專利名稱：多處氣體饋送裝置與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例提供用于將處理氣體饋送至基材上多處的裝置與方法。
背景技術(shù)：
隨著對(duì)較大太陽(yáng)能板與平面顯示器需求的持續(xù)增加，故基材以及用于處理基材的腔室的大小亦須增加。一種用于將材料沉積至太陽(yáng)能板或平面顯示器的基材上的方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 在等離子體輔助化學(xué)氣相沉積中，處理氣體通常經(jīng)由中央氣體饋送口引導(dǎo)至處理腔室中的噴氣頭各處。處理氣體擴(kuò)散通過(guò)噴氣頭，并藉由施加至噴氣頭的RF電流引燃成等離子體。等離子體籠罩設(shè)置在腔室的處理區(qū)中基材，并于基材的表面上沉積薄膜。隨著基材大小的增加， 設(shè)置在基材上的膜的均勻性變得愈趨困難。因此，現(xiàn)有技術(shù)仍需開(kāi)發(fā)用于改善噴氣頭表面各處處理氣體的均勻性的裝置與方法。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種處理設(shè)備包含噴氣頭；背板，其與該噴氣頭相鄰， 使得氣室形成在該背板與該噴氣頭之間；第一氣源，其與穿過(guò)該背板的中央?yún)^(qū)形成的開(kāi)口流體連通；以及第二氣源，其與穿過(guò)該背板的角落區(qū)形成的開(kāi)口流體連通。在另一實(shí)施例中，一種處理設(shè)備包含噴氣頭；背板，其與該噴氣頭相鄰，使得氣室形成在該背板與該噴氣頭之間，其中該氣室包含中央?yún)^(qū)以及復(fù)數(shù)個(gè)角落區(qū)；第一氣源，與該氣室的中央?yún)^(qū)流體連通；第一質(zhì)流控制器，其與該第一氣源以及該氣室的中央?yún)^(qū)流體連通；第二氣源，其與該氣室的至少一角落區(qū)流體連通；以及第二質(zhì)流控制器，其與該第二氣源以及該氣室之該至少一角落區(qū)流體連通。在另一實(shí)施例中，一種處理設(shè)備包含噴氣頭；背板，其與該噴氣頭并列，使得氣室形成在該背板與該噴氣頭之間，其中該氣室包含中央?yún)^(qū)以及復(fù)數(shù)個(gè)角落區(qū)；氣源，與該氣室的中央?yún)^(qū)以及角落區(qū)流體連通；第一質(zhì)流控制器，其與該氣源以及該氣室的中央?yún)^(qū)流體連通；以及第二質(zhì)流控制器，其與該氣源以及該氣室的該些角落區(qū)的至少一者流體連通。在又一實(shí)施例中，一種用于沉積薄膜的方法包含將第一氣體混合物導(dǎo)入氣室的中央?yún)^(qū)中，該氣室形成在處理設(shè)備的背板以及噴氣頭之間；將第二氣體混合物導(dǎo)入該氣室的角落區(qū)中；以及在擴(kuò)散通過(guò)該噴氣頭前，實(shí)質(zhì)上防止該第一氣體混合物與該第二氣體混合物混合。


為了更詳細(xì)地了解本發(fā)明的上述特征，可參照實(shí)施例(某些描繪于附圖中)來(lái)理解本發(fā)明簡(jiǎn)短概述于上的特定描述。然而，需注意附圖僅描繪本發(fā)明的典型實(shí)施例而因此不被視為其的范圍的限制因素，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其它等效實(shí)施例。圖IA是可使用本發(fā)明實(shí)施例形成的單一接點(diǎn)非晶或微晶硅太陽(yáng)能電池的簡(jiǎn)化示意圖。圖IB為太陽(yáng)能電池的實(shí)施例的示意圖，其中該太陽(yáng)能電池為朝向光或太陽(yáng)能輻射定向的多接面太陽(yáng)能電池。圖2是可根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例使用的處理腔室的示意剖面視圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，處理腔室的背板的示意等角視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，處理腔室的背板的示意等角視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，處理腔室的背板的示意等角視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，背板的示意底部視圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例大致提供用于將處理氣體導(dǎo)入處理腔室中數(shù)個(gè)位置處的裝置與方法。