專利名稱：具有凹槽的硅基底上的接合的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
以下的公開涉及在諸如硅芯片的基底上的接合。
背景技術(shù)：
在流體噴射裝置的一些實施例中，流體小滴被從一個或多個噴嘴上噴射至介質(zhì)上。噴嘴被流體連接在液體路徑上，其包括流體泵室。該流體泵室被換能器驅(qū)動，且在被驅(qū)動時，流體泵室導(dǎo)致流體小滴的噴射。該介質(zhì)可被相對于液體噴射裝置移動。流體小滴由特定的噴嘴噴射且與介質(zhì)的移動協(xié)調(diào)，從而將該流體小滴放置在介質(zhì)上期望的位置。在所述流體噴射裝置中，通常期望在相同的方向上噴射具有一致大小、速度的流體小滴，從而在介質(zhì)上提供均勻的流體小滴沉積。

發(fā)明內(nèi)容
本公開涉及在膜上的接合，諸如將換能器接合在諸如硅芯片的基底上。在一個方面上，此處描述的系統(tǒng)、裝置和方法包括具有膜表面的膜和被形成在該膜表面中的凹槽。換能器可具有換能器表面，其被設(shè)置為和膜表面基本平行。粘接劑可將膜表面和換能器表面連接，且粘接劑可至少部分地填充凹槽。在另一個方面上，此處描述的系統(tǒng)、裝置和方法包括將換能器的換能器表面設(shè)置為和膜的膜表面基本平行。該換能器表面可面向膜表面，且膜表面可包括凹槽。粘接劑可被施加在換能器表面和膜表面中的至少一個上。換能器表面可被壓靠膜表面。至少一些粘接劑可被允許在凹槽中流動且基本填充凹槽。實施例可包括一個或多個以下的特征。換能器可包括壓電材料，諸如鋯鈦酸鉛。凹槽的寬度可在約20微米至約60微米之間。膜表面可包括多個形成在其中的凹槽。凹槽的間距可在約50微米至約70微米之間。凹槽間的間隔可在約15微米至約25微米之間。多個凹槽的寬度可基本彼此相等。凹槽的深度可在約0. 1微米至約0. 2微米之間。粘接劑可包括苯并環(huán)丁烯，且凹槽可基本被粘接劑填充。在一些實施例中，流動提供至少一個優(yōu)勢。粘接劑在凹槽中或者流入凹槽中的流動可減少在換能器和膜之間的粘接劑的厚度。減少粘接劑的厚度可減少在驅(qū)動換能器以改變流體泵室的體積并由此導(dǎo)致流體小滴噴射所需要的能量的減少。作為凹槽的又一個優(yōu)勢，為粘接劑提供流動的空間可減輕或防止粘接劑的堆積，該堆積可將膜壓入泵室并由此改變換能器在被驅(qū)動時的效率。由于這樣的堆積可在多個驅(qū)動器和流體泵室之間是不一致的，凹槽可以改善流體小滴的噴射尺寸和速度的均勻性，以及將流體小滴放置在介質(zhì)上的準(zhǔn)確性。本發(fā)明的一個或多個實施例的細節(jié)在以下的附圖和描述中被闡述。本發(fā)明的其他特征、目標(biāo)和優(yōu)勢將從此描述和附圖，以及權(quán)利要求中變得明顯。


圖1是流體小滴噴射裝置的橫截面圖。圖2是流體小滴噴射裝置的一部分的橫截面圖。圖3是將層接合在膜上的工藝的流程圖。圖4-8是形成流體小滴噴射裝置的各個階段的橫截面示意圖。圖9A是流體小滴噴射裝置的一部分的橫截面示意圖。圖9B是沿圖9A中線9-9的橫截面示意圖。圖10是流體小滴噴射裝置的一部分的橫截面示意圖。圖11是圖10中裝置的一部分的平面圖。圖12是將層接合在膜上的工藝的流程圖。圖13-18是形成流體小滴噴射裝置的各個階段的橫截面示意圖。在不同的附圖中同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。具體實施方法一種流體小滴噴射裝置可具有諸如長方形板狀打印頭模塊的流體小滴噴射模塊， 其可為使用半導(dǎo)體加工技術(shù)制造的芯片。該流體噴射器還可包括支撐該打印頭模塊以及其他元件的殼體，所述其他元件諸如此從外部處理器接收信號并向打印頭提供驅(qū)動信號的柔性電路。該打印頭模塊包括其中形成有多個流體流道的基底。該打印頭模塊還包括多個諸如換能器的驅(qū)動器，以使流體被選擇地從流道中噴射出。因此，每個流道和與其相關(guān)的驅(qū)動器一起提供了獨立可控MEMS液體噴射器單元。