封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及光模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請屬于光通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及光模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著4G通信的飛速發(fā)展和云計算需求的日益旺盛，市場對高速光模塊的需求與日倶增。由于光模塊兼容多源協(xié)議(MSA)對光模塊整體封裝的限制，光模塊基板尺寸受限，并且高速線采用微帶設(shè)計，占用基板表面貼裝空間，再加上隨著電路復(fù)雜度的上升，單基板的貼裝面積已成為瓶頸，多層基板成為解決這一問題的關(guān)鍵。
[0003]多層基板通常采用子母板、或者軟硬結(jié)合板。由于軟硬結(jié)合板通常為非對稱結(jié)構(gòu)，會有較大翹曲影響貼裝，并且成本較高。而常規(guī)子母板的子板和母板之間通常采用排針等連接器固定，連接器本身尺寸較大，為通孔設(shè)計，收效有限，而且對于高速信號沒有阻抗控制，不能用于高速信號的傳輸。
[0004]因此針對上述問題，有必要提供一種封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及光模塊。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請一實施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板，所述第一基板和/或第二基板上設(shè)有若干電子器件，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括連接基板，所述連接基板包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面上分別設(shè)置有第一焊接層和第二焊接層，所述第一焊接層和第焊接層電性連接，所述第一基板和連接基板通過第一焊接層電性連接，所述第二基板和連接基板通過第二焊接層電性連接。
[0006]—實施例中，所述第一焊接層包括若干第一焊接球，第二焊接層包括若干第二焊接球，所述第一焊接球和所述第二焊接球至少部分相互電性連接。
[0007]—實施例中，所述第一基板位于所述第二基板的正投影中。
[0008]一實施例中，所述第一焊接層的熔點高于第二焊接層的熔點。
[0009]—實施例中，所述連接基板的第一焊接層和第二焊接層之間通過導(dǎo)電過孔電性連接。
[0010]—實施例中，所述第一基板上表面與下表面和第二基板的上表面與下表面均設(shè)有若干電子器件。
[0011 ] 一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括第三基板，所述第三基板與第一基板或第二基板通過另一連接基板電性連接。
[0012]一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括多個第三基板，所述第三基板與第一基板和/或第二基板、以及相鄰第三基板之間通過若干連接基板電性連接。
[0013]本申請另一實施例提供一種封裝方法，所述封裝方法包括:
提供連接基板，在連接基板的第一表面上形成第一焊接層，第一焊接層的熔點為第一熔點；
提供第一基板，在第一焊接溫度下，將連接基板上的第一焊接層與第一基板進行焊接，所述第一焊接溫度大于或等于第一熔點；
在連接基板的第二表面上形成第二焊接層，第二焊接層的熔點為第二熔點，所述第二熔點小于第一熔點；
提供第二基板，在第二焊接溫度下，將連接基板上的第二焊接層與第二基板進行焊接，所述第二焊接溫度大于或等于第二熔點且小于第一熔點。
[0014]一實施例中，所述封裝方法還包括:
提供另一連接基板，在該連接基板的第一表面上形成第三焊接層，第三焊接層的熔點為第三熔點；
提供第三基板，在第三焊接溫度下，將連接基板上的第三焊接層與第三基板進行焊接，所述第三焊接溫度大于或等于第三熔點；
在連接基板的第二表面上形成第四焊接層，第四焊接層的熔點為第四熔點，所述第四熔點小于第三熔點；
在第四焊接溫度下，將連接基板上的第四焊接層與第一基板或第二基板進行焊接，所述第四接溫度大于或等于第四熔點且小于第三熔點。
[0015]本申請再一實施例中提供一種光模塊，所述光模塊包括外殼及與外殼固定安裝的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)為上述的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)的第一基板和第二基板設(shè)置于所述外殼內(nèi)。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請具有以下有益效果:
連接基板采用雙面焊接層分別與獨立電路基板電性連接，能夠有效實現(xiàn)獨立電路基板之間的電性互聯(lián)；
