專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，尤指一種提升開口率的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
功能先進(jìn)的顯示器漸成為現(xiàn)今消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要特色，其中液晶顯示器已經(jīng)逐 漸成為各種電子設(shè)備如行動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記型計(jì) 算機(jī)屏幕所廣泛應(yīng)用具有高分辨率彩色屏幕的顯示器。液晶顯示器包含二個(gè)具有電極的基材以及夾在二個(gè)基材間的液晶層。電壓施加至 電極，使液晶層內(nèi)的液晶分子被再定向以控制光透射。電極皆可形成在基材之一?；闹?一稱為"薄膜晶體管陣列面板"，另一基材稱為"濾色(color filter)基材"。薄膜晶體 管陣列面板具有復(fù)數(shù)掃描線、橫過掃描線而界定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、形成在各個(gè)像素區(qū)而電 連接至柵極及數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管以及電連接至薄膜晶體管的像素電極。儲(chǔ)存電容形成在 薄膜晶體管陣列面板以使電壓以穩(wěn)定方式施加至配置于二個(gè)基材間的液晶。為了此目的， 儲(chǔ)存電容的金屬線會(huì)與掃描線使用相同金屬層，使其與像素電極重迭以形成儲(chǔ)存電容。請(qǐng)參閱圖1，圖1為先前技術(shù)的薄膜晶體管陣列面板10的局部平面圖。薄膜晶體 管陣列面板10采用雙重柵極線(dual gate)設(shè)計(jì)，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器(圖未示)經(jīng)由掃描線22 輸出掃描信號(hào)使得每一列的晶體管觀依序開啟，同時(shí)源極驅(qū)動(dòng)器(圖未示)則經(jīng)由數(shù)據(jù)線 20輸出對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)至一整列的像素電極M使其充電到各自所需的電壓，以顯示不同 的灰階。當(dāng)同一列充電完畢后，柵極驅(qū)動(dòng)器便將該列的掃描信號(hào)關(guān)斷，然后再輸出掃描信號(hào) 將下一列的晶體管觀導(dǎo)通，再由源極驅(qū)動(dòng)器對(duì)下一列的像素電極M進(jìn)行充電。如此依序 下去，直到薄膜晶體管陣列面板10的所有像素電極M都充電完成，再?gòu)牡谝涣虚_始充電。 為了讓像素電極M在沒有掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管觀時(shí)，仍能依據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)顯示灰階，在像素 電極M的對(duì)應(yīng)處有設(shè)置一儲(chǔ)存電容電極線26。儲(chǔ)存電容電極線沈與像素電極M之間的 間距就是儲(chǔ)存電容。儲(chǔ)存電容會(huì)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)使得像素電極M維持在固定的電壓直到下 一次掃描充電為止。然而，儲(chǔ)存電容電極線沈與掃描線22雖為不同信號(hào)但使用同一金屬層，因此在電 路布局時(shí)，必須考慮信號(hào)耦合(coupling)效應(yīng)以及制程精度的限制。這使得儲(chǔ)存電容電極 線26與掃描線22之間必須保留間距dl。間距dl越大，像素設(shè)計(jì)的開口率越小，透過率較 低，進(jìn)而增加薄膜晶體管陣列面板10的成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種能增加開口率的液晶顯示器，不僅可克服 制程精度上的限制，也可增加輝度并降低制造成本，以解決上述先前技術(shù)的問題。本發(fā)明提供一種液晶顯示器，其包含第一像素電極、第二像素電極、第一掃描線、 第二掃描線、數(shù)據(jù)線、第一儲(chǔ)存電容電極線及第二儲(chǔ)存電容電極線。該第一掃描線電性連接 該第一像素電極，該第二掃描線電性連接該第二像素電極。該數(shù)據(jù)線電性連接該第一像素電極和該第二像素電極。該第一儲(chǔ)存電容電極線以及一第二儲(chǔ)存電容電極線形成在該數(shù) 據(jù)線的兩旁而橫過該第一掃描線以及該第二掃描線，該第一儲(chǔ)存電容電極線還包含一第一 儲(chǔ)存電容電極延伸線，自該第一儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向延伸，以及該第二儲(chǔ)存電 容電極線還包含一第二儲(chǔ)存電容電極延伸線，自該第二儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向延 伸，且該第一像素電極的邊緣與該第一儲(chǔ)存電容電極線和該第一儲(chǔ)存電容電極延伸線部分 重迭，該第二像素電極的邊緣與該第二儲(chǔ)存電容電極線和該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線部分 重迭。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該第一、第二儲(chǔ)存電容電極線與該數(shù)據(jù)線以相同的材料形 成。