專利名稱：光電半導(dǎo)體本體以及用于制造光電半導(dǎo)體本體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電半導(dǎo)體本體以及一種用于制造光電半導(dǎo)體本體的方法。
背景技術(shù)：
為了產(chǎn)生電磁射線通常將光電半導(dǎo)體本體作為半導(dǎo)體層序列制造在襯底上。這樣 的半導(dǎo)體層序列通常借助于外延被沉積在襯底上。為了制造激光二極管，例如可以在具有 少量晶體偏移的η型摻雜的氮化鎵襯底上緊接著涂覆η型摻雜和ρ型摻雜的層，這些η型 摻雜和P型摻雜的層具有處于它們之間的適于生成射線的活性區(qū)域。在此，執(zhí)行所謂的異 質(zhì)外延法，以便在氮化鎵上涂覆不同的化合物半導(dǎo)體_例如氮化鎵鋁或氮化鎵銦。在沉積 非晶格匹配的化合物半導(dǎo)體時可能會出現(xiàn)半導(dǎo)體層序列和襯底之間的機(jī)械張力。這樣的張 力可導(dǎo)致襯底的彎曲或者半導(dǎo)體層序列中的斷裂。例如在由 S. Ito等人的名為“High Power violet laser diodes with crack-free layers on GaN substrates” 的文章(Phys. Stat. Sol (a) 204, No. 6，2007 年，第 2073-2076 頁)中所描述的那樣，可以通過多個互相平行地布置在襯底上的槽減小張力。在此，在形成 外延層之前執(zhí)行用于形成多個槽的過程，使得在外延沉積之后，襯底的表面被層共形地覆 蓋，其中這些槽不會完全被填滿，而是僅僅這些槽的側(cè)壁被覆蓋。因此，由于在外延層中存 在不連續(xù)性而減小張力和/或斷裂的出現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
任務(wù)是提供一種改進(jìn)的光電半導(dǎo)體本體并且說明一種用于制造改進(jìn)的光電半導(dǎo) 體本體的方法。該任務(wù)在其第一個方面利用一種光電半導(dǎo)體本體解決，該光電半導(dǎo)體本體包括 襯底，其在第一主表面上在第一區(qū)域中具有適于產(chǎn)生電磁射線的外延半導(dǎo)體層序列，并且 在與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域中具有第一槽；以及至少一個第二槽，其被布置在第一區(qū)域 之外。例如規(guī)定，在襯底上與外延半導(dǎo)體層序列相鄰地在第二區(qū)域中構(gòu)造第一槽，該第 一槽適合于減小在外延半導(dǎo)體層序列形成期間的張力。然而，該外延半導(dǎo)體層序列尤其是 在第一槽的側(cè)壁的區(qū)域中具有有缺陷的區(qū)。所述有缺陷的區(qū)域可能在完成光電半導(dǎo)體本體 之后導(dǎo)致旁路，所述旁路可能損害部件功能。為了減小或排除這些缺陷構(gòu)造至少一個第二 槽，所述第二槽與外延半導(dǎo)體層序列相鄰地布置。因此，在形成外延半導(dǎo)體層序列時出現(xiàn)的 外延涂覆的半導(dǎo)體層序列中的不連續(xù)性不能引起缺陷并且不能損害部件功能。在另一個實(shí)施方式中，在光電半導(dǎo)體本體的情況下將第二槽布置為使得第一槽被 覆蓋。根據(jù)該實(shí)施方式，通過形成第二槽將第一槽區(qū)域中的外延半導(dǎo)體層序列去除，使 得外延涂覆的半導(dǎo)體層序列中的位于第一槽的側(cè)壁區(qū)域中的有缺陷的區(qū)不能引起缺陷并 且不能損害部件功能，其中有缺陷的區(qū)可能歸咎于外延半導(dǎo)體層序列的未定義的層厚度或不規(guī)則的晶體生長。所述有缺陷的區(qū)域在完成光電半導(dǎo)體本體之后可能會引起旁路，該旁 路可能損害部件功能。在另一實(shí)施方式中，在光電半導(dǎo)體本體的情況下，第二槽被與第一槽相鄰地布置 為隔離槽。根據(jù)該實(shí)施方式，通過形成第二槽將外延半導(dǎo)體層序列與外延涂覆的半導(dǎo)體層序 列中的位于第一槽的側(cè)壁區(qū)域中的有缺陷的區(qū)隔離，使得所述有缺陷的區(qū)不能引起缺陷或 者損害部件功能。在另一個實(shí)施方式中，在光電半導(dǎo)體本體的情況下將第二槽作為隔離槽與第一槽 相鄰地分別布置在第一槽的兩側(cè)。根據(jù)該實(shí)施方式，設(shè)置有外延涂覆的半導(dǎo)體層序列的有缺陷的區(qū)在兩個方向上與 活性區(qū)域的隔離，使得減少缺陷。