專利名稱：閃存器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種閃存器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著便攜式電子設(shè)備的高速發(fā)展，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求越來(lái)越高。通常，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失性存儲(chǔ)器易于在電源斷電時(shí)丟失數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器即使在電源中斷時(shí)仍可保存數(shù)據(jù)。因此，非易失性存儲(chǔ)器成為便攜式電子設(shè)備中最主要的存儲(chǔ)部件，其已廣泛地應(yīng)用于移動(dòng)通信系統(tǒng)。和其它非易失性存儲(chǔ)器相比，由于閃存(flash memory)可以達(dá)到很高的芯片存儲(chǔ)密度，并且沒(méi)有引入新的材料，且制造工藝與CMOS工藝兼容，因此，閃存已經(jīng)成為非易失性存儲(chǔ)器件中最重要的器件。閃存器件可分為NOR型結(jié)構(gòu)和NAND型結(jié)構(gòu)，在NOR型結(jié)構(gòu)的閃存中，存儲(chǔ)單元在位線和地線之間并聯(lián)排列，在NAND型結(jié)構(gòu)的閃存中，存儲(chǔ)單元在位線和地線之間串列排列。具有串聯(lián)結(jié)構(gòu)的NAND型閃存具有較低的讀取速度，但是卻具有較高的寫入速度，從而NAND型閃存適合用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其優(yōu)點(diǎn)在于小型化。閃存器件根據(jù)存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)可分為疊置柵極型和分離柵極型，并且根據(jù)電荷存儲(chǔ)層的形狀分為浮置柵極器件和硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(S0N0Q器件。其中，SONOS型閃存器件具有比浮置柵極型閃存器件更優(yōu)的可靠性，并能夠以較低的電壓執(zhí)行編程和擦除操作，且SONOS型閃存器件具有很薄的單元，并且便于制造。詳細(xì)的，請(qǐng)參考圖IA至圖1C，其為現(xiàn)有的SONOS型閃存器件的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。參考圖IA所示，首先提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100上形成有柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁120，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層111以及位于所述柵極介電層111上的柵極電極112。其中，柵極介電層是由底部氧化層111a、氮化物層Illb和頂部氧化層Illc所組成的堆棧結(jié)構(gòu)(0N0結(jié)構(gòu))。柵極電極112的材料可以是多晶硅，所述柵極電極112可通過(guò)化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積等方法形成，為了減小所述柵極結(jié)構(gòu)的電阻率，通常在所述多晶硅中摻入雜質(zhì)離子，例如摻入硼離子。參考圖1Β，接著在半導(dǎo)體襯底100上涂覆一定厚度的光刻膠，并利用曝光和顯影工藝在所述柵極結(jié)構(gòu)上形成光刻膠層130。參考圖1C，以所述光刻膠層130和所述間隙壁120為掩膜，在所述半導(dǎo)體襯底100 中進(jìn)行一定深度的離子注入，以在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成源極140和漏極150。參考圖1D，去除柵極電極112上的光刻膠層130，以形成閃存器件。然而，由于所述柵極結(jié)構(gòu)的柵極電極112內(nèi)摻入了雜質(zhì)離子，在形成所述光刻膠層130后，所述雜質(zhì)離子經(jīng)常會(huì)從多晶硅中逃逸出來(lái)，而與所述光刻膠層130發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，影響光刻膠層130對(duì)后續(xù)注入的離子的掩蔽效果，降低了閃存器件的可靠性。并且，由于光刻膠是一種極為昂貴的化學(xué)材料，且所述光刻膠的保質(zhì)期通常只有半年左右，而一旦所述柵極結(jié)構(gòu)上的光刻膠層130是利用過(guò)期的光刻膠形成的，則所述柵極電極111內(nèi)的雜質(zhì)離子更易于與過(guò)期的光刻膠發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致半導(dǎo)體襯底100上大面積的光刻膠層130均被嚴(yán)重破壞，使得被破壞的光刻膠層無(wú)法作為后續(xù)的離子注入工序的掩膜層，直接導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢，給工藝生產(chǎn)帶來(lái)巨大的損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種閃存器件及其制造方法，該方法可解決現(xiàn)有的柵極結(jié)構(gòu)中雜質(zhì)離子與光刻膠反應(yīng)，而導(dǎo)致光刻膠層被破壞，進(jìn)而使得離子注入工序無(wú)法正常進(jìn)行，降低閃存器件的可靠性的問(wèn)題為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種閃存器件的制造方法，該方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁；在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成隔離氧化層；在所述隔離氧化層上形成光刻膠層；以所述光刻膠層和所述間隙壁為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行離子注入工藝，以在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極和漏極?？