專利名稱：具有增益變化補償?shù)木w管的制作方法
技術領域：
本發(fā)明公開總體上涉及集成電路，且更具體地，涉及具有其中成形有柵極的 MOSFET晶體管的集成電路。
背景技術：
電路設計基于特定電路設計中所使用的元件的電學特性。在晶體管的情況下，重 要特性其中之一是針對給定條件的電流流量。這可以被認為是柵極的有效寬長比。由于工 藝和光刻技術變量，所以各個晶體管尤其是各個晶片的電流量或有效寬長比有所不同，而 對于同一晶片甚或是同一集成電路，也會如此。有效寬長比的這樣的變化令電路設計更加 困難。這樣的有效寬長比的變化的減小可以得到具有諸如增加的操作速度、提高的操作可 靠性以及降低的功耗的改進性能的電路設計。當然，一直在努力改進制造工藝，包括光刻， 但隨著這些方面的改進所帶來的是晶體管尺寸的減小，而其則具有保留有效寬長比變化的 效果。因而，一直需要對控制有效寬長比變化進行改進。


本發(fā)明是通過示例的方式示出的且不受附圖限制，附圖中，相同的附圖標記表示 相似的元件。圖中的元件僅為了簡明清楚而示出且未必按照比例繪制。圖1是根據(jù)實施例的半導體器件的頂視圖；圖2是圖1的半導體器件的第一橫截面；圖3是圖2的半導體器件的第二橫截面；圖4是對于得到圖1的半導體器件有用的物理設計或掩模生成階段的布圖；以及圖5是對于得到圖1的半導體器件的變體有用的圖4的布圖的變體。
具體實施例方式在一個方面中，半導體器件具有橫跨有源區(qū)與隔離區(qū)之間的兩個邊界的柵極。在 柵極下面存在對應的溝道。有源區(qū)與隔離區(qū)之間的柵極橫跨的兩個邊界中每一個邊界處的 柵極長度比兩個位置之間的中間區(qū)域中的柵極長度長。結果，柵極的有效寬長比發(fā)生減少 的變化。這里所描述的半導體襯底可以是任一半導體材料或者材料的組合，例如，砷化鎵、 鍺化硅、絕緣體上硅(SOI)、硅、單晶硅等以及其中至少頂部是半導體材料且可以被認為是 半導體層的以上各項的組合。圖1中示出的是半導體器件10，所述半導體器件10具有形成在半導體襯底中的有 源區(qū)12、包圍有源區(qū)12的隔離區(qū)14以及橫跨在有源區(qū)12之上的柵極導體16。圖1中示 出的還有經(jīng)過柵極16的中間的中心線18。中心線16也可以被認為是垂直向下延伸進入 半導體10的平面。在有源區(qū)12與隔離區(qū)14之間具有邊界32。圖1左側示出的是作為邊界32的第一部分的邊界部分34，其為有源區(qū)12與隔離區(qū)14之間的柵極導體16所橫跨的 區(qū)域。圖1右側示出的是作為邊界32的第二部分的邊界部分36，其為有源區(qū)12與隔離區(qū) 14之間的柵極導體16所橫跨的區(qū)域。沿中心線18在邊界部分34與邊界部分36之間的中 間是最小柵極長度，其由柵極導體16的從中心線18到圖1中示出為上部邊線的第一邊緣 的尺寸20和柵極導體16的從中心線到圖1中示出為下部邊線的第二邊緣的尺寸22組成。 尺寸20和尺寸22相等。中心線18被定義為在柵極寬度的方向上并且經(jīng)過邊界部分34和 36之間的中點而使得尺寸20和22相等。沿邊界部分34從中心線18到柵極導體16的上 部邊線為尺寸對。沿邊界部分34從中心線18到柵極導體16的下部邊線為尺寸沈。沿邊 界部分36從中心線18到柵極導體16的上部邊線為尺寸28。沿邊界部分36從中心線18 到柵極導體16的下部邊線為尺寸30。在此示例中，尺寸對和觀均大于尺寸20，并且尺寸沈和30均大于尺寸22。同 樣，在此對稱示例中，尺寸M等于尺寸觀，并且尺寸沈等于尺寸30。然而，并非要求柵極 導體16關于邊界部分34和36的對稱性。因而，尺寸M無需等于尺寸觀，尺寸沈無需等 于尺寸30。一般而言，將會期望中心線18位于使得尺寸M和沈相等并且尺寸觀和30相 等的位置，但這不是必須情況。例如，尺寸22 J6和30可以相等并且尺寸M和28將均超 過尺寸20。要求尺寸M和沈之和以及尺寸28和30之和必須均超過尺寸20和22之和。 結果，有源區(qū)與隔離區(qū)之間的各個邊界處的溝道長度大于邊界之間的溝道的中間部分的溝 道長度。因而，可以優(yōu)選對稱，可以采用不對稱。此外，對稱可以是諸如右對稱且左對稱但 左右彼此不對稱的按側(by side)對稱。隨著柵極尺寸持續(xù)縮小，沿有源區(qū)與隔離區(qū)之間的邊界的短溝道效應相對于溝道 的整個寬度而變得更加嚴重。由于短溝道效應，因而對于柵極長度的給定物理改變，沿有源 區(qū)與隔離區(qū)之間的邊界的有效柵極寬長比的變化比溝道中間的有效柵極寬長比變化更接 近指數(shù)狀。