專利名稱：半導體裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置的布局，尤其涉及一種對光接近效應的抑制有效的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在半導體集成電路的制造工藝中，一般通過反復進行包括抗蝕劑涂敷、曝光、顯影 的光刻工序；用于使用抗蝕掩模來進行要素的圖案形成的蝕刻工序；和抗蝕劑除去工序， 在半導體基板上形成集成電路。在進行光刻工序的曝光時，如果圖案尺寸為曝光波長以下， 則由于衍射光的影響所引起的光接近效應，使得設計時的布局尺寸與半導體基板上的圖案 尺寸的誤差變大。而且，在半導體集成電路中，晶體管的柵極長度是決定其性能的重要因素。因此， 如果在制造工藝中發(fā)生柵極尺寸的偏差，則會對半導體集成電路的動作性能造成很大影 響。因此，伴隨著微細化的進展，當在半導體集成電路的制造工藝中對布線等的圖案 進行描繪、曝光時，對因為光接近效應而產(chǎn)生的圖案的尺寸偏差進行修正是必不可少的。作 為修正光接近效應的技術(shù)，有0PC(0ptical Proximity effect Correction)。0PC是一種根 據(jù)柵極和與其接近的其他柵極圖案之間的距離來預測因光接近效應引起的柵極長度變動 量，通過預先修正用于形成柵極的光致抗蝕劑的掩模(mask)值，來抵消預測出的變動量， 由此將曝光后的柵極長度的完成值保持為一定值的技術(shù)。但是，以往由于柵極圖案未被標準化，柵極長度、柵極間隔在芯片整體中不統(tǒng)一， 所以通過OPC進行的柵極掩模的修正會招致TAT(TUrn Around Time)增加、處理量增大這
一問題。為了避免該問題，例如在專利文獻1中將柵極長度、柵極間隔限定為一種或幾種 值而進行了布局。由此，即使不進行通過OPC對柵極掩模的修正，也能夠?qū)艠O長度的完成 值保持為一定值，可抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差。專利文獻1 特開2007-U855號公報不過，在如專利文獻1那樣將柵極尺寸限定為一種或幾種值的情況下，會損害布 局設計的自由度。因此，例如在配置柵極長度比通常的晶體管大的電容晶體管的情況下，如 專利文獻1那樣限定柵極尺寸是不現(xiàn)實的。其中，電容晶體管是指將源極和漏極固定為電 源電位或接地電位，作為電源-接地間的電容發(fā)揮作用的晶體管。圖11是配置有電容晶體管的半導體裝置的布局圖案的一個例子。在圖11中，標 準單元Cl中配置有柵極圖案Gl、G2、G3，標準單元C2中配置有構(gòu)成柵極長度比晶體管Tl 大的電容晶體管T2的柵極圖案G4。這里，在區(qū)域Rl中，柵極圖案G1、G2、G3的終端部與柵極圖案G4的端部對置。而 且，柵極圖案Gl、G2、G3以寬度Li、間隔Sl配置，與之相對，柵極圖案G4以遠比Ll大的寬 度L2配置為寬幅狀態(tài)。因此，在柵極圖案Gl、G2、G3的終端部與柵極圖案G4的端部，形狀 沒有規(guī)則性，從而導致因光接近效應引起的柵極長度的偏差。
另外，為了抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差，例如在圖11中，只要將柵 極圖案的間隔S2充分增大即可。不過，該情況下會導致電路面積的增大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏 差，并且可實現(xiàn)自由的布局設計的半導體裝置的布局。在本發(fā)明的第一方式中，半導體裝置具備第一單元，其具有沿第一方向延伸，并 且在與所述第一方向正交的第二方向以相同間距配置的三個以上的柵極圖案；和第二單 元，其與所述第一單元在所述第一方向上相鄰；所述第一單元所具有的所述各柵極圖案在 與所述第二單元之間的單元交界附近終結(jié)，各終端部在所述第一方向相互位于相同的位 置，并且所述第二方向上的寬度相同，所述第二單元具有被配置成在所述單元交界附近與 所述第一單元所具有的所述各柵極圖案的終端部對置的、由柵極圖案構(gòu)成的多個對置終端 部，所述各對置終端部與所述第一單元所具有的所述各柵極圖案在所述第二方向以相同間 距配置，所述各對置終端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的 寬度相同，所述多個對置終端部中的至少一部分，由從所述第二單元所具有的單一的第一 柵極圖案沿所述第一方向朝向所述第一單元突出的兩個以上的突出部構(gòu)成。