專利名稱：有機半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及作為有機薄膜晶體管等的有機半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
以往以來，在液晶顯示器或有機電致發(fā)光(EL)顯示器等有源矩陣驅(qū)動型平板顯示器(FPD)中，為了驅(qū)動像素使用了被稱為薄膜晶體管(TFT)的開關(guān)元件。近年來，作為下一代FPD或電子紙等中的像素驅(qū)動等的開關(guān)元件，有機薄膜晶體管備受注目，以往以來提出了各種有機薄膜晶體管(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。以下，使用圖13A及圖1 對專利文獻(xiàn)1所公開的以往的有機薄膜晶體管進(jìn)行說明。圖13A涉及以往的有機薄膜晶體管的俯視圖、為表示漏電極、源電極以及柵電極的俯視圖。圖13B是沿圖13A中示出的G-G’線剖切的以往的有機薄膜晶體管的剖視圖。如圖13A及圖1 所示，以往的有機薄膜晶體管101具備基板111、在基板111上形成的圓形的柵電極112、在柵電極112上形成的柵絕緣膜113、在柵絕緣膜113上形成的圓形的漏電極114、以及在柵絕緣膜113上形成于漏電極114的周圍的環(huán)狀的源電極115。另外，以往的有機薄膜晶體管101，以填埋漏電極114和源電極115之間的方式，在包括漏電極114及源電極115的區(qū)域上形成了有機半導(dǎo)體層117。有機半導(dǎo)體層117通過從漏電極114上涂敷包含有機半導(dǎo)體材料的溶液進(jìn)行成膜。而且，在以往的有機薄膜晶體管101中，為了抑制有機半導(dǎo)體層117由于空氣中的水分和/或氧而劣化的情況，在有機半導(dǎo)體層117上形成鈍化膜120。專利文獻(xiàn)1 日本特開2007-273957號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，在以往的有機薄膜晶體管101中，在有機半導(dǎo)體層117上形成的鈍化膜120 是涂敷于有機薄膜晶體管101的整個面而形成的，作為有機半導(dǎo)體層117本身的保護(hù)膜并沒有充分發(fā)揮作用。因此，在以往的有機薄膜晶體管101中，存在如下問題不能完全抑制水分和/或氧等侵入有機半導(dǎo)體層117而使有機半導(dǎo)體層117劣化，閾值電壓Vt發(fā)生變動。本發(fā)明是用于解決上述問題而作出的發(fā)明，目的在于提供能夠有效地保護(hù)有機半導(dǎo)體層并防止有機半導(dǎo)體層劣化的有機半導(dǎo)體裝置及其制造方法。為了解決上述問題，本發(fā)明涉及的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式，具備基板；柵電極，其形成于所述基板上；柵絕緣膜，其形成于所述柵電極上；第1電極，其為在所述柵絕緣膜上形成的源電極和漏電極的任一方；環(huán)狀的第2電極，其為在所述柵絕緣膜上源電極和漏電極的另一方的電極、并形成為包圍所述第1電極；有機半導(dǎo)體層，其涂敷于所述柵絕緣膜上的、由所述環(huán)狀的第2電極包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述第1電極，并由所述環(huán)狀的第2 電極規(guī)定其外周；環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，其形成于所述柵絕緣膜上、所述環(huán)狀的第2電極的外側(cè)；以及對所述有機半導(dǎo)體層進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)膜，其涂敷于由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍的區(qū)域以覆蓋所述有機半導(dǎo)體層，并由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定其外周。根據(jù)本發(fā)明涉及的有機半導(dǎo)體裝置，能夠通過保護(hù)膜抑制水分、氧或者雜質(zhì)侵入有機半導(dǎo)體層的情況，因此能夠防止有機半導(dǎo)體層的劣化。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)閾值電壓變動少的有機半導(dǎo)體裝置。


圖IA涉及本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖、為表示漏電極、源電極以及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的俯視圖。圖IB涉及本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖、為表示柵電極、漏布線以及源布線的俯視圖。圖IC是沿圖IA中示出的A-A’線剖切的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖ID是沿圖IA中示出的B-B’線剖切的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖2是對于本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置與比較例的有機半導(dǎo)體裝置表示柵電壓與漏電流的關(guān)系的圖。圖3A涉及比較例的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖、為表示漏電極及源電極的俯視圖。圖;3B是沿圖3A中示出的C-C’線剖切的比較例的有機半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖4是在有源矩陣型的顯示裝置中示意性地表示了 2個像素的結(jié)構(gòu)的圖。圖5A是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟SlOl的工序的圖。圖5B是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟S102的工序的圖。圖5C是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟S103的工序的圖。圖5D是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟S104的工序的圖。圖5E是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟S105的工序的圖。圖5F是表示本發(fā)明的實施方式1有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟S106的工序的圖。圖5G是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟S107的工序的圖。圖5H是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟S108的工序的圖。圖51是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟S109的工序的圖。圖5J是表示本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的步驟SllO的工序的圖。
圖6A涉及本發(fā)明的實施方式1的變形例1的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖、為表示漏電極、源電極以及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的俯視圖。圖6B涉及本發(fā)明的實施方式1的變形例1的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖、為表示柵電極、漏布線以及源布線的俯視圖。圖7A涉及本發(fā)明的實施方式1的變形例2的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖、為表示漏電極、源電極以及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的俯視圖。圖7B涉及本發(fā)明的實施方式1的變形例2的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖、為表示柵電極、漏布線以及源布線的俯視圖。圖8A涉及本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖、為表示漏電極、源電極以及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的俯視圖。圖8B是沿圖8A中所示的D_D’線剖切的本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖9A是本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的涂敷包含有機半導(dǎo)體材料的溶液的工序的俯視圖。圖9B是本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的涂敷包含有機半導(dǎo)體材料的溶液的工序的剖視圖(沿圖9A中示出的E-E’剖切的剖視圖)。圖IOA是本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的涂敷包含外涂料的溶液的工序的俯視圖。圖IOB是本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的涂敷包含外涂料的溶液的工序的剖視圖(沿圖IOA中示出的F-F’線剖切的剖視圖)。圖11是本發(fā)明的實施方式3的有機電致發(fā)光顯示器的部分剖切立體圖。圖12是使用了本發(fā)明的各實施方式的有機半導(dǎo)體裝置的像素的電路構(gòu)成圖。圖13A涉及以往的有機薄膜晶體管的俯視圖、為表示漏電極、源電極以及柵電極的俯視圖。圖1 是沿圖3A中示出的G-G’線剖切的以往的有機薄膜晶體管的剖視圖。圖14是對以往的有機薄膜晶體管進(jìn)行了改良的有機薄膜晶體管的剖視圖。標(biāo)號說明1、1，、1X、1Y、2有機半導(dǎo)體裝置IA第1有機半導(dǎo)體裝置IB第2有機半導(dǎo)體裝置11,111 基板12、12Υ、22、112 柵電極12LU2LX 柵布線12Α第1柵電極12Β 第2柵電極13、113柵絕緣膜14、24、114 漏電極14LU4LX 漏布線14C漏接觸部