在一個(gè)實(shí)施例中，噴氣頭的中央?yún)^(qū)以及噴氣頭的角落區(qū)供給來(lái)自中央氣源的處理氣體，中央氣源具有調(diào)控中央?yún)^(qū)中氣流的第一質(zhì)流控制器，以及調(diào)控角落區(qū)中氣流的第二質(zhì)流控制器。在另一實(shí)施例中，噴氣頭的中央?yún)^(qū)供給來(lái)自第一氣源的處理氣體，以及噴氣頭的角落區(qū)供給來(lái)自第二氣源的處理氣體。在另一實(shí)施例中，噴氣頭的中央?yún)^(qū)供給來(lái)自第一氣源的處理氣體，以及噴氣頭的每一角落區(qū)供給來(lái)自個(gè)別氣源的處理氣體。藉由獨(dú)立地將處理氣體饋送至噴氣頭的不同區(qū)域，可控制通過(guò)噴氣頭的處理氣體的比例與氣流，以提供基材表面各處改善的均勻性。本發(fā)明的部分實(shí)施例對(duì)用于太陽(yáng)能電池制造的沉積微晶硅膜有顯著效益。本發(fā)明參照處理大面積基材的化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(例如可得自加州圣塔克拉拉市應(yīng)用材料公司的等離子體輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))進(jìn)行下述說(shuō)明。然而，當(dāng)知可在其它系統(tǒng)構(gòu)造中使用該裝置與方法?？墒褂帽景l(fā)明實(shí)施例形成的太陽(yáng)能電池100示例圖示于圖1A-1B中。圖IA為可使用后述本發(fā)明實(shí)施例形成的單一接點(diǎn)太陽(yáng)能電池100的簡(jiǎn)化示意圖。如圖IA所示，單一接點(diǎn)太陽(yáng)能電池100朝向光源或太陽(yáng)能輻射101定位。太陽(yáng)能電池100 —般包含具有薄膜形成于其上的基材102，例如玻璃基材、聚合物基材、金屬基材或其它合適的基材。在一個(gè)實(shí)施例中，基材102為玻璃基材，大小約2200mnD^600mmx3mm。太陽(yáng)能電池100更包含第一透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層110(例如，氧化鋅(ZnO)、氮化錫(SnO))形成在基材102上、第一 P-I-N接面區(qū)120形成于第一 TCO層110上、第二 TCO層140形成于第一 P-I-N接面區(qū)120 上，以及背接觸層150形成于第二 TCO層140上。為了藉由提高光陷化(trapping)改善光吸收，可藉由濕式、等離子體、離子及/或機(jī)械處理選擇地織構(gòu)化(textured)基材及/或一或多個(gè)形成于其上的薄膜。舉例而言，在圖IA中所示的實(shí)施例中，第一 TCO層110經(jīng)織構(gòu)化，而后續(xù)沉積于其上的薄膜大致遵循其下方表面的地形。在一個(gè)構(gòu)造中，第一 P-I-N接面區(qū)120包含ρ型非晶硅層122、形成于ρ型非晶硅層122上的本質(zhì)型非晶硅層124以及形成于本質(zhì)型非晶硅層IM上的η型非晶硅層126。在一個(gè)示例中，ρ型非晶硅層122可形成約 60Λ至約3GG人間的厚度，本質(zhì)型非晶硅層124可形成約1，500人至約3,500人間的厚度，而 η型非晶硅層1 可形成約IOOA至約500人間的厚度。背接觸層150包含但不限于選自由 Al、Ag、Ti、Cr、Au、Cu、Pt、其合金及其組合所組成的群組的材料。圖IB為太陽(yáng)能電池100的實(shí)施例的示意圖，太陽(yáng)能電池100為朝向光或太陽(yáng)能輻射101定向的多接面太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)能電池100包含具薄膜形成于其上的基材102，例如玻璃基材、聚合物基材、金屬基材或其它合適的基材。太陽(yáng)能電池100更包含形成于基材 102上的第一透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層110、形成于第一 TCO層110上的第一 P-I-N接面區(qū) 120、形成于第一 P-I-N接面區(qū)120上的第二 P-I-N接面區(qū)130、形成于第二 P-I-N接面區(qū) 130上的第二 TCO層140、以及形成于第二 TCO層140上的背接觸層150。在圖IB所示的實(shí)施例中，第一 TCO層110經(jīng)織構(gòu)化，且后續(xù)沉積于其上的薄膜大致遵循其下方表面的地形。 第一 P-I-N接面區(qū)120可包含P型非晶硅層122、形成于ρ型非晶硅層122上的本質(zhì)型非晶硅層124以及形成于本質(zhì)型非晶硅層IM上的η型微晶硅層126。