根據(jù)該第一方式，第一單元的三個以上的柵極圖案以相同間距配置，其終端部的 第一方向的位置以及第二方向的寬度相同。與第一單元在第一方向上相鄰的第二單元具有 第一柵極圖案，該第一柵極圖案具有在第一方向朝向第一單元延伸的兩個以上的突出部， 該突出部構(gòu)成了被配置成與第一單元的柵極圖案的終端部對置的對置終端部。對置終端部 與第一單元的柵極圖案以相同間距配置，且對置終端部的第一方向的位置以及第二方向的 寬度相同。即，由于第一單元的柵極圖案的終端部與第二單元的柵極圖案的對置終端部具 有相同的形狀規(guī)則性，所以能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差。并且，能 夠?qū)⒌诙卧械牡谝粬艠O圖案例如作為柵極長度大的晶體管而有效利用。在本發(fā)明的第二方式中，半導體裝置具備第一單元，其具有沿第一方向延伸，并 且在與所述第一方向正交的第二方向以相同間距配置的三個以上的柵極圖案；和第二單 元，其與所述第一單元在所述第一方向上相鄰；所述第一單元所具有的所述各柵極圖案在 與所述第二單元之間的單元交界附近終結(jié)，各終端部在所述第一方向相互位于相同的位 置，并且所述第二方向上的寬度相同，所述第二單元具有被配置成在所述單元交界附近與 所述第一單元所具有的所述各柵極圖案的終端部對置的、由柵極圖案構(gòu)成的多個對置終端 部，所述各對置終端部在所述第二方向與所述第一單元所具有的所述各柵極圖案以相同間 距配置，在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的寬度相同，所述第二 單元具有構(gòu)成所述多個對置終端部中的至少一部分的虛設圖案、和與所述虛設圖案在所 述第一方向上相鄰的第一晶體管。根據(jù)該第二方式，第一單元的三個以上的柵極圖案以相同間距配置，其終端部的 第一方向的位置以及第二方向的寬度相同。與第一單元在第一方向上相鄰的第二單元具 有虛設圖案、和與該虛設圖案在第一方向上相鄰的第一晶體管。而且，該虛設圖案構(gòu)成了 被配置成與第一單元的柵極圖案的終端部對置的對置終端部的至少一部分。對置終端部與 第一單元的柵極圖案以相同間距配置，對置終端部的第一方向的位置以及第二方向的寬度相同。即，由于第一單元的柵極圖案的終端部與第二單元的柵極圖案的對置終端部具有相 同的形狀規(guī)則性，所以能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差。并且，可以將 第二單元中的第一晶體管例如作為柵極長度大的晶體管而有效利用。在本發(fā)明的第三方式中，半導體裝置具備被配置在單元配置區(qū)域的端部的第一 單元，其具有沿第一方向延伸，并且在與所述第一方向正交的第二方向以相同間距配置的 三個以上的柵極圖案；和虛設圖案，其被配置在單元配置區(qū)域的外部，與所述第一單元在所 述第一方向上相鄰；所述第一單元所具有的所述各柵極圖案在與所述虛設圖案之間的單元 交界附近終結(jié)，各終端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的寬 度相同，所述虛設圖案具有沿所述第二方向延伸的圖案主體、和從所述圖案主體沿所述第 一方向朝向所述第一單元突出的兩個以上的突出部，所述各突出部構(gòu)成了被配置成在所述 單元交界附近與所述第一單元所具有的所述各柵極圖案的終端部對置的多個對置終端部， 所述各對置終端部在所述第二方向與所述第一單元所具有的所述各柵極圖案以相同間距 配置，在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的寬度相同。根據(jù)該第三方式，配置在單元配置區(qū)域的端部的第一單元具有以相同間距配置的 三個以上的柵極圖案。對柵極圖案的終端部而言，第一方向的位置以及第二方向的寬度相 同。而且，在單元配置區(qū)域的外部配置有與第一單元在第一方向上相鄰的虛設圖案。該虛 設圖案具備沿第二方向延伸的圖案主體、和從圖案主體沿第一方向朝向第一單元突出的 兩個以上的突出部。該突出部構(gòu)成了被配置成與第一單元的柵極圖案的終端部對置的對置 終端部。對置終端部與第一單元的柵極圖案以相同間距配置，對置終端部的第一方向的位 置以及第二方向的寬度相同。即，由于第一單元的柵極圖案的終端部、與由虛設圖案的突出 部構(gòu)成的對置終端部具有相同的形狀規(guī)則性，所以能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵 極長度的偏差。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置，不僅可以抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差， 而且能夠?qū)崿F(xiàn)自由的布局設計。