該基底可包括流道體，噴嘴層和膜層。所述流道體，噴嘴層和膜層均可為硅，諸如， 單晶硅。該流體流道可包括流體入口、上行部分、和膜層相鄰的泵室、以及在穿透噴嘴層形成的噴嘴中終止的下行部分。驅(qū)動器的驅(qū)動使得膜被偏轉(zhuǎn)入泵室中，強迫流體從噴嘴噴出。該膜可具備形成在其中的凹部。粘接劑可被用來將換能器接合或連接在該膜上， 且該粘接劑至少部分地占據(jù)了該凹部。該凹部可被設(shè)置來限定膜上的凸起，例如柱?？商鎿Q地，該凹部可被形成為膜中的凹槽。圖1是流體小滴噴射裝置的一部分的橫截面視圖。入口 100將流體供應(yīng)器(未示出)流體連接至芯片10，芯片10包括基底17以及換能器30。該基底17包括流道體11。該入口 100通過通道(未示出)和形成在流道上的入口通道104流體連接。該入口通道104 通過諸如上行部分106流體連接到泵室18。泵室18和下行部分110流體連接，該下行部分的末端是噴嘴112。該噴嘴112可由附連于芯片10的噴嘴板12限定。噴嘴12包括了由噴嘴板12的外表面限定的出口 114。在一些實現(xiàn)方式中，設(shè)置有再循環(huán)通道116以將下行部分106和再循環(huán)溝道118流體連接。膜14被形成在流道體11的頂部，其非?？拷腋采w泵室18，例如膜14的下表面可以界定泵室18的上邊界。換能器30被放置在膜14的頂部上，厚度為T的粘合層沈在換能器30和膜14之間，以將兩者彼此接合。凹槽22部分地、而不是完全地穿過膜14。在此公開中提及的多于一個凹槽之處，應(yīng)被理解的是在可替換實現(xiàn)方式中可存在一個凹槽。在一些實現(xiàn)方式中，每一個泵室18具有相應(yīng)的電隔離換能器30，其可被獨立驅(qū)動。該換能器30包括電極84、88(參加圖10)以允許換能器30被電路(未示出)驅(qū)動。膜14可由硅(例如，單晶硅)、一些其他半導(dǎo)體材料、氧化物、玻璃、氮化鋁、碳化硅、其他陶瓷或金屬，絕緣體上硅，或任意深度造型的層形成。深度造型方法可包括刻蝕、噴砂、機加工、放電加工(EDM)、微造型、或顆粒旋涂。舉例來說，該膜14可由惰性材料支撐且其柔度使得換能器30的驅(qū)動導(dǎo)致膜14的足夠彎曲，以對泵室中的流體施加壓力，使流體小滴從噴嘴112噴出。2005年5月12號公布的美國專利公布第2005/0099467號，其被通過引用全文合并于此，描述了打印頭模塊和制造技術(shù)的示例。在一些實現(xiàn)方式中，該膜14可和流道體11單體形成。在操作中，流體經(jīng)過入口溝道100流入流道體11且流經(jīng)入口通道104。流體向上流至上行部分106并進入泵室18。當(dāng)位于泵室18之上的換能器30被驅(qū)動時，該換能器30 將膜14偏轉(zhuǎn)入泵室18中。由此產(chǎn)生的泵室18的體積的變化強迫流體流出泵室18并進入下行部分110。如果換能器30施加了足夠多的壓力使得流體被強迫經(jīng)過噴嘴112，則流體隨后流經(jīng)噴嘴112且由出口 114出去。該流體小滴可隨后被沉積在介質(zhì)上。為膜14配置有供粘接劑沈流動的空間可防止粘接劑沈的堆積，否則該堆積可能造成膜14偏轉(zhuǎn)進入泵室18中，尤其是施加的粘接劑沈的厚度不均勻時。膜14的厚度可在1. 0微米至150微米之間，諸如在8. 0微米和約20微米之間。該凹槽22的厚度D (參見圖7)可取決于粘接劑沈在固化過程中的粘性以及施加在膜14或換能器30上的粘接劑沈的厚度。溫度可影響粘接劑在固化周期中的粘度，通常使得粘接劑26變得更黏稠。高粘度的粘接劑26可流動緩慢，并需要更多的空間以在固化之前流動足夠迅速。類似地，在膜14 和換能器30之間的粘接劑沈的厚度越大，則保持多余的粘接劑沈需要的空間越大。圖2示出了泵室18的橫截面的示意圖，其邊界由膜14限定。圖2中示出的膜14 不具有凹槽22。在將換能器30接合在膜14上時，如果兩者之間在邊沿附近的空隙小于約 0. 1微米時，則粘接劑沈可能被堵住，并有可能導(dǎo)致粘接劑堆積以及尤其引起的膜14上的 “凸起”(Bump)。