蛇x的，形成所述源極和所述漏極后，所述制造方法還包括去除所述光刻膠層的步驟。可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層以及位于所述柵極介電層上的柵極電極， 所述柵極介電層包括依次形成的底部氧化層、氮化物層和頂部氧化層，所述柵極電極的材質(zhì)為摻有雜質(zhì)離子的多晶硅?？蛇x的，所述隔離氧化層是利用氧氣等離子體處理工藝形成的?？蛇x的，所述氧氣等離子體處理工藝的溫度為200 300°C，所述氧氣等離子體處理工藝中射頻功率源的輸出功率為500 3000W，所述氧氣等離子體處理工藝中氧氣的流量為1000 9000sccm，所述氧氣等離子體處理工藝中氮?dú)獾牧髁繛?00 900sccm，所述氧氣等離子體處理工藝的通射頻的時(shí)間為5 50sec，所述氧氣等離子體處理工藝中反應(yīng)室內(nèi)的壓力為300 IOOOmT?？蛇x的，所述隔離氧化層的厚度為10 100人。本發(fā)明還提供一種閃存器件，所述閃存器件包括形成在半導(dǎo)體襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁；位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部的隔離氧化層；形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)并位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源極和漏極。可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層以及位于所述柵極介電層上的柵極電極， 所述柵極介電層包括依次形成的底部氧化層、氮化物層和頂部氧化層，所述柵極電極的材質(zhì)為摻有雜質(zhì)離子的多晶硅?？蛇x的，所述隔離氧化層是利用氧氣等離子體處理工藝形成的。可選的，所述氧氣等離子體處理工藝的溫度為200 300°C，所述氧氣等離子體處理工藝中射頻功率源的輸出功率為500 3000W，所述氧氣等離子體處理工藝中氧氣的流量為1000 9000sccm，所述氧氣等離子體處理工藝中氮?dú)獾牧髁繛?00 900sccm，所述氧氣等離子體處理工藝的通射頻的時(shí)間為5 50sec，所述氧氣等離子體處理工藝中反應(yīng)室內(nèi)的壓力為300 IOOOmT?？蛇x的，所述隔離氧化層的厚度為10~100人。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的制造方法包括在柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成隔離氧化層的步驟，所述隔離氧化層可隔離所述柵極結(jié)構(gòu)與后續(xù)形成的光刻膠層，避免柵極結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)離子與光刻膠反應(yīng)而破壞所述光刻膠層，確保光刻膠層的掩蔽效果，提高閃存器件的可靠性。


圖IA ID為現(xiàn)有的閃存器件的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的閃存器件的制造方法的流程圖；圖3A 3E為本發(fā)明實(shí)施例提供的閃存器件的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式在背景技術(shù)中已經(jīng)提及，由于現(xiàn)有的閃存器件的柵極電極內(nèi)摻入了雜質(zhì)離子，在形成光刻膠層后，這些雜質(zhì)離子經(jīng)常會(huì)從柵極電極中逃逸出來(lái)，而與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)， 影響光刻膠層對(duì)后續(xù)注入的離子的掩蔽效果，降低閃存器件的可靠性。尤其是對(duì)于已經(jīng)過(guò)期的光刻膠，柵極電極內(nèi)的雜質(zhì)離子更易于與其發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致半導(dǎo)體襯底上大面積的光刻膠層均被嚴(yán)重破壞，使得被破壞的光刻膠層無(wú)法作為后續(xù)的離子注入工序的掩膜層，直接導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢，給工藝生產(chǎn)帶來(lái)巨大的損失。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種閃存器件及其制造方法，所述閃存器件在柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成了隔離氧化層，所述隔離氧化層可隔離所述柵極結(jié)構(gòu)與光刻膠層，解決了現(xiàn)有的柵極結(jié)構(gòu)中雜質(zhì)離子與所述光刻膠層反應(yīng)，而導(dǎo)致光刻膠層被破壞，降低閃存器件的可靠性，甚至導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢的問(wèn)題。