14A第1漏電極
14B第2漏電極
15、25、115 源電極
15L、15LX、15LY 源布線
15CU5CY源接觸部
15A第1源電極
15B第2源電極
16,26導(dǎo)電性引導(dǎo)部件
16L引導(dǎo)布線
16A第1導(dǎo)電性引導(dǎo)部件
16B第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件
17、117有機半導(dǎo)體層
17S、18S 溶液
18、121保護(hù)膜
19層間絕緣膜
30有機電致發(fā)光顯示器
31有源矩陣基板
32像素
33像素電路
34陽極
35有機電致發(fā)光層
36陰極
37源線
38柵線
41驅(qū)動用有機半導(dǎo)體裝置
41G、42G柵電極
41S、42S源電極
41D、42D漏電極
42選擇用有機半導(dǎo)體裝置
43有機電致發(fā)光元件
44電容器
45電源線
101有機薄膜晶體管
120鈍化膜
122提岸
Ml第1金屬膜
M2第2金屬膜
CH接觸孔
PXl第1像素
PX2 第 2 像素
具體實施例方式本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式，具備基板；柵電極，其形成于所述基板上；柵絕緣膜，其形成于所述柵電極上；第1電極，其為在所述柵絕緣膜上形成的源電極和漏電極的任一方；環(huán)狀的第2電極，其為在所述柵絕緣膜上形成的源電極和漏電極的另一方的電極、并形成為包圍所述第1電極；有機半導(dǎo)體層，其涂敷于所述柵絕緣膜上的、由所述環(huán)狀的第2電極包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述第1電極，并由所述環(huán)狀的第2電極規(guī)定其外周；環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，其形成于所述柵絕緣膜上、所述環(huán)狀的第2電極的外側(cè)；以及對所述有機半導(dǎo)體層進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)膜，其涂敷于由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述有機半導(dǎo)體層，并由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定其外周。由此，能夠通過保護(hù)膜抑制水分和/或氧、或雜質(zhì)侵入有機半導(dǎo)體層，因此能夠防止有機半導(dǎo)體層劣化。另外，因為通過導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定了保護(hù)膜的外周，所以也通過保護(hù)膜不會在層間的布線連接產(chǎn)生不良狀況。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選具備在所述保護(hù)膜上形成的層間絕緣膜。由此，能夠通過保護(hù)膜防止有機半導(dǎo)體層的特性劣化，并能夠通過層間絕緣膜防止層間的電流泄漏。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述環(huán)狀的第2電極為環(huán)狀的源電極，對所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件施加與施加于所述環(huán)狀的源電極的電壓相同電位的電壓。由此，在源電極與導(dǎo)電性引導(dǎo)部件之間不會產(chǎn)生電位差，因此能夠抑制源電極與導(dǎo)電性引導(dǎo)部件之間產(chǎn)生微弱電流，并能夠抑制截止電流的增加。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選對所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件以及所述環(huán)狀的源電極施加的電壓為0V。由此，能夠基本消除由于有機半導(dǎo)體裝置間的相互作用產(chǎn)生的影響。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述保護(hù)膜包含由光交聯(lián)的高分子材料或低分子材料。另外，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述保護(hù)膜包含由光及熱交聯(lián)的高分子材料或低分子材料。通過使用由光交聯(lián)的材料作為保護(hù)膜的材料，能夠使保護(hù)膜中的分子構(gòu)造變得致密并使聚合物的結(jié)合變得牢固。由此，能夠有效地阻斷欲侵入有機半導(dǎo)體層的水分和/或氧、或雜質(zhì)。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述環(huán)狀的第2電極為以所述第1電極為中心的連續(xù)的環(huán)狀形狀。由此，能夠使第1電極與第2電極的距離變得固定，因此能夠在第1電極與第2電極之間使電場變得均勻。另外，因為環(huán)狀的第2電極為連續(xù)的形狀并為沒有中途切斷的構(gòu)成，所以涂敷于由環(huán)狀的第2電極包圍的區(qū)域的有機半導(dǎo)體層由環(huán)狀的第2電極規(guī)定并不會從該區(qū)域漏出。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述環(huán)狀的第2電極為圓形形狀。另外，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件為圓形形狀。由此，能夠使各電極形成為同心圓狀，因此能夠使電場分布變得均勻。而且，使各電極形成為同心圓狀，從而在涂敷了包含有機半導(dǎo)體層或保護(hù)膜的材料的溶液時該溶液以同心圓狀擴(kuò)展，因此能夠形成沒有膜厚不勻的均勻性良好的有機半導(dǎo)體層或保護(hù)膜。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述環(huán)狀的第2電極為矩形形狀。另外，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件為矩形形狀。由此，能夠提高電極布局設(shè)計的自由度。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述第1電極、所述環(huán)狀的第2電極以及所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，以所述柵絕緣膜作為形成的基礎(chǔ)形成為同一高度。由此，能夠在同一工序中制造漏電極、源電極以及導(dǎo)電性引導(dǎo)電極。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選所述第1電極、所述環(huán)狀的第2電極以及所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件由同一材料形成。由此，能夠在同一工序中制造漏電極、源電極以及導(dǎo)電性引導(dǎo)電極。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式中，優(yōu)選具備引出布線，其在所述基板上與所述柵電極同層地形成；和接觸部，其形成于所述第1電極下方、且形成于所述柵絕緣膜；所述第1電極經(jīng)由所述接觸部與所述引出布線電連接。由此，能夠使柵電極、同層的引出布線、以及柵絕緣膜上的第1電極電連接。另外，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種方式中，包括第1工序，準(zhǔn)備基板；第2工序，在所述基板上形成柵電極；第3工序，在所述柵電極上形成柵絕緣膜；第 4工序，在所述柵絕緣膜上形成金屬膜；第5工序，通過預(yù)定的圖形化從所述金屬膜形成第 1電極、環(huán)狀的第2電極以及環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，所述第一電極為源電極和漏電極的任一方，所述環(huán)狀的第2電極為源電極和漏電極的另一方，所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍所述環(huán)狀的第2電極的外周；第6工序，在由所述環(huán)狀的第2電極包圍的區(qū)域以覆蓋所述第 1電極的方式涂敷有機半導(dǎo)體層的材料，形成外周由所述環(huán)狀的第2電極規(guī)定的有機半導(dǎo)體層；以及第7工序，在由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍的區(qū)域以覆蓋所述有機半導(dǎo)體層的方式涂敷預(yù)定的材料，形成外周由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定的對所述有機半導(dǎo)體層進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)膜。