專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，特別涉及一種焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝水平的改進以及集成電路復(fù)雜度的提高，半導(dǎo)體元器件也更容易受各種缺陷所影響，而單個元器件如晶體管或者存儲單元的失效，往往會導(dǎo)致整個集成電路的功能缺陷。常見的解決方法是在集成電路中形成一些可以熔斷的連接線，也就是熔絲 (fuse)結(jié)構(gòu)，以確保集成電路的可用性。一般而言，熔絲結(jié)構(gòu)用于連接集成電路中的冗余電路(redundancycircuit)，在電路出現(xiàn)缺陷時，將熔絲熔斷，使用冗余電路來修復(fù)或取代產(chǎn)生缺陷的電路。熔絲結(jié)構(gòu)經(jīng)常用于內(nèi)存中，在內(nèi)存芯片生產(chǎn)完成時，若其中有部分存儲單元出現(xiàn)功能問題，就可以通過熔絲結(jié)構(gòu)用冗余的存儲單元來取代，實現(xiàn)修復(fù)的目的。另外，熔絲結(jié)構(gòu)還常見于可編程電路中， 根據(jù)用戶需要，使用熔絲結(jié)構(gòu)對電路中的標(biāo)準(zhǔn)邏輯單元進行編程，用以實現(xiàn)特定的功能。中國發(fā)明專利公開第CN1979817A號公開了現(xiàn)有的一種包含焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖1，襯底100包括焊墊區(qū)101和熔絲區(qū)103，所述焊墊區(qū)101用于形成焊墊102，所述熔絲區(qū)103用于形成熔絲結(jié)構(gòu)104，在已形成有焊墊102 與熔絲結(jié)構(gòu)104的襯底100上形成保護層106，其中襯底100中形成有金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)、導(dǎo)線或是其他半導(dǎo)體元件(未圖示)。然后，進行兩次光刻工藝與兩次刻蝕工藝，其中一次光刻和刻蝕工藝包括用光刻膠保護熔絲區(qū)103、在焊墊區(qū)101的保護層106中形成開口 108、暴露出焊墊102等工藝，而另一次光刻和刻蝕工藝包括用光刻膠保護焊墊區(qū) 101、在熔絲區(qū)103的保護層106中形成開口 110、并留下部分保護層106于熔絲結(jié)構(gòu)104上以作為后續(xù)進行激光修補之用等工藝。由于形成開口 108與開口 110時，需要進行兩次光刻并采用兩道光掩模，已經(jīng)消耗了較多的時間及生產(chǎn)成本。因此，需要一種新的熔絲結(jié)構(gòu)及焊墊的制造方法，以有效解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，以降低工藝復(fù)雜度。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供襯底，所述襯底分為熔絲區(qū)和焊墊區(qū)，所述熔絲區(qū)形成有熔絲結(jié)構(gòu)，所述焊墊區(qū)形成有焊墊，所述熔絲結(jié)構(gòu)與焊墊間隔，所述熔絲結(jié)構(gòu)包括表層的第一抗刻蝕層，所述焊墊包括表層的第二抗刻蝕層；形成保護層，所述保護層覆蓋焊墊、熔絲結(jié)構(gòu)及襯底；在保護層上形成光刻膠層并進行圖形化，在所述光刻膠層中形成開口，所述開口暴露出部分焊墊位置的保護層、所述開口還暴露出熔絲結(jié)構(gòu)位置及其之外兩側(cè)部分的保護層；
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進行第一次刻蝕，直至熔絲區(qū)暴露出第一抗刻蝕層，同時焊墊區(qū)暴露出第二抗刻蝕層；進行第二次刻蝕，去除焊墊的表層的第二抗刻蝕層以及熔絲結(jié)構(gòu)表層的第一抗刻蝕層?？蛇x的，所述第一次刻蝕對保護層的刻蝕速度大于對焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)的刻蝕速度，所述第二次刻蝕對焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)的刻蝕速度大于對襯底或保護層的刻蝕速度?？蛇x的，所述第一次刻蝕采用CF4、02、CHF3和Ar的混合氣體?？蛇x的，CF4的供氣流量為780 820sccm，O2的供氣流量為8 lkccm，CHF3的供氣流量為18 22sccm，Ar的供氣流量為80 120sccm ；供氣壓力為約150mTorr?？蛇x的，所述第二次刻蝕采用Cl2與BCl3的混合氣體?？蛇x的，Cl2的供氣流量為25 3kccm，BCl3的供氣流量為35 45sCCm ；供氣壓力為約SmiTorr。