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該液晶顯示器還包含一連接區(qū)，電性連接該第一儲(chǔ)存電容 電極延伸線和該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該液晶顯示器還包含第三掃描線、第四掃描線、第三像素電 極以及第四像素電極，該第三像素電極電性連接該數(shù)據(jù)線以及該第一儲(chǔ)存電容電極線，該 第四像素電極電性連接該數(shù)據(jù)線以及該第二儲(chǔ)存電容電極線，該第三掃描線電性連接該第 三像素電極，該第四掃描線電性連接該第四像素電極。該第一儲(chǔ)存電容電極線還包含一第 三儲(chǔ)存電容電極延伸線，自該第一儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向延伸，以及該第二儲(chǔ)存 電容電極線還包含一第四儲(chǔ)存電容電極延伸線，自該第二儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向 延伸，且該第三像素電極的邊緣與該第一儲(chǔ)存電容電極線和該第三儲(chǔ)存電容電極延伸線部 分重迭，該第四像素電極的邊緣與該第二儲(chǔ)存電容電極線和該第四儲(chǔ)存電容電極延伸線部 分重迭。。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該第一儲(chǔ)存電容電極線還包含一第三儲(chǔ)存電容電極延伸 線，自該第一儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向延伸，以及該第二儲(chǔ)存電容電極線還包含一 第四儲(chǔ)存電容電極延伸線，自該第二儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向延伸。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該第一儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近于該第二掃描線，并平 行于該第二掃描線，該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近該第一掃描線，并平行于該第一掃 描線。該液晶顯示器還包含一連接線，電性連接該第一儲(chǔ)存電容電極延伸線和該第四儲(chǔ)存 電容電極延伸線。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該第一儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近于該第一掃描線，并平 行于該第一掃描線，該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近該第二掃描線，并平行于該第二掃 描線。該液晶顯示器還包含一連接線，電性連接該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線和該第三儲(chǔ)存 電容電極延伸線。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作 詳細(xì)說明如下


圖1為先前技術(shù)的薄膜晶體管陣列面板的局部平面圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的局部平面圖。圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的局部平面圖。圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的局部平面圖。
圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的局部平面圖。圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的局部平面圖。圖7為本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的局部平面圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖2，圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板100的局部平面圖。 本發(fā)明的薄膜晶體管陣列面板100是用于液晶顯示器，其包含第一像素電極61、第二像素 電極62、第三像素電極63、第四像素電極64、第一掃描線521、第二掃描線522、第三掃描線 523、第四掃描線524、數(shù)據(jù)線50、晶體管581-584、第一儲(chǔ)存電容電極線561及第二儲(chǔ)存電容 電極線562。第一像素電極61經(jīng)由晶體管581電性連接第一掃描線521和數(shù)據(jù)線50。第二像 素電極62經(jīng)由晶體管582電性連接第二掃描線522和數(shù)據(jù)線50。第三像素電極63經(jīng)由 晶體管583電性連接第三掃描線523和數(shù)據(jù)線50。第四像素電極64經(jīng)由晶體管584電性 連接第四掃描線5M和數(shù)據(jù)線50。第一儲(chǔ)存電容電極線561以及第二儲(chǔ)存電容電極線562 形成在數(shù)據(jù)線50的兩旁而橫過第三掃描線523和第四掃描線524，且第一像素電極61、第 三像素電極63與第一儲(chǔ)存電容電極線561部分重迭，第二像素電極62、第四像素電極64與 第二儲(chǔ)存電容電極線562部分重迭。儲(chǔ)存電容電極線561、562與數(shù)據(jù)線50在相同平面上 且用相同的材料形成，并交替地與數(shù)據(jù)線50排列。第一儲(chǔ)存電容電極線561還包含第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611，自該第一儲(chǔ)存電 容電極線561朝數(shù)據(jù)線50方向延伸，第二儲(chǔ)存電容電極線562還包含一第二儲(chǔ)存電容電極 延伸線5622，自該第二儲(chǔ)存電容電極線562朝數(shù)據(jù)線50方向延伸。