專利名稱：Led封裝模塊制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體照明技術(shù)，尤其涉及一種LED封裝模塊制備方法。
背景技術(shù)：
LED燈具有壽命長、省電力的特點，越來越廣泛地應(yīng)用于照明領(lǐng)域。傳統(tǒng)的LED封裝模塊的制備方法，大都是基于基板封裝的，需要設(shè)置絕緣膠層和電路層，其制備過程很復(fù)
ο如中國專利文獻CN101691909A于2010年4月7日公開的LED封裝模塊的制備方法，該LED封裝模塊包括基板，基板具有布線面，布線面包括線路部分；該方法包括線路部分制作工序，其特征在于，所述線路部分制作工序包括以下步驟(1)絲印導(dǎo)熱絕緣膠層， (2)烘干，(3)貼保護膜，⑷真空鍍底，(5)納米電沉積Cu，其中，第⑴步所述的導(dǎo)熱絕緣膠層的厚度為0. 02mm-0. 06mm，所述導(dǎo)熱絕緣膠層的材料為環(huán)氧樹脂與α -Α1203的混合物，或聚酰亞胺與α-Α1203的混合物；第( 步所述的烘干為熱風(fēng)烘干，當(dāng)所述導(dǎo)熱絕緣膠層的材料采用環(huán)氧樹脂與α-Α1203的混合物時，該烘干步驟采用的溫度為180°C -200°C ； 當(dāng)所述導(dǎo)熱絕緣膠層的材料采用聚酰亞胺與α-Α1203的混合物時，該烘干步驟采用的溫度為180°C -400°C ；第C3)步所述的保護膜，是PVC膜加橡膠粘結(jié)，或PET膜加硅膠粘結(jié)， 或PP膜加亞克力膠粘結(jié)；所述保護膜可以保留在半成品上，作為保護鍍層用，被保護部位需要設(shè)置其它材料時，再除去保護層即可；第(4)步所述的真空鍍底，是以真空濺射或真空蒸鍍方式沉積5nm-10nm的M ；第(5)步所述的納米電沉積Cu，是以真空濺射或真空蒸鍍金方式沉積 0. 002mm-0. 018mm 的 Cu。復(fù)雜的工藝流程，導(dǎo)致LED封裝模塊的成本居高不下，并延及到終端燈具上，LED 照明的推廣受到限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種過程簡潔的LED封裝模塊制備方法。本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)
一種LED封裝模塊制備方法，其特征在于包括以下步驟S10，提供電極片，注塑加工膠殼，將電極片夾設(shè)于膠殼；S20，提供銅柱，將銅柱壓入膠殼；S30，提供LED芯片，在銅柱頂面固晶；S40，焊金線，連接芯片與電極；其中，所述銅柱下端面從膠殼的下表面露出，LED芯片從膠殼的上表面露出，膠殼內(nèi)夾設(shè)電極，電極也從膠殼的上表面露出。LED封裝模塊制備方法，其特征在于所述銅柱具有臺階，所述臺階將銅柱界定為大端和小端，LED芯片設(shè)置與銅柱的小端。LED封裝模塊制備方法，其特征在于所述膠殼上面具有柱狀沉孔，沉孔具有水平的底部，所述的LED芯片及電極從膠殼上表面露出是指LED芯片及電極從沉孔的底部露出， 對應(yīng)地，所述金線也設(shè)置于沉孔底部。
LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟S50，提供光杯，將光杯設(shè)置于膠殼；其中光杯底部具有與所述沉孔相對應(yīng)的柱狀突臺，柱狀突臺以過盈配合方式連接于膠殼；柱狀突臺的底面還具有用于容置金線的凹坑，凹坑的位置與金線的位置相對應(yīng)。LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟S49，在所述光杯的反光面鍍設(shè)反光膜。LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟S41，涂設(shè)熒光粉步驟，在 LED芯片出光面通過噴涂的方式涂設(shè)以無影膠為溶劑的熒光粉；S55，封膠；在反光杯內(nèi)封膠。LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟S50a，提供透鏡，將透鏡設(shè)置于膠殼；其中透鏡底部具有與所述沉孔相對應(yīng)的柱狀突臺，柱狀突臺以過盈配合方式連接于膠殼；柱狀突臺的底面與所述沉孔的底面之間還界定出一密閉空間。LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟S41a，涂設(shè)熒光粉步驟，在 LED芯片出光面通過噴涂的方式涂設(shè)以無影膠為溶劑的熒光粉；S45a，封膠，安裝透鏡前在所述沉孔底部封膠，封膠區(qū)域為所述密閉空間的區(qū)域。LED封裝模塊制備方法，其特征在于所述電極僅僅連接金線的部位從所述膠殼上表面露出；所述電極水平夾設(shè)于膠殼內(nèi)。一種大體上如上下文及附圖所表達的LED封裝模塊制備方法。本發(fā)明的LED封裝模塊制備方法，除必須的固晶及焊金線工藝外，采用了最簡單的組裝方式，與現(xiàn)有技術(shù)相比，實施起來成本低。