可選的，所述第一次刻蝕和第二次刻蝕采用不同的刻蝕機臺進行，所述第一次刻蝕采用刻蝕絕緣體的刻蝕機臺進行，所述第一次刻蝕采用刻蝕金屬的刻蝕機臺進行?？蛇x的，所述第一抗刻蝕層和第二抗刻蝕層采用抗反射材料。可選的，所述第一抗刻蝕和第二抗刻蝕層采用氮化鈦材料?？蛇x的，所述焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)上方覆蓋的保護層厚度相同，以使第一次刻蝕時焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)同時暴露在外。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點通過在熔絲結(jié)構(gòu)和焊墊表層分別形成第一抗刻蝕層和第二抗刻蝕層，在保護層上的光刻膠層中形成同時暴露出部分焊墊位置的保護層、以及熔絲結(jié)構(gòu)位置及其之外兩側(cè)部分的保護層的開口，即一步光刻同時形成焊墊區(qū)開口和熔絲區(qū)開口，這樣在后續(xù)的刻蝕過程中對熔絲區(qū)以及焊墊區(qū)同時進行刻蝕， 即僅采用了一次光刻而后依次進行兩次刻蝕的工藝，減少光刻次數(shù)，節(jié)省了時間和成本。在對熔絲區(qū)和焊墊區(qū)刻蝕時，利用不同刻蝕氣體對焊墊、熔絲結(jié)構(gòu)與保護層刻蝕的高選擇性，在刻蝕保護層時避免或減小對沒有光刻膠保護的焊墊或熔絲結(jié)構(gòu)的破壞，在刻蝕焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)時避免或減小對沒有光刻膠保護的保護層的破壞，從而保證整個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。


圖1是一種具有焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明具體實施例的形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的流程示意圖；圖3至8為根據(jù)本發(fā)明具體實施例的形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式在焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)的形成過程中，為了提高器件的可靠性，通常需要進行兩次光刻工藝與刻蝕工藝，一次是用光刻膠保護熔絲區(qū)，在焊墊區(qū)的保護層中形成開口，暴露出焊墊，然后剝除熔絲區(qū)的光刻膠；另一次是用光刻膠保護焊墊區(qū)，在熔絲區(qū)的保護層中形成開口，并留下部分保護層于熔絲結(jié)構(gòu)上，以作為后續(xù)進行激光修補之用，然后剝除焊墊區(qū)的光刻膠。由于需要進行兩次光刻并用到兩道光掩模，需要消耗較多的時間及生產(chǎn)成本。
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針對上述問題，本發(fā)明在旋涂光刻膠層于保護層之后，在同一掩膜板上同時形成焊墊和熔絲結(jié)構(gòu)的圖形，利用一次光刻，在光刻膠層中同時形成焊墊和熔絲結(jié)構(gòu)的圖形，利用兩種不同氣體刻蝕保護層，而后利用第二機臺刻蝕焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)，從而避免進行第二次光刻，簡化生產(chǎn)流程并減少生產(chǎn)成本。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。