在另一個實(shí)施方式中，在光電半導(dǎo)體本體的情況下在第二區(qū)域內(nèi)的主表面上涂覆 鈍化層，該鈍化層至少部分地覆蓋第二槽。根據(jù)該實(shí)施方式，除了將外延半導(dǎo)體層序列的有缺陷區(qū)與活性區(qū)域隔離，設(shè)置有 鈍化物，該鈍化物能夠防止電旁路或泄漏電流以及用于提高ESD耐受性。該任務(wù)在其第二方面通過一種用于制造光電半導(dǎo)體本體的方法解決，在該方法中 實(shí)施下列步驟-提供具有第一主表面的襯底，-在第一主表面中形成第一槽，-在第一主表面上的第一區(qū)域中外延生長半導(dǎo)體層序列，該半導(dǎo)體層序列具有適 合于產(chǎn)生電磁射線的活性層，-形成至少一個第二槽，所述第二槽布置在第一區(qū)域之外與第一區(qū)域相鄰的第二 區(qū)域中。規(guī)定在襯底上與外延半導(dǎo)體層序列相鄰地在第二區(qū)域中構(gòu)造第一槽，該第一槽適 于減小在形成外延半導(dǎo)體層序列期間的張力。然而，該外延半導(dǎo)體層序列尤其是在第一槽 的側(cè)壁區(qū)域中具有有缺陷的區(qū)，該有缺陷的區(qū)可以歸咎于外延半導(dǎo)體層序列的未定義的層 厚度或不規(guī)則的晶體生長。該有缺陷的區(qū)域可能在完成光電半導(dǎo)體本體之后導(dǎo)致旁路，該旁路可能損害部件 功能。為了減少或排除所述缺陷構(gòu)造至少一個第二槽，所述第二槽被布置為與外延半導(dǎo)體 層序列相鄰。因此，在形成外延半導(dǎo)體層序列時出現(xiàn)的外延涂覆的半導(dǎo)體層序列中的不連 續(xù)性不能引起缺陷或不能損害部件功能。
0022]根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說
明有一種半導(dǎo)體本體，其中第二槽被布置為使得第一槽被覆蓋。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中第二槽被與第一槽相鄰地布置為隔離槽。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中第二槽作為隔離槽與第一槽相鄰地分別被布置在第一槽的兩 側(cè)。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說明有一種半導(dǎo)體本體，其中在第一主表面上在第二區(qū)域中涂覆鈍化層，該鈍化層至少部分
地覆蓋第二槽。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中鈍化層此外至少部分地覆蓋外延半導(dǎo)體層序列的側(cè)壁。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中鈍化層至少部分地覆蓋第二槽的側(cè)壁。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中鈍化層全面地覆蓋半導(dǎo)體本體。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中鈍化層包括氧化物化合物、氮化物化合物或氟化物化合物。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中第二槽從第一主表面一直到達(dá)位于第一主表面下方的襯底。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中第二槽從第一主表面開始至少部分地切割該外延層序列。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中第一區(qū)域包括激光器或發(fā)光二極管。根據(jù)這里所描述的方法和/或這里所描述的半導(dǎo)體本體的至少一個實(shí)施方式，說 明有一種半導(dǎo)體本體，其中激光器作為肋狀物(RiPPe)被布置在襯底的第一主表面上。隨后根據(jù)附圖使用多個實(shí)施例來進(jìn)一步闡述這里所描述的光電半導(dǎo)體本體和這 里所描述的用于制造光電半導(dǎo)體本體的方法。功能層或作用相同的層、區(qū)域以及結(jié)構(gòu)分別 具有相同的附圖標(biāo)記。只要層、區(qū)域或結(jié)構(gòu)在其功能上相對應(yīng)，則不在下面的每個附圖中重 復(fù)對其的描述。