圖1是實施方式1涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖2是對圖1加上了金屬布線和接點后的簡略圖。圖3是實施方式1的變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖4是實施方式1的另一變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖5是實施方式2涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖6是實施方式2的變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖7是實施方式3涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖8是實施方式3的變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖9是實施方式4涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖10是實施方式4的變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖11是配置有電容晶體管的半導體裝置的布局圖案的一個例子。圖中C1_標準單元(第一單元)；C2-標準單元(第二單元)；Cll-標準單元(第一單元)；G1、G2、G3-柵極圖案；G4-柵極圖案(第一柵極圖案)；G5-柵極圖案(第一柵極圖 案)；G6-柵極圖案(第二柵極圖案)；G8-虛設圖案；G9、G10、G11-虛設圖案；G12、G13-虛設 圖案；Tl-晶體管(第二晶體管)；T2-晶體管(第一晶體管)；T3-晶體管(第一晶體管)； T4-晶體管；T5-晶體管(第一晶體管)；el、e2、e3_終端部；eol、eo2、eo3-對置終端部； 4b-突出部；8a-圖案主體；8b-突出部；12aU3a-圖案主體；12b、13b_突出部。
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。(實施方式1)圖1是實施方式1涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。在圖1中，表示了柵 極圖案與擴散區(qū)域的布局，并用實線表示了單元交界(其他的圖也同樣)。其中，柵極圖案 是指在被晶體管的柵電極使用的層中形成的圖案，利用多晶硅等材料制造。晶體管由柵極 圖案和擴散區(qū)域構(gòu)成，柵極圖案的被擴散區(qū)域夾持的部分作為晶體管的柵極發(fā)揮功能。如 圖1所示，作為第一單元的標準單元Cl具有在作為第一方向的Y方向(圖的上下方向)延 伸，并且在作為第二方向的X方向(圖的左右方向)以相同間距配置的柵極圖案G1、G2、G3。 柵極圖案G1、G2、G3的寬度為Li，間隔為Si，柵極圖案G2形成了晶體管Tl。為了面積高效 地配置晶體管，柵極圖案G1、G2、G3的寬度Ll和間隔Sl通常被以最小尺寸設定。而且，作為第二單元的標準單元C2在Y方向與標準單元Cl相鄰。標準單元C2具 有用于形成作為電容晶體管而發(fā)揮功能的晶體管T2的、作為第一柵極圖案的大且單一的 柵極圖案G4。柵極圖案G4的寬度、即晶體管T2的柵極長度L2被設定得比作為第二晶體管 的晶體管Tl的柵極長度Ll大。另外，圖2是對圖1的布局圖案加上了金屬布線和接點后的簡略圖。這里，關(guān)注標準單元Cl所具有的柵極圖案Gl、G2、G3、與標準單元C2所具有的柵 極圖案G4對置的區(qū)域、即終端部區(qū)域R1。柵極圖案Gl、G2、G3在單元交界附近終結(jié)，其各 終端部el、e2、e3在Y方向相互位于相同的位置，并且，X方向上的寬度相同(即寬度Li)。 另一方面，柵極圖案G4具備在Y方向朝向標準單元Cl突出的多個突出部4b，該突出部4b 構(gòu)成了被配置成與柵極圖案G1、G2、G3的各終端部el、e2、e3對置的對置終端部e0l、e02、 eo3。即，柵極圖案G4的標準單元Cl側(cè)的端部成為梳齒形狀。而且，對置終端部e0l、e02、 eo3在X方向上與柵極圖案Gl、G2、G3以相同間距配置，在Y方向相互位于相同的位置，并 且，X方向上的寬度相同。