圖2給出根據(jù)本發(fā)明具體實施例的形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的流程示意圖，包括步驟Sl 提供襯底，所述襯底分為熔絲區(qū)和焊墊區(qū)，所述熔絲區(qū)形成有熔絲結(jié)構(gòu)， 所述焊墊區(qū)形成有焊墊，所述熔絲結(jié)構(gòu)與焊墊間隔，所述熔絲結(jié)構(gòu)包括表層的第一抗刻蝕層，所述焊墊包括表層的第二抗刻蝕層；步驟S2 形成保護層，所述保護層覆蓋焊墊、熔絲結(jié)構(gòu)及襯底；步驟S3 在保護層上形成光刻膠層并進行圖形化，在所述光刻膠層中形成開口， 所述開口暴露出部分焊墊位置的保護層、所述開口還暴露出熔絲結(jié)構(gòu)位置及其之外兩側(cè)部分的保護層；步驟S4:進行第一次刻蝕，直至熔絲區(qū)暴露出第一抗刻蝕層，同時焊墊區(qū)暴露出第二抗刻蝕層；步驟S5 進行第二次刻蝕，去除焊墊的表層的第二抗刻蝕層以及熔絲結(jié)構(gòu)表層的第一抗刻蝕層。下面結(jié)合附圖進行詳細(xì)說明，首先，執(zhí)行步驟Sl 提供襯底，所述襯底分為熔絲區(qū)和焊墊區(qū)，所述熔絲區(qū)形成有熔絲結(jié)構(gòu)，所述焊墊區(qū)形成有焊墊，所述熔絲結(jié)構(gòu)與焊墊間隔，所述熔絲結(jié)構(gòu)包括表層的第一抗刻蝕層，所述焊墊包括表層的第二抗刻蝕層。對應(yīng)地， 請參照圖3，襯底200包括焊墊區(qū)201與熔絲區(qū)203，襯底200的焊墊區(qū)201上方形成有焊墊202，襯底200的熔絲區(qū)203上方形成有熔絲結(jié)構(gòu)204。在本實施例中，所述焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204以物理氣相沉積(PVD)工藝沉積在襯底200上方。所述襯底200的材質(zhì)可以是單晶硅、多晶硅、非晶硅中的一種，所述襯底200還可以是絕緣體上硅(SOI，Silicon On Insulator)結(jié)構(gòu)或硅上外延層結(jié)構(gòu)。所述焊墊202用于將襯底內(nèi)形成的電路與外界其他接口電路相電連接，其并非熔絲結(jié)構(gòu)的一部分，在實際工藝中，焊墊會與熔絲結(jié)構(gòu)一起制造，因此本發(fā)明針對同時制造焊墊和熔絲結(jié)構(gòu)的技術(shù)進行該改進。所述焊墊202包括下層的第一導(dǎo)電層241與覆蓋第一導(dǎo)電層241的第一抗刻蝕層M2，所述熔絲結(jié)構(gòu)204包括下層的第二導(dǎo)電層211與覆蓋第二導(dǎo)電層211的第二刻蝕層212。進一步地，所述第一導(dǎo)電層Ml、第二導(dǎo)電層211采用同一層材料形成，即二者厚度相同，材料可以由銅、鋁或銅鋁合金組成，以使焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204具有良好的導(dǎo)電性能。本實施例中，第一導(dǎo)電層對1、第二導(dǎo)電層211為銅含量為的銅鋁合金。所述第一抗刻蝕層M2、第二抗刻蝕層212采用同一層材料形成，即二者厚度相同，進一步地，所述第一抗刻蝕層242和第二抗刻蝕層212可以采用抗反射材料制備，再進一步地，所述第一抗刻蝕層242和第二抗刻蝕層212可以為氮化鈦(TiN)。所述焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204的厚度為2000至12000 A,優(yōu)選為6000至10000 A； 優(yōu)選地，所述焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204的厚度均為8000 A,其中，所述第一抗刻蝕層M2占整個焊墊202厚度的1/11 1/9，優(yōu)選為1/10，所述第二抗刻蝕層212占整個熔絲結(jié)構(gòu)204 厚度的1/11 1/9，優(yōu)選為1/10。需說明的是，之所以在第二導(dǎo)電層211上覆蓋第二抗刻蝕層212，主要是為了利用保護層206的材質(zhì)與第二抗刻蝕層212之間對于特定刻蝕機臺或刻蝕氣體的刻蝕速度相差足夠大，即它們擁有較大的刻蝕選擇比，這樣可減小刻蝕保護層206時刻蝕離子對焊墊202 與熔絲結(jié)構(gòu)204的破壞，同時減小刻蝕第二抗刻蝕層212時對保護層206與襯底200的刻蝕，以防止破壞到襯底200下面的其它半導(dǎo)體元件，而且可以在一步光刻中同時形成熔絲區(qū)和焊墊區(qū)的開口圖形。