泵室18之上的膜14中的凸起可使得膜14偏轉(zhuǎn)進入泵室18中，如圖2所示。在一些情況中，在換能器30和膜14之間的粘接劑的堆積可降低換能器30和泵室18 中至少一個的效率。在其他情況中，在換能器30和膜14之間的粘接劑的堆積可增加換能器30上的應(yīng)力，并增加換能器30在芯片10上的狹小區(qū)域內(nèi)的活動。不論換能器30或泵室18的效率被增加或降低，該效應(yīng)在芯片10上可為不均勻的。該效率上的不均勻可能導(dǎo)致流體小滴噴射性質(zhì)的不均勻，該流體小滴噴射性質(zhì)諸如流體小滴尺寸和流體噴射速度?？商鎿Q地，該效率的不均勻性可能需要增加換能器30的控制的復(fù)雜度以補償該不均勻性。為了減輕或防止粘接劑沈在泵室18上的堆積，膜14可包括一個或多個形成在其中的凹槽22。該位于膜14中的凹槽22的厚度D可大于約0. 1微米，例如大于約0. 25微米，允許粘接劑26流動而不被堵住。當(dāng)用粘接劑沈填充時，可能期望的是該凹槽22在換能器30和膜14之間沒有諸如氣袋(airpocket)的空洞，這是因為在泵室18上的凹槽22 中的空洞可吸收一些被施加用來驅(qū)動換能器30的能量。所述能量吸收可導(dǎo)致變化，諸如降低換能器30和流體泵室18中至少一個的效率。該吸收在芯片10上可能為不均勻的，其將導(dǎo)致諸如流體小滴尺寸和流體小滴噴射速度的流體小滴噴射性質(zhì)的不均勻。因此，凹槽22 應(yīng)為足夠深以允許粘接劑26由換能器30下逃逸，而又足夠淺以防止換能器30和膜14之間的空洞。這就是說，凹槽22應(yīng)該被設(shè)置為當(dāng)換能器30和膜14被彼此接觸時，凹槽22大致或完全地被粘接劑26填充。在一些實現(xiàn)方式中，當(dāng)施加在換能器30上的粘接劑沈的厚度T為大約1. 0微米時，凹槽22的深度應(yīng)該大于約0. 1微米以允許粘接劑沈的流動，而又不超過1. 0微米，以最小化或防止粘接劑沈中的空洞。該凹槽22的深度也可取決于粘接劑沈在固化狀態(tài)時的粘度以及粘接劑沈的厚度。圖3是將換能器30接合在芯片10的膜14上的工藝的流程圖。圖4_8為制造流體小滴噴射裝置的步驟的橫截面圖。如圖4所示，光阻層15被形成在膜14的頂部上(步驟31幻。在一些實現(xiàn)方式中，噴嘴板12具有多個層，其中的一些可被用來在制造過程中固定該裝置且可在其后的制造步驟中被移除。如圖5所示，該光阻層15使用傳統(tǒng)的光刻技術(shù)來圖案化，使得部分的該光阻層15被移除，且因此開口 21被形成在該光阻層15上(步驟325)。參見圖6，膜14透過光阻層15中的開口 21刻蝕，以在膜14中形成凹槽22 (步驟 335)。如圖7所示，光阻層隨后被移除(步驟345)。在示出的實現(xiàn)方式中，凹槽22沒有完全延伸穿透膜14?？涛g入膜14的深度D是可控制的，例如通過預(yù)設(shè)時間的刻蝕，在由原位檢測系統(tǒng)檢測到已經(jīng)達到凹槽22的期望凹陷深度D時停止，或是通過在膜14的深度D處引入刻蝕停止層。參見圖7，粘接劑沈被施加，或被形成在面向膜14的換能器30的表面上(步驟35 ，且該帶有粘接劑沈的換能器 30被放置在膜14上(步驟36 ?？商鎿Q地，用來取代或附加地施加在換能器30上，粘接劑26可被施加在膜14上。壓力可被用來迫使基底17和換能器30彼此靠近，且粘接劑沈可被允許至少部分地流入凹槽22(步驟37 。該粘接劑可隨后被固化以將換能器30接合或是連接在膜14上。膜14的厚度可在約1. 0微米至約150微米之間，例如在約8. 0微米至約20微米之間。凹槽22的厚度可取決于粘接劑沈在固化狀態(tài)的粘度和被施加在換能器30或膜14 上的粘接劑26的厚度。溫度可影響在固化循環(huán)中的粘接劑沈的粘度，通常使粘接劑沈變得更粘滯。高粘度的粘接劑26可流動緩慢并在固化之前需要更多的空間充分流動，且可能需要相對較深的凹槽22。類似地，在膜14和換能器30之間的粘接劑沈的厚度越大，需要更多的空間來保持多余的粘接劑26。