專利名稱：陣列基板及其制造方法、液晶面板和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、液晶面板和液晶顯不器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display,以下簡稱IXD)具有體積小、功耗小、無輻射等特點，在屏幕尺寸和顯示質(zhì)量方面都取得了很大進(jìn)步，并且用戶對大尺寸液晶面板的需求越來越大，各個LCD制造廠商都在積極建設(shè)高世代生產(chǎn)線，以生產(chǎn)出大尺寸的液晶面板，而對新建一條新的生產(chǎn)線，其投資巨大。現(xiàn)有技術(shù)中還有另一種生產(chǎn)大尺寸液晶面板的方法，即將基板設(shè)計若干個組成區(qū)域，通過在基板的不同組成區(qū)域依次進(jìn)行曝光，例如陣列基板的制造過程中，首先在第一區(qū)域形成柵線，然后再在第二區(qū)域形成柵線，依次按照上述的方法在襯底基板上形成完整圖案，即通過拼接的方式生產(chǎn)大尺寸的陣列基板。另外在彩膜基板的制造過程中，對于黑矩陣的制作工藝，也可以是先在第一區(qū)域形成黑矩陣，然后再在第二區(qū)域形成黑矩陣，即通過拼接的方式生產(chǎn)大尺寸的彩膜基板。上述的通過拼接的方法生產(chǎn)液晶面板的技術(shù)，需要進(jìn)行一次或多次的重復(fù)曝光， 而由于對位精度問題，在拼接區(qū)域容易出現(xiàn)同一條金屬走線與其相鄰的像素電極之間的間距差異大的缺陷，如圖1所示，其中陣列基板上兩次曝光的拼接區(qū)域，對于柵線，其左側(cè)部分1為一次曝光形成的圖案，而右側(cè)部分2為另一次曝光形成的圖案，由圖1可以看出，上述兩次曝光形成的柵線，左側(cè)部分和右側(cè)部分與其相鄰的像素電極之間的距離有著較大差異，其中的左側(cè)部分的柵線與其相鄰的像素電極之間的距離為dl和d2，右側(cè)部分的柵線與其相鄰的像素電極之間的距離為d3和d4，且上述的dl < d3，而d2 > d4，另外對于彩膜基板的黑矩陣而言，也存在上述問題，由于上述的對位差異，容易導(dǎo)致液晶面板的顯示不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、液晶面板和液晶顯示器，以及彩膜基板及其制造方法，能夠避免在拼接時，因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。本發(fā)明提供一種陣列基板，包括襯底基板，以及以拼接方式形成在所述襯底基板上的像素電極、信號線和絕緣層，在拼接區(qū)域，至少一條信號線為分段式結(jié)構(gòu)，所述分段式結(jié)構(gòu)的信號線上各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成。本發(fā)明還提供一種彩膜基板，包括襯底基板，以及形成在所述襯底基板上的黑矩陣和像素樹脂，在拼接區(qū)域，所述黑矩陣為分段式結(jié)構(gòu)，所述分段式結(jié)構(gòu)的黑矩陣的各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成。本發(fā)明還提供一種液晶面板，包括對盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層，所述陣列基板采用上述的陣列基板和/或所述彩膜基板采用上述的彩膜基板。本發(fā)明還提供一種液晶顯示器，包括外框架、液晶面板、所述液晶面板采用上述的液晶面板。本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，包括以拼接方式在所述襯底基板上形成像素電極、信號線和絕緣層的步驟，在拼接區(qū)域形成信號線的步驟包括在襯底基板上信號線層材料；通過對第一次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第一信號線折線段；通過對第二次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第二信號線折線段， 所述第一信號線折線段和第二信號線折線段構(gòu)成具有分段式結(jié)構(gòu)的信號線。本發(fā)明還提供一種彩膜基板的制造方法，包括在襯底基板上形成在形成黑矩陣、 像素樹脂的步驟，所述在彩膜基板上形成黑矩陣的步驟包括在襯底基板上沉積黑矩陣材料；通過對第一次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第一黑矩陣折線段；通過對第二次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第二黑矩陣折線段， 所述第一黑矩陣折線段和第二黑矩陣折線段構(gòu)成具有分段式結(jié)構(gòu)的黑矩陣。