執(zhí)行步驟S2 形成保護層，所述保護層覆蓋焊墊、熔絲結(jié)構(gòu)及襯底。對應(yīng)地，請參照圖4，形成保護層206，所述保護層206覆蓋焊墊202、熔絲結(jié)構(gòu)204及襯底200。所述保護層206的材料選自氧化硅、有機硅酸鹽玻璃、硼硅玻璃等，本實施例中優(yōu)選為氧化硅，其制造方法為化學(xué)氣相沉積(CVD)。所述保護層206的厚度主要取決于實際工藝中焊墊202 與熔絲結(jié)構(gòu)204的具體結(jié)構(gòu)，在本實施例中，保護層206的厚度介于5000埃到15000埃之間，優(yōu)選為8000 10000 A0執(zhí)行步驟S3 在保護層上形成光刻膠層并進行圖形化，在所述光刻膠層中形成開口，所述開口暴露出部分焊墊位置的保護層、所述開口還暴露出熔絲結(jié)構(gòu)位置及其之外兩側(cè)部分的保護層。具體請參照圖5，所述形成光刻膠層的步驟主要包括在保護層206上涂覆光刻膠(Photo Resist, PR)并進行烘烤，涂覆厚度為10納米至10000納米，烘烤溫度為 50攝氏度至250攝氏度、烘烤時間為10秒至1000秒。然后利用掩膜版對光刻膠進行曝光、顯影，即對光刻膠進行圖形化，從而形成如圖 5所示的光刻膠層220。圖形化后，所述光刻膠層220在焊墊區(qū)201和熔絲區(qū)203均形成有開口，所述焊墊區(qū)201的開口暴露出部分焊墊202位置的保護層，參照圖5，焊墊202兩端位置的部分區(qū)域Q3被光刻膠層220所保護；所述熔絲區(qū)203的開口暴露出熔絲結(jié)構(gòu)204位置Ql部分的保護層，同時，所述熔絲區(qū)203的開口還暴露出熔絲結(jié)構(gòu)204位置之外兩側(cè)部分的保護層區(qū)域Q2。執(zhí)行步驟S4 進行第一次刻蝕，直至熔絲區(qū)暴露出第一抗刻蝕層，同時焊墊區(qū)暴露出第二抗刻蝕層。具體請參照圖6，進行第一次刻蝕后，在焊墊區(qū)201形成第一開口 208， 在熔絲區(qū)203形成第二開口 210與溝槽209，所述第一開口 208暴露出第一抗刻蝕層M2， 所述第二開口 210與溝槽209暴露出第二抗刻蝕層212以及熔絲結(jié)構(gòu)204兩側(cè)之外的部分襯底200，即未被光刻膠層220保護的保護層區(qū)域Q2的保護層也被刻蝕掉。本發(fā)明中，當(dāng)?shù)谝淮慰涛g進行到熔絲結(jié)構(gòu)204與焊墊202的上的第二抗刻蝕層212 或者第一抗刻蝕層242時，需要繼續(xù)刻蝕下去，直至暴露出襯底200，即刻蝕的最深深度達(dá)到熔絲結(jié)構(gòu)的最低端，而對于焊墊區(qū)201，由于第一次刻蝕中的刻蝕離子對保護層206的刻蝕速度遠(yuǎn)大于對第一抗刻蝕層242的刻蝕速度，因此，相當(dāng)于停止在第一抗刻蝕層M2。在本實施例中，焊墊區(qū)201和熔絲區(qū)203的保護層206厚度相同，當(dāng)然，即便二區(qū)的保護層206厚度不相同，也不會破壞本發(fā)明的實施。具體理由如下焊墊區(qū)201和熔絲區(qū)203的保護層206厚度不相同時，若焊墊區(qū)201的保護層206較薄，焊墊區(qū)201的第一抗刻蝕層242會首先暴露在外，由于第一次刻蝕中的刻蝕離子對第一抗刻蝕層242的刻蝕速度遠(yuǎn)小于保護層206，因而覆蓋較厚保護層206的熔絲區(qū)203的保護層206被刻蝕掉，且暴露出襯底200時，先暴露在外第一抗刻蝕層242也僅會被刻蝕掉很少，不會影響后面步驟的進行；反之亦然。需作說明的是，所述第一次刻蝕可從常用的刻蝕絕緣體的刻蝕機臺中選擇，只是要盡可能選擇對抗刻蝕層212刻蝕速率慢的而對保護層206刻蝕速率快的。這里不再對這
