專利名稱：基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的β輻照探測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子領(lǐng)域，尤其涉及到一種基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的 β輻照探測(cè)器，可用于β射線電離輻射探測(cè)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體輻射探測(cè)器是繼氣體探測(cè)器，閃爍體探測(cè)器之后發(fā)展起來(lái)的一種新型的先 進(jìn)的探測(cè)器。其基本原理是采用半導(dǎo)體工藝，如蒸發(fā)，擴(kuò)散，離子注入等，在半導(dǎo)體基片上， 通過(guò)在反向偏壓的工作條件下制成較厚的耗盡層或擴(kuò)散區(qū)，用來(lái)探測(cè)入射射線或帶電粒 子?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器都是基于Si，GaAs材料的二極管和PIN管等結(jié)構(gòu)，主要用于 探測(cè)α粒子、β射線和中子等。半導(dǎo)體輻射探測(cè)器對(duì)材料有很高的要求，一般認(rèn)為應(yīng)該具有以下的特性(1)較大的禁帶寬度，保證探測(cè)器工作時(shí)，具有較高的電阻率和較低的漏電流；(2)良好的工藝性能，容易制得純度高，完整性好的晶體，同時(shí)具有良好的機(jī)械性 能和化學(xué)性能，便于進(jìn)行機(jī)械加工，容易制作成勢(shì)壘接觸或歐姆接觸；(3)優(yōu)異的物理性能，能耐較高的反向偏壓，反向電流小，正向電流也小；同時(shí)材 料中載流子的遷移率-壽命積要大，確保探測(cè)器具有良好的能量分辨率。傳統(tǒng)的Si、GaAs結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件已不太適合核輻射探測(cè)等領(lǐng)域，是因?yàn)檫@ 些器件的熱導(dǎo)率低、擊穿電壓較低、功率密度低、抗輻照性能不佳。為了滿足在國(guó)防及醫(yī)療 領(lǐng)域?qū)Ω咝阅埽呖煽啃园雽?dǎo)體輻射探測(cè)器的需求，需要開(kāi)發(fā)基于新型半導(dǎo)體材料的輻射 探測(cè)器。半導(dǎo)體材料的SiC具有2. 6 3. 2eV的寬禁帶寬度、2. 0X 107cm · s-1的高飽和電 子漂移速度、2. 2MV · cnT1的高擊穿電場(chǎng)和3. 4 4. 9W · cnT1 · s—1的高熱導(dǎo)率等性能，并且 具有較低的介電常數(shù)，這些特性決定了其在高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件、抗輻射、數(shù)字集 成電路等方面都存在極大的應(yīng)用潛力，尤其是抗輻射性能好而適合于核環(huán)境工作等優(yōu)點(diǎn)， 因此基于SiC抗輻射半導(dǎo)體器件在輻射探測(cè)領(lǐng)域?qū)?huì)有更好的應(yīng)用前景。為此相關(guān)的科研 人員也做了這方面的研究。基于SiC的金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用金半結(jié)代替PN結(jié)的 場(chǎng)效應(yīng)晶體管。金屬半導(dǎo)體接觸工藝允許金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道做得更短，有利 于提高器件的開(kāi)關(guān)速度和工作頻率。