專利名稱：引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種引線框架，并且更加具體地，涉及一種增加引線框架和模塑料之 間的接合強(qiáng)度以提高可靠性的弓I線框架。
背景技術(shù)：
通常，多個(gè)半導(dǎo)體芯片被包括在單個(gè)半導(dǎo)體封裝中，而不是被單獨(dú)地使用。為了制造包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片的單個(gè)半導(dǎo)體封裝，使用弓I線框架。具體地，多個(gè)半導(dǎo)體芯片被安裝在引線框架的管芯焊盤上。被安裝在管芯焊盤上 的半導(dǎo)體芯片通過(guò)絲線電氣地連接到引線框架的引線。在半導(dǎo)體芯片的安裝和絲線鍵合完 成之后，執(zhí)行模塑工藝，從而制造半導(dǎo)體封裝。在這里，被電氣地連接到半導(dǎo)體芯片的引線 被暴露在半導(dǎo)體封裝的外部并且被連接到外部電路。然而，當(dāng)在模塑工藝期間引線框架和模塑料之間的接合強(qiáng)度較弱時(shí)，在引線框架 和模塑料之間的界面處會(huì)形成不想要的間隙，并且半導(dǎo)體封裝的潮濕敏感水平(MSL)降 低。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了執(zhí)行半導(dǎo)體芯片的絲線鍵合，沿著其上安裝半導(dǎo)體芯片的管 芯焊盤的邊緣形成鍍銀(Ag)表面。然而，鍍銀層沒(méi)有牢固地附著到模塑料。當(dāng)像現(xiàn)有技術(shù)一樣沿著管芯焊盤的整個(gè) 周圍形成鍍銀層時(shí)，可能出現(xiàn)上述可靠性問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面提供一種引線框架，該引線框架通過(guò)減少為管芯焊盤上的絲線鍵合 形成的鍍層的面積來(lái)增加模塑料和引線框架之間的接合強(qiáng)度以提高可靠性。根據(jù)本發(fā)明的方面，提供一種引線框架，包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯 片；和多個(gè)引線，該多個(gè)引線被提供在管芯焊盤周圍，使得多個(gè)引線被電氣地連接到要被 安裝在管芯焊盤上的半導(dǎo)體芯片，其中，為管芯焊盤上的絲線鍵合提供接合島(bonding island) 0接合島可以是具有預(yù)定面積的鍍銀(Ag)或者鍍金(Au)層。接合島可以包括以規(guī)則間隔沿著管芯焊盤的邊緣布置的多個(gè)接合島。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種引線框架，包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯 片；和多個(gè)引線，該多個(gè)引線被提供在管芯焊盤周圍，使得多個(gè)引線被電氣地連接到要被安 裝在管芯焊盤上的半導(dǎo)體芯片，其中，為管芯焊盤上的絲線鍵合提供接合區(qū)，并且在接合區(qū) 上提供輔助接合部分以增加模塑料和引線框架之間的接合強(qiáng)度。
接合區(qū)域可以是沿著管芯焊盤的邊緣提供的鍍銀(Ag)或者鍍金(Au)層，并且輔 助接合部分可以由在模塑料和引線框架之間具有比鍍層更高的接合強(qiáng)度的材料形成。輔助接合部分可以是沿著管芯焊盤的邊緣布置的多個(gè)輔助接合部分。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種引線框架，包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯 片；多個(gè)引線，該多個(gè)引線被提供在管芯焊盤，使得多個(gè)引線被電氣地連接到要被安裝在管 芯焊盤上的半導(dǎo)體芯片；以及接地環(huán)，該接地環(huán)被布置在管芯焊盤和多個(gè)引線之間，其中， 為接地環(huán)上的絲線鍵合提供接合島。接合島可以是具有預(yù)定面積的鍍銀(Ag)或者鍍金(Au)層?？梢砸砸?guī)則間隔將接合島布置在接地環(huán)上。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種引線框架，包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯 片；多個(gè)引線，該多個(gè)引線被提供在管芯焊盤周圍使得多個(gè)引線被電氣地連接到要被安裝 在管芯焊盤上的半導(dǎo)體芯片；以及接地環(huán)，該接地環(huán)被布置在管芯焊盤和多個(gè)引線之間，其 中，為接地環(huán)上的絲線鍵合提供接合區(qū)，并且在接合區(qū)上提供輔助接合部分以增加模塑料 和引線框架之間的接合強(qiáng)度。接合區(qū)可以是鍍銀(Ag)或者鍍金(Au)層，并且輔助接合部分可以由在模塑料和 引線框架之間具有比鍍銀或者鍍金層更高的接合強(qiáng)度的材料形成。輔助接合部分可以是以規(guī)則間隔布置在接地環(huán)上的多個(gè)輔助接合部分。