在一些實現(xiàn)方式中，當(dāng)施加在換能器30上的粘接劑 26的厚度為約1. 0微米時，凹槽22的深度D為約0. 25微米。在一些其他的實現(xiàn)方式中，凹槽22的深度D可在約0. 1微米至約2. 0微米之間。在具有多個凹槽22的實現(xiàn)方式中，凹槽22的深度D可相等。在一個可替代的實現(xiàn)方式中，凹槽22可完全穿通膜14，只要鄰近凹部的剩下膜材料被足夠地支撐，例如由流動體11支撐。圖8示出了膜14頂部上的換能器30和粘接劑26。粘接劑沈在換能器30和膜 14之間，且大致或完全地填充凹槽22。換能器30和膜14沒有直接接觸，這是由于其間有粘接劑26的厚度。在粘接劑沈?qū)拥暮穸仍黾訒r，更多的能量(例如，更高的電壓)必須被施加在換能器30上以導(dǎo)致流體泵室18的足夠的變形，以實現(xiàn)流體小滴噴射。減少粘接劑 26層的厚度因此是被期望的，以最小化換能器30的能量要求。在一些實現(xiàn)方式中，粘接劑沈必須為最小的厚度，這是由于粘接劑沈的材料性質(zhì)或其他諸如施加粘接劑的工藝的限制。舉例來說，在沒有凹槽22時，對一些種類的粘接劑來說，粘接劑26的最小厚度可在約1000納米至約1200納米之間。相對地，在使用凹槽22 時，粘接劑26的最小可實現(xiàn)厚度是約200納米或更少，諸如約100納米或更少。凹槽22可減少粘接劑26的最小可實現(xiàn)厚度，這是通過允許一些粘接劑沈在換能器30和粘接劑沈接觸膜14，或換能器30和粘接劑沈壓向膜14時，在凹槽22中流動，或流入凹槽22，或沿凹槽22流動，或流經(jīng)凹槽22來實現(xiàn)的。為了試圖實現(xiàn)粘接劑沈的最低厚度，換能器30和膜14可被一起被施壓，以擠出多余的粘接劑26。粘接劑沈的流動阻力隨粘接劑沈在由換能器30和膜14之間流出之前移動的距離的增加而增加。例如，沒有凹槽22時，靠近換能器30和膜14的中心的粘接劑在被擠出之前移動的距離為約75毫米。作為相反的示例，膜14中形成有凹槽22時，靠近中心的粘接劑沈僅移動約150微米以流入凹槽22。由于流動阻力和移動的距離成比例， 流入凹槽22的粘接劑沈的流動阻力大約比沒有凹槽22時小500倍。因此，更多的多余粘接劑沈可在固化前被擠出，這將導(dǎo)致較薄的粘接劑層26。舉例來說，如果1. 0微米的粘接劑26層被施加在兩個部件之間，沒有凹槽22時的最低厚度可能在約1000-1200納米之間。 在有凹槽22時，相比而言，粘接劑沈的最低厚度可為約200納米或更少。在換能器30和膜14間的粘接劑的流動阻力可被公式R = kyL/t3表示，其中R是流動阻力，k為常數(shù)，μ 是流體的粘度，L為長度，而t是粘接劑沈的厚度。如被提及的，粘接劑沈可在接合前被施加在換能器30上。在其他實現(xiàn)方式中，用于取代被施加在換能器30上的粘接劑沈，或是附加地，粘接劑沈被施加在膜14上。施加在凹槽22中的粘接劑沈的量可被最小化，以最大化流入凹槽22的被施加的粘接劑沈的比例。該粘接劑26可為有機材料，例如苯并環(huán)丁烯(BCB)或者其他合適的材料。圖9A和9B是膜14、粘接劑沈和換能器30的一部分的示意圖。膜14和換能器 30之間的距離為了示意被夸大了。膜14在其頂部表面的全部或一部分上具有凹槽22。換能器30位于膜14之上。粘接劑沈在換能器30和膜14之間。凹槽22限定了粘接劑沈可流入的空間。凹槽22的寬度W應(yīng)該被設(shè)置為足夠大，以允許粘接劑流入或流經(jīng)凹槽22。 舉例來說，如果寬度W太小的話，粘接劑沈在固化之前可能不能充分流動以大致填充凹槽 22。間隔S可被設(shè)置為足夠窄，使得至少一部分粘接劑可在粘接劑沈固化之前移動至凹槽 22。但間隔S也可被設(shè)置為足夠?qū)?，以保證換能器30的充分的接合面積。凹槽22的寬度W 和間隔S可取決于粘接劑沈的粘度和施加在膜14或換能器30、或施加在兩者上的粘接劑 26的厚度。在一些實現(xiàn)方式中，凹槽22的寬度可在約20微米至約60微米之間，例如約40 微米。