專利名稱：基于硅基微環(huán)諧振腔的電控寬帶光子射頻移相器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種光纖通信技術(shù)領(lǐng)域的裝置，具體是一種基于硅基微環(huán)諧振腔 的電控寬帶光子射頻移相器。
背景技術(shù)：
射頻移相器在相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)和波束形成網(wǎng)絡(luò)中有著重要的應(yīng)用價(jià)值。傳統(tǒng)的 射頻移相器主要采用開關(guān)線以及微波集成電路等技術(shù)，具有工作頻率低、體積大、相移調(diào)節(jié) 慢，以及復(fù)雜度高等缺點(diǎn)。近來利用光纖和其它低成本的光學(xué)器件，在光域?qū)ι漕l信號(hào)進(jìn)行 相位控制，設(shè)計(jì)光子射頻移相器則得到了越來越廣泛的重視。相比較于傳統(tǒng)的電子方案，光 子射頻移相器具有信號(hào)處理速度快、帶寬大、精度高、相移范圍大、不受電磁干擾、移相的數(shù) 值精確、傳輸損耗低等優(yōu)點(diǎn)，而且由于器件的體積和重量與微波器件相比可以大大減小，可 用于多天線陣列的相位控制系統(tǒng)中。因此，可調(diào)光子寬帶射頻移相器是未來快速移相器發(fā) 展的方向，受到越來越多的重視與研究。但現(xiàn)有的光子射頻移相器一般面臨著器件體積大、 難于集成、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、移相范圍小、反應(yīng)速度慢等問題。經(jīng)對(duì)現(xiàn)有的技術(shù)文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，《IEEE Photonics technology letter》(《IEEE 光技術(shù)快報(bào)》)2006 年第 18 卷的文章“Broad-band RF photonic phase shifter based on stimulatedBrillouin scattering and single-sideband modulation ( ■于受■布里^|| 散射和單邊帶調(diào)制的寬帶射頻光子移相器)”一文中，提出了一種采用受激布里淵散射效應(yīng) 設(shè)計(jì)光子射頻移相器的產(chǎn)生裝置。該裝置通過激光器連接單邊帶調(diào)制器，再連接5. 4公里 長(zhǎng)的色散位移光纖來實(shí)現(xiàn)。但這個(gè)裝置需要應(yīng)用多個(gè)分離的器件，移相器結(jié)構(gòu)復(fù)雜，且需要 5. 4公里長(zhǎng)的光纖實(shí)現(xiàn)受激布里淵散射效應(yīng)，不利于系統(tǒng)的集成化，因此限制了它的應(yīng)用。又經(jīng)檢索發(fā)現(xiàn)，《IEEEPhotonics technology letter》(《IEEE 光技術(shù)快報(bào)》)2009 年第 21 卷的文章"A Tunable Broadband Photonic RF Phase Shifter Based on a Silicon MicroringResonatoH基于硅基微環(huán)諧振腔的可調(diào)寬帶光子射頻移相器)” 一文 中，提出了一種利用硅基微環(huán)的非線性熱效應(yīng)實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)移相的裝置。該裝置通過激光 器連接調(diào)制器，再連接硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)，同時(shí)需要另一個(gè)激光器連接硅基微環(huán)諧振腔 系統(tǒng)，通過該激光器輸入光強(qiáng)來控制移相范圍。但該移相器移相范圍小于360度，同時(shí)由于 采用泵浦光功率控制移相，因此需要額外的激光器提供泵浦光，花費(fèi)大，反應(yīng)速度慢，不易 于監(jiān)測(cè)控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提出了 一種基于硅基微環(huán)諧振腔的 電控寬帶光子射頻移相器。