根據(jù)結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述，將會(huì)更加清楚地理解本發(fā)明的以上和其他方面、 特征和其他的優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的引線框架的平面圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的引線框架的平面圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的引線框架的平面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的引線框架的平面圖；以及圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的其上安裝有半導(dǎo)體芯片的引線框架的 平面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將會(huì)參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，在與本發(fā)明的實(shí)施 例相關(guān)的操作原理的描述中，省略已知技術(shù)或者構(gòu)造的詳細(xì)描述，因?yàn)槠淇赡懿槐匾厥?本發(fā)明的精神變得不清楚。在附圖中，將會(huì)從始至終使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)指定相同或者類似的組件。將會(huì)理解的是，當(dāng)元件被稱為與另一元件“相連接”時(shí)，它能夠與另一元件直接地 相連接或者也可以存在中間元件。相反地，當(dāng)元件被稱為與另一元件“直接地相連接”時(shí)， 不存在中間元件。另外，除非明確地進(jìn)行了相反的描述，否則單詞“包括”將會(huì)被理解為表 示包括所提及的元件但并不排除任何其他元件。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的引線框架的平面圖。根據(jù)本實(shí)施例的引線框架100可以包括管芯焊盤(die pad) 110、接合島112、內(nèi)引線120、外引線122、框架主體130、支撐桿132、以及提壩桿(dam bar) 134。管芯焊盤110可以提供其中安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片的區(qū)域。多個(gè)半導(dǎo)體芯片(未示 出)可以被接合到管芯焊盤110的上表面并且被支撐。此外，以管芯焊盤110的邊緣通過(guò)支撐桿132連接到框架主體130的方式支撐管 芯焊盤110。內(nèi)引線120可以通過(guò)提壩桿134來(lái)支撐并且可以同時(shí)通過(guò)提壩桿134連接到外引 線 122。內(nèi)引線120可以通過(guò)絲線鍵合直接地連接到被安裝在管芯焊盤110上的半導(dǎo)體芯 片。因此，為了執(zhí)行絲線鍵合，鍍層可以形成在內(nèi)引線120中的每一個(gè)的預(yù)定面積的上表面 中。在這里，鍍層可以是具有預(yù)定面積的鍍銀(Ag)層。為了與要被安裝在管芯焊盤110上的半導(dǎo)體芯片形成接地連接，可以為管芯焊盤 110上的絲線鍵合形成接合島112。接合島112可以是鍍銀(Ag)或者鍍金(Au)層。不同于沿著管芯焊盤110的整個(gè)周圍形成鍍層的現(xiàn)有技術(shù)，在根據(jù)本實(shí)施例的引 線框架中提供具有預(yù)定面積的多個(gè)島狀鍍層，如圖1中所示。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比較，在 圖1中所示的根據(jù)本實(shí)施例的引線框架中，減少了形成在管芯焊盤110上的整個(gè)鍍層的面 積，從而增加了與模塑料的接合強(qiáng)度。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的引線框架的平面圖。參考圖2，根據(jù)本實(shí)施例的引線框架與圖1中所示的根據(jù)上述實(shí)施例的引線框架 相同，不同之處在于在管芯焊盤110上形成接合區(qū)114，其中包括輔助接合部分116。因此， 將會(huì)省略相同組件的詳細(xì)描述。接合區(qū)114可以是沿著管芯焊盤110的邊緣形成的鍍銀或者鍍金層?？梢栽诮雍蠀^(qū)114中執(zhí)行用于形成要被安裝在管芯焊盤110上的半導(dǎo)體芯片的接 地連接的絲線鍵合。輔助接合部分116形成在預(yù)定面積的接合區(qū)114上。