圖IA以俯視圖示出光電半導(dǎo)體本體的示例性實(shí)施方式，圖IB以透視側(cè)視圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的示例性實(shí)施方式，圖2A至2C示例性地以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的實(shí)施方式，圖3A至3C示例性地以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的實(shí)施方式，圖4A至4C示例性地以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的實(shí)施方式，圖5示例性地以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的實(shí)施方式，圖6示例性地以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的實(shí)施方式，圖7示例性地以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的實(shí)施方式，圖8示例性地以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的實(shí)施方式，以及圖9示出用于制造光電半導(dǎo)體本體的方法的根據(jù)本發(fā)明的步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式在圖IA中以俯視圖示出光電半導(dǎo)體本體的示例性實(shí)施方式。在襯底10、例如半導(dǎo) 體晶片上通過外延沉積形成半導(dǎo)體層序列20。通常為了制造激光二極管，形成由氮化鎵制 成的具有由氮化鎵制成的η型摻雜層的η型導(dǎo)通的襯底10、活性層、以及在該活性層上方的同樣由氮化鎵制成的P型摻雜層。作為活性層例如設(shè)置有包括量子阱結(jié)構(gòu)的氮化鎵銦。此 外，為了提高部件功能和改善性能而形成另外的層，例如摻雜的連接層(所謂的“cladding layer (熔覆層)”)、接觸層或用于防止材料污染的層(所謂的“evaporation preventing layer (防揮發(fā)層)”)，為了簡化描述本發(fā)明而在下文中沒有示出這些層。然而本領(lǐng)域的技 術(shù)人員知道這些層的功能，并且必要的話也可以采取其他用于改善激光二極管的部件功能 和性能的措施。此外，在襯底10上完整地制造的激光二極管還包括其他的元件-例如接觸 面或輸出耦合元件，然而這些元件對于技術(shù)人員是公知的。如同在開始處已經(jīng)提及的那樣，在沉積非晶格匹配的化合物半導(dǎo)體時在半導(dǎo)體層
序列和襯底之間出現(xiàn)機(jī)械張力，該張力可能導(dǎo)致襯底的彎曲或者導(dǎo)致半導(dǎo)體層序列中的斷 m農(nóng)。如圖IA所示，為了使該效應(yīng)最小化，在襯底10上在第一主表面12上與外延半導(dǎo) 體層序列相鄰地構(gòu)造第一槽24，該第一槽24適于在第一區(qū)域14中形成半導(dǎo)體層序列期間 減小張力。該第一槽24可以例如沿著襯底10的晶體方位被實(shí)施。但是也可以規(guī)定，第一 槽24的取向具有相對于襯底10的晶體方位的任意方向。為了闡明，在圖IB中以透視側(cè)視圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列的示例性實(shí)施 方式的截面。在襯底10上，在第一主表面12上與外延半導(dǎo)體層序列20相鄰地在第二區(qū)域 22中形成第一槽24，以便在第一區(qū)域14中形成半導(dǎo)體層序列20期間減小張力。在此，該 半導(dǎo)體層序列20包括至少3個子層120至122，這些子層例如由η型摻雜的層120、活性層 121和ρ型摻雜的層122形成。如圖IB所示，第二槽30在第二區(qū)域22中被形成為使得朝向外延半導(dǎo)體層序列20 的側(cè)壁31不被外延涂覆的層覆蓋。然而，該半導(dǎo)體層序列20可能在外延生長期間尤其是 在第一槽24的側(cè)壁區(qū)域中具有有缺陷的區(qū)，該區(qū)可以歸咎于外延半導(dǎo)體層序列20的未定 義的層厚度或不規(guī)則的晶體生長。該有缺陷的區(qū)域可以在完成光電半導(dǎo)體本體之后導(dǎo)致旁路，該旁路可以損害部件 功能。為了減少或排除所述缺陷構(gòu)造第二槽30，該第二槽與外延半導(dǎo)體層序列20相鄰地布 置。