第一儲(chǔ)存電容電極線 561還包含一第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613，自第一儲(chǔ)存電容電極線561朝數(shù)據(jù)線50方向 延伸，以及第二儲(chǔ)存電容電極線562還包含一第四儲(chǔ)存電容電極延伸線5624，自第二儲(chǔ)存 電容電極線562朝該數(shù)據(jù)線50方向延伸。自本實(shí)施例中，第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611 是靠近該第二掃描線522，并平行于該第二掃描線522，第二儲(chǔ)存電容電極延伸線5622是靠 近第一掃描線521，并平行于第一掃描線521。第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613是靠近該第 四掃描線524，并平行于第四掃描線524，第四儲(chǔ)存電容電極延伸線56M是靠近第三掃描線 523，并平行于第三掃描線523。當(dāng)掃描線521傳來掃描信號(hào)時(shí)，晶體管581會(huì)導(dǎo)通，使得來自數(shù)據(jù)線50數(shù)據(jù)信號(hào) 會(huì)傳遞至像素電極61。像素電極61所接收的像素電壓則與導(dǎo)電玻璃基板的共同電極(未 圖標(biāo))的電壓差而產(chǎn)生電場(chǎng)，而驅(qū)動(dòng)導(dǎo)電玻璃基板與像素電極61間的液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)掃 描線522傳來掃描信號(hào)時(shí)，晶體管582會(huì)開啟使得來自數(shù)據(jù)線50數(shù)據(jù)信號(hào)會(huì)傳遞至像素電 極62。像素電極62所接收的像素電壓則與導(dǎo)電玻璃基板的共同電極的電壓差而產(chǎn)生電場(chǎng)， 而驅(qū)動(dòng)導(dǎo)電玻璃基板與像素電極62間的液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)掃描線523傳來掃描信號(hào)時(shí)，晶 體管583會(huì)開啟使得來自數(shù)據(jù)線50數(shù)據(jù)信號(hào)會(huì)傳遞至像素電極63。像素電極63所接收的 像素電壓則與導(dǎo)電玻璃基板的共同電極的電壓差而產(chǎn)生電場(chǎng)，而驅(qū)動(dòng)導(dǎo)電玻璃基板與像素 電極63間的液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)掃描線5M傳來掃描信號(hào)時(shí)，晶體管584會(huì)導(dǎo)通使得來自數(shù) 據(jù)線50數(shù)據(jù)信號(hào)會(huì)傳遞至像素電極64。像素電極64所接收的像素電壓則與導(dǎo)電玻璃基板 的共同電極的電壓差而產(chǎn)生電場(chǎng)，而驅(qū)動(dòng)導(dǎo)電玻璃基板與像素電極64間的液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)。
為了讓像素電極61在沒有掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管581時(shí)，仍能依據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)顯示灰 階，在像素電極61與第一儲(chǔ)存電容電極線561 (包括第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611)有部 分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極61維持在固定數(shù)據(jù) 信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。像素電極62與第二儲(chǔ)存電容電極線562(包括第二 儲(chǔ)存電容電極延伸線562 有部分重達(dá)之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)， 使得像素電極62維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。像素電極63與第 一儲(chǔ)存電容電極線561 (包括第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613)有部分重迭之處的間距會(huì)形 成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極63維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次 掃描充電為止。像素電極64與第二儲(chǔ)存電容電極線562(包括第四儲(chǔ)存電容電極延伸線 5624)有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極64維持 在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。因?yàn)閮?chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-524不是使用同一金屬層也不在同 一平面上，所以不需考慮掃描線521-524與儲(chǔ)存電容電極線561、562過于接近而導(dǎo)致的電 容耦合效應(yīng)。