即，在終端部區(qū)域Rl中，終端部el、e2、e3和對置終端部eol、 eo2、eo3具有相同的形狀規(guī)則性。這樣，根據(jù)圖1的構(gòu)成，在標準單元C1、C2的單元交界處的終端部區(qū)域Rl中，關(guān)于 對置的柵極圖案，能夠保持形狀規(guī)則性，并且可以在標準單元C2內(nèi)配置柵極長度大的晶體 管T2。由此，在將晶體管T2作為電容晶體管使用的情況下可以確保足夠大的電容性能，并 且能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差。另外，也可以將晶體管T2作為有 助于電路功能的晶體管來使用。圖3是本實施方式的變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖3的構(gòu)成 與圖1幾乎相同，但標準單元C2所具有的柵極圖案G4的形狀稍微不同。即，柵極圖案G4 的側(cè)邊部一部分被切除，形成了比寬度L2小的寬度L3的部分。S卩，電容晶體管T2具有多個種類的柵極長度L2、L3。這是為了在電容晶體管T2中可靠地配置接點VI。S卩，由于晶體 管T2的柵極長度L2大，所以使柵極圖案G4的形狀具有凹陷，以便能夠?qū)⒔狱cVl比工藝最 小加工尺寸具有富裕地進行配置。通過這樣的構(gòu)成，不僅能夠可靠地抑制因光接近效應引 起的柵極長度的偏差，而且能夠在電容晶體管T2中可靠地配置接點VI。圖4是本實施方式的另一變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖4的 構(gòu)成與圖1幾乎相同，但不同之處在于，在終端部區(qū)域Rl中，終端部el、e2、e3與對置終端 部e0l、e02、e03沿X方向錯開了間距的一半進行配置(錯移量SF)。S卩，在圖1的構(gòu)成中， 終端部el、e2、e3與對置終端部eol、eo2、eo3在X方向上的位置一致，成為所謂的完全一 致對置。相對于此，即使是如圖4的構(gòu)成所示那樣，終端部el、e2、e3與對置終端部eol、 e02、e03維持相同的形狀規(guī)則性，并且錯移半個間距進行配置的構(gòu)成，也能夠與圖1的構(gòu)成 同樣，可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差。并且，在圖4的構(gòu)成的情況下，由于能夠進一步縮小柵極圖案G1、G2、G3與柵極圖 案G4的間隔、即標準單元C1、C2的間隔，所以可提高半導體裝置的面積效率。另外，在圖4 的例子中，將錯移量SF設為間距的一半，但并不限定于此。(實施方式2)圖5是實施方式2涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖5的構(gòu)成與圖1幾 乎相同，在終端部區(qū)域Rl中，關(guān)于終端部el、e2、e3和對置終端部eol、eo2、eo3，保持了相 同的形狀規(guī)則性。但是，標準單元C2的內(nèi)部構(gòu)成與圖1不同。在圖5中，標準單元C2具有作為第一柵極圖案的大且單一的柵極圖案G5。柵極圖 案G5的寬度、即晶體管T3的柵極長度L3被設定得比晶體管Tl的柵極長度Ll大。而且， 柵極圖案G5具備在Y方向朝向標準單元Cl突出的多個突出部恥，該突出部恥構(gòu)成了對置 終端部eo2、eo3。S卩，柵極圖案G5的標準單元Cl側(cè)的端部成為梳齒形狀。并且，在柵極圖案G5的X方向的兩側(cè)設置有柵極圖案G6、G7。柵極圖案G6、G7的 寬度為Li，與柵極圖案G5的間隔為Si。作為第二柵極圖案的柵極圖案G6構(gòu)成了與晶體管 T3相鄰的另一晶體管T4，而且，構(gòu)成了對置終端部eol。并且，柵極圖案G5與柵極圖案G6、 G7電連接。根據(jù)圖5的構(gòu)成，能夠與圖1的構(gòu)成同樣，在標準單元C1、C2的單元交界處的終端 部區(qū)域Rl中，關(guān)于對置的柵極圖案，保持相同的形狀規(guī)則性，并且在標準單元C2內(nèi)配置柵 極長度大的晶體管T3。由此，在將晶體管T3作為電容晶體管使用的情況下，不僅可以作為 電容晶體管而確保足夠大的電容性能，而且能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度 的偏差。并且，通過與柵極長度大的晶體管T3接近地配置晶體管T4，例如能夠緩解光接近 效應對相鄰的標準單元C3內(nèi)的晶體管的影響。由此，能夠更可靠地抑制因光接近效應引起 的柵極長度的偏差。