 第三電容串接的連接線，對(duì)應(yīng)于第二金屬箔層與第一雙面金屬化薄膜 層之間間隙30的第二雙面金屬化薄膜層部分則相當(dāng)于第二電容、第三 電容串接的連接線，由此形成了第一電容與第三電容串聯(lián)，第三電容 與第二電容串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型的一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，在三串 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上可以進(jìn)一步延伸出五串結(jié)構(gòu)、七串結(jié)構(gòu)等，在第二介質(zhì) 層上再增加一個(gè)第一雙面金屬化薄膜層，在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層 之間再增設(shè)一個(gè)第二雙面金屬化薄膜層，可以構(gòu)成五串結(jié)構(gòu)；在第二 介質(zhì)層上再增加二個(gè)第一雙面金屬化薄膜層，在第一介質(zhì)層與第二介 質(zhì)層之間再增設(shè)二個(gè)第二雙面金屬化薄膜層，可以構(gòu)成七串結(jié)構(gòu)；依此類(lèi)推。
上述實(shí)施例僅用來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的一種適用于高頻大 脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，但本實(shí)用新型并不局限于實(shí)施例，凡是依據(jù) 本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化 與修飾，均落入本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，其特征在于包括絕緣的第一介質(zhì)層；設(shè)在第一介質(zhì)層之上的絕緣的第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層的兩邊端分別與第一介質(zhì)層的兩邊端相對(duì)齊；層疊在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的第一金屬箔層，第一金屬箔層的外邊端伸在第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外；層疊在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的第二金屬箔層，第二金屬箔層的外邊端伸在第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外，第二金屬箔層與第一金屬箔層并排而設(shè)，兩者之間設(shè)有間隙；層疊在第二介質(zhì)層上的第一雙面金屬化薄膜層，第一雙面金屬化薄膜層分別覆蓋于部分第一金屬箔層、部分第二金屬箔層以及第一金屬箔層與第二金屬箔層之間的間隙；第一雙面金屬化薄膜層的兩邊端分別縮在第二介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的邊端之內(nèi)。
2. —種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，其特征在于 包括絕緣的第一介質(zhì)層；設(shè)在第一介質(zhì)層之上的絕緣的第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層的兩 邊端分別與第一介質(zhì)層的兩邊端相對(duì)齊；層疊在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的第一金屬箔層，第一 金屬箔層的外邊端伸在第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外；層疊在第二介質(zhì)層上的第二金屬箔層，第二金屬箔層的外邊 端伸在第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外，第二金屬箔層與第一金屬 箔層之間錯(cuò)位排列，兩者之間設(shè)有間隙；層疊在第二介質(zhì)層上的第一雙面金屬化薄膜層，第一雙面金 屬化薄膜層與第二金屬箔層并排而設(shè)，兩者之間設(shè)有間隙，第一 雙面金屬化薄膜層的外邊端縮在第二介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的邊端之內(nèi)，第 一雙面金屬化薄膜層覆蓋于部分第一金屬箔層；層疊在第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的第二雙面金屬化薄 膜層，第二雙面金屬化薄膜層與第一金屬箔層并排而設(shè)，兩者之 間設(shè)有被第一雙面金屬化薄膜層所覆蓋的間隙，第二雙面金屬化 薄膜層的外邊端縮在第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之 內(nèi)，第二雙面金屬化薄膜層覆蓋于部分第二金屬箔層、部分第一 雙面金屬化薄膜層以及第二金屬箔層與第一雙面金屬化薄膜層 之間的間隙。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種適用于高頻大脈沖場(chǎng)合的薄膜電容器，包括第一、第二介質(zhì)層、第一、第二金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層；第一、第二金屬箔層并排層疊在兩介質(zhì)層之間，其外邊端分別伸在兩介質(zhì)層所對(duì)應(yīng)的邊端之外；第一雙面金屬化薄膜層層疊在第二介質(zhì)層上。該薄膜電容器既有箔式電容耐大電流以及端面接觸比較好，抗脈沖能力比較強(qiáng)，高dv/dt的特點(diǎn)，還有金屬化膜所具有的自愈性，可恢復(fù)性，可以耐比較高的交流電壓，以及不容易電暈的特點(diǎn)；由于采用了雙面金屬化膜，相對(duì)于單面金屬化膜由于導(dǎo)電面積比較大，因此耐電流水平也比較好；可以滿足不同的交流電壓，不同頻率大電流的需求，廣泛運(yùn)用于電視和顯示器的偏轉(zhuǎn)電路，電子振流器，開(kāi)關(guān)式電源。
文檔編號(hào)H01G4/38GK201374253SQ20092013642
公開(kāi)日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2009年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月16日
發(fā)明者張文剛, 潘啟平 申請(qǐng)人:廈門(mén)法拉電子股份有限公司