在制程上，因?yàn)閽呙杈€521-524與儲(chǔ)存電容電極線561、562幾乎不會(huì)有電容 耦合效應(yīng)的問題，所以可容許儲(chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-5M之間(例如第一 儲(chǔ)存電容電極延伸線5611與掃描線522之間)有較小的間距d2(相較于先前技術(shù)的間距 dl)，間距d2甚至可等于0。所以每一像素電極61-64的面積可以較大，也就是較大的開口 率。故可降低薄膜晶體管陣列面板100的成本且增加效能。請(qǐng)參閱圖3，圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板200的局部平面圖。 與薄膜晶體管陣列面板100差異之處在于，第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611與第四儲(chǔ)存電容 電極延伸線56M之間有一連接線57，使得儲(chǔ)存電容電極線561、562更不易受到其它信號(hào) 的電容耦合效應(yīng)影響，改善信號(hào)交互干擾(crosstalk)的問題，還可提升面板200的顯示質(zhì)量。請(qǐng)參閱圖4，圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板300的局部平面 圖。薄膜晶體管陣列面板300的第一儲(chǔ)存電容電極線561還包含第一儲(chǔ)存電容電極延伸線 5611，自該第一儲(chǔ)存電容電極線561朝數(shù)據(jù)線50方向延伸，第二儲(chǔ)存電容電極線562還包 含一第二儲(chǔ)存電容電極延伸線5622，自該第二儲(chǔ)存電容電極線562朝數(shù)據(jù)線50方向延伸。 第一儲(chǔ)存電容電極線561還包含一第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613，自第一儲(chǔ)存電容電極線 561朝數(shù)據(jù)線50方向延伸，以及第二儲(chǔ)存電容電極線562還包含一第四儲(chǔ)存電容電極延伸 線5624，自第二儲(chǔ)存電容電極線562朝該數(shù)據(jù)線50方向延伸。自本實(shí)施例中，第一儲(chǔ)存電 容電極延伸線5611是靠近該第一掃描線521，并平行于第一掃描線521，第二儲(chǔ)存電容電極 延伸線5622是靠近第二掃描線522，并平行于第二掃描線522。第三儲(chǔ)存電容電極延伸線 5613是靠近該第三掃描線523，并平行于第三掃描線523，第四儲(chǔ)存電容電極延伸線56M是 靠近第四掃描線524，并平行于第四掃描線524。為了讓像素電極61在沒有掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管581時(shí)，仍能依據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)顯示灰 階，在像素電極61在第一儲(chǔ)存電容電極線561 (包括第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611)和掃 描線522有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極61維 持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。像素電極62在第二儲(chǔ)存電容電極線 562(包括第二儲(chǔ)存電容電極延伸線5622)和掃描線521有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極62維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充 電為止。像素電極63在第一儲(chǔ)存電容電極線561(包括第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613)和 掃描線5M有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極63 維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。像素電極64在第二儲(chǔ)存電容電極 線562(包括第四儲(chǔ)存電容電極延伸線5624)與掃描線523有部分重迭之處的間距會(huì)形成 儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極64維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃 描充電為止。因?yàn)閮?chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-5M不是使用同一金屬層也不在同一 平面上，所以不需考慮掃描線521-524與儲(chǔ)存電容電極線561、562過于接近而導(dǎo)致的電容 耦合效應(yīng)。在制程上，因?yàn)閽呙杈€521-5M與儲(chǔ)存電容電極線561、562幾乎不會(huì)有電容耦 合效應(yīng)的問題，所以可容許儲(chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-5 之間(例如儲(chǔ)存電 容電極延伸線5613與掃描線523之間)有較小的間距d3(相較于先前技術(shù)的間距dl)，間 距d3甚至可等于0。所以每一像素電極61-64的面積可以較大，也就是較大的開口率。除 此之外，因?yàn)閮?chǔ)存電容是形成在掃描在線(CS on gate)，因此可使開口率再提高。且儲(chǔ)存 電容電極延伸線5611、5613、5622、5624的金屬層可以擋光，因此可以使黑色陣列層(Black Matrix)的設(shè)計(jì)可往掃描線的方向后退，可提升開口率。