本發(fā)明通過外加電壓注入載流子，移動(dòng)硅基微環(huán)諧振腔的諧振 峰，從而可以靈活地實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)的相移，具有器件體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于集成，移相范圍 大，寬帶可操作，電壓移相反應(yīng)速度快，易于監(jiān)測(cè)控制及成本低廉等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明包括載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)、硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)、電壓源和測(cè)量 系統(tǒng)，其中載波抑制光雙邊帶系統(tǒng)與硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的光輸入端相連傳輸載波抑制 光雙邊帶信號(hào)，電壓源與硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的電輸入端相連傳輸連續(xù)可調(diào)的控制電壓信 號(hào)，硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的光輸出端與測(cè)量系統(tǒng)的輸入端相連傳輸經(jīng)過移相后的光雙邊帶信號(hào)。所述的載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)包括一個(gè)可調(diào)激光器、一個(gè)射頻信號(hào)發(fā)生器、 一個(gè)馬赫曾德調(diào)制器和一個(gè)光放大器，其中可調(diào)激光器的輸出端與馬赫曾德調(diào)制器的光 輸入端口相連傳輸連續(xù)的激光，射頻信號(hào)發(fā)生器的輸出端口與馬赫曾德調(diào)制器的射頻輸入 端口相連傳輸高頻電信號(hào)，馬赫曾德調(diào)制器的光輸出端口與光放大器的輸入端口相連傳輸 產(chǎn)生的載波抑制光雙邊帶信號(hào)，光放大器的輸出端口與硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)相連傳輸經(jīng)過 放大的載波抑制光雙邊帶信號(hào)。所述的硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)包括硅基微環(huán)諧振腔和微波探針，其中微波探針 的輸入端與電壓源的輸出端口相連傳輸控制電信號(hào)，微波探針的輸出端與硅基微環(huán)諧振腔 相連以改變硅基微環(huán)諧振腔的諧振波長(zhǎng)，硅基微環(huán)諧振腔與載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)相 連傳輸載波抑制光雙邊帶信號(hào)。所述的硅基微環(huán)諧振腔包括電極、硅基雙環(huán)和直波導(dǎo)，其中電極設(shè)置在硅基雙 環(huán)的P+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域以加載正負(fù)電壓，硅基雙環(huán)和直波導(dǎo)之間的空氣間隔為幾 十納米至幾百納米。所述的硅基雙環(huán)包括兩個(gè)半徑相同的硅基微環(huán)，其中這兩個(gè)硅基微環(huán)之間的 空氣間隔為幾十至幾百納米。所述的硅基微環(huán)諧振腔的作用一是要保證硅基雙環(huán)之間的耦合系數(shù)足夠大，以 滿足諧振峰不分裂的條件，這樣硅基微環(huán)諧振腔在諧振處附件只有一個(gè)谷點(diǎn)，且谷點(diǎn)兩側(cè) 具有約為4 ji的相位差，二是要滿足諧振峰深度不要過深，一般不超過5dB，以使移相過程 中信號(hào)幅度不會(huì)變化過大。所述的測(cè)量系統(tǒng)包括一個(gè)光放大器，一個(gè)可調(diào)窄帶濾波器，一個(gè)光檢測(cè)器(PD) 和一個(gè)示波器，其中硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的輸出端與光放大器的輸入端相連傳輸經(jīng)過移 相的載波抑制光雙邊帶信號(hào)，光放大器的輸出端與可調(diào)窄帶濾波器的輸入端相連傳輸放大 后的經(jīng)過移相的載波抑制光雙邊帶信號(hào)，可調(diào)窄帶濾波器的輸出端與光檢測(cè)器的光輸入端 相連傳輸濾波后的載波抑制光雙邊帶信號(hào)，光檢測(cè)器的輸出端與示波器的輸入端口相連傳 輸檢測(cè)數(shù)據(jù)。所述的可調(diào)窄帶濾波器的3dB帶寬在0. 3nm-0. 8nm的范圍內(nèi)，其用于濾除光放大 器引入的噪聲。所述的光檢測(cè)器的帶寬大于雙邊帶之間的頻率間隔，其用于對(duì)雙邊帶進(jìn)行拍頻，
