專利名稱：改良型光傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是關(guān)于一種改良型光傳感器，特別是指一種藉由鍍膜的設(shè)計來達(dá)到單
純僅接收不可見光、進(jìn)而縮小整體體積的光傳感器。
背景技術(shù)：
光傳感器的受光芯片能接收到可見光和不可見光，請參閱圖3所示，為公知光傳 感器的受光芯片的響應(yīng)光譜，其橫軸為波長(nm)、縱軸為光譜(％ )，可見光為波長400nm 700nm的光，不可見光為波長小于400nm的光以及波長大于700nm的光，而如圖3所示的響 應(yīng)光譜同時包括了可見光和不可見光，顯見公知光傳感器即因為受光芯片本身在感光上的 限制，而導(dǎo)致可見光與不可見光皆可接收，造成感測結(jié)果的錯誤，而此即為公知光傳感器的 第一缺點。而為了讓光傳感器的響應(yīng)光譜達(dá)到只能接收不可見光、或只能接收可見光的目 標(biāo)，不同的制造商是各以不同的方式來讓自廠的光傳感器達(dá)成該目標(biāo)。 請參閱圖1所示的公知光傳感器l，包括一具有承載部111的第一支架11、一第二 支架12、一設(shè)置于該承載部111上的受光芯片13、一電性連接于第一支架11與受光芯片13 之間的第一導(dǎo)線14、一電性連接于第二支架12與受光芯片13之間的第二導(dǎo)線15、以及一 包覆于該承載部111、受光芯片13和第一、二導(dǎo)線14、15上的封膠體16。 請參閱圖2所示的公知光傳感器2，包括一座體20、一自該座體20 —側(cè)伸出且具 有承載部211的第一支架21、一自該座體20另側(cè)伸出的第二支架22、一設(shè)置于該承載部 211上的受光芯片23、一電性連接于第一支架21與受光芯片23之間的第一導(dǎo)線24、一電性 連接于第二支架22與受光芯片23之間的第二導(dǎo)線25、以及一包覆于該座體20上半部、承 載部211、受光芯片23和第一、二導(dǎo)線24、25上的封膠體26。 如上所述的公知第一、二種光傳感器1、2，乃利用封膠體16、26來改善上述第一缺 點，但卻反而因為該些封膠體16、26而造成第一、二種光傳感器1、2均有體積過大以及成本 過高的第二缺點。 再者，第一、二種光傳感器1、2還會因為第一、二支架11、12、21、22的存在，而讓體 積過大以及成本過高的第二缺點更形嚴(yán)重，其原因除了因為支架本身的長度之外，另一個 原因是第二種光傳感器2的第一、二支架21、22雖較第一種光傳感器1的第一、二支架11、 1 2短，惟卻多了座體20，此一座體20為了能夠保留其與各支架21、22間的結(jié)合強 度，而導(dǎo)致于厚度無法減至最薄的困擾。 此外，公知第一、二種光傳感器1、2即由于體積過大的問題，而導(dǎo)致于無法符合現(xiàn) 今的輕、薄、短、小要求，換言之，須設(shè)置光傳感器的各式電子產(chǎn)品將會受限于公知第一、二 種光傳感器1、2的體積，而無法達(dá)到輕薄短小的要求。 因此，如何設(shè)計出一種能改善習(xí)知光傳感器的上述缺點、且還能符合輕薄短小要 求的本實用新型，為本實用新型所欲解決的一大課題。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種改良型光傳感器，由在受光芯片上設(shè)置一鍍膜，
且不設(shè)有封膠體(當(dāng)然亦可進(jìn)一步不設(shè)有支架)的結(jié)構(gòu)設(shè)計，來達(dá)到單純僅能接收不可見 光、以及縮小整體體積(而由進(jìn)一步不設(shè)有支架，則能讓整體體積縮得更小)并降低成本的 功效，進(jìn)而符合現(xiàn)今輕薄短小的要求。 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供的改良型光傳感器，包括一基體、一受光芯片 以及一鍍膜。該基體具有一第一電極部和一第二電極部；該受光芯片設(shè)置于該基體上，且該 受光芯片還分別與該基體的第一、二電極部彼此電性連接；該鍍膜形成于該受光芯片上，且 該鍍膜可濾掉可見光而保留不可見光。 由此，本實用新型能達(dá)到單純僅能接收不可見光、以及縮小本實用新型光傳感器 的整體體積且成本亦隨的降低的功效，完全符合現(xiàn)今輕薄短小的要求。

圖1為公知第一種光傳感器的剖面圖。[0014]圖2為公知第二種光傳感器的剖面圖。[0015]圖3為公知光傳感器的響應(yīng)光譜。圖4為本實用新型光傳感器第一實施例的剖面圖。[0017]圖5為本實用新型光傳感器第二實施例的剖面圖。[0018]圖6為本實用新型光傳感器的響應(yīng)光譜。[0019]附圖中主要組件符號說明公知技術(shù)部分1、光傳感器11、第一支架111、承載部12、第二支架13、受光芯片14、第一導(dǎo)線15、第二導(dǎo)線16、封膠體2、光傳感器20、座體21、第一支架211、承載部22、第二支架23、受光芯片24、第一導(dǎo)線25、第二導(dǎo)線26、封膠體本實用新型部分3、光傳感器31、基體311、第一電極部312、第二電極部32、受光芯片321、第一電極322、第二電極33、鍍膜34、第一導(dǎo)線35、第二導(dǎo)線4、光傳感器41、基體411、第一電極部412、第二電極部42、受光芯片421、電性接觸部422、導(dǎo)電極[0039] 43、鍍膜 44、導(dǎo)線