陣列排布的焊接球能夠保證較小的面積上實現(xiàn)大容量的連接，連接基板在連接時可以進行阻抗控制，從而實現(xiàn)基板間高速信號的傳輸；
連接基板的兩面采用不同熔點的焊接層，在后續(xù)回流焊接中不會損害之前的焊接層，封裝結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高；
連接基板的厚度可調(diào)，第一基板或第二基板的長度可調(diào)，使得光模塊中光學(xué)器件或電子器件的設(shè)計更加自由。
【附圖說明】
[0017]圖1是本申請第一實施方式中封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本申請第一實施方式中連接基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是本申請第二實施方式中封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是本申請第三實施方式中光模塊的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是本申請第三實施方式中光模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實施方式】對本申請進行詳細描述。但這些實施方式并不限制本申請，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本申請的保護范圍內(nèi)。
[0019]在本申請的各個圖示中，為了便于圖示，結(jié)構(gòu)或部分的某些尺寸會相對于其它結(jié)構(gòu)或部分擴大，因此，僅用于圖示本申請的主題的基本結(jié)構(gòu)。
[0020]本文使用的例如“左”、“右”、“左側(cè)”、“右側(cè)”等表示空間相對位置的術(shù)語是出于便于說明的目的來描述如附圖中所示的一個單元或特征相對于另一個單元或特征的關(guān)系?？臻g相對位置的術(shù)語可以旨在包括設(shè)備在使用或工作中除了圖中所示方位以外的不同方位。例如，如果將圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，則被描述為位于其他單元或特征“右側(cè)”的單元將位于其他單元或特征“左側(cè)”。因此，示例性術(shù)語“右側(cè)”可以囊括左側(cè)和右側(cè)這兩種方位。設(shè)備可以以其他方式被定向(旋轉(zhuǎn)90度或其他朝向)，并相應(yīng)地解釋本文使用的與空間相關(guān)的描述語。
[0021]當(dāng)元件或?qū)颖环Q為與另一部件或?qū)印斑B接”時，其可以直接在該另一部件或?qū)由?、連接到該另一部件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)部件被稱為“直接連接在另一部件或?qū)由稀睍r，不能存在中間部件或?qū)印?br>[0022]參圖1所示，介紹本申請封裝結(jié)構(gòu)100的第一實施方式。該封裝結(jié)構(gòu)100包括相對設(shè)置的第一基板110和第二基板120，第一基板110和第二基板120均為硬質(zhì)基板，第一基板110上貼裝有若干第一電子器件111，第二基板120上貼裝有若干第二電子器件121。第一基板110和第二基板120之間設(shè)有連接基板130，連接基板130用于電性連接第一基板110和第二基板120以形成互聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0023]具體地，本實施方式中第一基板110為子基板，第二基板120為母基板，連接基板130用于電性連接第一基板110和第二基板120。其中，第一基板110的上表面和第二基板120的下表面分別預(yù)留有用于封裝連接基板130的區(qū)域。
[0024]參圖2所示封裝結(jié)構(gòu)中連接基板130的結(jié)構(gòu)示意圖。連接基板130包括相對設(shè)置的第一表面1301和第二表面1302。第一表面1301和第二表面1302上分別設(shè)置有第一焊接層131和第二焊接層132。第一焊接層131和第二焊接層132之間通過導(dǎo)電過孔133電性連接，導(dǎo)電過孔133的設(shè)計可以控制過孔的阻抗，適用于高速信號傳輸。
[0025]本實施方式中第一基板110的大小略小于第二基板120的大小，且第一基板110位于第二基板120的正投影內(nèi)。在其他優(yōu)選實施方式中，第一基板110還可以與第二基板120的大小相同，第一基板110與第二基板120的正投影完全重合，如此可以充分利用封裝結(jié)構(gòu)的空間，在一定的安裝空間內(nèi)使第一基板最大化，能夠收容更多的第一電子器件111。
[0026]優(yōu)選地，本實施方式中第一焊接層131包括