文 獻(xiàn)“Nuclear Instruments and Methods in Physics ResearchA 583(2007)157-161"《Silicon carbide for UV, alpha, beta and X-ray detectors Results and perspectives》i^S了 ；禾Ij入 Francesco Moscatelli H^WST SiC ^ 屬半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的β探測(cè)器的設(shè)想。這種結(jié)構(gòu)是在碳化硅半絕緣襯底上外延一層P型碳化 硅，之后在P型碳化硅上外延一層η型碳化硅，通過(guò)η+高摻雜形成源漏區(qū)，在中間區(qū)域形成 柵極，如圖3所示。但是這種基于傳統(tǒng)SiC肖特基結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存在高密度表面陷阱， 在SiC材料中，受主表面陷阱俘獲電子形成表面電荷，使一部分電力線終止在表面電荷上， 由于在柵漏區(qū)高電場(chǎng)作用下，源極流向漏極的電子在經(jīng)過(guò)溝道時(shí)會(huì)被表面陷阱俘獲，從而
3在表面形成耗盡層，使得電流傳輸?shù)挠行系篮穸茸儽?，從而影響到了金屬半?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管器件的電學(xué)性能。同時(shí)當(dāng)β射線到達(dá)探測(cè)器表面后，由于受到較厚的柵極金屬層的 阻擋，只有部分β射線能進(jìn)入器件內(nèi)部。只有進(jìn)入耗盡區(qū)的β粒子才會(huì)對(duì)電流輸出有貢 獻(xiàn)。因此這種較厚的柵極結(jié)構(gòu)導(dǎo)致入射粒子能量損失大，能量轉(zhuǎn)換效率較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免上述已有技術(shù)的缺陷，利用SiC半導(dǎo)體材料的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)， 提出一種基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管β輻照探測(cè)器及其制作方法，以削弱傳統(tǒng) MESFET結(jié)構(gòu)探測(cè)器因表面陷阱效應(yīng)和較厚的柵極結(jié)構(gòu)導(dǎo)致入射β粒子能量損失大，能量 轉(zhuǎn)換效率較低對(duì)器件性能的影響，提高探測(cè)的效率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的β輻照 探測(cè)器，自下而上包括η型襯底、P型緩沖層、η型溝道、η型緩沖層和兩側(cè)η+摻雜的歐姆接 觸層，該歐姆接觸層上淀積有金屬Ni作為源漏極、η型緩沖層中間區(qū)域淀積半透明肖特基 接觸層，并埋入η型緩沖層內(nèi)，該肖特基接觸層由高勢(shì)壘肖特基金屬Au/Ti/Pt構(gòu)成，柵極和 源漏極以外的表面區(qū)域覆蓋有一層SiA鈍化層，其中η型溝道的濃度為3. 5 4Χ 1017cm_3， 肖特基接觸層埋入η型緩沖層的深度為0. 06 0. 08 μ m。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的β輻照 探測(cè)器制作方法，包括如下步驟(1)在η型4H-SiC襯底上外延一層厚度為0. 15μπι，摻雜濃度為1. 4 X IO15CnT3的 P型外延層；(2)在ρ型緩沖層上外延一層厚度為0. 26 μ m，摻雜濃度為3. 5 4 X IO17CnT3的η 型溝道；(3)在η溝道上外延一層厚度為0. 1 μ m，摻雜濃度為1. 7 X IO17CnT3n型緩沖層；(4)在η型緩沖層上外延一層厚度為0. 