由此，能夠由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定保護(hù)膜的材料，因此沒有必要另行設(shè)置僅用于形成保護(hù)膜的提岸(bank)等結(jié)構(gòu)。另外，因為能夠通過源電極對有機半導(dǎo)體層進(jìn)行規(guī)定， 所以也沒有必要另行設(shè)置僅用于形成有機半導(dǎo)體層的提岸等結(jié)構(gòu)。另外，因為在與形成漏電極的工序同一工序中形成規(guī)定有機半導(dǎo)體層的源電極和規(guī)定保護(hù)膜的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，所以沒有必要僅用于形成導(dǎo)電性引導(dǎo)部件而另行設(shè)置與形成漏電極或源電極的工序有別的工序。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種方式中，優(yōu)選包括第8工序，在所述保護(hù)膜上形成層間絕緣膜。由此，能夠制造能夠通過保護(hù)膜防止有機半導(dǎo)體層的劣化、并能夠通過層間絕緣膜防止層間的電流泄漏的有機半導(dǎo)體裝置。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種方式中，優(yōu)選在所述第2工序中，在所述基板上形成所述第1電極用的引出布線；在所述第3工序中，在所述柵絕緣膜上形成連接所述第1電極與所述引出布線的接觸孔。由此，能夠使基板上的引出布線與柵絕緣膜上的第1電極電連接。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種方式中，優(yōu)選在所述第6工序中，通過噴墨方法涂敷所述有機半導(dǎo)體層的材料。由此，能夠通過噴墨方法容易地形成有機半導(dǎo)體層。進(jìn)而，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種方式中，優(yōu)選在所述第7工序中，通過噴墨方法涂敷所述保護(hù)膜的所述預(yù)定的材料。由此，能夠通過噴墨方法容易地形成保護(hù)膜。另外，在本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的另一方式中，包括作為所述的本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置的一種方式的第1有機半導(dǎo)體裝置、和第2有機半導(dǎo)體裝置，所述第2有機半導(dǎo)體裝置具備第2柵電極，其形成在所述基板上；第2柵絕緣膜，其形成在所述第2柵電極上；第3電極，其為在所述第2柵絕緣膜上形成的第2源電極和第2漏電極的任一方；環(huán)狀的第4電極，其為在所述第2柵絕緣膜上所述第2源電極和所述第2漏電極的另一方的電極、并形成為包圍所述第3電極；第2有機半導(dǎo)體層，其涂敷于所述第2柵絕緣膜上的、由所述環(huán)狀的第4電極包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述第3電極，并由所述環(huán)狀的第4電極規(guī)定其外周；環(huán)狀的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，其形成于所述第2柵絕緣膜上、所述環(huán)狀的第4電極的外側(cè)；以及對所述第2有機半導(dǎo)體層進(jìn)行保護(hù)的第2保護(hù)膜，其涂敷于由所述環(huán)狀的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述第2有機半導(dǎo)體層，并由所述環(huán)狀的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定其外周，對所述第2有機半導(dǎo)體裝置的所述環(huán)狀的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，施加與施加于所述第1有機半導(dǎo)體裝置的所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的電壓相同電位的電壓。由此，在第1有機半導(dǎo)體裝置的第1導(dǎo)電性引導(dǎo)部件與第2有機半導(dǎo)體裝置的第2 導(dǎo)電性引導(dǎo)部件之間不會產(chǎn)生電位差，因此能夠抑制產(chǎn)生在第1有機半導(dǎo)體裝置的第1導(dǎo)電性引導(dǎo)部件與第2有機半導(dǎo)體裝置的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件之間會發(fā)生的電場。由此，能夠抑制由于相鄰的有機半導(dǎo)體裝置彼此間相互作用而使截止電流增加的情況。(關(guān)于有機薄膜晶體管的考察)如上所述，在圖13A及圖1 所示的以往的有機薄膜晶體管101中，鈍化膜120作為有機半導(dǎo)體層117的保護(hù)膜沒有充分發(fā)揮作用。其結(jié)果，在以往的有機薄膜晶體管101 中，存在有機半導(dǎo)體層117劣化且閾值電壓Vt發(fā)生變動的問題。這可以認(rèn)為以往的有機薄膜晶體管101的鈍化膜120單純地只是起到作為層間絕緣膜的作用而已。即，以往的有機薄膜晶體管101的鈍化膜120僅僅起到防止產(chǎn)生層間的電流泄漏的功能。于是，本申請發(fā)明人對用于防止有機半導(dǎo)體層的劣化的構(gòu)造進(jìn)行了潛心研究。以下，對該研究內(nèi)容進(jìn)行詳述。首先，與鈍化膜不同，考慮了形成以保護(hù)有機半導(dǎo)體層為主要目的的保護(hù)層。該情況下，如圖14所示，為了與保護(hù)膜121 —起在預(yù)期的區(qū)域形成有機半導(dǎo)體層117，嘗試以從外側(cè)包圍源電極115的方式形成提岸122，在提岸122的內(nèi)側(cè)形成有機半導(dǎo)體層117和保護(hù)膜 121。然而，在該方法中，需要提岸122的材料費用以及用于形成提岸122的工序，留下了成本會增大這樣的問題。于是，本申請發(fā)明人進(jìn)一步反復(fù)潛心研究的結(jié)果，構(gòu)想出了以下詳述的本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置。以下，基于實施方式對本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置及其制造方法進(jìn)行說明。(實施方式1)首先，使用圖IA 圖ID對本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。圖 IA涉及本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖，為表示源電極、漏電極及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的俯視圖。圖IB涉及本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖，為表示柵電極、源布線以及漏布線的俯視圖。圖IC是沿圖IA中示出的A-A’線剖切的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖ID是沿圖IA中示出的B-B’線剖切的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的剖視圖。如圖IC所示，本發(fā)明的實施方式1的有機板導(dǎo)體裝置1具備基板11、柵電極12、 柵絕緣膜13、漏電極14、源電極15、導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16、有機半導(dǎo)體層17以及保護(hù)膜18。 此外，在本實施方式中作為基板11使用了玻璃基板，但并不限于此。例如，作為基板11，也可以使用塑料膜等具有可撓性的柔性基板。柵電極12如圖IC及圖ID所示在基板11上形成。柵電極12如圖IB所示，當(dāng)俯視時為切除了一部分的圓形的環(huán)狀形狀。在柵電極12上連接了柵布線12L，所述柵布線12L 為用于對柵電極12施加預(yù)定的柵電壓的引出布線。柵電極12及柵布線12L能夠由例如 Mo(鉬)與W(鎢)的合金、或者Μο、Α1(鋁)、A1與Cu(銅)的合金以及Cu形成。如圖IB所示，在柵電極12的內(nèi)側(cè)形成了位于漏布線14L的端部的漏接觸部14C。 另夕卜，以從漏接觸部14C向柵電極12的外側(cè)延伸的方式，形成了漏布線14L。漏布線14L為用于對漏電極14施加預(yù)定的漏電壓的引出布線。在本發(fā)明中，與柵電極12同層地形成漏布線14L是為了使柵絕緣膜13上的源電極15形成為連續(xù)不間斷的環(huán)狀。S卩，這是因為由于源電極15包圍了漏電極14，所以如果不是如上述那樣使漏布線14L和漏電極14形成于不同的層，則就要如圖13A所示的以往的有機半導(dǎo)體晶體管那樣，需要中途切斷源電極來連接漏電極與漏布線。另外，在隔著柵電極12與漏接觸部14C相對向的位置形成源接觸部15C，以從源接觸部15C延伸的方式形成源布線15L。源布線15L為用于對源電極15施加預(yù)定的源電壓的引出布線。此外，如圖IC及圖ID所示，漏布線14L以及源布線15L與柵電極12同層、且由與柵電極12相同的材料形成。如圖IC及圖ID所示，在基板11上以覆蓋柵電極12、漏布線14L及源布線15L的方式形成柵絕緣膜13。柵絕緣膜13能夠由氧化硅膜或氮化硅膜等、或者由它們的疊層膜構(gòu)成的無機絕緣膜形成。此外，作為柵絕緣膜13，也能夠由聚酰亞胺、聚乙烯基苯酚、聚丙烯等有機絕緣膜形成。如圖IC及圖ID所示，在柵絕緣膜13上形成漏電極14、源電極15及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16。