類機臺一一列舉。本實施例中，所述第一次刻蝕的刻蝕機臺為適于干法刻蝕的RIE機臺，主要刻蝕氣體為CF4、02、CHF3和Ar的混合氣體。其中，CF4的供氣流量為780 820sccm，O2為8 12sccm, CHF3為18 22sccm，Ar為80 120sccm ；刻蝕腔室內(nèi)壓強為約150mTorr ；刻蝕時間根據(jù)待刻蝕的保護層206的厚度確定，若保護層厚度為8000 10000 A,刻蝕時間為 130 160s。所述刻蝕氣體對保護層206和對第一抗刻蝕層M2、第二抗刻蝕層212的刻蝕選擇比大于10 1。執(zhí)行步驟S5 進行第二次刻蝕，去除焊墊的表層的第二抗刻蝕層以及熔絲結(jié)構(gòu)表層的第一抗刻蝕層。由于光刻膠層220的掩蔽，形成如圖7所示的剖面結(jié)構(gòu)。請參照圖7所示，暴露在刻蝕離子環(huán)境下的焊墊202的部分第一抗刻蝕層M2已被刻蝕掉，暴露出第一導(dǎo)電層M1， 以在后續(xù)的封裝過程中與外部的引腳相焊接；同時熔絲區(qū)203的第二抗刻蝕層212去除，暴露出熔絲結(jié)構(gòu)204的第二導(dǎo)電層211。第二次刻蝕中，會去除部分暴露出的襯底200，從而加大溝槽209的深度。需要說明的是，熔絲結(jié)構(gòu)204兩側(cè)之外的保護層206被刻蝕掉而形成溝槽209的目的在于隔離熔絲結(jié)構(gòu)204與其兩側(cè)的保護層206，防止熔絲結(jié)構(gòu)204熔斷后形成的殘余片粘連在兩側(cè)保護層206上造成短路，因此隔離熔絲結(jié)構(gòu)204與其兩側(cè)的保護層206，可以增加修補的成功率。同時，與熔絲結(jié)構(gòu)204不同，焊墊202兩端部分嵌入保護層206內(nèi)，這樣可以增大焊墊202與保護層206之間的粘附力，防止焊墊202脫離半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20。值得注意的是，所述第二次刻蝕中，金屬對絕緣體的刻蝕選擇比較高。也就是說， 第二次刻蝕中的刻蝕氣體對第一抗刻蝕層M2、第二抗刻蝕層212的刻蝕速度遠(yuǎn)大于對襯底200或保護層206的刻蝕速度，這樣可防止第二溝槽209下方的襯底200受到第二次刻蝕影響大，影響襯底200下方的元件的性能。需作說明的是，所述第二次刻蝕可采用目前常用于刻蝕金屬的機臺進行，所述第二次刻蝕要盡可能選擇對襯底200刻蝕速率慢的刻蝕機臺或刻蝕氣體。這里不再對這類機
臺作一一列舉。作為一個優(yōu)化技術(shù)方案，第二次刻蝕在適于干法刻蝕的RIE機臺中進行，第二刻蝕氣體為Cl2與BCl3的混合氣體。其中，Cl2的供氣流量為25 3kccm，BCl3為35 45sccm ；刻蝕腔室內(nèi)壓強約SmTorr ；刻蝕時間根據(jù)待刻蝕的第一抗刻蝕層241和第二抗刻蝕層212的厚度確定，若第一抗刻蝕層241和第二抗刻蝕層212厚度為600 1000入，刻蝕時間為為13 15s。在上述刻蝕條件下，第二次刻蝕中，第一抗刻蝕層241和第二抗刻蝕層 212對保護層206的刻蝕選擇比大于5。
另外，所述第一刻蝕機臺與所述第二刻蝕機臺可以是設(shè)備相同只是刻蝕氣體不同的同類機臺，更為優(yōu)選地，也可以采用不同機臺，這樣可以避免在刻蝕過程中更換刻蝕氣體的過程，縮短工藝時間。步驟S6 進行后續(xù)處理。在所述蝕刻工藝之后還會進行剝離光刻膠層206的步驟， 并對刻蝕后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20的表面進行清洗，去除刻蝕殘留物和微粒，從而形成滿足需求的如圖8所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20。如上所述，本發(fā)明在同一掩膜板上同時形成焊墊和熔絲結(jié)構(gòu)的圖形，利用一次光刻，在光刻膠層中同時形成焊墊和熔絲結(jié)構(gòu)的圖形，采用單次光刻而后依次進行兩次刻蝕的工藝，減少光刻次數(shù)，節(jié)省了時間和成本。同時利用不同刻蝕氣體對于焊墊、熔絲結(jié)構(gòu)與保護層的高選擇性，在刻蝕保護層時避免或減小對沒有光刻膠保護的焊墊或熔絲結(jié)構(gòu)的破壞，在刻蝕焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)時避免或較小對沒有光刻膠保護的保護層和襯底的破壞，從而保證整個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