本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制造方法、液晶面板和液晶顯示器，彩膜基板及其制造方法，其中上述陣列基板的信號線以及彩膜基板的黑矩陣，在拼接區(qū)域為分段式結(jié)構(gòu)，且分段式結(jié)構(gòu)的信號線上各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成，上述陣列基板上的信號線設(shè)計為補償式的設(shè)計方案，采用上述的技術(shù)方案制造的陣列基板，即使在拼接時存在層間對位偏差，也能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。


圖1現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2本發(fā)明實施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；圖3本發(fā)明實施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。針對現(xiàn)有技術(shù)在使用拼接技術(shù)制造大尺寸的陣列基板時，由于層間對位精度的問題，可能會使不同曝光工藝形成的信號線段與相鄰像素電極之間的距離差異很大，從而會導(dǎo)致顯示不良的缺陷，本發(fā)明實施提供了一種陣列基板，圖2、圖3給出了本發(fā)明陣列基板實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2和圖3所示，本發(fā)明實施例中的陣列基板包括襯底基板，以及形成在上述襯底基板上的像素電極11、信號線(包括柵線12和數(shù)據(jù)線13)和絕緣層，并且在拼接區(qū)域，至少一條的信號線為分段式結(jié)構(gòu)，上述分段式結(jié)構(gòu)的信號線上各個折線段可以由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成。在制造過程中，僅拼接區(qū)域和現(xiàn)有技術(shù)不同，下面僅介紹拼接區(qū)域的制造流程。具體的本發(fā)明在襯底基板上形成信號線時，可以包括如下的工藝流程，首先在襯底基板上沉積一層信號線材料，并涂覆一層光刻膠；然后利用掩模板進(jìn)行曝光處理，與通常的進(jìn)行曝光處理形成信號線的完整、連續(xù)圖案不同，本發(fā)明實施例中在進(jìn)行一次曝光處理時，其信號線圖案形成為間斷設(shè)置的折線段，并使掩模板的非透光區(qū)域?qū)?yīng)間斷設(shè)置的折線段區(qū)域；在進(jìn)行顯影處理后，將非間斷設(shè)置的折線段區(qū)域的光刻膠全部清除，然后進(jìn)行刻蝕，即可將非間斷設(shè)置的折線段區(qū)域的信號線材料刻蝕掉，將間斷設(shè)置的折線段區(qū)域的光刻膠剝離，即可形成間斷設(shè)置的折線段。然后重復(fù)上述的步驟，形成另一部分間隔設(shè)置的折線段，兩次形成的折線段可組成一分段式的信號線結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實施例中形成分段式結(jié)構(gòu)的信號線時，與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于曝光工藝時形成的圖案形狀不同，即形成分段式的信號線結(jié)構(gòu)， 為說明方便，本發(fā)明實施例中僅以曝光工藝進(jìn)行說明。本發(fā)明上述實施例提供的陣列基板，其中在拼接區(qū)域，上述的信號線為分段式結(jié)構(gòu)，且分段式結(jié)構(gòu)的信號線上各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成，上述陣列基板上的信號線設(shè)計為補償式的設(shè)計方案，采用上述的技術(shù)方案制造的陣列基板，當(dāng)存在層間對位偏差時，能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。本發(fā)明上述實施例中的信號線可以為柵線12或者是數(shù)據(jù)線13，例如圖2所示實施例是以柵線12為例，另外也可以是針對數(shù)據(jù)線13，在拼接區(qū)域，將數(shù)據(jù)線設(shè)計為分段式結(jié)構(gòu)，并且分段式結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線上各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成。