專(zhuān)利名稱(chēng)：一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種儲(chǔ)存芯片，具體涉及一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局 的芯片電路。
背景技術(shù)：
目前，占存儲(chǔ)器芯片版圖面積的最大部分是存儲(chǔ)陣列。存儲(chǔ)器陣列有規(guī)則的，也有 不規(guī)則的。對(duì)于規(guī)則的情況，整個(gè)陣列可以被排列成一個(gè)矩形。而對(duì)于不規(guī)則的情況，整個(gè) 陣列無(wú)法排列成一個(gè)規(guī)矩的矩形，而是一個(gè)不規(guī)則的形狀。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中在存 儲(chǔ)陣列的不規(guī)則的一邊要放置比較多的焊盤(pán)的一個(gè)普遍版圖設(shè)計(jì)方法。圖1不是一個(gè)完整 的芯片版圖的示意圖，而只包括了存儲(chǔ)陣列，存儲(chǔ)陣列不規(guī)則邊的焊盤(pán)以及外圍電路。存儲(chǔ) 陣列101呈不規(guī)則的“7”字形。陣列下方布局了一排焊盤(pán)102，每個(gè)焊盤(pán)都使用了縱向焊盤(pán) 103以使放置較多的焊盤(pán)成為可能。其缺點(diǎn)在于，由于存儲(chǔ)陣列101的不規(guī)則性，空出了 105所示的面積，該部分面積 就被完全浪費(fèi)了。如果將外圍電路104中的部分電路拆分并布局到105的區(qū)域，那么這兩部 分電路之間將間隔了一個(gè)很大的存儲(chǔ)陣列區(qū)域，造成兩部分電路之間的通訊和時(shí)序變差， 影響芯片性能。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路，以充分利用 由于存儲(chǔ)陣列不規(guī)則性帶來(lái)的多余面積，縮小版圖面積以降低成本，同時(shí)在不降低芯片其 他性能的基礎(chǔ)上使得芯片的訪(fǎng)問(wèn)速度性能在一定程度上有所提高。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片 電路，該芯片電路包含存儲(chǔ)陣列；該存儲(chǔ)陣列上設(shè)有若干凸出部分和若干凹陷部分；設(shè)置在上述存儲(chǔ)陣列一邊的外圍電路；該外圍電路與存儲(chǔ)陣列電路連接；其特征是，該芯片電路還包含設(shè)置在存儲(chǔ)陣列的凸出部分處的若干橫向焊盤(pán)；以 及，設(shè)置在存儲(chǔ)陣列的凹陷部分處的若干縱向焊盤(pán)；上述橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)分別與上述存儲(chǔ)陣列和外圍電路之間電路連接。上述橫向焊盤(pán)的寬度大于縱向焊盤(pán)；該縱向焊盤(pán)的高度大于橫向焊盤(pán)。上述若干橫向焊盤(pán)的大小形狀與存儲(chǔ)陣列的凸出部分相適配。上述若干縱向焊盤(pán)的大小形狀與存儲(chǔ)陣列的凹陷部分相適配。本實(shí)用新型一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路和現(xiàn)有技術(shù)相比， 其優(yōu)點(diǎn)在于，本實(shí)用新型設(shè)有若干橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)，橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)的組合正好 和存儲(chǔ)陣列的不規(guī)則邊凸出部分和凹陷部分達(dá)到互補(bǔ)，縱向焊盤(pán)充分利用了存儲(chǔ)陣列不規(guī) 則邊的凹陷部分的面積；而在存儲(chǔ)陣列不規(guī)則邊的凸出部分設(shè)置橫向焊盤(pán)則減小了整個(gè)芯片版圖的高度，減小了整個(gè)芯片版圖的面積，降低了芯片成本，同時(shí)，由于不存在現(xiàn)有技術(shù) 中的空余面積，所以有效的防止了面積的浪費(fèi)或電路性能的下降。同時(shí)由于芯片版圖高度 的減小，從焊盤(pán)到外圍電路的布線(xiàn)距離和延時(shí)也有所縮短，從而提升了芯片的訪(fǎng)問(wèn)速度。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)芯片電路的電路布局圖；圖2為本實(shí)用新型一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路一種實(shí)施 例的電路布局圖；圖3為本實(shí)用新型一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路一種實(shí)施 例的電路布局圖；圖4為本實(shí)用新型一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路一種實(shí)施 例的電路布局圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
。圖2、圖3和圖4中的電路布局的各個(gè)實(shí)施例，不代表一個(gè)完整芯片的電路器件布 局方式，只是其中的一部分，用于突出顯示本實(shí)用新型一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理 布局的芯片電路其電路布局的結(jié)構(gòu)特征。如圖2所示，本實(shí)用新型提供一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電 路，其包含存儲(chǔ)陣列201，以及設(shè)置在存儲(chǔ)陣列201旁的外圍電路204、若干橫向焊盤(pán)203和 縱向焊盤(pán)202。該存儲(chǔ)陣列201呈“7”字形，其一條邊為不規(guī)則邊，該不規(guī)則邊上設(shè)有一凸 出部分和一凹陷部分。外圍電路204貼近存儲(chǔ)陣列201的一條直邊設(shè)置，同時(shí)，外圍電路 204與存儲(chǔ)陣列201之間存在電路連接。