在一個(gè)示例中，ρ型非晶硅層122可形成約60人至約300人間的厚度，本質(zhì)型非晶硅層124可形成約1,500人至約 3,500人間的厚度，以及η型微晶硅層1 可形成約100人至約400人間的厚度。第二 P-I-N 接面區(qū)130包含P型微晶硅層132、形成于P型微晶硅層132上的本質(zhì)型微晶硅層134，以及形成于本質(zhì)型微晶硅層134上的η型非晶硅層136。在一個(gè)示例中，ρ型微晶硅層132可形成約IOOA至約400Λ間的厚度，本質(zhì)型微晶硅層134可形成約10,000人至約30,000Λ間的厚度，以及η型非晶硅層136可形成約100人至約50G人間的厚度。背接觸層150包含但不限于選自由Al、Ag、Ti、Cr、Au、Cu、Pt、其合金及其組合所組成的群組的材料。圖2為可根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例使用的處理腔室200的示意剖面視圖。處理腔室 200包含腔室主體202，其包圍用于將基材206支承于其上的基座204?；?06包含例如用于太陽(yáng)能面板制造、平面顯示器制造、有機(jī)發(fā)光顯示器制造等等的玻璃或聚合物基材。基材206可放在腔室主體202中橫越自氣體分配噴氣頭208開(kāi)始的處理區(qū)232的基座204上?；?06可經(jīng)由穿過(guò)腔室主體202設(shè)置的流量閥開(kāi)口 216，進(jìn)出處理腔室200。氣體分配噴氣頭208可具有面對(duì)處理區(qū)232與基材206的下游面210。氣體分配噴氣頭208亦可具有相對(duì)于下游面210設(shè)置的上游面212。復(fù)數(shù)個(gè)氣體通道214從上游面 212至下游面210延伸穿過(guò)氣體分配噴氣頭208。處理氣體可從第一氣源2 導(dǎo)入處理腔室200中。處理氣體從第一氣源2 經(jīng)由氣管230通過(guò)背板220的中央?yún)^(qū)。氣體散布在形成于背板220與氣體分配噴氣頭208的上游面212間的氣室222中。處理氣體接著擴(kuò)散通過(guò)氣體分配噴氣頭208至處理區(qū)232中。RF功率源2M在氣管230處耦接至處理腔室200。當(dāng)使用RF功率時(shí)，RF電流流經(jīng)背板220、突出部218以及氣體分配噴氣頭208的下游面210，在該處其將處理區(qū)232中的處理氣體引燃成等離子體。難以在大面積基材上沉積一致且均勻的膜。尤其是，當(dāng)在大面積多角形基材的表面上沉積膜時(shí)，角落區(qū)處通常增加了均勻性困難度。因此，在本發(fā)明之一實(shí)施例中，處理氣體經(jīng)由背板220的角落區(qū)個(gè)別導(dǎo)至噴氣頭的角落區(qū)208。圖3為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，處理腔室300的背板320的示意等角視圖。在一個(gè)實(shí)施例中，氣源3 將處理氣體供應(yīng)至處理腔室300。來(lái)自氣源3 的處理氣體可通過(guò)背板320的中央?yún)^(qū)321而供應(yīng)。經(jīng)過(guò)背板320的中央?yún)^(qū)321的處理氣體氣流可經(jīng)由質(zhì)流控制器350調(diào)控。在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自氣源328的處理氣體可通過(guò)背板320的復(fù)數(shù)個(gè)角落區(qū)322 而提供。通過(guò)背板320的角落區(qū)322的處理氣體其氣流及/或壓力，可藉由一或多個(gè)質(zhì)流控制器351調(diào)控。在一個(gè)實(shí)施例中，單一質(zhì)流控制器351調(diào)控通過(guò)角落區(qū)322的處理氣體的氣流。在另一實(shí)施例中，通過(guò)每一角落區(qū)322的處理氣體的氣流，經(jīng)由不同的質(zhì)流控制器 351調(diào)控。在一個(gè)實(shí)施例中，處理氣體包含一或多個(gè)前驅(qū)物氣體。處理氣體以第一流速輸送至背板320的中央?yún)^(qū)321。另外，處理氣體以第二流速輸送至角落區(qū)322。因此，可最佳化輸送至中央?yún)^(qū)321的處理氣體流速對(duì)輸送至角落區(qū)的處理氣體流速的比例，以于設(shè)置在處理腔室300中的基材各處提供改善的沉積均勻性。在一個(gè)實(shí)施例中，處理氣體可以不同流速輸送至每一角落區(qū)322。因此，可最佳化輸送經(jīng)過(guò)中央?yún)^(qū)321的處理氣體流速對(duì)輸送經(jīng)過(guò)每一角落區(qū)322的處理氣體流速的比例， 以于設(shè)置在處理腔室300中的基材各處提供改善的沉積均勻性。雖然角落區(qū)322描繪成在背板320的角落處，一或多個(gè)角落區(qū)322亦可沿著背板 320的邊緣延伸。如此一來(lái)，亦可最佳化至邊緣區(qū)的處理氣流，以處理腔室壁的不對(duì)稱，例如