通過增加沿有源/隔離邊界的柵極的長度，極大地減小短溝道效應的影響。結 果，柵極長度的變化致使總體有效柵極寬長比的較少改變。當接觸件(contact)太靠近柵極時，溝道一側的柵極長度出現(xiàn)意外且不想要的增 加。有源區(qū)域外的柵極導體的擴寬致使僅柵極一側上的有源/隔離邊界處的柵極長度增 加。這已經(jīng)被認為是不期望的并且是要避免的。設計規(guī)則要求柵極接觸件離有源區(qū)足夠遠， 以確保不會在有源/隔離邊界處發(fā)生此柵極擴寬。圖2中示出的是沿圖1中所示的2-2截取的橫截面中的半導體器件10。圖2示出 了通過柵極導體16中間的中心線18。還示出了尺寸20和22，其從中心線18橫向延伸到 柵極導體16的邊線并且作為有源區(qū)12的在源/漏區(qū)40與源/漏區(qū)42之間的部分之上的 柵極長度。側壁間隔件44被示出為圍繞柵極導體16。如圖2中所示的半導體器件10是 具有在源/漏區(qū)40和源/漏區(qū)42之間的溝道區(qū)的功能性晶體管。如圖所示，源/漏40和 42與柵極導體16的邊線對齊，但源/漏區(qū)40和42將可能由于在使用柵極導體16作為掩 膜的注入步驟之后的所需加熱步驟而在柵極導體16下方稍微延伸。側壁間隔件44可以是 多層側壁間隔件以及一個或多個襯墊。圖3示出的是沿圖1中所示的非?？拷渲袞艠O導體具有尺寸M和沈的柵極長 度的邊界部分34的3-3截取的橫截面中的半導體器件10。圖3示出了通過柵極導體16中 間的中心線18。還示出了尺寸25和27，其從中心線18橫向延伸到柵極導體16的邊線并且作為有源區(qū)12的在源/漏區(qū)40與源/漏區(qū)42之間的部分之上的柵極長度。尺寸25非常 接近于尺寸對，且尺寸27非常接近于尺寸26。側壁間隔件44被示出為圍繞柵極導體16。 如圖所示，源/漏40和42與柵極導體16的邊線對齊，從而示出了靠近邊界部分34的橫截 面3-3處的溝道長度對應于此位置處的柵極長度，即，尺寸25加上尺寸27。圖4中示出的是可以用于形成半導體器件10的布圖11。布圖11也可以被視為重 疊的若干掩模，其被重疊在一起以圖示在用以獲得圖1的半導體器件10的處理中將什么通 過光刻施加到光致抗蝕劑。在此情況下，具有對應于柵極導體16的柵極特征116。柵極特 征116包括左上方的凸出部分(jog) 124、左下方的凸出部分126、右上方的凸出部分1 和 右下方的凸出部分130。將凸出部分124、126、1 和130添加到柵極特征116上，以導致如 圖1中所示的柵極16的形狀。如圖所示，凸出部分IM、口6、1觀和130的形狀相同并且與 表示有源區(qū)12的有源特征112的距離相同，以生成圖1中所示的柵極導體16的對稱形狀。 此對稱是優(yōu)選的，但可以刪除凸出部分1 和126其中之一和/或凸出部分1 和130其中 之一，并且仍然獲得有效柵極寬長比變化的減小。凸出部分1 被示出為與表示有源區(qū)12 的有源區(qū)112的左邊線相距尺寸52。凸出部分IM具有尺寸50的寬度和尺寸48的長度。 凸出部分1 具有尺寸M的長度、尺寸56的寬度，并且與有源區(qū)112的距離為尺寸58。凸 出部分1 具有尺寸60的長度、尺寸62的寬度，并且與有源區(qū)112的距離為尺寸64。凸出 部分130具有尺寸66的長度、尺寸68的寬度，并且與有源區(qū)112的距離為尺寸70。通過處理，凸出部分124、126、128和124具有使有源區(qū)12之上的柵極導體16的 柵極長度增加的作用。圖4中所示的各種尺寸可以通過針對為了實現(xiàn)柵極導體16的最佳 可能形狀而將要實施的特定工藝和光刻技術進行實驗而最佳推導出。此外，也可以使用具 有與柵極特征116的凸出部分對齊的凸出部分的柵極特征116—側或兩側的平行導體特征 來成形柵極導體16。所添加的具有對齊的凸出部分的平行導體特征將傾向于使有源/隔 離邊界處的所添加的柵極長度的量增加，也傾向于使柵極長度增加移至更靠近有源/隔離 邊界之間的中心區(qū)域。減小尺寸52、58、64和66也可以使柵極長度增加移至更靠近有源/ 隔離邊界之間的中心區(qū)域。增加尺寸50、56、62和68使柵極長度增加的間隔(breath)和 幅度增大。增加尺寸48、54、64和70通常會使柵極長度增加的幅度增大，但在尺寸52、58、 64和66沒有相應地增加的情況下會受到限制。對于有益地利用凸出部分來增加邊界部分 處的柵極長度的一般效果，代表性尺寸為從邊界部分34和36向內朝向有源區(qū)12之上的 柵極導體16的中間區(qū)域大約最初的30至50納米。對于P溝道，最初的30納米是最為重 要的。