專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，特別是發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)的發(fā)光效率，通常先在封裝基板上形成反射杯結(jié)構(gòu)，然后再在反射杯形成的凹陷中采用固晶打線或覆晶的方式裝設(shè)發(fā)光二極管芯片。由于發(fā)光二極管芯片需要裝設(shè)在凹陷中，所以固晶打線或覆晶時(shí)機(jī)械設(shè)備需伸入凹陷中完成，機(jī)械設(shè)備作業(yè)的空間受到限制，一則在技術(shù)上更有難度，二則容易影響成品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明旨在提供一種先電連接發(fā)光二極管再形成反射杯的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一個(gè)基板，并于基板上形成兩電極；將發(fā)光二極管芯片裝設(shè)于基板上并與電極電連結(jié)；提供殼體，該殼體包括圍壁，該圍壁的高度大于所述基板的厚度，該圍壁的底面裝設(shè)有電路結(jié)構(gòu)，將基板置于該殼體內(nèi)，電極與電路結(jié)構(gòu)電連接；以及形成封裝層并將發(fā)光二極管芯片封裝在殼體內(nèi)。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，設(shè)置于基板上的電極，裝設(shè)于基板上并與電極電連接的發(fā)光二極管芯片，以及覆蓋發(fā)光二極管芯片的封裝層，還包括包圍該基板與封裝層的殼體，該殼體包括圍壁，該圍壁的高度大于該基板的厚度，該圍壁的底部裝設(shè)有電路結(jié)構(gòu)，該電路結(jié)構(gòu)與所述電極電連接。先在封裝基板上進(jìn)行固晶打線或覆晶工序?qū)l(fā)光二極管芯片電連接于基板上，再采用殼體套設(shè)于封裝基板形成反射杯。采用此種工序步驟使固晶打線或覆晶的操作更加容易，可提高電連接發(fā)光二極管芯片的良率，同時(shí)也可使發(fā)光二極管的發(fā)光及反射效率得到保證。下面參照附圖，結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。


圖1為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟流程示意圖。圖2至圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一和步驟二所得到的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所提供的殼體結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖5為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所提供另一實(shí)施例的殼體結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖6為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟四所得到的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖7至圖8為本發(fā)明另一實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三和步驟四所得到的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。主要元件符號(hào)說明
基板10
電極20
發(fā)光二極 f芯片30
導(dǎo)線32
殼體40、80
圍壁41,81
半邊圍壁42
電路結(jié)構(gòu)43,83
間隔44
連接塊45
金屬層46、86
導(dǎo)電層46a
反射層46b
封裝層50
具體實(shí)施例方式如圖6和圖8所示，本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基板10，形成于基板10上的電極20，裝設(shè)于基板10上并與電極20電連接的發(fā)光二極管芯片30，包圍該基板 10的殼體40，以及覆蓋發(fā)光二極管芯片30的封裝層50。殼體40包括圍壁41，該圍壁41 的高度大于基板10的厚度，使高出基板10的圍壁41形成反射杯結(jié)構(gòu)。該圍壁41的底部裝設(shè)有電路結(jié)構(gòu)43，所述基板10的電極20抵靠于該電路結(jié)構(gòu)43上。以下，將結(jié)合其他附圖及實(shí)施例對(duì)本技術(shù)方案的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1為本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法的步驟流程圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖2，本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一為，首先提供一個(gè)基板10，該基板10呈平板狀。于該基板10上形成電極20，該電極20可通過機(jī)械、蝕刻或激光加工等技術(shù)在基板 10上形成。請(qǐng)參閱圖3，接著在基板10上通過固晶打線方式用導(dǎo)線32將發(fā)光二極管芯片30 與電極20電連接。由于該基板10上表面平坦，無任何阻礙和遮擋，使打線的空間不受限制， 故打線機(jī)能夠更加靈活地操作，同時(shí)有利于提高打線良率。在其他實(shí)施例中，根據(jù)基板10 的電極20設(shè)置不同。還可以通過覆晶的方式將發(fā)光二極管芯片30電連接于電極20上。
4
如圖4所示，提供一個(gè)殼體40，該殼體40包括圍壁41、設(shè)于圍壁41底部的電路結(jié)構(gòu)43以及緊貼圍壁41內(nèi)壁的金屬層46。該圍壁41包括兩個(gè)分離的半邊圍壁42，在本實(shí)施例中，該兩個(gè)半邊圍壁42采用金屬材料，并通過連接塊45形成的絕緣層圍合成一個(gè)矩形框并彼此絕緣。該圍壁41容置空間的長(zhǎng)度和寬度與基板10的長(zhǎng)度和寬度相匹配，以保證該基板10能夠自上而下推入該殼體40 ；該圍壁41的高度大于基板10的厚度，以保證高出基板10的半邊圍壁42形成反射杯結(jié)構(gòu)。該電路結(jié)構(gòu)43采用導(dǎo)電金屬材料制成，供電極20電性連接，并在基板10容置于該殼體40時(shí)起到擋持的作用。該電路結(jié)構(gòu)43以該連接塊45為分界線左右彼此分離并絕緣，中間留出一段間隔44。將完成電性連接步驟的基板10向下推入殼體40內(nèi)直至基板10 底部的電極20與電路結(jié)構(gòu)43充分接觸從而構(gòu)成電性連接。