另外，標準單元C2內(nèi)的柵極長度大的晶體管T3也可以作為電容晶體管而使用，還 可以作為有助于電路功能的晶體管而使用。圖6是本實施方式的變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。在圖6的構(gòu) 成中，晶體管T3與在Y方向相鄰的晶體管T6柵極彼此連接，作為有助于電路功能并降低了 電流能力的晶體管而被有效利用。這樣，根據(jù)本實施方式，不僅能可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差，而且可以自由地進行單元內(nèi)的晶體管設計。另外，在本實施方式中也與實施方式1中說明的情況同樣，可以在終端部區(qū)域Rl 中，將終端部el、e2、e3與對置終端部eol、eo2、eo3沿X方向錯移配置。(實施方式3)圖7是實施方式3涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖7的構(gòu)成與圖1幾 乎相同，在終端部區(qū)域Rl中，關(guān)于終端部el、e2、e3與對置終端部eol、eo2、eo3，保持了相 同的形狀規(guī)則性。但是，標準單元C2的內(nèi)部構(gòu)成與圖1不同。在圖7中，標準單元C2具有作為第一柵極圖案的單一的柵極圖案G8。柵極圖案 G8是虛設圖案，具有在X方向延伸的圖案主體8a、和從圖案主體8a在Y方向上朝向標準 單元Cl突出的多個突出部8b。而且，該突出部8b構(gòu)成了對置終端部e0l、e02、e03。S卩，柵 極圖案G8具有所謂的冠型形狀。并且，在晶體管配置區(qū)域R2中，配置有與柵極圖案G8在 Y方向相鄰的作為第一晶體管的晶體管T5。晶體管T5的柵極長度L5比晶體管Tl的柵極 長度Ll大。根據(jù)圖7的構(gòu)成，通過配置作為虛設圖案的柵極圖案G8，在標準單元Cl、C2的單 元交界處的終端部區(qū)域Rl中，關(guān)于對置的柵極圖案，保證了相同的形狀規(guī)則性。并且，能夠 在晶體管配置區(qū)域R2中自由地配置晶體管。由此，不僅可以在標準單元C2內(nèi)進行自由的 晶體管設計，而且能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差。圖8是本實施方式的變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。在圖8的構(gòu) 成中，由旗標(flag)狀的虛設圖案、即柵極圖案G9、G10、G11分別構(gòu)成了終端部區(qū)域Rl中 的對置終端部eol、eo2、eo3。在圖8的構(gòu)成中也與圖7的構(gòu)成同樣，在標準單元Cl、C2的 單元交界處的終端部區(qū)域Rl中，關(guān)于對置的柵極圖案，保持了相同的形狀規(guī)則性，并且，在 晶體管配置區(qū)域R2中能夠自由配置晶體管。由此，不僅可以在標準單元C2內(nèi)進行自由的 晶體管設計，而且能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差。另外，在本實施方式中也和實施方式1中說明的情況同樣，可以在終端部區(qū)域Rl 中將終端部el、e2、e3與對置終端部eol、eo2、eo3沿X方向錯移配置。(實施方式4)圖9是實施方式4涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖9的構(gòu)成中，在單 元配置區(qū)域的端部配置了作為第一單元的標準單元C11。標準單元Cll具有沿Y方向延伸、 并在X方向以相同間距配置的柵極圖案G1、G2、G3。而且，在單元配置區(qū)域的外部，按照在 Y方向與標準單元Cll相鄰的方式，設置有作為虛設圖案的柵極圖案G12。柵極圖案G12與 圖7所示的柵極圖案G8同樣具有冠狀的形狀，并具備沿X方向延伸的圖案主體12a、和從 圖案主體12a沿Y方向朝向標準單元Cll突出的多個突出部12b。標準單元Cll的柵極圖案Gl、G2、G3在單元交界附近終結(jié)，其各終端部el、e2、e3 在Y方向相互位于相同的位置，并且X方向上的寬度相同。并且，柵極圖案G12的突出部12b 構(gòu)成了被配置成與柵極圖案G1、G2、G3的各終端部el、e2、e3對置的對置終端部e0l、e02、 eo3。而且，對置終端部eol、eo2、eo3在X方向上與柵極圖案Gl、G2、G3以相同間距配置， 在Y方向相互位于相同的位置，并且，X方向上的寬度相同。