漏電極14為本發(fā)明中的第1電極，如圖IA及圖IC所示，為直徑比漏接觸部14C 大的圓形，如圖IC所示以經(jīng)由柵絕緣膜13與柵電極12的內(nèi)周部分重疊方式形成。另外， 如圖IC及圖ID所示，漏電極14與漏接觸部14C經(jīng)由形成于柵絕緣膜13的接觸孔CH的接觸部而電連接。源電極15為本發(fā)明中的第2電極，如圖IA及圖IC所示，為以漏電極14的中心為中心的連續(xù)的環(huán)狀形狀，以包圍漏電極14的方式形成。源電極15與漏電極14隔著一定的距離形成。另外，源電極15如圖IA及圖IC所示，以經(jīng)由柵絕緣膜13與柵電極12的外周部分重疊的方式形成。源電極15與源接觸部15C如圖ID所示，通過形成于柵絕緣膜13的接觸孔CH的接觸部而電連接。此外，漏電極14及源電極15能夠使用例如Mo、W、Au(金)、Ag(銀)來形成。導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16如圖IA所示，為圓形的連續(xù)的環(huán)狀形狀的引導(dǎo)電極，以包圍源電極15的方式形成。導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16與源電極15隔著一定的距離形成。另外，在導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16上連接了用于對該導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16施加預(yù)定的電壓的引導(dǎo)布線16L。導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16如圖IC及圖ID所示，與漏電極14及源電極15同層、且由與漏電極14及源電極15相同的材料形成。漏電極14、源電極15及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16形成為同心圓狀。如圖IC及圖ID所示，在柵絕緣膜13上漏電極14與源電極15之間形成了有機半導(dǎo)體層17。有機半導(dǎo)體層17在由源電極15包圍的區(qū)域中以從上方覆蓋漏電極14的方式形成。即，有機半導(dǎo)體層17以覆蓋漏電極14的方式涂敷于由源電極15包圍的區(qū)域而形成， 有機半導(dǎo)體層17的外周由源電極15規(guī)定。作為有機半導(dǎo)體層17的材料，例如可以使用并五苯(pentacene)、酞菁 (Phthalocyanine)系、或卟啉(porphyrin)系的可溶性有機材料。另外，如圖IC及圖ID所示，在有機半導(dǎo)體層17上形成用于保護(hù)有機半導(dǎo)體層17 的保護(hù)膜18。保護(hù)膜18也在有機半導(dǎo)體層17以外的區(qū)域形成，以覆蓋有機半導(dǎo)體層17的方式形成在由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16包圍的區(qū)域中。即，保護(hù)膜18以覆蓋有機半導(dǎo)體層17的方式涂敷于由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16包圍的區(qū)域而形成，保護(hù)膜18的外周由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件 16規(guī)定。在此，保護(hù)膜18優(yōu)選包含由光交聯(lián)的材料。由光交聯(lián)的材料通過進(jìn)行光照射在分子中形成分子結(jié)合，分子結(jié)構(gòu)變得致密且聚合物的結(jié)合變得牢固。由此，能夠有效地阻斷欲侵入有機半導(dǎo)體層17的水分和/或氧、或雜質(zhì)。作為由光交聯(lián)的材料，有丙烯酸聚合物等高分子材料、或丙烯酸單聚物等低分子材料。例如，可以使用在混合了丙烯酸聚合物與丙烯酸單聚物的材料中，作為光聚合引發(fā)劑添加汽巴-嘉基(CIBA-GEIGY)公司制造的IR-907， 并作為脫氫材料添加有二乙基唑，通過對其照射中心波長為365nm或405nm的紫外線， 能夠形成致密的有機保護(hù)膜。而且，作為保護(hù)膜18，除了由光交聯(lián)的材料之外，優(yōu)選包含由熱交聯(lián)的材料。此外，保護(hù)膜18并不限于僅由有機材料構(gòu)成，也可以使用在上述的有機材料中添加了硅等無機材料得到的材料。通過使用如此在有機材料中添加了硅等無機材料得到的材料，與僅由有機材料構(gòu)成的有機保護(hù)膜相比，能夠進(jìn)一步抑制水分和/或氧等向有機半導(dǎo)體層17侵入。
如圖IC及圖ID所示，以覆蓋保護(hù)膜18、導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16及露出的柵絕緣膜13 的方式形成了層間絕緣膜19。層間絕緣膜19為抑制產(chǎn)生層間的泄漏電流、并使有機半導(dǎo)體裝置1的表面平坦化的絕緣膜。層間絕緣膜19可以使用例如S0G(Spin On Glass，旋涂式玻璃)來形成。如此，通過形成層間絕緣膜19，能夠使保護(hù)膜承擔(dān)防止有機半導(dǎo)體層17的特性劣化的第1功能，并能夠使層間絕緣膜19承擔(dān)層間的絕緣這樣的第2功能，能夠通過兩個膜使第1功能與第2功能在功能上分離。因此，能夠防止有機半導(dǎo)體層17的特性劣化，并能夠防止層間的電流泄漏，能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性高的有機半導(dǎo)體裝置1。接下來，對如上述那樣構(gòu)成的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的作用效果進(jìn)行說明。圖2是對于本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1 (以下，也簡記為“本發(fā)明1”) 與比較例的有機半導(dǎo)體裝置1’ (以下，也簡記為“比較例1’”)，表示柵電壓與漏電流的關(guān)系的圖(傳輸特性)。在圖2中，以實線示出的曲線是表示本發(fā)明1中的柵電壓與漏電流的關(guān)系的曲線。另外，以虛線示出的曲線是表示比較例1’中的柵電壓與漏電流的關(guān)系的曲線。在此，所謂比較例的有機半導(dǎo)體裝置1’為如圖3A及圖;3B所示的結(jié)構(gòu)，與圖IA及圖IC 所示的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1相比較，沒有形成保護(hù)膜18和導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16。此外，圖:3B是沿圖3A中示出的C-C’線剖切的剖視圖。另外，在比較例1’中，對于與圖IA及圖IC所示的本發(fā)明1相同的構(gòu)成，標(biāo)注相同的標(biāo)號。返回圖2，比較本發(fā)明1與比較例1’可知，本發(fā)明1的傳輸特性中的閾值電壓Vt 比比較例1’的傳輸特性中的閾值電壓Vt小?？梢哉J(rèn)為這是因為在比較例1’中，層間絕緣膜19直接形成于有機半導(dǎo)體層17，在將層間絕緣膜19形成于有機半導(dǎo)體層17上時，空氣中的水分和/或氧、或者雜質(zhì)(包含于層間絕緣膜19本身的溶劑和/或材料等的相對于有機半導(dǎo)體層17會成為載流子的雜質(zhì))侵入有機半導(dǎo)體層17內(nèi)、或柵絕緣膜13與漏電極 14 (或源電極15)的界面。如此，若水分和/或氧、雜質(zhì)侵入，則對傳輸特性產(chǎn)生影響，閾值電壓Vt漂移、漏電流Id下降。相對于此，本發(fā)明1對有機半導(dǎo)體層17不直接用層間絕緣膜19覆蓋，形成用于對有機半導(dǎo)體層17進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)膜18。由此，能夠抑制水分和/或氧、或雜質(zhì)的侵入， 能夠防止有機半導(dǎo)體層17劣化。由此，在本發(fā)明1中能夠抑制閾值電壓Vt的變動。而且，在本發(fā)明1中，保護(hù)膜18的外周由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16規(guī)定，因此使保護(hù)膜 18的涂敷區(qū)域成為由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16包圍的一定區(qū)域。由此，能夠以有機半導(dǎo)體層17 為中心進(jìn)行保護(hù)，不會因保護(hù)膜18妨礙層間的布線連接。另外，在本實施方式的有機半導(dǎo)體裝置1中，源電極15及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16形成為以漏電極14為中心的連續(xù)的圓形的環(huán)狀形狀。即，這些電極形成為同心圓狀。由此，能夠使電極間距離為一定、能夠使電場均等，并且也能夠使電場分布均勻。而且，由于各電極形成為同心圓狀，通過在同心圓的中心涂敷溶液，當(dāng)?shù)蜗掳袡C半導(dǎo)體材料或外涂料的溶液時，該溶液會以同心圓狀擴(kuò)展。由此，能夠形成沒有膜厚不勻的均勻性優(yōu)良的有機半導(dǎo)體層17及保護(hù)膜18。另外，在配置了多個本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的情況下，也起到以下的作用效果。