在存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凸出部分處設(shè)有若干個(gè)互相平行設(shè)置的橫向焊盤(pán) 203，在存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凹陷部分處設(shè)有若干互相平行設(shè)置的縱向焊盤(pán)202，同時(shí)， 橫向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202的一條邊都與存儲(chǔ)陣列201的邊相平行。橫向焊盤(pán)203和縱 向焊盤(pán)202分別與存儲(chǔ)陣列201和外圍電路204之間存在電路連接，組成存儲(chǔ)器芯片的部 分電路連接和器件布局。橫向焊盤(pán)203的橫向?qū)挾却笥诳v向焊盤(pán)202，而縱向焊盤(pán)202的縱向高度大于所 述橫向焊盤(pán)203。若干橫向焊盤(pán)203的形狀大小與存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凸出部分相適 配，若干縱向焊盤(pán)202的大小形狀與存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凹陷部分相適配。同時(shí)由于 縱向焊盤(pán)202和橫向焊盤(pán)203在高度上的長(zhǎng)度差，填補(bǔ)了存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊上凸出部 分和凹陷部分之間的差，在布局完成后，橫向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202相對(duì)于存儲(chǔ)陣列201 的外邊保持在同一直線(xiàn)上。如圖3所示，為本實(shí)用新型一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路的 另一種實(shí)施例。其包含存儲(chǔ)陣列201，以及設(shè)置在存儲(chǔ)陣列201旁的外圍電路204、若干橫 向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202。該存儲(chǔ)陣列201呈“凸”字形，其一條邊為不規(guī)則邊，一凸出部 分設(shè)置在不規(guī)則邊的中部，而兩個(gè)凹陷部分設(shè)置在凸出部分的兩旁。外圍電路204貼近存 儲(chǔ)陣列201的一條直邊設(shè)置，同時(shí)，外圍電路204與存儲(chǔ)陣列201之間存在電路連接。[0025]在存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊中部的凸出部分處設(shè)有若干個(gè)互相平行設(shè)置的橫向焊 盤(pán)203，在存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊兩旁的凹陷部分處設(shè)有若干互相平行設(shè)置的縱向焊盤(pán) 202，同時(shí)，橫向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202的一條邊都與存儲(chǔ)陣列201的邊相平行。橫向焊 盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202與存儲(chǔ)陣列201和外圍電路204之間存在電路連接，形成存儲(chǔ)器芯 片的部分電路連接和器件布局。橫向焊盤(pán)203的橫向?qū)挾却笥诳v向焊盤(pán)202，而縱向焊盤(pán)202的縱向高度大于所 述橫向焊盤(pán)203。若干橫向焊盤(pán)203的形狀大小與存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凸出部分相適 配，若干縱向焊盤(pán)202的大小形狀與存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凹陷部分相適配。同時(shí)由于 縱向焊盤(pán)202和橫向焊盤(pán)203在高度上的長(zhǎng)度差，填補(bǔ)了存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊上凸出部 分和凹陷部分之間的差，在布局完成后，橫向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202相對(duì)于存儲(chǔ)陣列201 的外邊保持在同一直線(xiàn)上。如圖4所示，為本實(shí)用新型一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路的 另一種實(shí)施例。其包含存儲(chǔ)陣列201，以及設(shè)置在存儲(chǔ)陣列201旁的外圍電路204、若干橫 向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202。該存儲(chǔ)陣列201呈“凹”字形，其一條邊為不規(guī)則邊，一凹陷部 分設(shè)置在不規(guī)則邊的中部，而兩個(gè)凸出部分分別設(shè)置在不規(guī)則邊凹陷部分的兩旁。外圍電 路204貼近存儲(chǔ)陣列201的一條直邊設(shè)置，同時(shí)，外圍電路204與存儲(chǔ)陣列201之間存在電 路連接。在存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊兩旁的凸出部分處設(shè)有若干個(gè)互相平行設(shè)置的橫向焊 盤(pán)203，在存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊中部的凹陷部分處設(shè)有若干互相平行設(shè)置的縱向焊盤(pán) 202，同時(shí)，橫向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202的一條邊都與存儲(chǔ)陣列201的邊相平行。橫向焊 盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202與存儲(chǔ)陣列201和外圍電路204之間存在電路連接，形成存儲(chǔ)器芯 片的部分電路連接和器件布局。