流量閥開(kāi)口。圖4為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，處理腔室400的背板420的示意等角視圖。在一個(gè)實(shí)施例中，處理氣體可經(jīng)由復(fù)數(shù)個(gè)氣源供應(yīng)至處理腔室400。來(lái)自第一氣源的處理氣體 428可通過(guò)背板420的中央?yún)^(qū)421而供應(yīng)。通過(guò)背板420的中央?yún)^(qū)421的處理氣體其氣流及/或壓力可經(jīng)由質(zhì)流控制器450調(diào)控。在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自第二氣源429的處理氣體可通過(guò)背板420的復(fù)數(shù)個(gè)角落區(qū) 422而供應(yīng)。通過(guò)背板420的角落區(qū)422的處理氣體其氣流及/或壓力，可藉由一或多個(gè)質(zhì)流控制器451來(lái)調(diào)控。在一個(gè)實(shí)施例中，單一質(zhì)流控制器451調(diào)控通過(guò)角落區(qū)422的處理氣體的氣流及/或壓力。在另一實(shí)施例中，通過(guò)每一角落區(qū)422的處理氣體的氣流及/或壓力經(jīng)由不同的質(zhì)流控制器451調(diào)控。在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自第一氣源4 處理氣體包含一或多個(gè)前驅(qū)物氣體，而來(lái)自第二氣源429的處理氣體包含一或多個(gè)前驅(qū)物氣體。在一個(gè)實(shí)施例中，第一處理氣體混合物由第一氣源4 提供，而第二處理氣體混合物則由第二氣源4 提供。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，微晶硅層沉積在基材上，例如如在圖IB中所示的本質(zhì)型微晶硅層134。在一個(gè)實(shí)施例中，第一處理氣體混合物包含在約1 90至約1 110間的硅基氣體對(duì)氫氣比例，例如約1 100。在一個(gè)實(shí)施例中，第二處理氣體混合物包含在約 1 115至約1 125間的硅基氣體對(duì)氫氣比例，例如約1 120。因此，可最佳化處理氣體中前驅(qū)物氣體的比例，以在設(shè)置在處理腔室400中的基材各處提供改善的沉積均勻性。在另一實(shí)施例中，處理腔室400可用來(lái)將非晶硅層與微晶層兩者沉積于相同基材上，以形成太陽(yáng)能電池，例如圖IB中所圖示的太陽(yáng)能電池100。舉例而言，來(lái)自第一氣源428 處理氣體可通過(guò)背板420的中央?yún)^(qū)421而供應(yīng)，以在一個(gè)處理步驟中，形成設(shè)置在處理腔室 400中的基材上的非晶硅層，例如形成圖IB中所圖示的太陽(yáng)能電池100的本質(zhì)型非晶硅層 124。之后，來(lái)自第二氣源429的處理氣體可通過(guò)背板420的復(fù)數(shù)個(gè)角落區(qū)422而供應(yīng)，以形成設(shè)置在處理腔室400中的基材上的微晶硅層，例如形成于圖IB中所示的本質(zhì)型微晶硅層 1340在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自第一氣源的第一處理氣體可以第一流速輸送至背板420的中央?yún)^(qū)421。另外，第二處理氣體可以第二流速輸送至角落區(qū)422。因此，可最佳化輸送至中央?yún)^(qū)421的處理氣體流速對(duì)輸送至角落區(qū)的處理氣體流速的比例，以在設(shè)置在處理腔室 400中的基材各處提供改善的沉積均勻性。在一個(gè)實(shí)施例中，處理氣體可以不同流速輸送至每一角落區(qū)422。因此，可最佳化輸送經(jīng)過(guò)中央?yún)^(qū)421的處理氣體流速對(duì)輸送經(jīng)過(guò)每一角落區(qū)422的處理氣體流速的比例， 以在設(shè)置在處理腔室400中的基材各處提供改善的沉積均勻性。雖然角落區(qū)422描繪成在背板420的角落處，一或多個(gè)角落區(qū)422亦可沿著背板 420的邊緣延伸。如此一來(lái)，亦可最佳化至邊緣區(qū)的處理氣流，以處理腔室壁的不對(duì)稱，例如