因此薄膜晶體管陣列面板300的成 本還可降低且增加效能。請(qǐng)參閱圖5，圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例之薄膜晶體管陣列面板400的局部平面圖。 與薄膜晶體管陣列面板300差異之處在于，第二儲(chǔ)存電容電極延伸線5622與第三儲(chǔ)存電容 電極延伸線5613之間有一連接線59，使得儲(chǔ)存電容電極線561、562更不易受到其它信號(hào) 的電容耦合效應(yīng)影響，改善信號(hào)交互干擾(crosstalk)的問題，還可提升面板400的顯示質(zhì)量。請(qǐng)參閱圖6，圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板500的局部平面圖。 第一像素電極61經(jīng)由晶體管581電性連接第一掃描線521和數(shù)據(jù)線50。第二像素電極62 經(jīng)由晶體管582電性連接第二掃描線522和數(shù)據(jù)線50。第三像素電極63經(jīng)由晶體管583 電性連接第四掃描線5M和數(shù)據(jù)線50。第四像素電極64經(jīng)由晶體管584電性連接第三掃 描線523和數(shù)據(jù)線50。儲(chǔ)存電容電極線561、562與數(shù)據(jù)線50在相同平面上且用相同的材 料形成，并交替地與數(shù)據(jù)線50排列。第一儲(chǔ)存電容電極線561還包含第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611，自該第一儲(chǔ)存電 容電極線561朝數(shù)據(jù)線50方向延伸，第二儲(chǔ)存電容電極線562還包含一第二儲(chǔ)存電容電極 延伸線5622，自該第二儲(chǔ)存電容電極線562朝數(shù)據(jù)線50方向延伸。第一儲(chǔ)存電容電極線 561還包含一第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613，自第一儲(chǔ)存電容電極線561朝數(shù)據(jù)線50方向 延伸，以及第二儲(chǔ)存電容電極線562還包含一第四儲(chǔ)存電容電極延伸線5624，自第二儲(chǔ)存 電容電極線562朝該數(shù)據(jù)線50方向延伸。自本實(shí)施例中，第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611是 靠近該第二掃描線522，并平行于該第二掃描線522，第二儲(chǔ)存電容電極延伸線5622是靠近 第一掃描線521，并平行于第一掃描線521。第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613是靠近第三掃 描線523，并平行于第三掃描線523，第四儲(chǔ)存電容電極延伸線56M是靠近第四掃描線524， 并平行于第四掃描線524。連接區(qū)551與掃描線521-522的金屬材質(zhì)一致且位于同一平面。 連接區(qū)電性連接第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611和第二儲(chǔ)存電容電極延伸線5622。第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613與第四儲(chǔ)存電容電極延伸線56M之間有連接區(qū)552。連接區(qū) 552與掃描線523-524的金屬材質(zhì)一致且位于同一平面。連接區(qū)552電性連接第三儲(chǔ)存電 容電極延伸線5613和第四儲(chǔ)存電容電極延伸線56M。為了讓像素電極61在沒有掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管581時(shí)，仍能依據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)顯示 灰階，像素電極61在第一儲(chǔ)存電容電極線561 (包括第一儲(chǔ)存電容電極延伸線5611)和連 接區(qū)551有部分重達(dá)之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極61維 持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。像素電極62在第二儲(chǔ)存電容電極線 562(包括第二儲(chǔ)存電容電極延伸線5622)和連接區(qū)551有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存 電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極62維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充 電為止。像素電極63在第一儲(chǔ)存電容電極線561(包括第三儲(chǔ)存電容電極延伸線5613)和 連接區(qū)552有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極63 維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。像素電極64在第二儲(chǔ)存電容電極 線562(包括第四儲(chǔ)存電容電極延伸線5624)和連接區(qū)552有部分重迭之處的間距會(huì)形成 儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極64維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃 描充電為止。因?yàn)閮?chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-524不是使用同一金屬層也不在同 一平面上，所以不需考慮掃描線521-524與儲(chǔ)存電容電極線561、562過于接近而導(dǎo)致的電 容耦合效應(yīng)。