15 μ m，摻雜濃度為IX IO19CnT3的源漏層；(5)在源漏層中外延層上干氧氧化，形成SW2鈍化層；(6)采用濕法刻蝕S^2鈍化層上兩側(cè)區(qū)域表面的S^2形成源漏區(qū)，用電子束蒸發(fā) Ni，在該源漏區(qū)形成厚度為0. 2μπι歐姆接觸金屬源漏極；(7)采用濕法刻蝕鈍化層中間區(qū)域，垂直刻蝕至η型緩沖層表面，形成輻照探測(cè)器 的柵極區(qū)域，在金屬源漏極以外的表面區(qū)域進(jìn)行干氧氧化形成一層S^2的覆蓋層；(8)在距離漏極0. 8 μ m和源極0. 4μπι的中間區(qū)域，采用濕法刻蝕掉該表面的SW2 和0. 06 0. 08 μ m深度的η型緩沖層，在該刻蝕區(qū)域采用電子束蒸發(fā)淀積厚度IOOnm半透 明高勢(shì)壘肖特基金屬Ti或金屬Pt或金屬Au，形成肖特基金屬柵極。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明利用碳化硅結(jié)構(gòu)抗輻照能力強(qiáng)的特點(diǎn)，可以保證在核輻射和宇宙射線 的輻射下，電子裝備仍可以正常工作，對(duì)于探測(cè)β射線是非常有利的；(2)本發(fā)明的β輻照探測(cè)器采用基于埋溝埋柵碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 結(jié)構(gòu)，相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，由于增加了 η型緩沖層，可以使得有效 導(dǎo)電溝道遠(yuǎn)離表面，削弱了表面陷阱效應(yīng)，從而削弱表面陷阱對(duì)器件的電學(xué)性能的影響，提 高了器件性能；
(3)本發(fā)明的η型溝道摻雜濃度為3. 5 4Χ 1017cm_3，高于傳統(tǒng)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管η型溝道摻雜濃度，有利于提高溝道導(dǎo)電電流密度；金屬柵極埋入η型緩沖層深度 0. 06 0. 08 μ m，相對(duì)未埋入η緩沖層金屬柵極能減小表面陷阱效應(yīng)，同時(shí)隨著埋入深度增 加，有效導(dǎo)電溝道的厚度減小，漏極飽和電流也隨之減小，從而減小了漏極飽和電流對(duì)器件 的影響。(4)本發(fā)明采用IOOnm厚的薄金屬柵極，有效的減少了金屬柵極對(duì)低能入射粒子 的阻擋，提高能量轉(zhuǎn)換效率，探測(cè)效率更高。


圖1是本發(fā)明的β輻照探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明制作β輻照探測(cè)器的主要流程示意圖；圖3是傳統(tǒng)的金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1，本發(fā)明的基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的β輻照探測(cè)器，自下 而上主要包括厚度為0. 4 μ m摻雜濃度為1 X IO18CnT3的η型襯底8 ；襯底上面是一層厚度為
0.15 μ m摻雜濃度為1. 4 X IOV3的ρ型緩沖層7 ；ρ型緩沖層7上是一層厚度為0.沈μ m摻 雜濃度為3. 5 4 X IO17CnT3的η型溝道6 ；η型溝道6上是一層摻雜濃度為1. TXlO1W, 厚度為0. 1 μ m的η型緩沖層5 ；η型緩沖層5表面的兩側(cè)是摻雜濃度為1 X IO19CnT3的歐姆 接觸層4，該歐姆接觸層上淀積有金屬M(fèi)作為源漏極2，η型緩沖層中間區(qū)域淀積厚度為 IOOnm的半透明肖特基接觸層1，該肖特基接觸層由高勢(shì)壘肖特基金屬Au或Ti或Pt構(gòu)成， 其埋入η型緩沖層5內(nèi)，埋入η型緩沖層5的深度為0. 06 0. 08 μ m ；柵極和源漏極以外 的表面區(qū)域覆蓋有一層S^2鈍化層3。