流量閥開(kāi)口。圖5為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，處理腔室500的背板520的示意等角視圖。在一個(gè)實(shí)施例中，處理氣體可經(jīng)由復(fù)數(shù)個(gè)氣源供應(yīng)至處理腔室500。來(lái)自第一氣源的處理氣體 528可通過(guò)背板520的中央?yún)^(qū)521而供應(yīng)。通過(guò)背板520的中央?yún)^(qū)521的處理氣體其氣流及/或壓力可經(jīng)由質(zhì)流控制器551調(diào)控。在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自第二氣源5 的處理氣體可通過(guò)背板520的第一角落區(qū)522 而供應(yīng)。來(lái)自第三氣源541的處理氣體可通過(guò)背板520的第二角落區(qū)523而供應(yīng)。來(lái)自第四氣源542的處理氣體可通過(guò)背板520的第三角落區(qū)5 而供應(yīng)。來(lái)自第五氣源543的處理氣體可通過(guò)背板520的第四角落區(qū)525而供應(yīng)。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)背板520的第一角落區(qū)522、第二角落區(qū)523、第三角落區(qū) 524以及第四角落區(qū)525的處理氣體其氣流及/或壓力各可藉由質(zhì)流控制器551來(lái)調(diào)控。在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自每一氣源528、529、M1、M2以及M3的處理氣體包含一或多個(gè)前驅(qū)物氣體。在一個(gè)實(shí)施例中，不同的處理氣體混合物則是自每一個(gè)不同的氣源528、 529、541、542 以及 543 供應(yīng)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，微晶硅層沉積在基材上，例如在圖IB中所示的本質(zhì)型微晶硅層134。在一個(gè)實(shí)施例中，第一處理氣體混合物藉由第一氣源5 供應(yīng)，并包含在約 1 90至約1 110間的硅基氣體對(duì)氫氣比例，例如約1 100。在一個(gè)實(shí)施例中，第二、 第三、第四以及第五處理氣體混合物分別藉由第二氣源529、第三氣源Ml、第四氣源542 以及第五氣源543供應(yīng)。在一個(gè)實(shí)施例中，第二、第三、第四以及第五氣體混合物各包含約 1 115至約1 125間的硅基氣體對(duì)氫氣比例。舉例而言，第二、第三、第四以及第五氣體混合物分別包含1 116、1 118,1 122以及1 IM的硅基氣體對(duì)氫基氣體比例。因此，可最佳化處理氣體中的前驅(qū)物氣體比例，以于設(shè)置在處理腔室500中的基材各處提供改善的沉積均勻性。在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自第一氣源的第一處理氣體以第一流速輸送至背板520的中央?yún)^(qū)521。另外，第二、第三、第四以及第五處理氣體以第二流速輸送至角落區(qū)522、523、524 以及525。因此，可最佳化供應(yīng)至中央?yún)^(qū)521的處理氣體流速對(duì)供應(yīng)至角落區(qū)522、523、5M 以及525的處理氣體流速的比例，以于設(shè)置在處理腔室500中的基材各處提供改善的沉積均勻性。在一個(gè)實(shí)施例中，處理氣體可以不同的流速輸送至各個(gè)角落區(qū)522、523、5M與 525。因此，可最佳化通過(guò)中央?yún)^(qū)521的處理氣體流速對(duì)通過(guò)每一角落區(qū)522、523、5M與525 的處理氣體流速的比例，以在設(shè)置在處理腔室500中的基材各處提供改善的沉積均勻性。雖然角落區(qū)522、523、524與525描繪成在背板520的角落處，一或多個(gè)角落區(qū)522,523,524與525亦可沿背板520的邊緣延伸。如此一來(lái)，亦可最佳化至邊緣區(qū)的處理氣流，以處理腔室壁的不對(duì)稱，例如流量閥開(kāi)口。圖6為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，背板620的示意底部視圖。背板620具有穿過(guò)中央?yún)^(qū)621中的背板而形成的中央開(kāi)口 660。中央開(kāi)口 660耦接至氣體供應(yīng)器，例如氣源328、 4 或528。