專利名稱：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的發(fā)展，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管在醫(yī)用電子儀器、分析儀器和各種測(cè)量?jī)x 器上獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管是從大量的單管中選擇特性曲線基 本一致的兩個(gè)單管組成一對(duì)，或者是在制造過程中挑選特性曲線基本一致的兩個(gè)芯片裝在 一個(gè)管殼內(nèi)。這兩種方法在生產(chǎn)過程中要花費(fèi)大量的時(shí)間和人力做挑選配對(duì)工作，其成品 率低、價(jià)格昂貴，而且這樣組成的配對(duì)也只能滿足在特定的常溫條件下具有對(duì)稱性能，在高 溫和低溫環(huán)境條件下，往往會(huì)偏離匹配對(duì)稱狀態(tài)。因此，如何降低生產(chǎn)成本，提高結(jié)型場(chǎng)效 應(yīng)對(duì)管在高溫、低溫條件下的對(duì)稱特性成為了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管推廣使用的瓶頸。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)上述的問題，提供一種生產(chǎn)成本低，在高溫、低溫條件下 對(duì)稱特性良好的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管。本實(shí)用新型的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管，是在同一硅單晶芯片上制作兩個(gè)完全一致的場(chǎng)效 應(yīng)晶體管，兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間通過柵極與襯底之間形成的PN結(jié)二極管實(shí)現(xiàn)隔離，彼此 之間是完全獨(dú)立。本實(shí)用新型的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管生產(chǎn)成本低，由于兩個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管制作在很 小的硅片面積內(nèi)，因此兩者之間始終能夠保持良好的對(duì)稱特性，從而在線路中進(jìn)行溫度補(bǔ) 償，實(shí)現(xiàn)零溫度系數(shù)工作，在高溫、低溫條件下對(duì)稱特性良好。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
—種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管，是在同一硅單晶芯片上制作兩個(gè)完全一致的場(chǎng)效應(yīng)晶體 管，兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間通過柵極與襯底之間形成的PN結(jié)二極管實(shí)現(xiàn)隔離，彼此之間是 完全獨(dú)立。以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管為例，先在N型硅單晶片的每一個(gè)芯片上制作兩個(gè)P 型阱，然后按照制作N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法在P型阱內(nèi)制作N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶 體管，同一芯片上有兩個(gè)柵極G1，兩個(gè)漏極D1，兩個(gè)源極Sp
權(quán)利要求一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管，其特征在于它是在同一硅單晶芯片上制作有兩個(gè)完全一致的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間通過柵極與襯底之間形成的PN結(jié)二極管實(shí)現(xiàn)隔離，彼此之間完全獨(dú)立。
專利摘要一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管，是在同一硅單晶芯片上制作兩個(gè)完全一致的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，兩個(gè)晶體管之間通過柵極與襯底之間形成的PN結(jié)二極管實(shí)現(xiàn)隔離，彼此之間是完全獨(dú)立。本實(shí)用新型的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管生產(chǎn)成本低，由于兩個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管制作在很小的硅片面積內(nèi)，因此兩者之間始終能夠保持良好的對(duì)稱特性，從而在線路中進(jìn)行溫度補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)零溫度系數(shù)工作，在高溫、低溫條件下對(duì)稱特性良好。
文檔編號(hào)H01L27/085GK201681939SQ20102016192
公開日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2010年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月16日
發(fā)明者胡援朝, 趙建華 申請(qǐng)人:江西聯(lián)創(chuàng)特種微電子有限公司