參照?qǐng)D2，本發(fā)明的制作圖1所示β輻照探測(cè)器的方法，通過(guò)下面實(shí)施例詳細(xì)說(shuō) 明實(shí)施例1第1步，選用厚度為0. 4 μ m摻雜濃度為1 X 1018cm_3的η型4H_SiC基片作襯底8， 清洗后，用低壓熱壁化學(xué)汽相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar，生長(zhǎng)氣體 為C3H8、SiH4和H2的條件下，在襯底上外延生長(zhǎng)厚度為0. 15 μ m，摻雜濃度為1. 4 X IO1W 的4H-SiC的ρ型緩沖層7，如圖加所示。第2步，用低壓熱壁化學(xué)汽相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar， 生長(zhǎng)氣體為C3H8、SiH4和吐的條件下，在P型緩沖層7上外延一層厚度為0. 26 μ m，摻雜濃 度為3. 5 X IO17cnT3的η型溝道6，如圖2b所示；第3步，用低壓熱壁化學(xué)汽相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar， 生長(zhǎng)氣體為C3H8、SiH4和吐的條件下，在η溝道上外延一層厚度為0. 1 μ m，摻雜濃度為
1.7 X IO17cnT3的η型緩沖層5，如圖2c所示；第4步，在η型緩沖層5上外延一層厚度為0. 15 μ m的碳化硅，采用離子注入進(jìn)行 摻雜，形成摻雜濃度為ι χ IO19CnT3的η型歐姆接觸層4，如圖2d所示；第5步，在1100士50°C溫度下，對(duì)步驟4外延后的基片進(jìn)行兩小時(shí)的干氧氧化，形成SiO2鈍化層3，如圖2e所示；第6步，在SW2鈍化層3上兩側(cè)區(qū)域采用濕法刻蝕掉其表面SiO2形成源漏區(qū)，用 電子束蒸發(fā)Ni在該源漏區(qū)作為源漏的歐姆接觸金屬，在1000°C的氮?dú)夥諊邷叵驴焖偻?火lOmin，形成厚度為0. 2 μ m歐姆接觸金屬源漏極2，如圖2f所示；第7步，在鈍化層中間區(qū)域采用濕法刻蝕出輻照探測(cè)器的柵極區(qū)域，即選用濃度 為5%的緩沖HF酸腐蝕10秒，將SW2鈍化層3中間區(qū)域刻蝕至η型緩沖層5表面，并對(duì)金 屬源漏極2以外的區(qū)域進(jìn)行干氧氧化，形成一層SW2的鈍化層3，如圖2g所示；第8步，在距離源極0. 4 μ m和距離漏極0. 8 μ m的中間區(qū)域，采用濕法刻蝕掉其表 面的SiO2,并向下方繼續(xù)刻蝕至0. 06 μ m深度的η型緩沖層5，再在刻蝕出的緩沖層5上采 用電子束蒸發(fā)淀積厚度IOOnm半透明高勢(shì)壘肖特基金屬Ti，在氮?dú)夥諊?000°C的高溫下快 速退火IOmin形成肖特基金屬柵極1，如圖池所示。實(shí)施例2第一步，選用襯底厚度為0.4μπι摻雜濃度為IXlO18cnT3的η型4H_SiC基片作襯 底(8)，清洗后C3H8、SiH4和H2，其中吐為攜帶氣體，外延面上生長(zhǎng)厚度為0. 15 μ m摻雜濃度 為1. 4 X IO1W的4H-SiC的ρ型緩沖層7，如圖2a所示；第二步，用低壓熱壁化學(xué)汽相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar， 生長(zhǎng)氣體為C3H8、SiH4和H2的條件下，在P型緩沖層上外延一層摻雜濃度為3. 7 X IO17Cm-3, 厚度為0. ^ym的η型溝道6，如圖2b所示；第三步，用低壓熱壁化學(xué)汽相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar， 生長(zhǎng)氣體為C3H8、SiH4和H2的條件下，在η溝道上外延一層摻雜濃度為1. 7 X IO17CnT3，厚度 為0. 1 μ m的η型緩沖層5，如圖2c所示；第四步，在η型緩沖層上外延一層厚度為0. 