設(shè)為通過配置多個本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的有機半導(dǎo)體陣列裝置而構(gòu)成了有源矩陣型的顯示裝置。圖4是在有源矩陣型的顯示裝置中，示意性地表示了 2個像素的結(jié)構(gòu)的圖。如圖4所示，在第1像素PXl配置第1有機半導(dǎo)體裝置1A，在第2像素PX2配置第 2有機半導(dǎo)體裝置1B。第1有機半導(dǎo)體裝置IA與第2有機半導(dǎo)體裝置IB為相同的結(jié)構(gòu)， 為圖IA 圖ID所示的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1。此外，在各像素中未對有機半導(dǎo)體裝置以外的結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖示，對其他的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了省略。如圖4所示，在第1有機半導(dǎo)體裝置IA中，將對第1柵電極12A施加的柵電壓設(shè)為Vgl，將對第ι漏電極14A施加的漏電壓設(shè)為Vdl，將對第1源電極15A施加的源電壓設(shè)為Vsl，將對第1導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16A施加的引導(dǎo)電壓設(shè)為Vgdl。另外，在第2有機半導(dǎo)體裝置IB中，將對第2柵電極12B施加的柵電壓設(shè)為Vg2，將對第2漏電極14B施加的漏電壓設(shè)為Vd2，將對第2源電極15B施加的源電壓設(shè)為Vs2，將對第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16B施加的引導(dǎo)電壓設(shè)為Vgd2。在第1有機半導(dǎo)體裝置IA中，當(dāng)施加預(yù)定的柵電壓Vgl并使第1有機半導(dǎo)體裝置 IA工作時，可以得到漏電流Idsl。此時，在第1有機半導(dǎo)體裝置IA中，優(yōu)選以使引導(dǎo)電壓Vgdl與源電壓Vsl變成 Vgdl = Vsl的方式進(jìn)行控制。由此，不會在第1源電極15A與第1導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16A之間產(chǎn)生電位差，因此能夠抑制在第1源電極15A與第1導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16A之間Igdl_sl這樣的電流產(chǎn)生。因此，能夠抑制由于由于第1有機半導(dǎo)體裝置IA與相鄰的有機半導(dǎo)體裝置 (例如，有機半導(dǎo)體裝置1B)的相互作用而使截止電流增加的情況。S卩，例如，在使用了多個圖3A及圖;3B所示的比較例的有機半導(dǎo)體裝置1，作為TFT 的情況下，由于各個TFT的工作而在各源電極產(chǎn)生微小電位差。由此，微小的表面電流在相鄰的TFT間流動而使截止電流特性劣化，尤其在有機電致發(fā)光顯示器中無法確保電流灰度 (導(dǎo)通截止比)，對黑色顯示產(chǎn)生影響，會變成明亮的黑色。相對于此，在使用多個本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1作為TFT的情況下，如上所述，以變?yōu)閂gdl = Vsl的方式進(jìn)行控制，由此能夠抑制在TFT間產(chǎn)生的表面電流并能夠抑制截止電流的增加。此外，此時優(yōu)選Vgdl = Vsl = 0V。由此，能夠基本消除由于有機半導(dǎo)體裝置間的相互作用產(chǎn)生的影響。另外，優(yōu)選，以使第1有機半導(dǎo)體裝置IA的引導(dǎo)電壓Vgdl與第2有機半導(dǎo)體裝置 IB的引導(dǎo)電壓Vgd2成為Vgdl = Vgd2的方式進(jìn)行控制。由此，不會在第1有機半導(dǎo)體裝置 IA的第1導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16A與第2有機半導(dǎo)體裝置IB的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16B之間產(chǎn)生電位差，因此能夠抑制Igdl_gd2這樣的電流產(chǎn)生。因此，能夠抑制由于相鄰的有機半導(dǎo)體裝置彼此間的相互作用而使截止電流增加的情況。接下來，使用圖5A 圖5J對本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖5A 圖5J是本實施方式的制造方法的各工序中的有機半導(dǎo)體裝置的剖視圖。首先，如圖5所示，準(zhǔn)備預(yù)定的基板11 (SlOl)。在本實施方式中使用了玻璃基板。 之后，在基板上通過等離子體CVD (Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相淀積)形成SiN 等的底涂層(未圖示)。底涂層為防止雜質(zhì)從玻璃基板或玻璃成分?jǐn)U散的膜。接下來，如圖5B所示，在基板11上，形成成為柵電極12、漏布線14L及源布線15L的第1金屬膜Ml (S102)。第1金屬膜Ml能夠通過濺射、蒸鍍或等離子體CVD進(jìn)行成膜。作為第1金屬膜Ml的材料，如上述那樣，可使用Mo、W、Cu、Al等。接下來，如圖5C所示，通過蝕刻使第1金屬膜Ml圖形化，由此同時形成如圖IB所示的預(yù)定形狀的柵電極12、漏布線14L及源布線15L(S1(X3)。此時，在對第1金屬膜Ml進(jìn)行了蝕刻的區(qū)域基板11露出。此外，在圖5C中，僅圖示了柵電極12和漏布線14L的漏接觸部14C。如此，柵電極12、漏布線14L及源布線15L是通過同時對同一第1金屬膜Ml進(jìn)行圖形化而形成的，因此它們?yōu)橥桓叨取＝酉聛?，如圖5D所示，在柵電極12上形成柵絕緣膜13(S104)。柵絕緣膜13形成于基板11上的整個面，可以根據(jù)材料不同而通過等離子體CVD或涂敷法來形成。例如，作為柵絕緣膜13，可以使用氧化硅膜或氮化硅膜等的無機絕緣膜，通過等離子體CVD進(jìn)行成膜。另外，柵絕緣膜13也可以通過聚酰亞胺、聚乙烯苯酚、聚丙烯等的有機絕緣膜來形成。 此外，在基板11為樹脂性柔性基板的情況下，可以通過旋涂法對柵絕緣膜13進(jìn)行成膜。接下來，如圖5E所示，在漏布線14L的漏接觸部14C上的柵絕緣膜13形成接觸孔 CH(S105)。接觸孔CH例如在柵絕緣膜13包含感光劑并通過涂敷法形成的情況下，可以通過由光刻法(lithography)進(jìn)行的圖形化來形成。另外，在柵絕緣膜13不包含感光劑并通過等離子體CVD形成的情況下，可以在圖形化形成了抗蝕劑之后，通過干蝕刻或濕蝕刻來形成接觸孔。接下來，如圖5F所示，以填埋接觸孔CH的方式，在柵絕緣膜13上的整個面形成將成為漏電極14、源電極15及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16的第2金屬膜M2(S106)。此時，對接觸孔 CH填充第2金屬膜M2形成接觸部。作為第2金屬膜M2的材料，如上述那樣，可以采用Mo、 W、Au、Ag。接下來，如圖5G所示，通過蝕刻使第2金屬膜M2圖形化，由此同時形成如圖IA所示的預(yù)定形狀的漏電極14、源電極15及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16(S107)。此時，在除去了第2金屬膜M2的區(qū)域柵絕緣膜13露出。如此，漏電極14、源電極15及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16通過同時對同一第2金屬膜M2圖形化而形成，因此它們?yōu)橥桓叨?。接下來，在對柵絕緣膜13與漏電極14(源電極1 的界面進(jìn)行了清洗等的前處理之后，如圖5H所示，通過噴墨法滴下包含有機半導(dǎo)體材料的溶液17S來進(jìn)行涂敷(S108)。 此時，因為環(huán)狀源電極15的內(nèi)側(cè)壁成為防護(hù)并對包含有機半導(dǎo)體材料的溶液17S涂敷區(qū)域進(jìn)行了規(guī)定，所以能夠防止包含有機半導(dǎo)體材料的溶液17S流出到源電極15上及源電極15 的外側(cè)的情況。然后，通過進(jìn)行預(yù)定的熱處理，使包含有機半導(dǎo)體材料的溶液17S干燥，進(jìn)行有機半導(dǎo)體材料的晶體化。由此，能夠形成由源電極15限制了外周的有機半導(dǎo)體層17。此外，通過上述的噴墨進(jìn)行的溶液滴落，優(yōu)選在漏電極14的中央附近進(jìn)行。由此， 包含有機半導(dǎo)體材料的溶液17S以源電極15為阻斷器(stopper)而在由該源電極15所包圍的區(qū)域內(nèi)均勻地擴(kuò)展，因此能夠形成均勻性優(yōu)良的有機半導(dǎo)體層17。另外，上述的預(yù)定的熱處理為使包含于溶液17S的有機半導(dǎo)體材料不進(jìn)行熱分解并進(jìn)行晶體化的溫度，優(yōu)選可以使溶液17S的溶劑蒸發(fā)的溫度。在本實施方式中，通過200度(°C )左右的溫度進(jìn)行了熱處理。接下來，如圖51所示，通過噴墨法滴下包含作為保護(hù)膜18的材料的外涂料的溶液18S來進(jìn)行涂敷(S109)。此時，環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16的內(nèi)側(cè)壁成為防護(hù)，對包含外涂料的溶液18S的涂敷區(qū)域進(jìn)行了規(guī)定。