在一些實現(xiàn)方式中，多個凹槽22被形成為具有相同的寬度W。如上文所述，深度D可在約0. 1微米至約2. 0微米之間，例如約0. 25微米。當(dāng)膜14具有多個凹槽22時，凹槽22 的間距P可在約50微米和約70微米之間，例如約59. 5微米，且/或凹槽22之間的間隔S 可在約15微米至約25微米之間，例如為約19. 5微米。圖10是位于泵室18之上的膜14上的換能器30的實現(xiàn)方式的橫截面圖。多個泵室18被示出，且在此實現(xiàn)方式中，膜14包括位于泵室18上的凹槽22。換能器30包括頂電極84，壓電層80和底電極88。頂電極84和底電極88被分別設(shè)置在壓電層80的頂表面和底表面上。粘接劑沈?qū)Q能器80接合在膜14上。電路(未示出)電連接到頂電極84和底電極88。該電路可在電極84、88之間施加電壓。被施加的電壓可驅(qū)動換能器30，導(dǎo)致壓電層80變形。該變形可使膜14偏轉(zhuǎn)進入泵室18中，并由此強迫流體被噴出泵室18。圖11是圖12中示出的實現(xiàn)方式的平面圖，且兩排換能器30被示出。所述兩排換能器30對應(yīng)著兩排泵室18，其可對應(yīng)著位于泵室18之下的兩排噴嘴112。
圖12是示出了在膜14中形成凹槽22的可替代方法的流程圖。圖13_18為制造流體小滴噴射裝置的步驟的橫截面圖。如圖13所示，紋理掩膜13被形成在膜14的頂部上 (步驟90 。該紋理掩膜13可由氧化物制成，例如氧化硅。紋理掩膜13的使用在諸如紋理掩膜13比光阻具有更高的選擇性的情形是更期望的。即，較低厚度的紋理掩膜13可被用來刻蝕膜14至相對較深的深度。光阻層15被形成在紋理掩膜13的頂部上(步驟915)。 參見圖14，光阻層15使用傳統(tǒng)的光刻技術(shù)圖案化，使得部分的光阻層15被移除，且開口 20 被因此形成在光阻層15中(步驟925)。參見圖15，紋理掩膜13被透過光阻層15中的開口 20刻蝕以在紋理掩膜13上形成開口 21’(步驟93幻。參見圖16，光阻層15隨后被移除(步驟845)。參見圖17，膜14隨后被透過形成在紋理掩膜13中的開口 21’刻蝕，以形成凹槽22 (步驟95 。在示出的實現(xiàn)方式中，凹槽22沒有完全穿透膜14，這和前文所述一致。參見圖18，該紋理掩膜13隨后被通過諸如研磨，氫氟酸浸蝕，或其他合適的機械或化學(xué)方式(步驟96 移除。粘接劑沈被施加，或形成在換能器30面向膜14的表面上(步驟 975)，且具有粘接劑沈的換能器30被放置在膜14上(步驟98 ，如圖8所示。可替換地， 用來取代施加在換能器30上的粘接劑沈，或是附加地，粘接劑沈被施加在膜14上。可施加壓力，且粘接劑沈被允許至少部分地流入凹槽22 (步驟995)。上述的實現(xiàn)方式可提供下述所有優(yōu)點中的全部、部分，或是完全不能提供所述優(yōu)點。粘接劑流入凹部或凹槽可最小化換能器和膜之間的粘接劑的厚度。減少粘接劑的厚度可以減少在驅(qū)動換能器和改變流體泵室的體積以導(dǎo)致流體小滴噴射時需要施加的能量。此外，在施加的粘接劑的厚度不一致時，為粘接劑提供流動的空間減輕或防止了粘接劑的堆積，否則該堆積可能將膜按壓入泵室中且由此改變被驅(qū)動的換能器的效率。尤其是多個泵室和噴嘴被使用時，改變膜偏轉(zhuǎn)進入泵室中的程度可導(dǎo)致多個泵室中不同的效率。在多個泵室間效率的變動可導(dǎo)致多個噴嘴之間流體小滴噴射的尺寸和速度的不同，其可能導(dǎo)致錯誤的流體小滴尺寸或在介質(zhì)上的定位。通過減輕或防止粘接劑帶來的膜的偏轉(zhuǎn)，上述的凹槽可改善流體小滴噴射特性的一致性，所述流體小滴噴射特性諸如流體小滴尺寸和速度。 在芯片上驅(qū)動器之間的一致性由此被改善，這可減少流體小滴定位錯誤的可能性。在說明書和權(quán)利要求書中使用的諸如“前”，“后”，“頂部”，“底部”的術(shù)語僅為圖示的目的，以區(qū)別流體小滴噴射裝置的不同構(gòu)件以及此處描述的其他元件?！扒啊?