因此，在形成外延半導(dǎo)體層序列20時出現(xiàn)的在外延涂覆的半導(dǎo)體層序列中的不連續(xù)性 不能引起缺陷或損害部件功能。下文中參照圖2至4闡述用于減小或防止外延涂覆的半導(dǎo)體層序列20中的不連 續(xù)性的不同可能性。在圖2Α中根據(jù)第一個示例以穿過外延涂覆半導(dǎo)體層序列20之前的襯底10的截 面圖示出光電半導(dǎo)體本體的實(shí)施方式。在圖2Α中，在第二區(qū)域22中例如在使用掩膜的情 況下通過適當(dāng)?shù)奈g刻步驟在襯底10中形成第一槽24。然后如圖2Β所示，進(jìn)行半導(dǎo)體層序列20的外延涂覆。在此，在第一過程步驟中， 通過外延法_例如現(xiàn)有技術(shù)中公知的MOVPE或MBE法-例如將η型摻雜層120全面地沉積 在襯底10的第一主表面12上。該半導(dǎo)體層序列20可能在外延生長期間尤其在第一槽24 的側(cè)壁區(qū)域中以及在槽24的底側(cè)處具有有缺陷的區(qū)，該有缺陷的區(qū)可以歸咎于外延半導(dǎo) 體層序列20的未定義的層厚度或不規(guī)則的晶體生長。在圖2Β中將可能是有缺陷區(qū)的區(qū)域 用附圖標(biāo)記20’來表示。為了減小在形成外延半導(dǎo)體層序列時可能出現(xiàn)的不連續(xù)性的影響，根據(jù)該實(shí)施方式規(guī)定將第二槽30安置為使得該第二槽30跨越第一槽、即所具有的寬度大于第一槽24 的寬度。因此如圖2C所示，在第一槽24的側(cè)壁區(qū)域中并且在槽24的底側(cè)去除外延生長的 層20’。這可以例如在使用適當(dāng)掩膜的情況下通過第二蝕刻步驟來實(shí)現(xiàn)。因此，有缺陷的區(qū) 的區(qū)域被完整地去除，使得該區(qū)域不能引起缺陷或不會損害部件功能。因此，在完成光電半 導(dǎo)體本體之后的旁路的危險(xiǎn)被減小。在圖3A中在另一個示例中以穿過外延涂覆半導(dǎo)體層序列20之前的襯底10的截 面圖示出光電半導(dǎo)體本體的另一個實(shí)施方式。在圖3A中，在第二區(qū)域22中例如在使用掩 膜的情況下通過適當(dāng)?shù)奈g刻步驟在襯底10中形成第一槽24。然后如在圖3B中所示的那樣，進(jìn)行半導(dǎo)體層序列20的外延涂覆。在此，在第一過 程步驟中通過外延法例如將η型摻雜層120全面地沉積在襯底10的第一主表面12上。該 半導(dǎo)體層序列20可能在外延生長期間尤其在第一槽24的側(cè)壁區(qū)域中以及在槽24的底側(cè) 具有有缺陷的區(qū)，該有缺陷的區(qū)可以歸咎于外延半導(dǎo)體層序列20的未定義的層厚度或不 規(guī)則的晶體生長?？赡苁怯腥毕輩^(qū)的區(qū)域在圖3Β中用附圖標(biāo)記20’來表示。如圖3C所示，根據(jù)該實(shí)施方式規(guī)定，將第二槽30安置為使得第二槽30位于第一 槽旁邊直接與第一區(qū)域14相鄰。根據(jù)該實(shí)施方式，該第二槽被構(gòu)造成隔離槽，該隔離槽將 外延涂覆層20與有缺陷區(qū)20’的區(qū)域中的不連續(xù)性的區(qū)域隔離。如圖3C所示，外延生長的層20’留在第一槽24的側(cè)壁區(qū)域中并且留在槽24的底 側(cè)。通過形成有利地對外延涂覆的層20進(jìn)行切割直到襯底10中的第二槽30，有缺陷區(qū)的 區(qū)域被與第一區(qū)域14電絕緣，使得減小在完成光電半導(dǎo)體本體之后的旁路的危險(xiǎn)。在圖4Α中在另一個示例中以穿過外延涂覆半導(dǎo)體層序列20之前的襯底10的截 面圖示出光電半導(dǎo)體本體的另一個實(shí)施方式。在圖4Α中，在第二區(qū)域22中例如在使用掩 膜的情況下通過適當(dāng)?shù)奈g刻步驟在襯底10中形成第一槽24。然后如在圖4Β中所示的那樣，進(jìn)行半導(dǎo)體層序列20的外延涂覆。在此，在第一過 程步驟中例如通過外延法例如將η型摻雜的層120全面地沉積在襯底10的第一主表面12 上，在第二過程步驟中沉積活性區(qū)域121并且在第三過程步驟中沉積ρ型摻雜的層122。該半導(dǎo)體層序列20可能在外延生長期間尤其在第一槽24的側(cè)壁區(qū)域中以及在槽 24的底側(cè)具有有缺陷的區(qū)，該有缺陷的區(qū)可以歸咎于外延半導(dǎo)體層序列20的未定義的層 厚度或不規(guī)則的晶體生長。可能是有缺陷區(qū)的區(qū)域在圖4Β中再次用附圖標(biāo)記20’來表示。