橫向焊盤(pán)203的橫向?qū)挾却笥诳v向焊盤(pán)202，而縱向焊盤(pán)202的縱向高度大于所 述橫向焊盤(pán)203。若干橫向焊盤(pán)203的形狀大小與存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凸出部分相適 配，若干縱向焊盤(pán)202的大小形狀與存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凹陷部分相適配。同時(shí)由于 縱向焊盤(pán)202和橫向焊盤(pán)203在高度上的長(zhǎng)度差，填補(bǔ)了存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊上凸出部 分和凹陷部分之間的差，在布局完成后，橫向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202相對(duì)于存儲(chǔ)陣列201 的外邊保持在同一直線(xiàn)上。本實(shí)用新型采用縱向焊盤(pán)202填補(bǔ)了存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凹陷部分的面積， 充分利用了存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凹陷部分的面積，同時(shí)在存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的凸 出部分設(shè)置橫向焊盤(pán)203，則減小了整個(gè)芯片版圖的高度，彌補(bǔ)了存儲(chǔ)陣列201不規(guī)則邊的 凹陷部分和凸出部分之間的高度差，不會(huì)再多占用版圖空間。在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上，更有效的 利用了陣列不規(guī)則的存儲(chǔ)器芯片的版圖空間，減小了版圖面積從而降低了芯片成本；另外該布 局方式有效的防止了拆分電路引起的芯片性能的下降；同時(shí)由于減小了芯片高度，縮短了外圍 電路204到橫向焊盤(pán)203和縱向焊盤(pán)202之間的布線(xiàn)距離使得芯片的訪(fǎng)問(wèn)速度有所改善。盡管本實(shí)用新型的內(nèi)容已經(jīng)通過(guò)上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上 述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本實(shí)用新型的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于 本實(shí)用新型的多種修改和替代都將是顯而易見(jiàn)的。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)由所附 的權(quán)利要求來(lái)限定。
權(quán)利要求一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路，該芯片電路包含存儲(chǔ)陣列(201)；所述存儲(chǔ)陣列(201)上設(shè)有若干凸出部分和若干凹陷部分；設(shè)置在所述存儲(chǔ)陣列(201)一邊的外圍電路(204)；所述外圍電路(204)與存儲(chǔ)陣列(201)電路連接；其特征在于，該芯片電路還包含設(shè)置在所述存儲(chǔ)陣列(201)的凸出部分處的若干橫向焊盤(pán)(203)；以及，設(shè)置在所述存儲(chǔ)陣列(201)的凹陷部分處的若干縱向焊盤(pán)(202)；所述橫向焊盤(pán)(203)和縱向焊盤(pán)(202)分別與所述存儲(chǔ)陣列(201)和外圍電路(204)電路連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路，其特征在 于，所述橫向焊盤(pán)(203)的寬度大于所述縱向焊盤(pán)(202)；所述縱向焊盤(pán)(202)的高度大于 所述橫向焊盤(pán)(203)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路，其特征在 于，所述若干橫向焊盤(pán)(203)的大小形狀與所述存儲(chǔ)陣列(201)的凸出部分相適配。
4.如權(quán)利要求1所述的一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路，其特征在 于，所述若干縱向焊盤(pán)(202)的大小形狀與所述存儲(chǔ)陣列(201)的凹陷部分相適配。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種利用橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)合理布局的芯片電路，其包含存儲(chǔ)陣列；該存儲(chǔ)陣列上設(shè)有凸出部分和凹陷部分；設(shè)置在存儲(chǔ)陣列一邊的外圍電路；該外圍電路與存儲(chǔ)陣列電路連接；其特征是，該芯片電路還包含設(shè)置在存儲(chǔ)陣列的凸出部分的若干橫向焊盤(pán)；以及設(shè)置在存儲(chǔ)陣列的凹陷部分的若干縱向焊盤(pán)；橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)與存儲(chǔ)陣列和外圍電路之間電路連接。本實(shí)用新型中橫向焊盤(pán)和縱向焊盤(pán)的組合正好與凸出部分和凹陷部分達(dá)到互補(bǔ)，縱向焊盤(pán)充分利用了凹陷部分的面積；而凸出部分設(shè)置橫向焊盤(pán)，減小了整個(gè)芯片版圖的面積，同時(shí)有效的防止了面積的浪費(fèi)或電路性能的下降，從焊盤(pán)到外圍電路的布線(xiàn)距離和延時(shí)縮短，提升了芯片的訪(fǎng)問(wèn)速度。
文檔編號(hào)H01L23/488GK201758122SQ20102028198
公開(kāi)日2011年3月9日 申請(qǐng)日期2010年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月5日
發(fā)明者劉紅霞, 董藝 申請(qǐng)人:上海復(fù)旦微電子股份有限公司