具體實施方式為了能夠更進(jìn)一步了解本實用新型的特征、特點和技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本 實用新型的詳細(xì)說明與附圖，附圖僅提供參考與說明用，非用以限制本實用新型。 本實用新型提供的改良型光傳感器，為完全破除了公知光傳感器的既有構(gòu)造窠 臼，以達(dá)到單純僅能接收不可見光、以及整體體積可縮至最小等功效的改良型光傳感器。圖 4為本實用新型第一實施例的光傳感器3，圖5為本實用新型第二實施例的光傳感器4。 請參閱圖4所示，本實用新型第一實施例的光傳感器3包括一基體31 、 一受光芯片 32以及一鍍膜33。該基體31具有一第一電極部311和一第二電極部312 ;該受光芯片32 設(shè)置于基體31上，且受光芯片32還分別與基體31的第一、二電極部311、312彼此電性連 接，該基體31的底側(cè)則由其第一、二電極部311、312來與其它電子組件或其它電子產(chǎn)品電 性連接；至于該鍍膜33則形成于受光芯片32上，且該鍍膜33能濾掉可見光而保留不可見 光，換言之，該受光芯片32僅能接收到不可見光。 請參閱圖4所示的本實用新型第一實施例中，受光芯片32與基體31之間的電性 連接方式包含一第一導(dǎo)線34和一第二導(dǎo)線35，該第一導(dǎo)線34電性連接于受光芯片32的第 一電極321與基體31的第一電極部311之間，該第二導(dǎo)線35則電性連接于受光芯片32的 第二電極322與基體31的第二電極部312之間。 請參閱圖5所示的本實用新型第二實施例，是與第一實施例大部分相同，僅在受 光芯片42與基體41之間的電性連接方式有所不同。如圖所示，本實用新型第二實施例的 光傳感器4亦包括一基體41、一受光芯片42以及一鍍膜43，基體41亦具有第一、二電極部 411、412，受光芯片42亦設(shè)置于基體41上，且受光芯片42亦分別與基體41的第一、二電極 部411、412彼此電性連接，基體41的底側(cè)亦由其第一、二電極部411、412來與其它電子組 件或其它電子產(chǎn)品電性連接，至于鍍膜43亦形成于受光芯片42上，且鍍膜43亦能濾掉可 見光而保留不可見光，以使受光芯片42亦僅能接收不可見光。 本實用新型第二實施例中，受光芯片42與基體41之間的電性連接方式(如圖5所 示)包含一導(dǎo)線44和一電性接觸部421，該導(dǎo)線44電性連接于受光芯片42的導(dǎo)電極422 與基體41的第一電極部411之間，該電性接觸部421設(shè)于該受光芯片42的底側(cè)，受光芯片 42即由其底側(cè)的電性接觸部421而電性接觸于基體41的第二電極部412。 其中，本實用新型第一、二實施例中的鍍膜33、43包含金屬材料(Metal Material)層、聚合物(Polymer Material)層、介電材料(DielectricMaterial)層以及化 合物材料(Compound Material)層中的任一層、或任多數(shù)層彼此堆疊；而，其中的化合物材 料(Compound Material)層則包含氮化鈦(TiN)層、銦錫氧化物(IT0)層、氧化鋅(ZnO) 層以及二氧化鈦(Ti02)層中的任一層、或任多數(shù)層彼此堆疊。 至于，本實用新型第一、二實施例中的基體31、41可為一電路板，所述受光芯片 32、42電性設(shè)置于該電路板上，意即受光芯片32、42能以第一或第二實施例的方式來電性 連接于電路板上的線路(圖未示)。 除此之外，亦可在本實用新型 基體31、41上增設(shè)一封膠體(圖未示)，以具有保護功能(例如保護受光芯片32、42、鍍膜33、43、第一導(dǎo)線34、44以及第二導(dǎo)線35、45等等) 或其它功能，所述封膠體包覆于基體31、41、受光芯片32、42、鍍膜33、43、第一導(dǎo)線34、44以 及第二導(dǎo)線35、45上(圖未示)，且該封膠體為「供光線穿透」的膠體、或為濾掉可見光而保 留不可見光的膠體。 本實用新型光傳感器3、4的特點在于 1、由在受光芯片32、42上設(shè)置一鍍膜33、43，且該鍍膜33、43可濾掉可見光而保留 不可見光，從而讓本實用新型光傳感器3、4達(dá)到單純僅能接收不可見光(如圖6所示)的 功效。 2、由不設(shè)有封膠體的結(jié)構(gòu)設(shè)計，而讓本實用新型光傳感器3、4的整體體積小于公 知第一、二種光傳感器1、2(如圖1、圖2所示)。