另外在本發(fā)明上述實施例中，對于每個折線段而言，其長度可以設(shè)置為小于相鄰的像素電極上，與該折線段平行的側(cè)邊的長度，例如圖2中，第一信號線折線段121以及第二信號線折線段122的長度均小于像素電極11上與其平行的側(cè)邊的長度。圖3為圖2所示陣列基板的制作工藝最終生成的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如上述各圖所示，盡管由于層間對位偏差的存在，使得形成的柵線上，其中不同折線段與相鄰的像素電極之間的距離有所不同，例如其中的第一次曝光工藝是形成的第一信號線折線段121 與像素電極之間的距離分別是dl和d2，而第二次曝光工藝時形成的第二信號線折線段122 與像素電極之間的距離分別是d3和d4，并且上述的dl < d3，而d2 > d4，上述情況與圖 2所示實施例的情況相同，但在采用本發(fā)明實施例提供的間隔式設(shè)置的折線段的設(shè)計方案后，對其中的對位偏差進(jìn)行了補償，使得對于各個像素電極而言，其與柵線之間的平均距離是相同的，因此能夠消除由于層間對位偏差而引起的顯示不良。上述實施例是以對柵線結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)為例對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行的闡述，另外對于數(shù)據(jù)線也可以采用同樣的技術(shù)方案，或者同時對數(shù)據(jù)線和柵線進(jìn)行改進(jìn)，另外在上述圖2和圖3所示的實施例中，是以X方向的信號線改進(jìn)進(jìn)行了說明，同樣也可以對Y方向的信號線進(jìn)行改進(jìn)，或者是同X方向和Y方向的信號線同時進(jìn)行改進(jìn)。在圖2和圖3所示的實施中，其中的柵線上折線段的長度可以設(shè)為小于相鄰的像素電極上、與其平行的側(cè)邊的長度。并且具體的可以將上述二者的比例設(shè)為1/2，或者是更小的比例，以使得對于每個像素電極，其到柵線的平均距離都能夠相等。上述各個實施例中只是對柵線和數(shù)據(jù)線等信號線進(jìn)行了說明，但對于其他層的設(shè)計，也可以借鑒上述的技術(shù)方案進(jìn)行改進(jìn)。另外本發(fā)明施例還提供了一種彩膜基板，包括襯底基板，以及形成在所述襯底基板上的黑矩陣和像素樹脂，在拼接區(qū)域，所述黑矩陣為分段式結(jié)構(gòu)，所述分段式結(jié)構(gòu)的黑矩陣的各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成。本發(fā)明上述實施例提供的彩膜基板，其中在拼接區(qū)域，其中的黑矩陣為分段式結(jié)構(gòu)，且分段式結(jié)構(gòu)的黑矩陣的各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成，上述彩膜基板的黑矩陣設(shè)計為補償式的設(shè)計方案，采用上述的技術(shù)方案制造的彩膜基板，當(dāng)存在層間對位偏差時，能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。在制造過程中，僅拼接區(qū)域和現(xiàn)有技術(shù)不同，下面僅介紹拼接區(qū)域的制造流程。具體的本發(fā)明在襯底基板上形成黑矩陣時，可以包括如下的工藝流程，首先在襯底基板上沉積一層黑矩陣材料，并涂覆一層光刻膠；然后利用掩模板進(jìn)行曝光處理，與通常的進(jìn)行曝光處理形成黑矩陣的完整、連續(xù)圖案不同，本發(fā)明實施例中在進(jìn)行一次曝光處理時，其黑矩陣圖案形成為間斷設(shè)置的折線段，并使掩模板的非透光區(qū)域?qū)?yīng)間斷設(shè)置的折線段區(qū)域；在進(jìn)行顯影處理后，將非間斷設(shè)置的折線段區(qū)域的光刻膠全部清除，然后進(jìn)行刻蝕，即可將非間斷設(shè)置的折線段區(qū)域的信號線材料刻蝕掉，將間斷設(shè)置的折線段區(qū)域的光刻膠剝離，即可形成間斷設(shè)置的折線段。然后重復(fù)上述的步驟，形成另一部分間隔設(shè)置的折線段，兩次形成的折線段可組成一分段式的黑矩陣結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實施例中形成分段式結(jié)構(gòu)的黑矩陣時，與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于曝光工藝時形成的圖案形狀不同，即形成分段式的黑矩陣結(jié)構(gòu)， 為說明方便，本發(fā)明實施例中僅以曝光工藝進(jìn)行說明。