15 μ m碳化硅，采用離子注入對(duì)該區(qū)域 進(jìn)行高摻雜以形成摻雜濃度為1 X IO19CnT3歐姆接觸4，如圖2d所示；第五步，在1100 士 50°C溫度下，對(duì)第四步外延后的基片進(jìn)行兩小時(shí)的干氧氧化，形 成SW2鈍化層，如圖加所示；第六步，在SiA鈍化層上兩側(cè)區(qū)域采用濕法刻蝕掉表面SiA形成源漏區(qū)，用電 子束蒸發(fā)Ni在該源漏區(qū)作為源漏的歐姆接觸金屬，在氮?dú)夥諊?000°c的高溫下快速退火 lOmin，形成厚度為0.2μπι歐姆接觸金屬源漏極，如圖2f所示；第七步，在鈍化層中間區(qū)域采用濕法刻蝕出輻照探測(cè)器的柵極區(qū)域。選用濃度為 5%的緩沖HF酸腐蝕10秒，在SW2鈍化層3中間區(qū)域刻蝕至η型緩沖層表面。并對(duì)金屬 源漏極2以外的區(qū)域進(jìn)行干氧氧化，形成一層S^2的覆蓋層，如圖2g所示；第八步，在距離源極0. 4 μ m和距離漏極0. 8 μ m的中間區(qū)域，采用濕法刻蝕掉表面 的SiO2,并向下方繼續(xù)刻蝕至0. 07 μ m深度的η型緩沖層5，再在刻蝕出的緩沖層5上采用 電子束蒸發(fā)淀積厚度IOOnm半透明高勢(shì)壘肖特基金屬Pt，在氮?dú)夥諊?000°C的高溫下快速 退火IOmin形成肖特基金屬柵極1，如圖池所示。實(shí)施例3第A步，選用襯底厚度為0. 4 μ m摻雜濃度為1 X 1018cm_3的η型4H_SiC基片作襯 底(8)，清洗后，用低壓熱壁化學(xué)汽相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar; 生長(zhǎng)氣體為C3H8、SiH4* H2，其中吐為攜帶氣體，外延面上生長(zhǎng)厚度為0. 15 μ m摻雜濃度為1. 4 X IO1W3的4H-SiC的ρ型緩沖層7，如圖5a所示；第B步，用低壓熱壁化學(xué)汽相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar， 生長(zhǎng)氣體為C3H8、SiH4和H2的條件下，在P型緩沖層上外延一層摻雜濃度為4. OX 1017cm_3， 厚度為0. ^ym的η型溝道6，如圖恥所示；第C步，用低壓熱壁化學(xué)汽相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar， 生長(zhǎng)氣體為C3H8、SiH4和H2的條件下，在η溝道上外延一層摻雜濃度為1. 7 X IO17CnT3，厚度 為0. 1 μ m的η型緩沖層5，如圖5c所示；第D步，在η型緩沖層上外延一層厚度為0. 15 μ m碳化硅，采用離子注入對(duì)該區(qū)域 進(jìn)行高摻雜以形成摻雜濃度為lxl019CnT3歐姆接觸4，如圖5d所示；第E步，在1100士50°C溫度下，對(duì)步驟D外延后的基片進(jìn)行兩小時(shí)的干氧氧化，形 成SW2鈍化層，如圖5e所示；第F步，在SW2鈍化層上兩側(cè)區(qū)域采用濕法刻蝕掉表面SW2形成源漏區(qū)，用電 子束蒸發(fā)Ni在該源漏區(qū)作為源漏的歐姆接觸金屬，在氮?dú)夥諊?000°C的高溫下快速退火 lOmin，形成厚度為0.2μπι歐姆接觸金屬源漏極，如圖2f所示；第G步，在鈍化層中間區(qū)域采用濕法刻蝕出輻照探測(cè)器的柵極區(qū)域。選用濃度為 5%的緩沖HF酸腐蝕10秒，在SW2鈍化層3中間區(qū)域刻蝕至η型緩沖層表面。并對(duì)金屬 源漏極2以外的區(qū)域進(jìn)行干氧氧化，形成一層S^2的覆蓋層，如圖2g所示；第H步，在距離源極0. 4 μ m和距離漏極0. 8 μ m的中間區(qū)域，采用濕法刻蝕掉表面 的SiO2,并向下方繼續(xù)刻蝕至0. 08 μ m深度的η型緩沖層5，再在刻蝕出的緩沖層5上采用 電子束蒸發(fā)淀積厚度IOOnm半透明高勢(shì)壘肖特基金屬Au，在氮?dú)夥諊?000°C的高溫下快速 退火IOmin形成肖特基金屬柵極1，如圖池所示。