對于N溝道，重要性延伸至大約50納米。盡管低于這些量仍會有效。這樣，方法是，形成圍繞有源區(qū)12的隔離區(qū)12，之后形成柵極電介質，然后沉積諸 如多晶硅或金屬的一層柵極材料。根據(jù)柵極特征116以及具有與柵極特征116的凸出部分 對齊或幾乎對齊的凸出部分的其他可能平行線，來沉積和構圖一層光致抗蝕劑。然后，將構 圖后的光致抗蝕劑用作掩膜，同時蝕刻該層柵極材料。光致抗蝕劑構圖以及隨后的蝕刻的 結果是柵極狀柵極導體16，其中，有源/隔離界面處的柵極長度比有源/隔離界面之間的區(qū) 域中的柵極長度長。將柵極導體用作掩膜，同時進行源/漏區(qū)注入。形成側壁間隔件，并且 在用于形成源/漏區(qū)的注入過程中將其用作掩膜。圖5中示出的是布圖13，其也可以被認為是針對圖4所描述的掩膜，作為圖4的 布圖11的變體。凸出部分1 和1 其目的只在于成形柵極導體16，但通過增加尺寸62和68，圖4的凸出部分1 和130可以成為用于形成接觸區(qū)的接觸特征74，所述接觸區(qū)用 于與柵極導體16形成電接觸。這可以是既實現(xiàn)柵極所需接觸同時又能增加有源/隔離邊 界處的柵極長度的有效方式。這是其中左側對稱且右側對稱但左右將彼此不對稱的結果的 示例。對于布圖11，所使用的實際尺寸將取決于特定工藝和光刻技術。然而，原則是，柵極 特征上的凸出部分可以用于成形柵極導體，這些凸出部分可以與平行于柵極特征的、具有 與柵極特征的凸出部分對齊或幾乎對齊的線組合使用，從而在有源區(qū)與隔離區(qū)之間的柵極 橫跨的兩個邊界部分上，柵極長度大于這兩個邊界部分之間的中間區(qū)域中的柵極長度。到目前為止，應予以理解的是，已經(jīng)提供了一種具有有源區(qū)、隔離區(qū)和經(jīng)構圖的柵 極材料的半導體器件。所述隔離區(qū)與所述有源器件區(qū)形成邊界。所述經(jīng)構圖的柵極材料位 于所述邊界的第一和第二部分之間的所述有源區(qū)之上，并且用于定義所述有源器件區(qū)內的 溝道。經(jīng)構圖的柵極材料具有沿所述經(jīng)構圖的柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的 柵極長度尺寸，緊接所述邊界的第一和第二部分的柵極長度尺寸比介于邊界的第一和第二 部分之間的柵極長度尺寸大。所述半導體器件的進一步特征在于，所述溝道包括緊接所述 邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的所述第二部分的第二端，所述溝道的進一 步特征在于，柵極長度尺寸在溝道兩端漸縮。所述半導體器件的進一步特征在于，緊接所述 第一部分的、垂直于所述中心線的柵極長度尺寸關于所述中心線對稱。所述半導體器件的 進一步特征在于，緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線的柵極長度尺寸關于所述中心 線不對稱。所述半導體器件的進一步特征在于，緊接所述第二部分的、垂直于所述中心線的 柵極長度尺寸關于所述中心線對稱。所述半導體器件的進一步特征在于，緊接所述第二部 分的、垂直于所述中心線的柵極長度尺寸關于所述中心線不對稱。所述半導體器件的進一 步特征在于，(i)緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線的柵極長度尺寸關于所述中心線 對稱，并且(ii)緊接所述第二部分的、垂直于所述中心線的柵極長度尺寸關于所述中心線 對稱。所述半導體器件的進一步特征在于，(i)緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線的 柵極長度尺寸關于所述中心線不對稱，并且(ii)緊接所述第二部分的、垂直于所述中心線 的柵極長度尺寸關于所述中心線不對稱。所述半導體器件的進一步特征在于，所述隔離區(qū) 包括淺溝槽隔離區(qū)。所述半導體器件的進一步特征在于，所述經(jīng)構圖的柵極材料包括由多 晶硅和金屬構成組中的一種。所述半導體器件的進一步特征在于，響應于在所述溝道的端 處的較大柵極長度尺寸，與介于所述邊界的所述第一和第二部分之間的短溝道效應相比， 緊接所述邊界的所述第一和第二部分的短溝道效應被減小。所述半導體器件的進一步特征 在于，所述溝道包括在所述邊界的所述第一和第二部分之間的溝道寬度，并且其中，不期望 的電流密度幅值效應從所述溝道的至少一端向內延伸所述溝道寬度的三十至五十百分比 (30 50%)之間的量級上的最大距離。