即，在終端部區(qū)域Rll中，關(guān)于 終端部el、e2、e3和對置終端部eol、eo2、eo3，保持了相同的形狀規(guī)則性。根據(jù)圖9的構(gòu)成，通過在單元配置區(qū)域的外部設置冠狀的作為虛設圖案的柵極圖案G12，能夠在單元配置區(qū)域端的單元交界處的終端部區(qū)域Rll中，關(guān)于對置的柵極圖案確 保相同的形狀規(guī)則性。由此，即使在被配置于單元配置區(qū)域端部的標準單元Cll中，也能夠 可靠地抑制因光接近效應弓I起的柵極長度的偏差。圖10是本實施方式的變形例涉及的半導體裝置的布局圖案的簡略圖。圖10的構(gòu) 成中，在單元配置區(qū)域的外部設置了形狀與圖9所示的柵極圖案G12不同的作為虛設圖案 的柵極圖案G13。柵極圖案G13具有H字狀的形狀，從沿X方向延伸的圖案主體13a在Y方 向朝向標準單元Cll突出的多個突出部1 構(gòu)成了對置終端部eol、eo2、eo3。通過圖10 的構(gòu)成，除了可獲得與圖9的構(gòu)成相同的效果之外，還能夠得到柵極圖案G13可穩(wěn)定形成這 一效果。另外，在本實施方式中也與實施方式1中說明的情況同樣，可以在終端部區(qū)域Rll 中，將終端部el、e2、e3與對置終端部eol、eo2、eo3沿X方向錯移配置。此外，配置于外部的柵極圖案不限定于這里所示的冠狀、H字狀，例如如果是其他 實施方式所示那樣的具有對置終端部的形狀，則能夠獲得相同的效果。(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)根據(jù)本發(fā)明涉及的半導體裝置，由于不會產(chǎn)生因光接近效應引起的柵極長度的偏 差，能夠進行自由的布局設計，所以例如可以在被安裝于各種電子設備的半導體集成電路 等中利用。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備第一單元，其具有沿第一方向延伸，并且在與所述第一方向正交的第二方向以相同間 距配置的三個以上的柵極圖案；和第二單元，其與所述第一單元在所述第一方向上相鄰；所述第一單元所具有的所述各柵極圖案在與所述第二單元之間的單元交界附近終結(jié)， 各終端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的寬度相同，所述第二單元具有被配置成在所述單元交界附近與所述第一單元所具有的所述各柵 極圖案的終端部對置的、由柵極圖案構(gòu)成的多個對置終端部，所述各對置終端部與所述第一單元所具有的所述各柵極圖案在所述第二方向以相同 間距配置，所述各對置終端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上 的寬度相同，所述多個對置終端部中的至少一部分，由從所述第二單元所具有的單一的第一柵極圖 案沿所述第一方向朝向所述第一單元突出的兩個以上的突出部構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述各終端部與所述各對置終端部在所述第二方向上的位置一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述各終端部與所述各對置終端部在所述第二方向上的位置錯移了間距的一半。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一柵極圖案構(gòu)成第一晶體管，所述第一單元所具有的所述各柵極圖案中的至少一個構(gòu)成了第二晶體管， 所述第一晶體管的柵極長度比所述第二晶體管的柵極長度大。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一晶體管是電容晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一晶體管是有助于電路功能的晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一晶體管具有多個種類的柵極長度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二單元具有構(gòu)成與所述第一晶體管相鄰的其他晶體管的第二柵極圖案，所述第 二柵極圖案構(gòu)成了所述對置終端部的一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一柵極圖案與所述第二柵極圖案電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一柵極圖案是虛設圖案。