權(quán)利要求
1.一種基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的β輻照探測(cè)器，自下而上包括η型襯 底⑶、P型緩沖層(7)、η型溝道(6)、η型緩沖層(5)和兩側(cè)η+摻雜的歐姆接觸層(4)， 該歐姆接觸層上淀積有金屬Ni作為源漏極( 、η型緩沖層中間區(qū)域淀積半透明肖特基接 觸層(1)，并埋入η型緩沖層(5)內(nèi)，該肖特基接觸層由高勢(shì)壘肖特基金屬Au/Ti/Pt構(gòu)成， 柵極和源漏極以外的表面區(qū)域覆蓋有一層S^2鈍化層(3)，其特征在于η型溝道的濃度為 3. 5 4 X IO1W3,肖特基接觸層(1)埋入η型緩沖層(5)的深度為0. 06 0. 08 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的β輻照探測(cè)器，其特征在于肖特基接觸層(1)采用厚度為 IOOnm的肖特基金屬Ti或Pt或Au。
3.一種基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的β輻照探測(cè)器的制作方法，包括如下 步驟1)在η型4H-SiC襯底(8)上外延一層厚度為0.15 μ m，摻雜濃度為1. 4 X 1015cm_3的ρ 型外延層(7)；2)在ρ型緩沖層(7)上外延一層厚度為0.沈μm，摻雜濃度為3.5 4Χ IO17CnT3的η 型溝道(6)；3)在η溝道(6)上外延一層厚度為0.Iym,摻雜濃度為1. 7 X IO1W3n型緩沖層(5)；4)在η型緩沖層(5)上外延一層厚度為0.15 μ m，摻雜濃度為1 X IO19CnT3的源漏層⑷；5)在源漏層中外延層上干氧氧化，形成SiO2鈍化層(3)；6)采用濕法刻蝕SW2鈍化層上兩側(cè)區(qū)域表面的SW2形成源漏區(qū)，用電子束蒸發(fā)Ni，在 該源漏區(qū)形成厚度為0. 2 μ m歐姆接觸金屬源漏極O)；7)采用濕法刻蝕鈍化層中間區(qū)域，垂直刻蝕至η型緩沖層表面，形成輻照探測(cè)器的柵 極區(qū)域，在金屬源漏極以外的表面區(qū)域進(jìn)行干氧氧化形成一層SiO2的覆蓋層；8)在距離漏極0.8 μ m和源極0. 4 μ m的中間區(qū)域，采用濕法刻蝕掉該表面的SiO2,并 向下方繼續(xù)刻蝕至0. 06 0. 08 μ m深度的η型緩沖層( ，再在刻蝕出的緩沖層5區(qū)域采 用電子束蒸發(fā)淀積厚度IOOnm半透明高勢(shì)壘肖特基金屬Ti或金屬Pt或金屬Au，形成肖特 基金屬柵極(1)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的β射線輻照探測(cè)器，主要解決了現(xiàn)有β輻照探測(cè)器抗輻照性能不佳和能量轉(zhuǎn)換效率低的問(wèn)題。該探測(cè)器自下而上包括n型襯底(8)、p型緩沖層(7)、濃度為3.5～4×1017cm-3的n型溝道(6)、n型緩沖層(5)和歐姆接觸層(4)，歐姆接觸層上淀積源漏極(2)，n型緩沖層上淀積半透明肖特基接觸層(1)，該肖特基接觸層由高勢(shì)壘肖特基金屬Au/Ti/Pt構(gòu)成，其埋入n型緩沖層(5)的深度為0.06～0.08μm，柵極和源漏極以外的表面區(qū)域覆蓋有一層SiO2鈍化層(3)。本發(fā)明具有抗輻照能力強(qiáng)、能量轉(zhuǎn)換效率高、探測(cè)效率高的特點(diǎn)，可用于核能中對(duì)β射線的探測(cè)。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102074610SQ20101027881
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月9日
發(fā)明者張玉明, 洪樸, 程和遠(yuǎn), 詹曉偉, 郭輝 申請(qǐng)人:西安電子科技大學(xué)