由此，能夠防止包含外涂料的溶液18S會流出到導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16上及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16的外側(cè)的情況。在預(yù)定的區(qū)域了涂敷了包含外涂料的溶液18S之后，進(jìn)行預(yù)定的熱處理。由此，使包含外涂料的溶液18S干燥，能夠形成由環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16規(guī)定了外周的保護(hù)膜18。此時，在包含于溶液18S的外涂料包含了由熱交聯(lián)的材料的情況下，能夠通過此時的熱處理提高保護(hù)膜18的保護(hù)功能。另外，在外涂料包含了由光交聯(lián)的材料情況下，通過另行實施UV等的光照處理，在外涂料的分子中形成分子結(jié)合，分子結(jié)構(gòu)變得致密且聚合體的結(jié)合變得牢固。由此，能夠提高保護(hù)膜18對氧和/或水分、或者雜質(zhì)的阻隔效果。此外，通過上述的噴墨進(jìn)行的包含外涂料的溶液18S的滴落，優(yōu)選在漏電極14的中央附近進(jìn)行。由此，包含外涂料的溶液18S以導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16為阻斷器而在由該導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16所包圍的區(qū)域內(nèi)均勻地擴(kuò)展，因此能夠形成均勻性優(yōu)良的保護(hù)膜。接下來，如圖5J所示，在包括保護(hù)膜18的基板11上的整個面，形成層間絕緣膜 19(S110)。層間絕緣膜19以表面平坦化的方式形成為預(yù)期的厚度。此外，層間絕緣膜19 可以通過涂敷SOG等預(yù)定的材料來形成。以上，根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的制造方法，能夠由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16規(guī)定成為保護(hù)膜18的外涂料的涂敷區(qū)域。因此，沒有必要僅為了將保護(hù)膜18形成在一定區(qū)域而另行設(shè)置提岸等的結(jié)構(gòu)。另外，能夠通過利用源電極15來規(guī)定有機半導(dǎo)體層17的形成區(qū)域。因此，也沒有必要僅為了將有機半導(dǎo)體層17形成在一定區(qū)域而另行設(shè)置提岸等的結(jié)構(gòu)。如此，根據(jù)本實施方式的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法，不需要形成作為提岸材料的感光性樹脂層、使其圖形化、去除抗蝕劑等工序，因此能夠防止制造工序復(fù)雜化。另外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的制造方法，能夠在與形成漏電極14的工序相同的工序中形成規(guī)定有機半導(dǎo)體層17的源電極15和規(guī)定保護(hù)層18的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16。因此，沒有必要僅為了形成導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16而設(shè)置形成漏電極14或源電極15的工序之外的工序。因此，不需要形成金屬膜、使其圖形化、去除抗蝕劑等工序， 能夠進(jìn)一步防止制造工序復(fù)雜化。(實施方式1的變形例1)接下來，使用圖6A及圖6B對本發(fā)明的實施方式1的變形例1的有機半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。圖6A涉及本發(fā)明的實施方式1的變形例1的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖，為表示源電極、漏電極及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的俯視圖。圖6B涉及本發(fā)明的實施方式1的變形例1的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖，為表示柵電極、源布線及漏布線的俯視圖。此外，在圖6A及圖6B 中，對于與圖IA及圖IB所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，標(biāo)注相同的標(biāo)號，省略其說明。圖6A及圖6B所示的本發(fā)明的實施方式1的變形例1的有機半導(dǎo)體裝置IX，與圖 IA及圖IB所示的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1不同之處，如圖6B所示，為柵布線12LX、漏布線14LX及源布線15LX的形狀。其他的結(jié)構(gòu)是與本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1相同的結(jié)構(gòu)。如圖6B所示，本實施方式的有機半導(dǎo)體裝置IX的漏布線14LX具有窄幅部，所述窄幅部與形成于上方的源電極15以及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16交叉的部分的寬度比其他部分的寬度窄。由此，能夠降低漏布線14LX與源電極15(或?qū)щ娦砸龑?dǎo)部件16)的交叉部分處的層間電容。同樣地，如圖6B所述，本實施方式的有機半導(dǎo)體裝置IX的柵布線12LX具有窄幅部，所述窄幅部與形成于上方的源電極15及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16交叉的部分的寬度比其他部分的寬度窄。另外，本實施方式的有機半導(dǎo)體裝置IX的源布線15LX具有窄幅部，所述窄幅部與形成于上方的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件16交叉的部分的寬度比其他部分的寬度窄。由此，能夠降低各電極與布線的交叉部分處的層間電容。(實施方式1的變形例2)接下來，使用圖7A及圖7B對本發(fā)明的實施方式1的變形例2的有機半導(dǎo)體裝置 IY進(jìn)行說明。圖7A涉及本發(fā)明的實施方式1的變形例2的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖，為表示源電極、漏電極及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的俯視圖。圖7B涉及本發(fā)明的實施方式1的變形例2 的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖，為表示柵電極、源布線及漏布線的俯視圖。此外，在圖7A及圖 7B中，對于與圖IA及圖IB所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，標(biāo)注相同的標(biāo)號，省略其說明。圖7A及圖7B所示的本發(fā)明的實施方式1的變形例2的有機半導(dǎo)體裝置1Y，與圖 IA及圖IB所示的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的不同之點，如圖7B所示，為源布線15LY的形成位置和柵電極12Y的形狀。其他的結(jié)構(gòu)為與本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1相同的結(jié)構(gòu)。如圖7B所示，本實施方式的有機半導(dǎo)體裝置IY的源布線15LY以在與柵布線12L 和漏布線14L相同方向上延伸的方式形成。由此，能夠容易地設(shè)計各引出布線的布局圖形。 此外，源布線15LY的前端部分成為源接觸部15CY。此外，在本實施方式中，增大了柵電極12Y的缺口部分。由此，能夠增大柵電極12Y 與源布線15LY之間的距離，因此能夠降低施加于源布線15LY的源電壓對柵電極12Y產(chǎn)生影響的情況。(實施方式2)接下來，使用圖8A及圖8B對本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。 圖8A涉及本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的俯視圖，為表示源電極、漏電極及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的俯視圖。圖8B是沿圖8A中示出的D-D’線剖切的本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的剖視圖。此外，在圖8A及圖8B中，對于與圖IA及圖IC所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，標(biāo)注相同的標(biāo)號，省略其說明。圖8A及圖8B所示的本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置2，與圖IA及圖IC所示的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的不同之處，如圖8A所示，為漏電極M、源電極25、導(dǎo)電性引導(dǎo)部件沈及柵電極22的形狀。這以外的結(jié)構(gòu)為與本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1相同的結(jié)構(gòu)。如圖8B所示，在本實施方式的有機半導(dǎo)體裝置2中，漏電極M為矩形狀。