產(chǎn)生射頻信號(hào)。所述的電壓源用于產(chǎn)生連續(xù)可調(diào)的電壓，其輸出通過微波探針加載到硅基雙環(huán) 上，從而移動(dòng)硅基微環(huán)諧振腔的諧振峰進(jìn)行調(diào)相。所述的馬赫曾德調(diào)制器偏置在傳輸曲線的最低點(diǎn)，進(jìn)行載波抑制調(diào)制，得到載波 抑制光雙邊帶信號(hào)，調(diào)節(jié)激光器波長(zhǎng)，使得右邊帶波長(zhǎng)位于硅基微環(huán)諧振腔的一個(gè)諧振峰左側(cè)。
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本發(fā)明的工作原理硅基微環(huán)諧振腔的傳輸光譜與它的相位具有相關(guān)性的特點(diǎn)， 硅基雙環(huán)的傳輸光譜在諧振峰兩側(cè)具有4 ji的相位差，且在諧振峰處相位為2 JI，電極注入 的載流子會(huì)改變硅的折射率，使得諧振峰發(fā)生藍(lán)移，導(dǎo)致雙邊帶信號(hào)的相位差發(fā)生改變，使 得雙邊帶信號(hào)拍頻后產(chǎn)生的射頻信號(hào)的相位改變，實(shí)現(xiàn)了移相的功能。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明使用的硅基微環(huán)諧振腔體積小， 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，硅基微環(huán)的半徑只有幾十微米，易于集成，更有利于未來大規(guī)模相控陣系統(tǒng)的應(yīng) 用。同時(shí)本移相器移相范圍可以達(dá)到接近4 Ji，移相范圍大，電壓操作移相簡(jiǎn)單，反應(yīng)速度 快，且適合寬帶操作。


圖1為本發(fā)明裝置的組成示意圖。圖2為硅基微環(huán)諧振腔的組成結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為硅基微環(huán)諧振腔傳輸譜及相移曲線。圖4為實(shí)施例仿真結(jié)果圖；其中圖(a)為馬赫曾德調(diào)制器的輸出光譜；圖(b)為不加電壓時(shí)的原始信號(hào)波 形及所加電壓為6V時(shí)發(fā)生最大相移后的波形；圖(c)為輸入電壓變化時(shí)，測(cè)得的信號(hào)相移 變化曲線。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例做詳細(xì)說明本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前 提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下 述的實(shí)施例。實(shí)施例如圖1所示，本實(shí)施例包括載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)、硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)、 一個(gè)電壓源和測(cè)量系統(tǒng)，其中載波抑制光雙邊帶系統(tǒng)與硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的光輸入端 相連傳輸載波抑制光雙邊帶信號(hào)，電壓源與硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的電輸入端相連傳輸連續(xù) 可調(diào)的控制電壓信號(hào)，硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的光輸出端與測(cè)量系統(tǒng)的輸入端相連傳輸經(jīng)過 移相后的光雙邊帶信號(hào)。所述的載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)包括一個(gè)可調(diào)激光器、一個(gè)射頻信號(hào)發(fā)生器、 一個(gè)馬赫曾德調(diào)制器和一個(gè)光放大器，其中可調(diào)激光器的輸出端與馬赫曾德調(diào)制器的光 輸入端口相連傳輸連續(xù)光，射頻信號(hào)發(fā)生器的輸出端口與馬赫曾德調(diào)制器的射頻輸入端口 相連傳輸高頻電信號(hào)，馬赫曾德調(diào)制器的光輸出端口與光放大器的輸入端口相連，光放大 器的輸出進(jìn)入硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)。