另外，背板620具有穿過(guò)每一角落區(qū)622中的背板而形成的角落開(kāi)口 665。在一個(gè)實(shí)施例中，每一角落開(kāi)口 665耦接至單一氣體供應(yīng)器，例如氣源3 或429。在一個(gè)實(shí)施例中，每一角落開(kāi)口 665耦接至不同的氣體供應(yīng)器，例如氣源529、M1、542與M3。如前述，此構(gòu)造能將不同于角落區(qū)622的氣體混合物導(dǎo)入中央?yún)^(qū)621中。另外，此構(gòu)造能使氣體混合物以不同于角落區(qū)622的流速及/或壓力導(dǎo)入中央?yún)^(qū)621中。在一個(gè)實(shí)施例中，阻障件670提供在中央?yún)^(qū)621與每一角落區(qū)622之間，以在背板 620與設(shè)置于其下的噴氣頭間的每一個(gè)別區(qū)域中，提供個(gè)別的氣室。在一個(gè)實(shí)施例中，阻障件670貼附至背板620，并朝向坐落在背板620下的噴氣頭延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，阻障件 670貼附至坐落在背板620下的噴氣頭或與其接觸。在另一實(shí)施例中，阻障件670的延伸恰短于坐落在背板620下的噴氣頭。這些構(gòu)造確保提供至角落區(qū)622中的氣體混合物擴(kuò)散通過(guò)坐落在背板620下的噴氣頭，而不與提供至中央?yún)^(qū)621中的氣體混合物顯著混合。因此， 輸送至角落區(qū)621的所需氣體混合物控制了設(shè)置在噴氣頭下的基材角落區(qū)的沉積，進(jìn)而改善基材表面各處沉積均勻性以及控制。在所述與圖3、4與5相關(guān)的實(shí)施例中，自氣源328、428、429、528、529、541、542、 543與544供應(yīng)的氣體混合物乃以硅基氣體與氫氣的混合物呈現(xiàn)。于該些實(shí)施例中，硅基氣體包含單硅烷(SHl4)、二硅烷(Si2H6)、二氯硅烷(SHl2Cl2)、四氟化硅(SiF4)、四氯化硅 (SiCl4)等。另外，氣體混合物包含額外的氣體，例如載氣或摻雜劑。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體混合物包含硅基氣體、氫氣以及P型摻雜劑或η型摻雜劑。合適的ρ型摻雜劑包括含硼源， 例如三甲基硼(TMB(或B(CH3)3))、二硼烷(Β2Η6)、三氟化硼(BF3)等。合適的η型摻雜劑包括含磷源，例如膦(phosphine)與類似的化合物。于其它實(shí)施例中，氣體混合物包含在處理腔室中設(shè)置的基材上沉積所需膜所必需的其它氣體。盡管上文關(guān)于本發(fā)明的特定實(shí)施例，但可設(shè)想出本發(fā)明其它或進(jìn)一步的實(shí)施例， 而不背離其基本范圍，其范圍如權(quán)利要求的范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種處理設(shè)備，其包含 噴氣頭；背板，其與所述噴氣頭相鄰，使得氣室形成在所述背板與所述噴氣頭之間； 第一氣源，其與穿過(guò)所述背板的中央?yún)^(qū)形成的開(kāi)口流體連通；以及第二氣源，其與穿過(guò)所述背板的角落區(qū)形成的開(kāi)口流體連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理設(shè)備，還包含第一質(zhì)流控制器，其與所述第一氣源流體連通，以控制通過(guò)所述穿過(guò)背板的中央?yún)^(qū)所形成的開(kāi)口的氣流，其中，所述第二氣源與穿過(guò)所述背板的每一角落區(qū)形成的開(kāi)口流體連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理設(shè)備，還包含第二質(zhì)流控制器，其與所述第二氣源流體連通，以控制通過(guò)所述穿過(guò)背板的每一角落區(qū)所形成的開(kāi)口的氣流。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理設(shè)備，還包含復(fù)數(shù)個(gè)第二質(zhì)流控制器，其中，每一第二質(zhì)流控制器與所述第二氣源流體連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理設(shè)備，還包含阻障件，其設(shè)置在所述氣室的中央?yún)^(qū)以及所述氣室的每一角落區(qū)之間，其中，每一阻障件貼附至所述背板。