輔助接合部分116由在引線 框架和模塑料之間具有比鍍銀或者鍍金層更高的接合強(qiáng)度的材料形成。例如，由于模塑料 和其上形成鍍銀或鍍金層的管芯焊盤110的上表面的一些區(qū)域之間的接合強(qiáng)度低于模塑 料和其上沒(méi)有形成鍍銀或鍍金層的其他區(qū)域之間的接合強(qiáng)度，所以輔助接合部分116可以 是其上沒(méi)有形成鍍銀或鍍金層的管芯焊盤110的表面的區(qū)域。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的引線框架的平面圖。參考圖3，根據(jù)本實(shí)施例的引線框架與圖1中所示的根據(jù)上述實(shí)施例的引線框架 相同，不同之處在于在管芯焊盤110和多個(gè)內(nèi)引線120之間布置接地環(huán)150，并且在接地環(huán) 150上形成接合島152。因此，將會(huì)省略相同組件的詳細(xì)描述。接地環(huán)150被布置在管芯焊盤110和內(nèi)引線120之間并且由支撐桿132支撐。為了形成要被安裝在管芯焊盤110上的半導(dǎo)體芯片的接地連接，對(duì)接地環(huán)150執(zhí) 行絲線鍵合。更加具體地，對(duì)形成在接地環(huán)150上的多個(gè)接合島152執(zhí)行絲線鍵合。在這里，接合島152可以是具有預(yù)定面積的鍍銀(Ag)或者鍍金(Au)層。不同于為整個(gè)接地環(huán)150的上方的絲線鍵合形成鍍層的現(xiàn)有技術(shù)，在根據(jù)本實(shí)施 例的引線框架中形成具有預(yù)定面積的多個(gè)島狀鍍層，如圖3中所示。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比較，減少了形成在根據(jù)本實(shí)施例的引線框架的接地環(huán)150上的整個(gè)鍍層的面積，從而增加 了與模塑料的接合強(qiáng)度。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的引線框架的平面圖。參考圖4，根據(jù)本實(shí)施例的引線框架與圖1中所示的根據(jù)上述實(shí)施例的引線框架 相同，不同之處在于在接地環(huán)150上形成接合區(qū)154，其中包括輔助接合部分156。因此，將 會(huì)省略相同組件的詳細(xì)描述。接合區(qū)154可以是形成在接地環(huán)150上的鍍銀或者鍍金層?？梢詫?duì)接合區(qū)巧4執(zhí)行用于形成要被安裝在管芯焊盤110上的半導(dǎo)體芯片的接地 連接的絲線鍵合。輔助接合部分156形成為具有預(yù)定面積的接合區(qū)154，并且由在引線框架和模塑 料之間具有比鍍銀或者鍍金層更高的接合強(qiáng)度的材料形成。例如，由于模塑料和其上形成 鍍銀或鍍金層的接地環(huán)150的上表面的一些區(qū)域之間的接合強(qiáng)度低于模塑料和其上沒(méi)有 形成鍍銀或者鍍金層的其他區(qū)域之間的接合強(qiáng)度，所以輔助接合部分156可以是其上沒(méi)有 形成鍍銀或鍍金層的接地環(huán)150的表面的區(qū)域。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的其上安裝有半導(dǎo)體芯片的引線框架的 平面圖。參考圖5，多個(gè)半導(dǎo)體芯片140被安裝在管芯焊盤110上。在這里，通過(guò)使用粘合 劑可以將半導(dǎo)體芯片140固定到管芯焊盤110。通過(guò)絲線142可以將半導(dǎo)體芯片140連接到內(nèi)引線120或者接合島112。能夠執(zhí)行具有預(yù)定面積并且以規(guī)則間隔沿著管芯焊盤110的邊緣形成的接合島 112所需要的絲線鍵合，并且其上沒(méi)有形成鍍層的接合島112之間存在區(qū)域，從而與其中沿 著管芯焊盤110的整個(gè)周圍形成鍍層的情況相比較，增加了引線框架和模塑料之間的接合強(qiáng)度。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過(guò)在管芯焊盤上形成由具有預(yù)定面積 的鍍層形成的多個(gè)接合島來(lái)減少形成在管芯焊盤上的整個(gè)鍍層的面積，從而增加了引線框 架和模塑料之間的接合強(qiáng)度。因此，使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的引線框架來(lái)制造半 導(dǎo)體封裝，從而提高可靠性。