所述的可調(diào)激光器的型號(hào)是TSL-210F，其用于輸出連續(xù)激光，該連續(xù)激光輸入到 馬赫曾德調(diào)制器進(jìn)行載波抑制調(diào)制以后產(chǎn)生雙邊帶，其右邊帶波長(zhǎng)位于硅基微環(huán)諧振腔的 一個(gè)諧振峰左側(cè)。所述的射頻信號(hào)發(fā)生器采用Agilent E8257D PSG，其用于輸出高速射頻正弦信 號(hào)，其輸出端口與馬赫曾德調(diào)制器的射頻輸入端口相連，用于進(jìn)行載波抑制調(diào)制，得到雙邊 帶信號(hào)，該雙邊帶信號(hào)的兩個(gè)邊帶頻率間隔為射頻信號(hào)頻率的兩倍。
所述的馬赫曾德調(diào)制器的型號(hào)是JDS-10G-MZM :21023816，其偏置在傳輸曲線的 最低點(diǎn)，進(jìn)行載波抑制調(diào)制，得到載波抑制光雙邊帶信號(hào)。所述的光放大器的型號(hào)為0FA-MW，其用于對(duì)馬赫曾德調(diào)制器輸出的載波抑制光雙 邊帶信號(hào)進(jìn)行放大。所述硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)包括硅基微環(huán)諧振腔和微波探針，其中微波探針的 輸入端與電壓源的輸出端口相連傳輸控制電信號(hào)，微波探針的輸出端與硅基微環(huán)諧振腔相 連以改變硅基微環(huán)諧振腔的諧振波長(zhǎng)，硅基微環(huán)諧振腔與載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)相連 傳輸載波抑制光雙邊帶信號(hào)。如圖2所示，所述的硅基微環(huán)諧振腔包括電極、硅基雙環(huán)和直波導(dǎo)，其中電極分 別設(shè)置在硅基雙環(huán)的p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域，直波導(dǎo)位于硅基雙環(huán)下方且與硅基雙環(huán) 的空氣間隔為90納米，硅基雙環(huán)的周長(zhǎng)是150微米。所述的硅基雙環(huán)包括兩個(gè)半徑相同的硅基微環(huán)，且兩個(gè)硅基微環(huán)之間的空氣間隔 為80納米。硅基微環(huán)諧振腔中的光在直波導(dǎo)中傳輸，外加電壓通過微波探針加載到電極上， 通過注入載流子，載流子色散效應(yīng)使得硅基微環(huán)諧振腔的諧振峰移動(dòng)，硅基微環(huán)諧振腔相 應(yīng)的傳輸譜及相移曲線如圖3所示，由圖3可知在諧振峰兩側(cè)有4 ji的相位差。所述的硅基微環(huán)諧振腔的譜特性是周期性的帶阻濾波特性，在諧振波長(zhǎng)上透射率 為0或接近為0。所述的測(cè)量系統(tǒng)包括一個(gè)光放大器、一個(gè)可調(diào)窄帶濾波器、一個(gè)光檢測(cè)器和一個(gè) 示波器，其中硅基微環(huán)諧振腔的輸出端與光放大器的輸入端相連，光放大器的輸出端與可 調(diào)窄帶濾波器相連，可調(diào)窄帶濾波器的輸出端與光檢測(cè)器的光輸入端相連，光檢測(cè)器的輸 出端與示波器的輸入端口相連進(jìn)行檢測(cè)。所述的光放大器的型號(hào)為0FA-MW，其用于對(duì)移相后的載波抑制光雙邊帶信號(hào)進(jìn)行 放大。所述的可調(diào)窄帶濾波器采用紫珊-S0TMTF-FC/PC，帶寬為0. 8nm，用于濾除放大噪聲。所述的光檢測(cè)器的型號(hào)是u2t-Xpdv2150r，帶寬為50GHz，其用于對(duì)雙邊帶信號(hào)進(jìn) 行拍頻，得到移相后的射頻信號(hào)。所述的示波器型號(hào)為TDS620A，其用于記錄波形。所述的電壓源的型號(hào)是TDR 3005-3，用于產(chǎn)生電信號(hào)，其信號(hào)幅度可調(diào)，其輸出加 載到硅基微環(huán)諧振腔上。