所述半導體器件的進一步特征在于，所述溝道寬度 為大約lOOnm，并且不期望的電流密度幅值效應從所述溝道的至少一端向內延伸大約30 50nmo還描述了一種具有有源區(qū)、隔離區(qū)和經(jīng)構圖的柵極材料的半導體器件。所述隔離 區(qū)與所述有源器件區(qū)形成邊界。所述經(jīng)構圖的柵極材料位于所述邊界的第一和第二部分之 間的所述有源器件區(qū)之上，用于定義所述有源器件區(qū)內的溝道。所述經(jīng)構圖的柵極材料具 有沿所述經(jīng)構圖的柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊 界的第一和第二部分的所述柵極長度尺寸比介于所述邊界的第一和第二部分之間的所述柵極長度尺寸大。所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的 所述第二部分的第二端，所述溝道的進一步特征在于，柵極長度尺寸在所述溝道的兩端上 漸縮。緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線對稱 或不對稱。緊接所述第二部分的、垂直于所述中心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線 對稱或不對稱。此外，描述了一種用于制作半導體器件的方法。所述方法包括形成圍繞有源器件 區(qū)的隔離區(qū)。所述方法進一步包括對位于所述隔離和有源器件區(qū)之上的柵極材料構圖，其 中，構圖包括對所述柵極材料構圖，以得到具有至少位于邊界的第一和第二部分之間的所 述有源器件區(qū)之上的主要尺寸的、定義所述有源器件區(qū)內的溝道的經(jīng)構圖的柵極材料，所 述經(jīng)構圖的柵極材料具有與沿所述經(jīng)構圖的柵極材料的主要尺寸的中心線相垂直的柵極 長度尺寸，緊接所述邊界的第一和第二部分的所述柵極長度尺寸比介于所述邊界的第一和 第二部分之間的所述柵極長度尺寸長。所述方法的進一步特征在于，對所述柵極材料構圖 可以進一步包括提供具有柵極形狀漸縮特征的掩模，所述具有柵極形狀漸縮特征的掩模， 被配置用以響應于使用所述掩膜對位于所述有源器件區(qū)之上的所述柵極材料進行光刻處 理，而形成沿所述經(jīng)構圖的柵極材料的主要尺寸的柵極長度尺寸。所述方法的進一步特征 在于，提供所述具有柵極形狀漸縮特征的掩模包括在光學鄰近校正處理之前并且在掩模 制造之前，在所述半導體器件的器件布圖內提供柵極漸縮調制特征。所述方法的進一步特 征在于，所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的所述第二 部分的第二端，所述溝道的進一步特征在于，柵極長度尺寸在所述溝道的兩端處漸縮。所述 方法的進一步特征在于，緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線的所述柵極長度尺寸關 于所述中心線對稱或不對稱，并且其中，緊接所述第二部分的、垂直于所述中心線的所述柵 極長度尺寸關于所述中心線對稱或不對稱。所述方法的進一步特征在于，所述隔離區(qū)包括 淺溝槽隔離區(qū)，并且其中所述柵極材料包括由多晶硅和金屬構成的組中的一種。雖然已經(jīng)參照具體導電類型或電勢極性描述了本發(fā)明，但是本領域技術人員應認 識到可以將導電類型和電勢極性反轉。而且，說明書和權利要求書中的術語“前”、“后”、“頂部”、“底部” “之上”、“下面”、 “左”、“右”、“上”、“下”等，如果有，則是用于描述性目的而未必用于描述永久的相對位置。 應予以理解的是，這樣使用的術語在適當?shù)沫h(huán)境下可以互換，使得這里所描述的本發(fā)明的 實施例例如能夠以除例示出或者在這里以其他方式描述的方位以外的其他方位來操作。雖然在這里已參照具體實施例描述了本發(fā)明，但是在不脫離所附的權利要求書所 闡述的本發(fā)明的范圍的情況下，可以做出各種修改和變化。例如，布圖本身可以不具有凸出 部分，并且可以在掩模級添加它們。相應地，說明書和附圖將被認為是示例性的而非限制性 的，并且旨在將所有這樣的修改都包括在本發(fā)明的范圍內。在這里參照具體實施例所描述 的任何益處、優(yōu)點或解決問題的方案并非意圖被解釋為任一或所有權利要求的關鍵的、必 需的或必不可少的特征或要素。此外，這里所使用的不定冠詞“a”或“an”被定義為一個或者多于一個。而且，在權 利要求中使用諸如“至少一個”和“一個或多個”的引入性短語，不應當被解釋為隱含表示 通過不定冠詞“a”或“an”引入另一權利要求要素將包含如此引入的權利要求要素的任何 具體權利要求限制為只包含一個這樣的要素的發(fā)明，即使該同一權利要求包括引入性短語“一個或多個”或者“至少一個”以及諸如“a”或“an”的不定冠詞。這對于定冠詞的使用同