在制程上，因?yàn)閽呙杈€521-524與儲(chǔ)存電容電極線561、562幾乎不會(huì)有電容 耦合效應(yīng)的問題，所以可容許儲(chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-5M之間(例如第一 儲(chǔ)存電容電極延伸線5611與掃描線522之間)有較小的間距d4(相較于先前技術(shù)的間距 dl)，間距d4甚至可等于0。所以每一像素電極61-64的面積可以較大，也就是較大的開口 率。故可降低薄膜晶體管陣列面板500的成本且增加效能。請(qǐng)參閱圖7，圖7為本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板600的局部平面圖。 薄膜晶體管陣列面板600的第一儲(chǔ)存電容電極線561包含儲(chǔ)存電容電極延伸線5611、5612、 5613,5614自該第一儲(chǔ)存電容電極線561朝數(shù)據(jù)線50方向延伸，第二儲(chǔ)存電容電極線562 包含第二儲(chǔ)存電容電極延伸線5621、5622、5623、5624，自該第二儲(chǔ)存電容電極線562朝數(shù) 據(jù)線50方向延伸。自本實(shí)施例中，儲(chǔ)存電容電極延伸線5611、5612、5613、5614分別靠近 掃描線521、522、523、524，并平行于掃描線521、522、523、524。儲(chǔ)存電容電極延伸線5621、 5622,5623,5624 是靠近掃描線 521、522、523、524，并平行于掃描線 521、522、523、524。為了讓像素電極61在沒有掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管581時(shí)，仍能依據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)顯示 灰階，像素電極61在儲(chǔ)存電容電極線561(包括儲(chǔ)存電容電極延伸線5611、5612)和連接 區(qū)551有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極61維持 在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。像素電極62在第二儲(chǔ)存電容電極線 562(包括儲(chǔ)存電容電極延伸線5621、562幻和連接區(qū)551有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ) 存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極62維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描 充電為止。像素電極63在儲(chǔ)存電容電極線561(包括儲(chǔ)存電容電極延伸線5613、5614)和 連接區(qū)552有部分重達(dá)之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極63 維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃描充電為止。像素電極64在第二儲(chǔ)存電容電極 線562 (包括儲(chǔ)存電容電極延伸線5623、5624)和連接區(qū)552有部分重迭之處的間距會(huì)形成儲(chǔ)存電容，用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)，使得像素電極64維持在固定數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓直到下一次掃 描充電為止。因?yàn)閮?chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-5M不是使用同一金屬層也不在同一 平面上，所以不需考慮掃描線521-524與儲(chǔ)存電容電極線561、562過于接近而導(dǎo)致的電容 耦合效應(yīng)。在制程上，因?yàn)閽呙杈€521-5M與儲(chǔ)存電容電極線561、562幾乎不會(huì)有電容耦 合效應(yīng)的問題，所以可容許儲(chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-5M之間有較小的間距 d5(相較于先前技術(shù)的間距dl)。所以可容許儲(chǔ)存電容電極線561、562和掃描線521-5 之間(例如儲(chǔ)存電容電極延伸線5612與掃描線522之間)有較小的間距d5(相較于先前 技術(shù)的間距dl)，間距d5甚至可等于0。所以每一像素電極61-64的面積可以較大，也就是 較大的開口率。除此之外，因?yàn)閮?chǔ)存電容是形成在掃描在線(CSon gate)，因此可使開口率 再提高。且儲(chǔ)存電容電極延伸線5611、5614、5622、5623的金屬層可以擋光，因此可以使黑 色陣列層(Black Matrix)的設(shè)計(jì)可往掃描線的方向后退，可提升開口率。因此薄膜晶體管 陣列面板600的成本更可降低且增加效能。