請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明實(shí)施例提供的閃存器件的制造方法的流程圖，結(jié)合所述圖，所述方法包括如下步驟步驟21，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁；步驟22，在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成隔離氧化層；步驟23，在所述隔離氧化層上形成光刻膠層；步驟24，以所述光刻膠層和所述間隙壁為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行離子注入工藝，以在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極和漏極。本發(fā)明還提供一種閃存器件，所述閃存器件包括形成在半導(dǎo)體襯底上的柵極結(jié)構(gòu)、位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁、位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部的隔離氧化層、以及形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)并位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源極和漏極。本發(fā)明通過(guò)在柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成隔離氧化層，所述隔離氧化層可隔離柵極結(jié)構(gòu)與光刻膠層，避免所述柵極結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)離子與光刻膠反應(yīng)而破壞所述光刻膠層，可確保光刻膠層的掩蔽效果，有利于提高閃存器件的可靠性。下面將結(jié)合剖面示意圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)所述理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。參照?qǐng)D3A，首先提供半導(dǎo)體襯底300，所述半導(dǎo)體襯底300上形成有柵極結(jié)構(gòu)以及位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁320，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層311以及位于所述柵極介電層311上的柵極電極312。其中，柵極介電層311是由底部氧化層311a、氮化物層311b和頂部氧化層311c所組成的堆棧結(jié)構(gòu)(0N0結(jié)構(gòu))，所述底部氧化層311a作為隧穿氧化層，所述氮化物層311b作為電荷存儲(chǔ)層，所述頂部氧化層311c作為阻擋氧化層。所述柵極電極312的材料可以是多晶硅，其可通過(guò)化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積等方法形成，為了減小柵極結(jié)構(gòu)的電阻率，通常在所述多晶硅中摻入雜質(zhì)離子，例如摻入硼
1 子。本發(fā)明的關(guān)鍵步驟是，在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成隔離氧化層360，所述隔離氧化層360可隔離所述柵極結(jié)構(gòu)與后續(xù)形成的光刻膠層，避免所述柵極結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)離子與光刻膠反應(yīng)而破壞所述光刻膠層，可確保光刻膠層的掩蔽效果，有利于提高閃存器件的可靠性。參考圖3B，可利用氧氣等離子體處理工藝在所述柵極結(jié)構(gòu)的柵極電極312的頂部形成較薄的隔離氧化層360。具體的說(shuō)，形成隔離氧化層360的工藝過(guò)程如下將所述具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底300傳送入反應(yīng)室，所述反應(yīng)室內(nèi)通常是低壓環(huán)境，并對(duì)所述半導(dǎo)體襯底300加熱升溫，將氮?dú)夂脱鯕獍匆欢ǖ谋壤ㄈ敕磻?yīng)室內(nèi)并引入電子流，利用射頻功率源產(chǎn)生射頻電場(chǎng)使電子加速，使各個(gè)電子與氣體分子發(fā)生碰撞而轉(zhuǎn)移動(dòng)能，從而使各個(gè)氣體分子發(fā)生電離產(chǎn)生等離子體。使得在所述半導(dǎo)體襯底300的高溫表面具有很多具有很強(qiáng)活性的氧氣等離子體，所述氧氣等離子體快速的與所述柵極電極312表面發(fā)生反應(yīng)，即與所述柵極電極 312表面的硅的懸掛鍵以及硅原子結(jié)合生成隔離氧化層360。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，所述隔離氧化層360的厚度為10 IOOA,由于所述隔離氧化層360非常薄，因此不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體襯底300上的其它膜層或結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響，也不會(huì)影響閃存器件的電學(xué)性能，但是卻可以有效地隔離柵極結(jié)構(gòu)與后續(xù)形成的光刻膠層，避免柵極電極312中摻入的雜質(zhì)離子與光刻膠反應(yīng)而破壞所述光刻膠層，可確保光刻膠層的掩蔽效果。當(dāng)然，本發(fā)明并不對(duì)具體的隔離氧化層厚度和工藝參數(shù)進(jìn)行限定，因?yàn)楦鶕?jù)不同閃存器件的電學(xué)性能要求，以及不同的光刻膠類型和雜質(zhì)離子的數(shù)量，需要不同厚度的隔離氧化層，相應(yīng)的需要不同的工藝條件來(lái)制作隔離氧化層。