6.一種處理設(shè)備，其包含 噴氣頭；背板，其與所述噴氣頭相鄰，使得氣室形成在所述背板與所述噴氣頭之間，其中，所述氣室包含中央?yún)^(qū)以及復(fù)數(shù)個(gè)角落區(qū)，并且其中，阻障件設(shè)置在所述氣室的中央?yún)^(qū)以及所述氣室的每一角落區(qū)之間；第一氣源，其與所述氣室的中央?yún)^(qū)流體連通；第一質(zhì)流控制器，其與所述第一氣源以及所述氣室的中央?yún)^(qū)流體連通；第二氣源，其與所述氣室的至少一個(gè)角落區(qū)流體連通；以及第二質(zhì)流控制器，其與所述第二氣源以及所述氣室的至少一個(gè)角落區(qū)流體連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理設(shè)備，還包含復(fù)數(shù)個(gè)質(zhì)流控制器，其中，所述氣室的每一角落區(qū)具有與之流體連通的第二質(zhì)流控制器。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理設(shè)備，還包含復(fù)數(shù)個(gè)第二氣源，其中，所述氣室的每一角落區(qū)具有與之連通的第二氣源。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的處理設(shè)備，還包含復(fù)數(shù)個(gè)質(zhì)流控制器，其中，所述氣室的每一角落區(qū)具有與之流體連通的第二質(zhì)流控制器。
10.一種處理設(shè)備，其包含 噴氣頭；背板，其與所述噴氣頭并列，使得氣室形成在所述背板與所述噴氣頭之間； 阻障件，其貼附至所述背板，并設(shè)置在所述氣室的中央?yún)^(qū)以及所述氣室的每一角落區(qū)之間；氣源，其與所述氣室的中央?yún)^(qū)以及角落區(qū)流體連通； 第一質(zhì)流控制器，其與所述氣源以及所述氣室的中央?yún)^(qū)流體連通；以及第二質(zhì)流控制器，其與所述氣源以及所述氣室的角落區(qū)的至少一者流體連通。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的處理設(shè)備，其中，所述第二質(zhì)流控制器與所述氣室的角落區(qū)中的每一者流體連通。
12.根據(jù)權(quán)利要求10項(xiàng)所述的處理設(shè)備，還包含復(fù)數(shù)個(gè)第二質(zhì)流控制器，其中，所述氣室的每一角落區(qū)與所述第二質(zhì)流控制器中的一者流體連通。
13.一種用于沉積薄膜的方法，其包含將第一氣體混合物導(dǎo)入氣室的中央?yún)^(qū)中，所述氣室形成在處理設(shè)備的背板以及處理設(shè)備的噴氣頭之間；將第二氣體混合物導(dǎo)入所述氣室的角落區(qū)中；以及在擴(kuò)散通過(guò)所述噴氣頭前，實(shí)質(zhì)上防止所述第一氣體混合物與所述第二氣體混合物混I=I O
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第二氣體混合物導(dǎo)入所述氣室的每一角落區(qū)中。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包含將第三氣體混合物導(dǎo)入所述氣室的第二角落區(qū)中。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例大致提供用于將處理氣體導(dǎo)入處理腔室中數(shù)個(gè)位置處的裝置與方法。在一個(gè)實(shí)施例中，噴氣頭的中央?yún)^(qū)以及噴氣頭的角落區(qū)供給來(lái)自中央氣源的處理氣體，中央氣源具有調(diào)控中央?yún)^(qū)中氣流的第一質(zhì)流控制器，以及調(diào)控角落區(qū)中氣流的第二質(zhì)流控制器。在另一實(shí)施例中，噴氣頭的中央?yún)^(qū)供給來(lái)自第一氣源的處理氣體，以及噴氣頭的角落區(qū)供給來(lái)自第二氣源的處理氣體。在另一實(shí)施例中，噴氣頭的中央?yún)^(qū)供給來(lái)自第一氣源的處理氣體，以及噴氣頭的每一角落區(qū)供給來(lái)自個(gè)別氣源的處理氣體。
文檔編號(hào)H01L21/205GK102197458SQ200980142491
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2009年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月24日
發(fā)明者崔倫, 布賴恩·西-元·施赫, 湯姆·K·周, 艾倫·曹 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司