雖然本發(fā)明已用較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技 藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視前述的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，其特征在于，其包含一第一像素電極以及一第二像素電極；一第一掃描線以及一第二掃描線，該第一掃描線電性連接該第一像素電極，該第二掃 描線電性連接該第二像素電極；一數(shù)據(jù)線，電性連接該第一像素電極和該第二像素電極；以及一第一儲(chǔ)存電容電極線以及一第二儲(chǔ)存電容電極線，形成在該數(shù)據(jù)線的兩旁而橫過 該第一掃描線以及該第二掃描線，該第一儲(chǔ)存電容電極線還包含一第一儲(chǔ)存電容電極延伸 線，自該第一儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向延伸，以及該第二儲(chǔ)存電容電極線還包含一 第二儲(chǔ)存電容電極延伸線，自該第二儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向延伸，且該第一像素 電極的邊緣與該第一儲(chǔ)存電容電極線和該第一儲(chǔ)存電容電極延伸線部分重達(dá)，該第二像素 電極的邊緣與該第二儲(chǔ)存電容電極線和該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線部分重迭。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一、第二儲(chǔ)存電容電極線、該第 一、第二儲(chǔ)存電容電極延伸線與該數(shù)據(jù)線是以相同的材料形成。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，還包含一連接區(qū)，電性連接該第一儲(chǔ) 存電容電極延伸線和該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，還包含一第三像素電極以及一第四像素電極，該第三像素電極電性連接該數(shù)據(jù)線以及該第一 儲(chǔ)存電容電極線，該第四像素電極電性連接該數(shù)據(jù)線以及該第二儲(chǔ)存電容電極線，且該第 三像素電極與該第一儲(chǔ)存電容電極線部分重迭，該第四像素電極與該第二儲(chǔ)存電容電極線 部分重迭；及一第三掃描線以及一第四掃描線，該第三掃描線電性連接該第三像素電極，該第四掃 描線電性連接該第四像素電極。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一儲(chǔ)存電容電極線還包含一第 三儲(chǔ)存電容電極延伸線，自該第一儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向延伸，以及該第二儲(chǔ)存 電容電極線還包含一第四儲(chǔ)存電容電極延伸線，自該第二儲(chǔ)存電容電極線朝該數(shù)據(jù)線方向 延伸。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近 于該第二掃描線，并平行于該第二掃描線，該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近該第一掃描 線，并平行于該第一掃描線，該第三儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近于該第四掃描線，并平行于 該第四掃描線，該第四儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近該第三掃描線，并平行于該第三掃描線。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其特征在于，還包含一連接線，電性連接該第一儲(chǔ) 存電容電極延伸線和該第四儲(chǔ)存電容電極延伸線。
8.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近 于該第一掃描線，并平行于該第一掃描線，該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近該第二掃描 線，并平行于該第二掃描線，該第三儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近于該第三掃描線，并平行于 該第三掃描線，該第四儲(chǔ)存電容電極延伸線是靠近該第四掃描線，并平行于該第四掃描線。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其特征在于，還包含一連接線，電性連接該第二儲(chǔ) 存電容電極延伸線和該第三儲(chǔ)存電容電極延伸線。
全文摘要
一種液晶顯示器，包含第一掃描線電性連接第一像素電極，第二掃描線電性連接第二像素電極。數(shù)據(jù)線電性連接第一像素電極和第二像素電極并傳送數(shù)據(jù)信號(hào)。兩儲(chǔ)存電容電極線在數(shù)據(jù)線的兩旁而橫過第一、第二掃描線。第一儲(chǔ)存電容電極延伸線自第一儲(chǔ)存電容電極線朝數(shù)據(jù)線方向延伸，第二儲(chǔ)存電容電極延伸線自第二儲(chǔ)存電容電極線朝數(shù)據(jù)線方向延伸。第一像素電極的邊緣與第一儲(chǔ)存電容電極線和該第一儲(chǔ)存電容電極延伸線部分重迭，第二像素電極的邊緣與第二儲(chǔ)存電容電極線和該第二儲(chǔ)存電容電極延伸線部分重迭。因?yàn)閽呙杈€與儲(chǔ)存電容電極線分別形成于不同金屬層，所以儲(chǔ)存電容電極線與掃描線的間距可以大幅縮小而可克服制程精度上的限制，提高開口率，增加輝度，可降低制造成本。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102096254SQ20101053547
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2010年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月4日
發(fā)明者林彥芬, 蔡乙誠(chéng) 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司