本發(fā)明實施例還提供了一種液晶面板，上述的液晶面板包括對盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，并且上述的陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置有液晶層，且陣列基板采用上述實施例中提供的陣列基板，或者是其中的彩膜基板采用上述實施例提供的補償式的彩膜基板，同時也可以是陣列基板和彩膜基板均采用上述實施例提供的陣列基板和彩膜基板。本發(fā)明實施例提供的液晶面板，其中的陣列基板或者是彩膜基板采用上述實施例中提供的補償式結(jié)構(gòu)，其中在拼接區(qū)域，陣列基板的信號線以及彩膜基板的黑矩陣為分段式結(jié)構(gòu)，且分段式結(jié)構(gòu)的信號線以及彩膜基板的黑矩陣的各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成，采用上述的技術(shù)方案制造的陣列基板，即使存在層間對位偏差，也不會改變信號線的電阻值，即能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示器，包括外框架、液晶面板、其中的液晶面板采用上述實施例提供的液晶面板。由于上述的液晶面板的陣列基板或彩膜基板上，在拼接區(qū)域，其信號線或者黑矩陣為分段式結(jié)構(gòu)，且分段式結(jié)構(gòu)的信號線或者黑矩陣的各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成，上述通過將陣列基板上的信號線、彩膜基板上的黑矩陣設(shè)計為補償式結(jié)構(gòu)，即使在拼接時存在層間對位偏差，也能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。與上述各個實施例對應(yīng)的，本發(fā)明還提供了能夠制造上述實施例中的陣列基板的方法，具體的，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，包括以拼接方式在所述襯底基板上形成像素電極、信號線和絕緣層的步驟，并且上述在拼接區(qū)域形成信號線的步驟包括在襯底基板上信號線層材料；通過對第一次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第一信號線折線段；通過對第二次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第二信號線折線段， 所述第一信號線折線段和第二信號線折線段構(gòu)成具有分段式結(jié)構(gòu)的信號線。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案，是一種以拼接方式生產(chǎn)大尺寸陣列基板的技術(shù)方案，并且具體的在形成拼接區(qū)域的信號線的過程中，是通過二次曝光工藝生成，并且前后兩次曝光工藝中分別生成間隔設(shè)置的第一信號線折線段和第二信號線折線段，上述兩次曝光式工藝形成的第一信號線折線段和第二信號線折線段構(gòu)成具有分段式結(jié)構(gòu)的信號線。上述陣列基板上的信號線設(shè)計為補償式的設(shè)計方案，采用上述的技術(shù)方案制造的陣列基板，即使拼接時存在層間對位偏差，也不會改變信號線的電阻值，即能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。本發(fā)明實施例中具體的形成信號線的步驟，可以參照陣列基板實施例中的介紹，與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于其曝光工藝時形成的圖案形狀的不同，因此本實施例均以曝光工藝進(jìn)行說明。本發(fā)明實施例還提供了一種彩膜基板的制造方法，包括在襯底基板上形成在形成黑矩陣、像素樹脂的步驟，其中在彩膜基板上形成黑矩陣的步驟包括在襯底基板上沉積黑矩陣材料；通過對第一次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第一黑矩陣折線段；通過對第二次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第二黑矩陣折線段， 所述第一黑矩陣折線段和第二黑矩陣折線段構(gòu)成具有分段式結(jié)構(gòu)的黑矩陣。本發(fā)明上述實施例提供方法制成的彩膜基板，其中在拼接區(qū)域?qū)⒑诰仃囋O(shè)置為分段式結(jié)構(gòu)，為一種補償式的設(shè)計方案，采用上述的技術(shù)方案制造的彩膜基板，當(dāng)存在層間對位偏差時，能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。