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權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供襯底，所述襯底分為熔絲區(qū)和焊墊區(qū)，所述熔絲區(qū)形成有熔絲結(jié)構(gòu)，所述焊墊區(qū)形成有焊墊，所述熔絲結(jié)構(gòu)與焊墊間隔，所述熔絲結(jié)構(gòu)包括表層的第一抗刻蝕層，所述焊墊包括表層的第二抗刻蝕層；形成保護層，所述保護層覆蓋焊墊、熔絲結(jié)構(gòu)及襯底；在保護層上形成光刻膠層并進行圖形化，在所述光刻膠層中形成開口，所述開口暴露出部分焊墊位置的保護層、所述開口還暴露出熔絲結(jié)構(gòu)位置及其之外兩側(cè)部分的保護層； 進行第一次刻蝕，直至熔絲區(qū)暴露出第一抗刻蝕層，同時焊墊區(qū)暴露出第二抗刻蝕層；進行第二次刻蝕，去除焊墊的表層的第二抗刻蝕層以及熔絲結(jié)構(gòu)表層的第一抗刻蝕層。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述第一次刻蝕對保護層的刻蝕速度大于對焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)的刻蝕速度，所述第二次刻蝕對焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)的刻蝕速度大于對襯底或保護層的刻蝕速度。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述第一次刻蝕采用CF4、02、CHF3*Ar 的混合氣體。
4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于=CF4的供氣流量為780 820sCCm，O2的供氣流量為8 12sccm，CHF3的供氣流量為18 2kccm，Ar的供氣流量為80 120sccm ； 供氣壓力為約150mTorr。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述第二次刻蝕采用Cl2與BCl3的混合氣體。
6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于C12的供氣流量為25 35sCCm，BCl3的供氣流量為35 45sccm ；供氣壓力為約8mTorr。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述第一次刻蝕和第二次刻蝕采用不同的刻蝕機臺進行，所述第一次刻蝕采用刻蝕絕緣體的刻蝕機臺進行，所述第一次刻蝕采用刻蝕金屬的刻蝕機臺進行。
8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述第一抗刻蝕層和第二抗刻蝕層采用抗反射材料。
9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述第一抗刻蝕和第二抗刻蝕層采用氮化鈦材料。
10.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)上方覆蓋的保護層厚度相同，以使第一次刻蝕時焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)同時暴露在外。
全文摘要
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供襯底，所述襯底分為形成有熔絲結(jié)構(gòu)的熔絲區(qū)和形成有焊墊的焊墊區(qū)，熔絲結(jié)構(gòu)包括表層的第一抗刻蝕層，焊墊包括表層的第二抗刻蝕層；形成保護層；在保護層上形成光刻膠層并進行圖形化，在光刻膠層中形成開口，所述開口暴露出部分焊墊位置的保護層、熔絲結(jié)構(gòu)位置及其之外兩側(cè)部分的保護層；進行第一次刻蝕，直至熔絲區(qū)暴露出第一抗刻蝕層，同時焊墊區(qū)暴露出第二抗刻蝕層；進行第二次刻蝕，去除焊墊的表層的第二抗刻蝕層以及熔絲結(jié)構(gòu)表層的第一抗刻蝕層。本發(fā)明采用單次光刻而后依次進行兩次刻蝕的工藝，減少光刻次數(shù)。
文檔編號H01L21/60GK102263011SQ201010188028
公開日2011年11月30日 申請日期2010年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
發(fā)明者周國平, 楊瑞, 牛建禮, 趙金強 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司