請(qǐng)同時(shí)參考圖6，該金屬層46分為導(dǎo)電層46a與反射層46b，與基板10相接觸的部分為導(dǎo)電層46a，其選用與電路結(jié)構(gòu)43相同的一般導(dǎo)電金屬材料，如銅等；基板10之上的部分為反射層46b，其選用具有良好反射率的材料，如銀等。當(dāng)然在其他實(shí)施例中為了制作過程的簡(jiǎn)便，可將該金屬層46采用與電路結(jié)構(gòu)43相同的單一金屬材料制成。圖5為本發(fā)明所提供另一實(shí)施例的殼體80的俯視示意圖。該殼體80包括圍壁81， 緊貼圍壁81內(nèi)壁的金屬層86以及圍壁81底部相互絕緣的電路結(jié)構(gòu)83。該圍壁81呈矩形框形狀，其可采用一體成型的注塑成型等工藝制成，再在其內(nèi)壁形成金屬層86，同時(shí)保證該圍壁81的高度大于基板10的厚度，長(zhǎng)寬能夠卡持基板10。當(dāng)然，在采用非金屬材質(zhì)制作圍壁81時(shí)，也可與前述實(shí)施例相同，先制作兩個(gè)半邊圍壁，再將該兩個(gè)半邊圍壁連接固定。如圖6所示，形成封裝層50于殼體40內(nèi)，并覆蓋發(fā)光二極管芯片30。該封裝層 50是采用點(diǎn)膠工藝完成，先在基板10的上表面利用點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)上封裝膠，使封裝膠覆蓋發(fā)光二極管芯片30并填滿殼體40包圍的區(qū)域，然后用模具擠壓將封裝層50的上端與殼體40 上端平齊。在其他實(shí)施例中，可在準(zhǔn)備封裝膠時(shí)混合熒光粉，也可以在封裝完成后，于封裝層50的上表面涂覆一層熒光層(圖未示)。圖7為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三的另一實(shí)施方式得到的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。提供兩個(gè)對(duì)稱的半邊圍壁42，該半邊圍壁42采用金屬材料，其底部同樣鋪設(shè)有電路結(jié)構(gòu)。將兩個(gè)半邊圍壁42對(duì)稱放置于基板10的左右兩側(cè)，該兩個(gè)半邊圍壁42的長(zhǎng)度之和小于基板10的長(zhǎng)度。請(qǐng)同時(shí)參閱圖8，同時(shí)向內(nèi)推動(dòng)半邊圍壁42，直到基板10的左右兩側(cè)邊緊靠半邊圍壁42的內(nèi)壁，自此兩個(gè)半邊圍壁42仍相距一定距離。再用絕緣膠填補(bǔ)其中形成連接塊45，從而連接固定兩個(gè)半邊圍壁42彼此絕緣并形成一個(gè)完整的殼體40。當(dāng)然，該兩個(gè)半邊圍壁42還可以采用非金屬材料制成，在與基板10 固定后，再采用膠體將該兩個(gè)半邊圍壁42連接固定。然后形成封裝層50封裝于殼體40內(nèi)，覆蓋發(fā)光二極管芯片30。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭露如上，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作出種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為所附的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一個(gè)基板，并于基板上形成兩電極；將發(fā)光二極管芯片裝設(shè)于基板上并與電極電連結(jié)；提供殼體，該殼體包括圍壁，該圍壁的高度大于所述基板的厚度，該圍壁的底面裝設(shè)有電路結(jié)構(gòu)，將基板置于該殼體內(nèi)，電極與電路結(jié)構(gòu)電連接；以及形成封裝層并將發(fā)光二極管芯片封裝在殼體內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述圍壁包括兩個(gè)相互間隔的半邊圍壁，該兩個(gè)半邊圍壁通過非金屬材料連接固定。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述圍壁為非金屬材料，并采用一體成型的方式制成。
4.如權(quán)利要求1-3項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述圍壁內(nèi)表面具有金屬層，該金屬層包括與基板接觸的導(dǎo)電層和位于基板以上的反射層。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述將基板置于殼體內(nèi)的步驟是先用非金屬材料將兩個(gè)半邊圍壁連接固定形成殼體，再將基板從豎直方向推入殼體中。
6.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述將基板置于殼體內(nèi)的步驟是先將兩個(gè)半邊圍壁從基板左右兩邊水平推進(jìn)，使基板卡持固定，再填入非金屬材料，將兩個(gè)半邊圍壁連接固定。
7.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述將基板置于殼體內(nèi)的步驟是直接將基板從豎直方向推入圍壁中，使所述電極抵靠在電路結(jié)構(gòu)上。
8.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，設(shè)置于基板上的電極，裝設(shè)于基板上并與電極電連接的發(fā)光二極管芯片，以及覆蓋發(fā)光二極管芯片的封裝層，其特征在于還包括包圍該基板與封裝層的殼體，該殼體包括圍壁，該圍壁的高度大于該基板的厚度，該圍壁的底部裝設(shè)有電路結(jié)構(gòu)，該電路結(jié)構(gòu)與所述電極電連接。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述圍壁包括兩個(gè)相互間隔的半邊圍壁，該兩個(gè)半邊圍壁通過非金屬材料連接固定。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述圍壁為采用非金屬材料一體成型。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其系先將發(fā)光二極管芯片與基板形成電連接，再將其裝設(shè)于殼體中，并形成反射杯。如此，不但可以避免電性連接如打線或覆晶過程中反射杯阻礙機(jī)械設(shè)備靈活操作的缺失，也可使封裝完成后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有反射杯，提高發(fā)光及反射效率。
文檔編號(hào)H01L33/60GK102487112SQ20101057461
公開日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者張耀祖 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司