，“后”，“頂部”，“底部”的使用不暗示流體小滴噴射裝置、基底、芯片或任何其他此處描述的構(gòu)件的特定取向。多個本發(fā)明的實施例已經(jīng)被描述。但是，將被理解的是可進行不同的改動而不背離本發(fā)明的精神和范圍。舉例來說，膜中的凹槽可具有任意為粘接劑提供流動或儲存空間的形狀或輪廓。相應(yīng)地，其他的實施例落在所附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種裝置，包括 具有膜表面的膜； 形成在所述膜表面中的凹槽；具有被設(shè)置為和所述膜表面基本平行的換能器表面的換能器；將所述膜表面連接到所述換能器表面的粘接劑，所述粘接劑至少部分地填充所述凹
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述換能器包括壓電材料。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述壓電材料包括鋯鈦酸鉛。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述凹槽的寬度在約20微米至約60微米之間。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括多個形成在所述膜表面中的凹槽。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述凹槽的間距在約50微米至約70微米之間。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中凹槽之間的間隔在約15微米至約25微米之間。
8.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述凹槽的深度基本彼此相等。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述凹槽的深度在約0.1微米至約2. 0微米之間。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述凹槽基本被所述粘接劑填充。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述粘接劑包括苯并環(huán)丁烯。
12.一種方法，包括將換能器的換能器表面設(shè)置為和膜的膜表面基本平行，所述換能器表面面對所述膜表面，且所述膜表面包括凹槽；將粘接劑施加在所述換能器表面或所述膜表面或兩者； 將所述換能器表面壓靠所述膜表面；且允許至少一些所述粘接劑在所述凹槽中流動且至少部分地填充所述凹槽。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述換能器包括壓電材料。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述壓電材料包括鋯鈦酸鉛。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述粘接劑包括苯并環(huán)丁烯。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述凹槽基本被粘接劑填充。
全文摘要
公開了一種在硅基底上接合的方法及裝置。裝置包括具有膜表面的膜、膜表面上的凹槽、具有和膜表面基本平行的換能器表面的換能器、和將膜表面連接在換能器表面上的粘接劑。該凹槽可被設(shè)置為允許粘接劑流入且流經(jīng)凹槽，而同時最小化可由凹槽的不完全填充引起的空洞或氣隙。多個凹槽可被形成在膜表面上且具有一致的深度。
文檔編號H01L41/053GK102165574SQ200980137309
公開日2011年8月24日 申請日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月18日
發(fā)明者克里斯托弗·門澤爾, 格雷戈里·黛布拉班德, 科琳娜·尼斯托利卡 申請人:富士膠卷迪馬蒂克斯股份有限公司