11.一種半導體裝置，其特征在于，具備第一單元，其具有沿第一方向延伸，并且在與所述第一方向正交的第二方向以相同間 距配置的三個以上的柵極圖案；和第二單元，其與所述第一單元在所述第一方向上相鄰；所述第一單元所具有的所述各柵極圖案在與所述第二單元之間的單元交界附近終結(jié)，各終端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的寬度相同，所述第二單元具有被配置成在所述單元交界附近與所述第一單元所具有的所述各柵 極圖案的終端部對置的、由柵極圖案構(gòu)成的多個對置終端部，所述各對置終端部在所述第二方向與所述第一單元所具有的所述各柵極圖案以相同 間距配置，在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的寬度相同，所述第二單元具有構(gòu)成所述多個對置終端部中的至少一部分的虛設圖案、和與所述 虛設圖案在所述第一方向上相鄰的第一晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述虛設圖案具有沿所述第二方向延伸的圖案主體、和從所述圖案主體沿所述第一 方向朝向所述第一單元突出的兩個以上的突出部， 所述各突出部構(gòu)成了所述對置終端部。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一單元所具有的所述各柵極圖案中的至少一個構(gòu)成了第二晶體管， 所述第一晶體管的柵極長度比所述第二晶體管的柵極長度大。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述各終端部與所述各對置終端部在所述第二方向上的位置一致。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述各終端部與所述各對置終端部在所述第二方向上的位置錯移間距的一半。
16.一種半導體裝置，其特征在于，具備被配置在單元配置區(qū)域的端部的第一單元，其具有沿第一方向延伸，并且在與所述第 一方向正交的第二方向以相同間距配置的三個以上的柵極圖案；和虛設圖案，其被配置在單元配置區(qū)域的外部，與所述第一單元在所述第一方向上相鄰；所述第一單元所具有的所述各柵極圖案在與所述虛設圖案之間的單元交界附近終結(jié)， 各終端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的寬度相同，所述虛設圖案具有沿所述第二方向延伸的圖案主體、和從所述圖案主體沿所述第一 方向朝向所述第一單元突出的兩個以上的突出部，所述各突出部構(gòu)成了被配置成在所述單元交界附近與所述第一單元所具有的所述各 柵極圖案的終端部對置的多個對置終端部，所述各對置終端部在所述第二方向與所述第一單元所具有的所述各柵極圖案以相同 間距配置，在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的寬度相同。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導體裝置，其特征在于，所述各終端部與所述各對置終端部在所述第二方向上的位置一致。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導體裝置，其特征在于，所述各終端部與所述各對置終端部在所述第二方向上的位置錯移了間距的一半。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體裝置，其布局能夠可靠地抑制因光接近效應引起的柵極長度的偏差，并且可以實現(xiàn)自由的布局設計。單元(C1)的柵極圖案(G1、G2、G3)以相同間距配置，其終端部(e1、e2、e3)的Y方向的位置以及X方向的寬度相同。單元(C2)的柵極圖案(G4)具有沿Y方向朝向單元(C1)延伸的突出部(4b)，該突出部(4b)構(gòu)成了對置終端部(eo1、eo2、eo3)。對置終端部(eo1、eo2、eo3)與柵極圖案(G1、G2、G3)以相同間距配置，并且對置終端部的Y方向的位置以及X方向的寬度相同。
文檔編號H01L21/82GK102124555SQ20108000229
公開日2011年7月13日 申請日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月19日
發(fā)明者中西和幸, 田丸雅規(guī) 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社