專利名稱：鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體或者太陽能生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及的是一種 半導(dǎo)體或者太陽能生產(chǎn)的鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體或者太陽能生產(chǎn)的鍍膜工藝過程中，需要有一個(gè)石墨或者其他材質(zhì)的基 板，上面有固定薄片的凹槽。現(xiàn)有生產(chǎn)中采用的是交錯(cuò)分布的凹槽結(jié)構(gòu)，為了固定每個(gè)薄 片，每個(gè)凹槽里會分布4-8個(gè)不等的導(dǎo)釘。此裝置的缺點(diǎn)鍍膜過程中，由于導(dǎo)釘?shù)淖钃酰?膜片上會留下斑點(diǎn)；裝片和取片時(shí)導(dǎo)釘容易劃傷或者碰碎薄片。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是，針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供了一種 鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置，可以避免鍍膜過程中由于導(dǎo)釘?shù)淖钃醵阱兡て狭粝?斑點(diǎn)，同時(shí)可以解決裝片和取片時(shí)導(dǎo)釘容易劃傷或者碰碎薄片的問題。為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型提供了一種鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置，對現(xiàn) 有的半導(dǎo)體或者太陽能生產(chǎn)的鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置進(jìn)行改良，具體為在現(xiàn)有 的基板上，采用凹槽設(shè)計(jì)，取消了導(dǎo)釘，根據(jù)薄片的尺寸，制作多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸凹槽，更大程度 的利用了鍍膜的面積。本實(shí)用新型的方案具體為一種鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置，包括基板，其特 征在于，在基板上取消了導(dǎo)釘，均勻設(shè)置多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸的凹槽。本實(shí)用新型因?yàn)槿∠藢?dǎo)釘，避免了鍍膜過程中由于導(dǎo)釘?shù)淖钃醵阱兡て狭?下斑點(diǎn)以及裝片和取片時(shí)導(dǎo)釘容易劃傷或者碰碎薄片的問題。而且由于采用了標(biāo)準(zhǔn)尺寸凹 槽，在相同尺寸的基板上，可以提高產(chǎn)能，減少了制造成本和日常維護(hù)成本。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)采用的裝置實(shí)施例的示意圖；圖中基板1，導(dǎo)釘2。圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中基板1，凹槽4。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，以下的描述僅用于理解本實(shí) 用新型技術(shù)方案之用，不用于限定本實(shí)用新型的范圍。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)一般采用的裝置，其中基板1上有固定薄片的凹槽，生產(chǎn) 中現(xiàn)有的是個(gè)交錯(cuò)分布的凹槽結(jié)構(gòu)，為了固定每個(gè)薄片，每個(gè)凹槽里會分布4-8個(gè)不等的 導(dǎo)釘2。[0013]如圖2所示，本實(shí)用新型提供了一種鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置，本實(shí)用新 型是對現(xiàn)有的半導(dǎo)體或者太陽能生產(chǎn)的鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置進(jìn)行的改良，在基 板1上采用凹槽設(shè)計(jì)，取消了導(dǎo)釘，制作多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸凹槽4，更大程度的利用了鍍膜的面 積?；?上均勻設(shè)有多個(gè)凹槽4。凹槽4的數(shù)目根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)的需要決定，一般為20-40 個(gè)不等，優(yōu)選為40個(gè)。凹槽4的尺寸根據(jù)所需放置的薄片決定。本實(shí)用新型因?yàn)槿∠藢?dǎo)釘，避免了鍍膜過程中由于導(dǎo)釘?shù)淖钃醵阱兡て狭?下斑點(diǎn)以及裝片和取片時(shí)導(dǎo)釘容易劃傷或者碰碎薄片的問題。而且由于采用了標(biāo)準(zhǔn)尺寸凹 槽，在相同尺寸的基板上，可以提高產(chǎn)能，減少了制造成本和日常維護(hù)成本。同樣尺寸下，比 如制作40個(gè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸凹槽4，這樣一次鍍膜從35片變成了 40片，提高產(chǎn)能14%。樣品批 次管理方面，常規(guī)為200片或者100片的整數(shù)倍，200片可以分成5次加工，使管理更加便 捷。
權(quán)利要求一種鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置，包括基板，其特征在于在基板上取消了導(dǎo)釘，均勻設(shè)置多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸的凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置，其特征在于所述凹槽的 數(shù)目為20-40個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置，其特征在于所述凹槽的 數(shù)目為40個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置，對現(xiàn)有的半導(dǎo)體或者太陽能生產(chǎn)的鍍膜工藝中用于放置薄片的裝置進(jìn)行改良，具體為在現(xiàn)有的基板上，采用凹槽設(shè)計(jì)，取消了導(dǎo)釘，根據(jù)薄片的尺寸，制作多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸凹槽，更大程度的利用了鍍膜的面積。本實(shí)用新型因?yàn)槿∠藢?dǎo)釘，避免了鍍膜過程中由于導(dǎo)釘?shù)淖钃醵阱兡て狭粝掳唿c(diǎn)以及裝片和取片時(shí)導(dǎo)釘容易劃傷或者碰碎薄片的問題。而且由于采用了標(biāo)準(zhǔn)尺寸凹槽，在相同尺寸的基板上，可以提高產(chǎn)能，減少了制造成本和日常維護(hù)成本。
文檔編號H01L21/683GK201741678SQ20092021473
公開日2011年2月9日 申請日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月2日
發(fā)明者四建方, 孔慧, 張凱, 沈國榮 申請人:上海交大泰陽綠色能源有限公司