本發(fā)明實施例中具體的形成黑矩陣的步驟，可以參照彩膜基板實施例中的介紹，與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于其曝光工藝時形成的圖案形狀的不同，因此本實施例均以曝光工藝進(jìn)行說明。本發(fā)明上述實施例提供的陣列基板及其制造方法、液晶面板和液晶顯示器，以及彩膜基板及其制造方法，其中上述陣列基板的信號線、彩膜基板的黑矩陣，在拼接區(qū)域為分段式結(jié)構(gòu)，且分段式結(jié)構(gòu)的各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成，上述陣列基板上的信號線以及彩膜基板的黑矩陣設(shè)計為補償式的設(shè)計方案，采用上述的技術(shù)方案制造的陣列基板和彩膜基板，即使在拼接時存在層間對位偏差，也能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括襯底基板，以及以拼接方式形成在所述襯底基板上的像素電極、 信號線和絕緣層，其特征在于，在拼接區(qū)域，至少一條信號線為分段式結(jié)構(gòu)，所述分段式結(jié)構(gòu)的信號線上各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述信號線為柵線或數(shù)據(jù)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述各個折線段的長度小于相鄰的像素電極上、與所述折線段平行的側(cè)邊的長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述各個折線段的長度和相鄰的像素電極上、與所述折線段平行的側(cè)邊的長度的比例至少為1/2。
5.一種彩膜基板，包括襯底基板，以及形成在所述襯底基板上的黑矩陣和像素樹脂，其特征在于，在拼接區(qū)域，所述黑矩陣為分段式結(jié)構(gòu)，所述分段式結(jié)構(gòu)的黑矩陣的各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成。
6.一種液晶面板，包括對盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層，其特征在于，所述陣列基板采用權(quán)利要求1 4任一所述的陣列基板和/ 或所述彩膜基板采用權(quán)利要求5所述的彩膜基板。
7.一種液晶顯示器，包括外框架、液晶面板、其特征在于，所述液晶面板采用權(quán)利要求 6所述的液晶面板。
8.—種陣列基板的制造方法，包括以拼接方式在所述襯底基板上形成像素電極、信號線和絕緣層的步驟，其特征在于，在拼接區(qū)域形成信號線的步驟包括在襯底基板上沉積信號線層材料；通過對第一次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第一信號線折線段；通過對第二次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第二信號線折線段，所述第一信號線折線段和第二信號線折線段構(gòu)成具有分段式結(jié)構(gòu)的信號線。
9.一種彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括在襯底基板上形成在形成黑矩陣、像素樹脂的步驟，其特征在于，所述在彩膜基板上形成黑矩陣的步驟包括在襯底基板上沉積黑矩陣材料；通過對第一次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第一黑矩陣折線段；通過對第二次曝光工藝進(jìn)行控制以形成兩個以上間隔設(shè)置的第二黑矩陣折線段，所述第一黑矩陣折線段和第二黑矩陣折線段構(gòu)成具有分段式結(jié)構(gòu)的黑矩陣。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法、液晶面板和液晶顯示器，其中的陣列基板，包括襯底基板，以及以拼接方式形成在所述襯底基板上的像素電極、信號線和絕緣層，在拼接區(qū)域，至少一條信號線為分段式結(jié)構(gòu)，所述分段式結(jié)構(gòu)的信號線上各個折線段由兩次曝光工藝制成，且相鄰的兩個折線段由不同的曝光工藝制成。上述實施例中的陣列基板上的信號線設(shè)計為補償式的設(shè)計方案，采用上述的技術(shù)方案制造的陣列基板，即使在拼接時存在層間對位偏差，也能夠避免因兩次曝光工藝的層間對位差異而造成顯示不良。
文檔編號H01L27/02GK102262324SQ201010193300
公開日2011年11月30日 申請日期2010年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月27日
發(fā)明者呂敬 申請人:北京京東方光電科技有限公司