圖1是本發(fā)明第一個實施例制備的LED封裝模塊示意圖。圖2是本發(fā)明第一個實施例流程圖。圖3是本發(fā)明第二個實施例制備的LED封裝模塊示意圖。圖4是本發(fā)明第二個實施例流程圖。
具體實施例方式
下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳述。 參考圖1，是本發(fā)明第一個實施例制備的LED封裝模塊，包括LED芯片103，還包括銅柱101，銅柱101穿設(shè)于膠殼104，LED芯片103設(shè)置于銅柱101上表面的端部，銅柱101 下端面從膠殼104的下表面露出，LED芯片103從膠殼104的上表面露出，膠殼104內(nèi)夾設(shè)電極105，電極105的內(nèi)端也從膠殼104的上表面露出，LED芯片103與電極105內(nèi)端之間通過金線106連接；所述膠殼104的正面設(shè)置有光杯108。本實施例中，所述銅柱101具有臺階，臺階將銅柱101界定為大端和小端，LED芯片103通過Au/Sn共晶焊層102設(shè)置于銅柱101的小端。本實施例中，LED芯片106出光面還通過噴涂的方式涂設(shè)以無影膠為溶劑的熒光粉。本實施例中，所述膠殼104上面具有柱狀沉孔，沉孔具有水平的底部，所述的LED 芯片103及電極105內(nèi)端從膠殼104上表面露出是指LED芯片103及電極105內(nèi)端從沉孔的底部露出。對應(yīng)地所述光杯108的底面具有柱狀突臺，柱狀突臺設(shè)置于所述沉孔。本實施例中，所述柱狀突臺的底面具有用于容置金線的凹坑1081，凹坑1081的位置與金線106的位置相對應(yīng)。本實施例中，所述電極105僅僅連接金線106的部位即電極內(nèi)端從所述膠殼104上表面露出。本實施例中，所述電極105水平夾設(shè)于膠殼104內(nèi)。本實施例的反光杯108之反光面鍍設(shè)反光膜，反光膜為鍍鋁或鍍銀。參考圖2，本發(fā)明第一個實施例是一種LED封裝模塊制備方法，其特征在于包括以下步驟S10，提供電極片，注塑加工膠殼，將電極片夾設(shè)于膠殼；S20，提供銅柱，將銅柱壓入膠殼；S30，提供LED芯片，在銅柱頂面固晶；S40，焊金線，連接芯片與電極；其中，所述銅柱下端面從膠殼的下表面露出，LED芯片從膠殼的上表面露出，膠殼內(nèi)夾設(shè)電極，電極也從膠殼的上表面露出。S50，提供光杯，將光杯設(shè)置于膠殼；S49，在所述光杯的反光面鍍設(shè)反光膜；S41，涂設(shè)熒光粉步驟，在LED芯片出光面通過噴涂的方式涂設(shè)以無影膠為溶劑的熒光粉；S55，封膠；在反光杯內(nèi)封膠。參考圖3，是本發(fā)明第二個實施例制備的LED封裝模塊，包括LED芯片103，還包括銅柱101，銅柱101穿設(shè)于膠殼104，LED芯片103設(shè)置于銅柱101上表面的端部，銅柱101 下端面從膠殼104的下表面露出，LED芯片103從膠殼104的上表面露出，膠殼104內(nèi)夾設(shè)電極105，電極105的內(nèi)端也從膠殼104的上表面露出，LED芯片103與電極105內(nèi)端之間通過金線106連接；所述膠殼104的正面設(shè)置有透鏡109。本實施例中，所述銅柱101具有臺階，臺階將銅柱101界定為大端和小端，LED芯片103通過Au/Sn共晶焊層102設(shè)置于銅柱101的小端。本實施例中，LED芯片106出光面還通過噴涂的方式涂設(shè)以無影膠為溶劑的熒光粉。本實施例中，所述膠殼104上面具有柱狀沉孔，沉孔具有水平的底部，所述的LED 芯片103及電極105內(nèi)端從膠殼104上表面露出是指LED芯片103及電極105內(nèi)端從沉孔的底部露出。對應(yīng)地所述透鏡108的底面具有柱狀突臺，柱狀突臺設(shè)置于所述沉孔；所述透鏡108的柱狀突臺與所述膠殼104的沉孔以過盈配合的方式構(gòu)成固定連接。本實施例中， 所述電極105僅僅連接金線106的部位即電極內(nèi)端從所述膠殼104上表面露出。