本實(shí)施例的工作過程可調(diào)激光器產(chǎn)生波長(zhǎng)為1545nm的連續(xù)光且輸出到馬赫曾 德調(diào)制器的光輸入端口 ；馬赫曾德調(diào)制器的偏置端口連接電壓源，電壓源輸出為6V，此值 為馬赫曾德調(diào)制器的傳輸曲線最低點(diǎn)；射頻信號(hào)發(fā)生器連接到馬赫曾德調(diào)制器的射頻輸入 端口，產(chǎn)生頻率為30GHz的射頻信號(hào)，峰峰值為2V ；馬赫曾德調(diào)制器的光輸出端口與光放大 器的光輸入端口相連傳輸載波抑制光雙邊帶信號(hào)；光放大器的輸出端與硅基微環(huán)諧振腔系 統(tǒng)的輸入端相連用于對(duì)輸入光進(jìn)行放大，光放大器傳輸放大后的載波抑制光雙邊帶信號(hào)； 硅基微環(huán)諧振腔的一個(gè)諧振波長(zhǎng)為1545. 45nm，3dB帶寬為0. 12nm。電壓源的輸出端與微波 探針的輸入端相連，微波探針加載到硅基微環(huán)諧振腔的電極上傳輸控制電信號(hào)，通過電極注入的載流子會(huì)改變硅的折射率，使得諧振峰發(fā)生藍(lán)移，導(dǎo)致雙邊帶信號(hào)的相位差發(fā)生改 變，使得雙邊帶信號(hào)拍頻后產(chǎn)生的射頻信號(hào)的相位改變，實(shí)現(xiàn)了移相得功能。硅基微環(huán)諧振 腔系統(tǒng)的輸出端與光放大器的輸入端相連，傳輸移相后的載波抑制光雙邊帶信號(hào)；放大器 的輸出端與可調(diào)窄帶濾波器的輸入端相連，可調(diào)窄帶濾波器帶寬為0. 8nm，用于濾除放大噪 聲；可調(diào)窄帶濾波器的輸出端連接光檢測(cè)器，光檢測(cè)器帶寬為50GHz，光檢測(cè)器用于對(duì)雙邊 帶信號(hào)進(jìn)行拍頻，得到移相后的射頻信號(hào)；光檢測(cè)器的輸出端連接到示波器的輸入端，示波 器用于記錄波形。緩慢的改變電壓源的輸出電壓，測(cè)量輸出信號(hào)的相移及波形。本實(shí)施例仿真結(jié)果示意圖如圖4所示，其中圖4(a)為馬赫曾德調(diào)制器的輸出光 譜，可以看到兩個(gè)一階邊帶信號(hào)，間隔為60GHz，其余邊帶被抑制大于40dB ；圖4(b)為不加 電壓時(shí)的原始信號(hào)波形及所加電壓為6V時(shí)發(fā)生最大相移后的波形，可以看出信號(hào)發(fā)生了 3.6^1弧度的相移，且波形沒有發(fā)生失真；圖4(c)為輸入電壓變化時(shí)，測(cè)得的信號(hào)相移變化 曲線，從圖中可以看出在電壓為6V時(shí)，獲得最大相移3. 6 Ji。本實(shí)施例所用的硅基微環(huán)諧振腔只有微米量級(jí)，易于系統(tǒng)集成，且移相范圍可達(dá) 3.6JI ,移相范圍大，電壓調(diào)節(jié)移相，監(jiān)測(cè)和控制容易。
權(quán)利要求
一種基于硅基微環(huán)諧振腔的電控寬帶光子射頻移相器，其特征在于，包括載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)、硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)、電壓源和測(cè)量系統(tǒng)，其中載波抑制光雙邊帶系統(tǒng)與硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的光輸入端相連傳輸載波抑制光雙邊帶信號(hào)，電壓源與硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的電輸入端相連傳輸連續(xù)可調(diào)的控制電壓信號(hào)，硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的光輸出端與測(cè)量系統(tǒng)的輸入端相連傳輸經(jīng)過移相后的光雙邊帶信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基微環(huán)諧振腔的電控寬帶光子射頻移相器，其特征 是，所述的載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)包括一個(gè)可調(diào)激光器、一個(gè)射頻信號(hào)發(fā)生器、一個(gè) 馬赫曾德調(diào)制器和一個(gè)光放大器，其中可調(diào)激光器的輸出端與馬赫曾德調(diào)制器的光輸入 端口相連傳輸連續(xù)的激光，射頻信號(hào)發(fā)生器的輸出端口與馬赫曾德調(diào)制器的射頻輸入端口 相連傳輸高頻電信號(hào)，馬赫曾德調(diào)制器的光輸出端口與光放大器的輸入端口相連傳輸產(chǎn)生 