較佳的，所述氧氣等離子體處理工藝的溫度可以為200 300°C，所述氧氣等離子體處理工藝中射頻功率源的輸出功率可以為500 3000W。所述氧氣等離子體處理工藝中氧氣的流量可以為1000 9000SCCm，所述氧氣等離子體處理工藝中氮?dú)獾牧髁靠梢詾?00 900SCCm。根據(jù)不同的隔離氧化層厚度要求，所述氧氣等離子體處理工藝的射頻功率源輸出功率的時(shí)間為5 50sec，反應(yīng)室內(nèi)的壓力為300 1000mT。當(dāng)然，所述氧氣等離子處理工藝也可以分為幾個(gè)時(shí)間階段進(jìn)行，每個(gè)階段射頻功率源的輸出功率可以不同，且每個(gè)階段的氧氣和氮?dú)饬髁恳部梢愿鶕?jù)實(shí)際情況相應(yīng)調(diào)整， 同樣，每個(gè)階段反應(yīng)室內(nèi)的壓力也可以不同，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過(guò)試驗(yàn)即可獲得經(jīng)驗(yàn)數(shù)值。本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，是利用氧氣等離子體處理工藝在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成隔離氧化層360。然而應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，在本發(fā)明的其它具體實(shí)施例中，還可以利用其它方法在柵極結(jié)構(gòu)頂部形成隔離氧化層，例如，通過(guò)原位生成水蒸氣氧化工藝，也能夠在較短的時(shí)間內(nèi)生成隔離氧化層。參考圖3C，在所半導(dǎo)體襯底300上涂覆一定厚度的光刻膠，并利用公知的曝光和顯影工藝在所述柵極結(jié)構(gòu)上形成光刻膠層330。參考圖3D，接著以光刻膠層330和間隙壁320共同掩膜，在半導(dǎo)體襯底300中進(jìn)行一定深度的離子注入，以在半導(dǎo)體襯底300內(nèi)形成源極340和漏極350，所述源極340和漏極350分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。其中，所述離子注入的深度為現(xiàn)有技術(shù)，可根據(jù)不同的注入深度要求調(diào)整離子注入的能量和劑量。形成所述源極340和漏極350的工藝為現(xiàn)有技術(shù)，在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底300的材料選用ρ型硅，對(duì)源極340和漏極350進(jìn)行N型低摻雜離子注入，注入離子如砷離子和磷離子等。參考圖3E，接下來(lái)可利用公知的方法去除所述隔離氧化層360上的光刻膠層330， 進(jìn)而形成包括半導(dǎo)體襯底300、柵極結(jié)構(gòu)、間隙壁320、隔離氧化層360、以及源極340和漏極 350的閃存器件。由于所述柵極結(jié)構(gòu)上形成了隔離氧化層360，因此柵極電極312中摻雜的雜質(zhì)離子無(wú)法從多晶硅中逃逸出來(lái)而與所述光刻膠層330發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，確保形成質(zhì)量良好的光刻膠層330，因此，所述光刻膠層330可與間隙壁320共同作為掩膜層，有利于提高閃存器件的可靠性一旦使用了過(guò)期的光刻膠形成光刻膠層，所述隔離氧化層360同樣可起到良好的隔離效果，因此即使過(guò)期的光刻膠也不會(huì)與柵極電極312中的雜質(zhì)離子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，可確保離子注入工藝的順利進(jìn)行，無(wú)需更換新的價(jià)格昂貴的光刻膠，有利于節(jié)約生產(chǎn)成本。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種閃存器件的制造方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁；在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成隔離氧化層；在所述隔離氧化層上形成光刻膠層；以所述光刻膠層和所述間隙壁為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行離子注入工藝，以在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極和漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，形成所述源極和所述漏極后，還包括去除所述光刻膠層的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層以及位于所述柵極介電層上的柵極電極。
4.如權(quán)利要求3所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述柵極介電層包括依次形成的底部氧化層、氮化物層和頂部氧化層。