樣適用。 除非以其他方式聲明，否則諸如“第一”、“第二”這樣的術語用以在這樣的術語所 描述的要素之間進行任意區(qū)分。因而，這些術語并非意圖表明這些要素在時間上或者其他 方面的優(yōu)選順序。
權利要求
1.一種半導體器件，包括有源器件區(qū)；隔離區(qū)，其中所述隔離區(qū)與所述有源器件區(qū)形成邊界；和經(jīng)構圖的柵極材料，所述經(jīng)構圖的柵極材料位于所述邊界的第一和第二部分之間的所 述有源器件區(qū)之上，用于定義所述有源器件區(qū)內的溝道，并且所述經(jīng)構圖的柵極材料具有 沿所述經(jīng)構圖的柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊界 的第一和第二部分的柵極長度尺寸比介于所述邊界的第一和第二部分之間的柵極長度尺 寸大。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一 部分的第一端和緊接所述邊界的所述第二部分的第二端，所述溝道的進一步特征在于，柵 極長度尺寸在所述溝道的兩端上漸縮。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線 的所述柵極長度尺寸關于所述中心線對稱。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線 的所述柵極長度尺寸關于所述中心線不對稱。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，緊接所述第二部分的、垂直于所述中心線 的所述柵極長度尺寸關于所述中心線對稱。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，緊接所述第二部分的、垂直于所述中心線 的所述柵極長度尺寸關于所述中心線不對稱。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，(i)緊接所述第一部分的、垂直于所述中 心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線對稱，并且(ii)緊接所述第二部分的、垂直于所 述中心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線對稱。
8.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，(i)緊接所述第一部分的、垂直于所述中 心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線不對稱，并且(ii)緊接所述第二部分的、垂直于 所述中心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線不對稱。
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述隔離區(qū)包括淺溝槽隔離區(qū)。
10.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述經(jīng)構圖的柵極材料包括由多晶硅和 金屬構成組中的一種。
11.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，響應于所述溝道的端處的較大的柵極長 度尺寸，與介于所述邊界的所述第一和第二部分之間的短溝道效應相比，緊接所述邊界的 所述第一和第二部分的短溝道效應減小。
12.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝道包括在所述邊界的所述第一部 分和第二部分之間的溝道寬度，并且其中，不期望的電流密度幅值效應從所述溝道的至少 一端向內延伸所述溝道寬度的三十至五十百分比(30 50% )之間的量級上的最大距離。
13.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件，進一步，其中，所述溝道寬度為大約lOOnm，并 且不期望的電流密度幅值效應從所述溝道的至少一端向內延伸大約30 50nm。