如圖4C所示，根據(jù)該實(shí)施方式規(guī)定，將第二槽30安置為使得第二槽30在第一槽 旁邊直接與第一區(qū)域14相鄰。根據(jù)該實(shí)施方式，該第二槽被構(gòu)造成隔離槽，該隔離槽對外 延涂覆的層20與有缺陷區(qū)20’的區(qū)域中的不連續(xù)性的區(qū)域進(jìn)行隔離。如圖4C所示，外延生長的層20’留在第一槽24的側(cè)壁區(qū)域中并且留在槽24的底 側(cè)。通過形成至少對P型摻雜的層122進(jìn)行切割直到η型摻雜的層120的第二槽30，有缺 陷區(qū)的區(qū)域被與第一區(qū)域14電絕緣。但是根據(jù)該實(shí)施方式也可以形成從ρ型摻雜的層122 直至襯底10的第二槽30。如下文中參照圖5至8所闡述的那樣，可以通過涂覆鈍化層來實(shí)現(xiàn)另一改進(jìn)方案。如已經(jīng)參考圖3C所描述的那樣，在圖5中以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列 的實(shí)施方式。在形成第二槽后涂覆鈍化層40，該鈍化層40至少覆蓋槽30的朝向第一區(qū)域那側(cè)的側(cè)壁。因此，除了將外延半導(dǎo)體層序列的有缺陷的區(qū)與活性區(qū)域隔離，設(shè)置有鈍化層40， 該鈍化層40可以防止電旁路或漏泄電流以及用于提高ESD耐受性。該鈍化層40可以例如 被構(gòu)造成氧化物層、氮化物層或氟化物層，但其中不排除專業(yè)人員公知的其他材料。如已經(jīng)參考圖3C所描述的那樣，在圖6中以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列 的實(shí)施方式。在形成第二槽之后涂覆鈍化層40，與圖5不同，該鈍化層40全面地覆蓋第一 主表面12。該鈍化層40可以再次被構(gòu)造成氧化物層、氮化物層或氟化物層，但其中不排除 專業(yè)人員公知的其他材料。如已經(jīng)參考圖4C所描述的那樣，在圖7中以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列 的實(shí)施方式。在形成第二槽之后涂覆鈍化層40，該鈍化層至少覆蓋槽30的朝向第一區(qū)域那 側(cè)的側(cè)壁。因此，除了將外延半導(dǎo)體層序列的有缺陷的區(qū)與活性區(qū)域隔離，設(shè)置有鈍化層40， 該鈍化層40可以防止電旁路或漏泄電流以及用于提高ESD耐受性。該鈍化層40例如可以 被構(gòu)造成為氧化物層、氮化物層或氟化物層，但其中不排除專業(yè)人員公知的其他材料。如已經(jīng)參考圖4C所描述的那樣，在圖8中以截面圖示出光電半導(dǎo)體本體的層序列 的實(shí)施方式。在形成第二槽之后涂覆鈍化層40，與圖7不同，該鈍化層40全面地覆蓋第一 主表面12。該鈍化層40可以再次被構(gòu)造成氧化物層、氮化物層或氟化物層，但其中不排除 專業(yè)人員公知的其他材料。在下文中參考圖9更詳細(xì)地闡述根據(jù)本發(fā)明的方法，圖9示出根據(jù)流程圖示的各 個步驟。在步驟200，提供具有第一主表面12的襯底10。在步驟210，在第一主表面12中形成第一槽24。在步驟220，在第一主表面12上的第一區(qū)域14中進(jìn)行半導(dǎo)體層序列20的外延生 長，該半導(dǎo)體層序列20具有適于生成電磁射線的活性層21。在步驟230，形成至少一個第二槽30，所述第二槽30被布置在第一區(qū)域14之外與 第一區(qū)域14相鄰的第二區(qū)域14中。本專利申請要求德國專利申請DE 102008010508. 2和DE102008018038. 6的優(yōu)先
權(quán)，這些專利申請的公開內(nèi)容通過回引結(jié)合于此。本發(fā)明不受根據(jù)實(shí)施例的描述的限制。更確切地說，本發(fā)明包括每種新的特征以 及特征的每種組合，這尤其是包括權(quán)利要求書中的特征的每種組合，即使該特征或者該組 合本身未在權(quán)利要求書或者實(shí)施例中予以明確說明也是如此。
8
權(quán)利要求