的載波抑制光雙邊帶信號(hào)，光放大器的輸出端口與硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)相連傳輸經(jīng)過放大 的載波抑制光雙邊帶信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基微環(huán)諧振腔的電控寬帶光子射頻移相器，其特征 是，所述的硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)包括硅基微環(huán)諧振腔和微波探針，其中微波探針的輸入 端與電壓源的輸出端口相連傳輸控制電信號(hào)，微波探針的輸出端與硅基微環(huán)諧振腔相連以 改變硅基微環(huán)諧振腔的諧振波長(zhǎng)，硅基微環(huán)諧振腔與載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)相連傳輸 載波抑制光雙邊帶信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于硅基微環(huán)諧振腔的電控寬帶光子射頻移相器，其特征 是，所述的硅基微環(huán)諧振腔包括電極、硅基雙環(huán)和直波導(dǎo)，其中電極設(shè)置在硅基雙環(huán)的 P+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域以加載正負(fù)電壓，硅基雙環(huán)和直波導(dǎo)之間的空氣間隔為幾十納 米至幾百納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于硅基微環(huán)諧振腔的電控寬帶光子射頻移相器，其特征 是，所述的硅基雙環(huán)包括兩個(gè)半徑相同的硅基微環(huán)，其中這兩個(gè)硅基微環(huán)之間的空氣間 隔為幾十至幾百納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基微環(huán)諧振腔的電控寬帶光子射頻移相器，其特征 是，所述的測(cè)量系統(tǒng)包括一個(gè)光放大器，一個(gè)可調(diào)窄帶濾波器，一個(gè)光檢測(cè)器和一個(gè)示波 器，其中硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的輸出端與光放大器的輸入端相連傳輸經(jīng)過移相的載波抑 制光雙邊帶信號(hào)，光放大器的輸出端與可調(diào)窄帶濾波器的輸入端相連傳輸放大后的經(jīng)過移 相的載波抑制光雙邊帶信號(hào)，可調(diào)窄帶濾波器的輸出端與光檢測(cè)器的光輸入端相連傳輸濾 波后的載波抑制光雙邊帶信號(hào)，光檢測(cè)器的輸出端與示波器的輸入端口相連傳輸檢測(cè)數(shù) 據(jù)。
全文摘要
一種光纖通信技術(shù)領(lǐng)域的基于硅基微環(huán)諧振腔的電控寬帶光子射頻移相器，包括載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)、硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)、電壓源和測(cè)量系統(tǒng)，所述的載波抑制光雙邊帶產(chǎn)生系統(tǒng)包括可調(diào)激光器、射頻信號(hào)發(fā)生器、馬赫曾德調(diào)制器和光放大器；所述的硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)包括硅基微環(huán)諧振腔和微波探針，其中的硅基微環(huán)諧振腔包括電極、半徑相等的兩個(gè)硅基微環(huán)和直波導(dǎo)，所述的測(cè)量系統(tǒng)包括光放大器、可調(diào)窄帶濾波器、光檢測(cè)器和示波器。本發(fā)明所用器件體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于集成，移相范圍接近4π，移相范圍大，反應(yīng)速度快，且操作簡(jiǎn)單，成本低。
文檔編號(hào)H01P1/18GK101799608SQ201010138139
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2010年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月2日
發(fā)明者葉通, 吳艷志, 張亮, 蘇翼凱 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)