另外， 環(huán)狀的源電極25、環(huán)狀的導(dǎo)電性部件沈及柵電極22也為矩形狀。如此，根據(jù)本實施方式中的有機半導(dǎo)體裝置2，通過使各電極為矩形狀，能夠提高電極的布局設(shè)計的自由度。此外，在本實施方式的有機半導(dǎo)體裝置2中，起到與上述的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的作用效果同樣的作用效果。 接下來，使用圖9A、圖9B、圖IOA及圖IOB對本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置2的制造方法進(jìn)行說明。圖9A是本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置2的制造方法中的涂敷包含有機半導(dǎo)體材料的溶液的工序的俯視圖。圖9B是該工序的剖視圖。另外，圖 IOA是本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置2的制造方法中的涂敷包含外涂料的溶液的工序的俯視圖。圖IOB是該工序的剖視圖。本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置2的制造方法中的基本工序，與圖5A 圖 5J中示出的本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的制造方法相同。本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置2的制造方法與本發(fā)明的實施方法1的有機半導(dǎo)體裝置1的制造方法的不同之處在于涂敷包含有機半導(dǎo)體材料的溶液的工序、和涂敷包含外涂料的溶液的工序。其他的工序與本發(fā)明的實施方式1的有機半導(dǎo)體裝置1的制造方法相同，因此省略其說明。在本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置2的制造方法中的涂敷包含有機半導(dǎo)體材料的溶液的工序中，如圖9A及圖9B所示，以由多滴噴點滴落包含有機半導(dǎo)體材料的溶液 17S的方式進(jìn)行涂敷。在本實施方式中，如圖9A及圖9B所示，通過2個噴點進(jìn)行涂敷。由此，即使漏電極M及源電極25為矩形狀的電極，也能夠?qū)袡C半導(dǎo)體材料的溶液17S 均勻地涂敷在由源電極包圍的區(qū)域內(nèi)。另外，在本發(fā)明的實施方式2的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法中的涂敷包含外涂料的溶液的工序中，如圖IOA及圖IOB所示，也以由多滴噴點滴落包含外涂料的溶液18S的方式進(jìn)行涂敷。在本實施方式中，如圖IOA及圖IOB所示，通過2個噴點進(jìn)行涂敷。由此，即使源電極25及導(dǎo)電性引導(dǎo)部件沈為矩形狀的電極，也能夠?qū)馔苛系娜芤?8S均勻地涂敷在由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件沈包圍的區(qū)域內(nèi)。此外，優(yōu)選各電極的結(jié)構(gòu)越是接近圓形形狀，各工序中的溶液的涂敷越是在有機半導(dǎo)體裝置2的中心部附近進(jìn)行。由此，能夠形成沒有膜厚不勻的均勻性優(yōu)良的有機半導(dǎo)體層17及保護(hù)膜18。另外，在矩形狀電極的縱橫比大的情況下，只要對增加進(jìn)行涂敷的噴點數(shù)等涂敷方法進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整即可。另外，進(jìn)行涂敷的噴點并不限于直線狀，能夠以使涂敷溶液在預(yù)期的涂敷區(qū)域中均勻地分布的方式進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。另外，可以通過使噴出溶液的噴嘴的噴頭移動來進(jìn)行多個噴點的涂敷。在本實施方式中，通過在長軸方向上使噴嘴的噴頭在2個部位移動來進(jìn)行。此外，也可以不移動噴嘴的噴頭而使用預(yù)先具備多個噴嘴的噴頭。(實施方式3)接下來，使用圖11對將實施方式1、2的有機半導(dǎo)體裝置應(yīng)用于顯示器得到的本發(fā)明的實施方式3的顯示裝置進(jìn)行說明。此外，在本實施方式的顯示裝置的一種方式中，對應(yīng)用于有機電致發(fā)光顯示器的例子進(jìn)行說明。圖11是本發(fā)明的實施方式3的有機電致發(fā)光顯示器的部分剖切立體圖。上述的各實施方式的有機半導(dǎo)體裝置能夠用作有機電致發(fā)光顯示器的有源矩陣基板的開關(guān)元件。如圖11所示，有機電致發(fā)光顯示器30具備有源矩陣基板31 ；在有源矩陣基板31 上以矩陣狀配置的多個像素32 ；與像素32連接、在有源矩陣基板31上以陣列狀配置的多個像素電路33 ；在像素32和像素電路33之上依次疊層的陽極34 ；有機電致發(fā)光層35及陰極36 (透明電極)；以及對各像素電路33與控制電路(未圖示)進(jìn)行連接的多條源線37 及柵線38。有機電致發(fā)光層35疊層電子遷移層、發(fā)光層、空穴遷移層等各層而構(gòu)成。在有機電致發(fā)光顯示器30中，在各像素電路33，作為像素32的開關(guān)元件，設(shè)置了所述各實施方式的任一有機半導(dǎo)體裝置。接下來，使用圖12對上述有機電致發(fā)光顯示器30中的像素32的電路構(gòu)成進(jìn)行說明。圖12是使用了本發(fā)明的各實施方式的有機半導(dǎo)體裝置的像素電路構(gòu)成圖。如圖12所示，像素32具備驅(qū)動用有機半導(dǎo)體裝置41、選擇用有機半導(dǎo)體裝置 42、有機電致發(fā)光元件43、和電容器44。驅(qū)動用有機半導(dǎo)體裝置41為驅(qū)動有機電致發(fā)光元件43的驅(qū)動晶體管，選擇用有機半導(dǎo)體裝置42為選擇晶體管。選擇用有機半導(dǎo)體裝置42的源電極42S與源線37連接，柵電極42G與柵線38連接，漏電極42D與電容器44以及驅(qū)動用有機半導(dǎo)體裝置41的柵電極41G連接。另外，驅(qū)動用有機半導(dǎo)體裝置41的漏電極41D與電源線45連接，源電極41S與有機電致發(fā)光元件43的陽極連接。在該構(gòu)成中，當(dāng)對柵線38輸入柵信號、使選擇用有機半導(dǎo)體裝置42變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時，經(jīng)由源線37供給的信號電壓被寫入電容器44。并且，寫入電容器44的保持電壓貫通1 幀期間得以保持。由于該保持電壓，驅(qū)動用有機半導(dǎo)體裝置41的電導(dǎo)模擬性(連續(xù)性)地變化，與發(fā)光灰度對應(yīng)的驅(qū)動電流從有機電致發(fā)光元件43的陽極流向陰極。由此，有機電致發(fā)光元件43發(fā)光，并作為圖像進(jìn)行顯示。此外，實施方式1、2的有機半導(dǎo)體裝置也可以應(yīng)用于驅(qū)動用有機半導(dǎo)體裝置41及選擇用有機半導(dǎo)體裝置42的任一方。以上，對本發(fā)明的一個實施方式的顯示器進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此。例如，雖然在上述的實施方式中對使用了有機電致發(fā)光元件的有機電致發(fā)光顯示器進(jìn)行了說明，但也可以應(yīng)用于具備液晶顯示元件等、使用了有源矩陣基板的其他顯示元件的顯示器。另外，關(guān)于以上說明的本發(fā)明的實施方式3的顯示器，可以用作平板顯示器，可以應(yīng)用于電視機、個人計算機、便攜電話機等所有的顯示裝置。以上，基于實施方式對本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置及顯示裝置進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置及顯示裝置并不限定于上述的實施方式。只要不脫離本發(fā)明的主旨， 實施對各實施方式本領(lǐng)域一般技術(shù)人員想得到的各種變形所得到的方案、和在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍任意地組合各實施方式中的構(gòu)成要素及功能所實現(xiàn)的方案也包括于本發(fā)明。此外，在各實施方式中將第1電極設(shè)為了漏電極、將包圍第1電極的環(huán)狀的第2電極設(shè)為了源電極，但也可以將第1電極設(shè)為源電極、將環(huán)狀的第2電極設(shè)為漏電極。本發(fā)明的有機半導(dǎo)體裝置能夠廣泛用于電視機、個人計算機、便攜電話機等顯示裝置、或作為其他開關(guān)元件用于各種電氣設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種有機半導(dǎo)體裝置，具備 基板；柵電極，其形成于所述基板上； 柵絕緣膜，其形成于所述柵電極上；第1電極，其為在所述柵絕緣膜上形成的源電極和漏電極的任一方； 環(huán)狀的第2電極，其為在所述柵絕緣膜上形成的源電極和漏電極的另一方的電極、并形成為包圍所述第1電極；有機半導(dǎo)體層，其涂敷于所述柵絕緣膜上的、由所述環(huán)狀的第2電極包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述第1電極，并由所述環(huán)狀的第2電極規(guī)定其外周；環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，其形成于所述柵絕緣膜上、所述環(huán)狀的第2電極的外側(cè)；以及對所述有機半導(dǎo)體層進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)膜，其涂敷于由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述有機半導(dǎo)體層，并由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定其外周。