本實施例中，所述電極105水平夾設(shè)于膠殼104內(nèi)。參考圖4，本發(fā)明第四個實施例是一種LED封裝模塊制備方法，其特征在于包括以下步驟S10，提供電極片，注塑加工膠殼，將電極片夾設(shè)于膠殼；S20，提供銅柱，將銅柱壓入膠殼；S30，提供LED芯片，在銅柱頂面固晶；S40，焊金線，連接芯片與電極；其中，所述銅柱下端面從膠殼的下表面露出，LED芯片從膠殼的上表面露出，膠殼內(nèi)夾設(shè)電極，電極也從膠殼的上表面露出。還包括以下步驟S50a，提供透鏡，將透鏡設(shè)置于膠殼；還包括以下步驟S41a，涂設(shè)熒光粉步驟，在LED芯片出光面通過噴涂的方式涂設(shè)以無影膠為溶劑的熒光粉；S45a，封膠，安裝透鏡前在所述沉孔底部封膠，封膠區(qū)域為所述密閉空間的區(qū)域。
權(quán)利要求
1.一種LED封裝模塊制備方法，其特征在于包括以下步驟 S10，提供電極片，注塑加工膠殼，將電極片夾設(shè)于膠殼； S20，提供銅柱，將銅柱壓入膠殼；S30，提供LED芯片，在銅柱頂面固晶； S40，焊金線，連接芯片與電極；其中，所述銅柱下端面從膠殼的下表面露出，LED芯片從膠殼的上表面露出，膠殼內(nèi)夾設(shè)電極，電極也從膠殼的上表面露出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝模塊制備方法，其特征在于所述銅柱具有臺階，所述臺階將銅柱界定為大端和小端，LED芯片設(shè)置與銅柱的小端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝模塊制備方法，其特征在于所述膠殼上面具有柱狀沉孔，沉孔具有水平的底部，所述的LED芯片及電極從膠殼上表面露出是指LED芯片及電極從沉孔的底部露出，對應(yīng)地，所述金線也設(shè)置于沉孔底部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟S50， 提供光杯，將光杯設(shè)置于膠殼；其中光杯底部具有與所述沉孔相對應(yīng)的柱狀突臺，柱狀突臺以過盈配合方式連接于膠殼；柱狀突臺的底面還具有用于容置金線的凹坑，凹坑的位置與金線的位置相對應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟S49， 在所述光杯的反光面鍍設(shè)反光膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟 S41，涂設(shè)熒光粉步驟，在LED芯片出光面通過噴涂的方式涂設(shè)以無影膠為溶劑的熒光粉；S55，封膠；在反光杯內(nèi)封膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟S50a， 提供透鏡，將透鏡設(shè)置于膠殼；其中透鏡底部具有與所述沉孔相對應(yīng)的柱狀突臺，柱狀突臺以過盈配合方式連接于膠殼；柱狀突臺的底面與所述沉孔的底面之間還界定出一密閉空間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED封裝模塊制備方法，其特征在于還包括以下步驟 S41a，涂設(shè)熒光粉步驟，在LED芯片出光面通過噴涂的方式涂設(shè)以無影膠為溶劑的熒光粉；S45a，封膠，安裝透鏡前在所述沉孔底部封膠，封膠區(qū)域為所述密閉空間的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝模塊制備方法，其特征在于所述電極僅僅連接金線的部位從所述膠殼上表面露出；所述電極水平夾設(shè)于膠殼內(nèi)。
10.一種大體上如上下文及附圖所表達的LED封裝模塊制備方法。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體照明技術(shù)，尤其涉及一種LED封裝模塊制備方法，包括以下步驟S10，提供電極片，注塑加工膠殼，將電極片夾設(shè)于膠殼；S20，提供銅柱，將銅柱壓入膠殼；S30，提供LED芯片，在銅柱頂面固晶；S40，焊金線，連接芯片與電極；本發(fā)明提供一種過程簡潔的LED封裝模塊制備方法。
文檔編號H01L33/48GK102163655SQ201010618859
公開日2011年8月24日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者李金明 申請人:東莞市萬豐納米材料有限公司