雖然已經(jīng)結(jié)合示例性實(shí)施例示出并且描述本發(fā)明，但是對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō) 顯然的是，在沒(méi)有脫離如隨附的權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，能夠進(jìn) 行修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種引線框架，包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯片；和多個(gè)引線，所述多個(gè)引線被提供在所述管芯焊盤周圍，使得所述多個(gè)引線被電氣地連 接到要被安裝在所述管芯焊盤上的所述半導(dǎo)體芯片， 其中，為所述管芯焊盤上的絲線鍵合提供接合島。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其中所述接合島是具有預(yù)定面積的鍍銀(Ag)或者 鍍金(Au)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其中所述接合島包括以規(guī)則間隔沿著所述管芯焊 盤的邊緣布置的多個(gè)接合島。
4.一種引線框架，包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯片；和多個(gè)引線，所述多個(gè)引線被提供在所述管芯焊盤周圍，使得所述多個(gè)引線被電氣地連 接到要被安裝在所述管芯焊盤上的所述半導(dǎo)體芯片，其中，為所述管芯焊盤上的絲線鍵合提供接合區(qū)，并且在所述接合區(qū)上提供輔助接合部分以增加模塑料和所述引線框架之間的接合強(qiáng)度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線框架，其中所述接合區(qū)是沿著所述管芯焊盤的邊緣提供 的鍍銀(Ag)或者鍍金(Au)層，并且所述輔助接合部分由在所述模塑料和所述引線框架之 間具有比所述鍍層更高的接合強(qiáng)度的材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線框架，其中所述輔助接合部分是沿著所述管芯焊盤的邊 緣布置的多個(gè)輔助接合部分。
7.一種引線框架，包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯片；多個(gè)引線，所述多個(gè)引線被布置在所述管芯焊盤周圍，使得所述多個(gè)引線被電氣地連 接到要被安裝在所述管芯焊盤上的所述半導(dǎo)體芯片；以及接地環(huán)，所述接地環(huán)被布置在所述管芯焊盤和所述多個(gè)引線之間， 其中，為所述接地環(huán)上的絲線鍵合提供接合島。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架，其中所述接合島是具有預(yù)定面積的鍍銀(Ag)或者 鍍金(Au)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架，其中所述接合島以規(guī)則間隔布置在所述接地環(huán)上。
10.一種引線框架，包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯片；多個(gè)引線，所述多個(gè)引線被提供在所述管芯焊盤周圍，使得所述多個(gè)引線被電氣地連 接到要被安裝在所述管芯焊盤上的所述半導(dǎo)體芯片；以及接地環(huán)，所述接地環(huán)被布置在所述管芯焊盤和所述多個(gè)引線之間， 其中，為所述接地環(huán)上的絲線鍵合提供接合區(qū)，并且在所述接合區(qū)上提供輔助接合部分以增加模塑料和所述引線框架之間的接合強(qiáng)度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線框架，其中所述接合區(qū)是鍍銀(Ag)或者鍍金(Au)層， 并且所述輔助接合部分由在所述模塑料和所述引線框架之間具有比所述鍍銀或者鍍金層更高的接合強(qiáng)度的材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線框架，其中所述輔助接合部分是以規(guī)則間隔布置在所 述接地環(huán)上的多個(gè)輔助接合部分。
全文摘要
提供一種引線框架。根據(jù)本發(fā)明的引線框架包括管芯焊盤，其上安裝半導(dǎo)體芯片；和多個(gè)引線，該多個(gè)引線被提供在管芯焊盤周圍，使得多個(gè)引線被電氣地連接到要被安裝在管芯焊盤上的半導(dǎo)體芯片，其中，為管芯焊盤上的絲線鍵合提供接合島。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102064150SQ20101053132
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月18日
發(fā)明者宋泳鎮(zhèn), 樸珠榮, 裵孝根 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社