當(dāng)然，本實用新型亦可同時不設(shè)有封膠體 且不設(shè)有支架，以能進(jìn)一步讓本實用新型光傳感器3、4的整體體積再更小于公知第一、二 種光傳感器1、2 (如圖1、圖2所示)，其原因除了是因為省去支架本身的長度之外，另一個 原因是由于本實用新型的基體31、41根本不須結(jié)合任何支架，因此不需考慮到結(jié)合強度 的問題而可將基體31、41減至最薄，從而讓本實用新型基體31、41的厚度能遠(yuǎn)小于公知第 二種光傳感器2的座體20的厚度(如圖2所示)。換言之，本實用新型光傳感器3、4的整 體體積可縮至最小且還能降低成本，進(jìn)而符合現(xiàn)今輕薄短小的要求，尤其是在電子產(chǎn)品的 厚度方面確能更薄、更輕。 以上所述，僅為本實用新型的較佳可行實施例而已，非因此即局限本實用新型的 權(quán)利范圍，舉凡運用本實用新型說明書及圖式內(nèi)容所為的等效結(jié)構(gòu)變化，均理同包含于本 實用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種改良型光傳感器，其特征在于，包括一基體，具有一第一電極部和一第二電極部；一受光芯片，設(shè)置于該基體上，該受光芯片還分別與該基體的第一、二電極部彼此電性連接；以及一鍍膜，形成于該受光芯片上，該鍍膜是濾掉可見光而保留不可見光。
2. 如權(quán)利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該受光芯片與基體之間的鄰接 側(cè)具有一電性接觸部，該電性接觸部接觸于該基體的第一、二電極部的其中之一，該受光芯 片與該基體的第一、二電極部的其中另一之間電性連接有一導(dǎo)線。
3. 如權(quán)利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該受光芯片與所述第一、二電極 部的其中之一之間連接有一第一導(dǎo)線，該受光芯片與所述第一、二電極部的其中另一之間 連接有一第二導(dǎo)線。
4. 如權(quán)利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該鍍膜包含金屬材料層、聚合 物層、介電材料層以及化合物材料層中的任一層。
5. 如權(quán)利要求4所述的改良型光傳感器，其特征在于，該化合物材料層包含氮化鈦 層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任一層。
6. 如權(quán)利要求4所述的改良型光傳感器，其特征在于，該化合物材料層包含氮化鈦 層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任多數(shù)層且彼此堆疊。
7. 如權(quán)利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該鍍膜包含金屬材料層、聚合 物層、介電材料層以及化合物材料層中的任多數(shù)層且彼此堆疊。
8. 如權(quán)利要求7所述的改良型光傳感器，其特征在于，該化合物材料層包含氮化鈦 層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任一層。
9. 如權(quán)利要求7所述的改良型光傳感器，其特征在于，該化合物材料層包含氮化鈦 層、銦錫氧化物層、氧化鋅層以及二氧化鈦層中的任多數(shù)層且彼此堆疊。
10. 如權(quán)利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，其中該基體為一電路板，該受 光芯片電性設(shè)置于該電路板上。
11. 如權(quán)利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該基體上進(jìn)一步包覆有一封膠 體，該封膠體包覆于該基體、受光芯片、鍍膜、第一電極部以及第二電極部上，且該封膠體為 供光線穿透的膠體。
12. 如權(quán)利要求1所述的改良型光傳感器，其特征在于，該基體上進(jìn)一步包覆有一封膠 體，該封膠體包覆于該基體、受光芯片、鍍膜、第一電極部以及第二電極部上，且該封膠體為 濾掉可見光而保留不可見光的膠體。
專利摘要本實用新型是一種改良型光傳感器，包括一基體、一受光芯片以及一鍍膜。該基體具有第一、二電極部；該受光芯片設(shè)置于基體上，且受光芯片還分別與基體的第一、二電極部彼此電性連接；該鍍膜形成于受光芯片上，且鍍膜能濾掉可見光而保留不可見光。從而達(dá)到僅能接收不可見光、以及整體體積可縮至最小的功效。
文檔編號H01L31/115GK201478335SQ20092014992
公開日2010年5月19日 申請日期2009年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月22日
發(fā)明者周文隆, 朱倪廷 申請人:鼎元光電科技股份有限公司