5.如權(quán)利要求3所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述柵極電極的材質(zhì)為摻有雜質(zhì)離子的多晶硅。
6.如權(quán)利要求1所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述隔離氧化層是利用氧氣等離子體處理工藝形成的。
7.如權(quán)利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝的溫度為200 300°C。
8.如權(quán)利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝中射頻功率源的輸出功率為500 3000W。
9.如權(quán)利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝中氧氣的流量為1000 9000sccm。
10.如權(quán)利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝中氮?dú)獾牧髁繛?00 900sccm。
11.如權(quán)利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝的射頻功率源輸出功率的時(shí)間為5 50sec。
12.如權(quán)利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝中反應(yīng)室內(nèi)的壓力為300 IOOOmT。
13.如權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述隔離氧化層的厚度為 ο ιοοΑ。
14.一種閃存器件，包括形成在半導(dǎo)體襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁；位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部的隔離氧化層；形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)并位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源極和漏極。
15.如權(quán)利要求14所述的閃存器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層以及位于所述柵極介電層上的柵極電極。
16.如權(quán)利要求15所述的閃存器件，其特征在于，所述柵極介電層包括依次形成的底部氧化層、氮化物層和頂部氧化層。
17.如權(quán)利要求15所述的閃存器件，其特征在于，所述柵極電極的材質(zhì)為摻有雜質(zhì)離子的多晶硅。
18.如權(quán)利要求14所述的閃存器件，其特征在于，所述隔離氧化層是利用氧氣等離子體處理工藝形成的。
19.如權(quán)利要求18所述的閃存器件，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝的溫度為 200 300"C。
20.如權(quán)利要求18所述的閃存器件，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝中射頻功率源的輸出功率為500 3000W。
21.如權(quán)利要求18所述的閃存器件，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝中氧氣的流量為2000 8000sccm。
22.如權(quán)利要求18所述的閃存器件，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝中氮?dú)獾牧髁繛?00 900sccm。
23.如權(quán)利要求18所述的閃存器件，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝的通射頻的時(shí)間為5 50sec。
24.如權(quán)利要求18所述的閃存器件，其特征在于，所述氧氣等離子體處理工藝中反應(yīng)室內(nèi)的壓力為300 IOOOmT。
25.如權(quán)利要求14至M中任意一項(xiàng)所述的閃存器件，其特征在于，所述隔離氧化層的厚度為10~100人。
全文摘要
本發(fā)明揭露了一種閃存器件及其制造方法，所述制造方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁；在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部形成隔離氧化層；在所述隔離氧化層上形成光刻膠層；以所述光刻膠層和所述間隙壁為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行離子注入工藝，以在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極和漏極。所述隔離氧化層可隔離柵極結(jié)構(gòu)與光刻膠層，避免柵極結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)離子與光刻膠反應(yīng)而破壞所述光刻膠層，可確保光刻膠層的掩蔽效果，提高閃存器件的可靠性。
文檔編號(hào)H01L27/115GK102237313SQ201010164280
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月29日
發(fā)明者占瓊, 周俊, 陳薇宇 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司, 武漢新芯集成電路制造有限公司