一種光電半導(dǎo)體本體，包括 襯底(10)，其在第一主表面(12)上在第一區(qū)域(14)中具有適于產(chǎn)生電磁射線的外延半導(dǎo)體層序列(20)并且在與所述第一區(qū)域(14)相鄰的第二區(qū)域(22)中具有第一槽(24)；以及 至少一個第二槽(30)，其被布置在所述第一區(qū)域(14)之外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述第二槽(30)被布置為使得所述第一槽被覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述第二槽(30)被作為隔離槽與所述 第一槽(24)相鄰地布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述第二槽(30)作為隔離槽與所述第 一槽(24)相鄰地分別被布置在所述第一槽的兩側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的光電半導(dǎo)體本體，其中在所述第一主表面(12)上 在所述第二區(qū)域(22)中涂覆鈍化層(40)，所述鈍化層(40)至少部分地覆蓋所述第二槽 (30)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述鈍化層(40)此外還至少部分地覆 蓋所述外延半導(dǎo)體層序列(20)的側(cè)壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述鈍化層(40)至少部分地覆蓋 所述第二槽(30)的側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7之一所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述鈍化層(40)全面地覆蓋 所述半導(dǎo)體本體。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8之一所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述鈍化層(40)包括氧化物 化合物、氮化物化合物或氟化物化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述第二槽從所述第一主表 面一直到達(dá)位于該第一主表面下方的襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述第二槽從所述第一主表 面開始至少部分地切割所述外延層序列。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11之一所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述第一區(qū)域(14)包括激 光器或發(fā)光二極管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光電半導(dǎo)體本體，其中所述激光作為肋狀物被布置在所述 襯底(10)的所述第一主表面(12)上。
14.一種用于制造光電半導(dǎo)體本體的方法，具有步驟_提供具有第一主表面(12)的襯底(10)，-在所述第一主表面(12)中形成第一槽(24)，-在所述第一主表面(12)上的第一區(qū)域(14)中外延生長半導(dǎo)體層序列(20)，所述半 導(dǎo)體層序列(20)具有適于產(chǎn)生電磁射線的活性層(21)，_形成至少一個第二槽(30)，所述第二槽(30)被布置在所述第一區(qū)域(14)之外與所 述第一區(qū)域(14)相鄰的第二區(qū)域(14)內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述方法，其中制造根據(jù)權(quán)利要求1至13之一所述的光電半導(dǎo)體 本體。
全文摘要
一種光電半導(dǎo)體本體包括襯底(10)，其在第一主表面(12)上在第一區(qū)域(14)內(nèi)具有適用于生成電磁射線的外延半導(dǎo)體層序列(20)并且在與該第一區(qū)域(14)相鄰的第二區(qū)域(22)內(nèi)具有第一槽(24)；以及至少一個第二槽(30)，其被布置在該第一區(qū)域(14)之外。本發(fā)明還涉及一種光電半導(dǎo)體本體和一種用于制造光電半導(dǎo)體本體的方法。
文檔編號H01L33/44GK101946338SQ200980105918
公開日2011年1月12日 申請日期2009年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月22日
發(fā)明者C·艾歇勒, S·布呂寧霍夫 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司