14.一種半導體器件，包括有源器件區(qū)；隔離區(qū)，其中所述隔離區(qū)與所述有源器件區(qū)形成邊界；和經(jīng)構圖的柵極材料，所述經(jīng)構圖的柵極材料位于所述邊界的第一和第二部分之間的所 述有源器件區(qū)之上，用于定義所述有源器件區(qū)內的溝道，并且所述經(jīng)構圖的柵極材料具有 沿柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊界的第一和第二 部分的柵極長度尺寸比介于所述邊界的第一和第二部分之間的柵極長度尺寸大，其中，所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的所述第 二部分的第二端，所述溝道的進一步特征在于，柵極長度尺寸在所述溝道的兩端上漸縮，其中，緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線 對稱或不對稱，并且其中，緊接所述第二部分的、垂直于所述中心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線 對稱或不對稱。
15.一種用于制造半導體器件的方法，包括形成圍繞有源器件區(qū)的隔離區(qū)；以及對位于所述隔離區(qū)和有源器件區(qū)之上的柵極材料構圖，其中，構圖包括對所述柵極材 料構圖，以得到具有至少位于邊界的第一和第二部分之間的所述有源器件區(qū)之上的主要尺 寸的、定義所述有源器件區(qū)內的溝道的經(jīng)構圖的柵極材料，所述經(jīng)構圖的柵極材料具有沿 所述經(jīng)構圖的柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊界的 第一和第二部分的所述柵極長度尺寸比介于所述邊界的第一和第二部分之間的所述柵極 長度尺寸大。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，對所述柵極材料構圖進一步包括提供具有柵 極形狀漸縮特征的掩模，所述具有柵極形狀漸縮特征的掩模被配置用以響應于使用所述 掩膜對位于所述有源器件區(qū)之上的柵極材料進行光刻處理而生成沿所述經(jīng)構圖的柵極材 料的主要尺寸的柵極長度尺寸。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，進一步，其中，提供具有柵極形狀漸縮特征的掩模包 括在光學鄰近校正處理之前并且在掩模制造之前，在所述半導體器件的器件布圖內提供 柵極漸縮調制特征。
18.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分 的第一端和緊接所述邊界的所述第二部分的第二端，所述溝道的進一步特征在于，柵極長 度尺寸在所述溝道的兩端上漸縮。
19.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，緊接所述第一部分的、垂直于所述中心線的所 述柵極長度尺寸關于所述中心線對稱或不對稱，并且其中，緊接所述第二部分的、垂直于所 述中心線的所述柵極長度尺寸關于所述中心線對稱或不對稱。
20.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，所述隔離區(qū)包括淺溝槽隔離區(qū)，并且其中所述 柵極材料包括由多晶硅和金屬構成組中的一種。
全文摘要
一種半導體器件(10)及制作方法包括提供有源器件區(qū)(12)以及與所述有源器件區(qū)形成邊界(32)的隔離區(qū)(14)。經(jīng)構圖的柵極材料(16)位于所述邊界的第一(34)和第二(36)部分之間的有源器件區(qū)之上。經(jīng)構圖的柵極材料定義所述有源器件區(qū)內的溝道，并且具有沿柵極材料的主要尺寸的、與中心線(18)相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊界的第一和第二部分的柵極長度尺寸(24+26、28+30)比介于所述邊界的第一和第二部分之間的柵極長度尺寸(20+22)長。所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的所述第二部分的第二端，并且進一步特征在于，柵極長度尺寸在所述溝道的兩端上漸縮。
文檔編號H01L21/336GK102124548SQ200980132363
公開日2011年7月13日 申請日期2009年6月25日 優(yōu)先權日2008年8月19日
發(fā)明者利昂內爾·J·里維埃-卡佐 申請人:飛思卡爾半導體公司