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機半導(dǎo)體裝置， 進(jìn)一步具備在所述保護(hù)膜上形成的層間絕緣膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機半導(dǎo)體裝置， 所述環(huán)狀的第2電極為環(huán)狀的源電極，對所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件施加與施加于所述環(huán)狀的源電極的電壓相同電位的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機半導(dǎo)體裝置，施加于所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件以及所述環(huán)狀的源電極的電壓為0V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置， 所述保護(hù)膜包含由光交聯(lián)的高分子材料或低分子材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置， 所述保護(hù)膜包含由光及熱交聯(lián)的高分子材料或低分子材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置， 所述環(huán)狀的第2電極為以所述第1電極為中心的連續(xù)的環(huán)狀形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置， 所述環(huán)狀的第2電極為圓形形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置， 所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件為圓形形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置， 所述環(huán)狀的第2電極為矩形形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1 7、10中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置， 所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件為矩形形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1 11中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置，所述第1電極、所述環(huán)狀的第2電極以及所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，以所述柵絕緣膜為形成的基礎(chǔ)，形成為同一高度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1 11中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置，所述第1電極、所述環(huán)狀的第2電極以及所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件由同一材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1 13中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步具備引出布線，其在所述基板上與所述柵電極同層地形成；和接觸部，其形成于所述第1電極的下方、且形成于所述柵絕緣膜， 所述第1電極經(jīng)由所述接觸部與所述引出布線電連接。
15.一種有機半導(dǎo)體裝置制造方法，包括 第1工序，準(zhǔn)備基板；第2工序，在所述基板上形成柵電極； 第3工序，在所述柵電極上形成柵絕緣膜； 第4工序，在所述柵絕緣膜上形成金屬膜；第5工序，通過預(yù)定的圖形化從所述金屬膜形成第1電極、環(huán)狀的第2電極以及環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，所述第一電極為源電極和漏電極的任一方，所述環(huán)狀的第2電極為源電極和漏電極的另一方，所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍所述環(huán)狀的第2電極的外周；第6工序，在由所述環(huán)狀的第2電極包圍的區(qū)域以覆蓋所述第1電極的方式涂敷有機半導(dǎo)體層的材料，形成外周由所述環(huán)狀的第2電極規(guī)定的有機半導(dǎo)體層；以及第7工序，在由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍的區(qū)域以覆蓋所述有機半導(dǎo)體層的方式涂敷預(yù)定的材料，形成外周由所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定的對所述有機半導(dǎo)體層進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法， 包括第8工序，在所述保護(hù)膜上形成層間絕緣膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法，在所述第2工序中，在所述基板上形成所述第1電極用的引出布線， 在所述第3工序中，在所述柵絕緣膜上形成連接所述第1電極與所述引出布線的接觸孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求15 17中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法， 在所述第6工序中，通過噴墨方法涂敷所述有機半導(dǎo)體層的材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求15 18中的任一項所述的有機半導(dǎo)體裝置的制造方法， 在所述第7工序中，通過噴墨方法涂敷所述保護(hù)膜的所述預(yù)定的材料。
20.一種有機半導(dǎo)體陣列裝置，包括作為權(quán)利要求1所述的有機半導(dǎo)體裝置的第1有機半導(dǎo)體裝置、和第2有機半導(dǎo)體裝置，所述第2有機半導(dǎo)體裝置具備第2柵電極，其形成在所述基板上；第2柵絕緣膜，其形成在所述第2柵電極上；第3電極，其為在所述第2柵絕緣膜上形成的第2源電極和第2漏電極的任一方； 環(huán)狀的第4電極，其為在所述第2柵絕緣膜上所述第2源電極和所述第2漏電極的另一方的電極、并形成為包圍所述第3電極；第2有機半導(dǎo)體層，其涂敷于所述第2柵絕緣膜上的、由所述環(huán)狀的第4電極包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述第3電極，并由所述環(huán)狀的第4電極規(guī)定其外周；環(huán)狀的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，其形成于所述第2柵絕緣膜上、所述環(huán)狀的第4電極的外側(cè)；以及對所述第2有機半導(dǎo)體層進(jìn)行保護(hù)的第2保護(hù)膜，其涂敷于由所述環(huán)狀的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍的區(qū)域以使其覆蓋所述第2有機半導(dǎo)體層，并由所述環(huán)狀的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件規(guī)定其外周，對所述第2有機半導(dǎo)體裝置的所述環(huán)狀的第2導(dǎo)電性引導(dǎo)部件，施加與施加于所述第 1有機半導(dǎo)體裝置的所述環(huán)狀的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件的電壓相同電位的電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機半導(dǎo)體裝置及其制造方法。提供能夠防止有機半導(dǎo)體層劣化的有機半導(dǎo)體裝置。具備基板(11)；在基板上形成的柵電極(12)；在柵電極上形成的柵絕緣膜(13)；在柵絕緣膜上形成的漏電極(14)；以包圍漏電極的方式形成的環(huán)狀的源電極(15)；形成于柵絕緣膜上的由源電極包圍的區(qū)域的有機半導(dǎo)體層(17)；形成于柵絕緣膜上源電極的外側(cè)的導(dǎo)電性引導(dǎo)部件(16)；以及在由導(dǎo)電性引導(dǎo)部件包圍的區(qū)域形成的保護(hù)膜(18)。
文檔編號H01L29/49GK102292816SQ20108000210
公開日2011年12月21日 申請日期2010年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月13日
發(fā)明者受田高明 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社