專利名稱：影像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及排列了多個(gè)埋入型光電二極管的影像傳感器。
背景技術(shù)：
已知有例如二維排列有多個(gè)具備埋入型光電二極管的受光部的影像傳感器。在該埋入型光電二極管中，例如在ρ型基板上形成有η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域，在該η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域的表面形成有薄的P型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域。另外，為了讀出電荷而將η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域形成于η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域。根據(jù)該埋入型光電二極管，因?yàn)槟軌蛲耆功?型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域空乏化，所以能夠完全地讀出在ρη接合部所產(chǎn)生的電荷，并能夠抑制漏電流的發(fā)生，從而光檢測的S/N比表現(xiàn)卓越。在該埋入型光電二極管中，通過使光感應(yīng)區(qū)域即η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域以及P型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域的面積大面積化，從而能夠增大光檢測的靈敏度。可是，如果增大η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域的面積，那么所產(chǎn)生的電荷的讀出變得不完全，而產(chǎn)生了電荷的讀出殘留。 其結(jié)果，會(huì)產(chǎn)生余像。關(guān)于該問題，專利文獻(xiàn)1所記載的影像傳感器從作為埋入型光電二極管中的光感應(yīng)區(qū)域的η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域的端部朝著作為用于讀出電荷的傳送電極的η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域具有雜質(zhì)的濃度梯度，并降低電位梯度。在專利文獻(xiàn)1中，記載了由此降低了電荷的讀出殘留。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利申請公開2000-236081號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利申請公開2006-41189號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題然而，如專利文獻(xiàn)1所記載的影像傳感器那樣，為了將電位梯度形成于埋入型光電二極管中的η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域，有必要形成具有階梯狀的雜質(zhì)濃度分布的表面即ρ 型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域。階梯狀的雜質(zhì)濃度分布的制作因?yàn)橐箅x子注入量的微妙控制，所以制造工藝的難度較高，另外，多個(gè)光刻的掩膜和光刻的工序成為必要，從而會(huì)擔(dān)心制造成本的上升。因此，本發(fā)明以提供一種與以往相比能夠更加簡易地減少電荷的讀出殘留的影像傳感器為目的。解決課題的技術(shù)手段本發(fā)明的影像傳感器是一種排列有多個(gè)埋入型光電二極管的影像傳感器。該埋入型光電二極管的各個(gè)具備第1導(dǎo)電類型的第1半導(dǎo)體區(qū)域、形成于第1半導(dǎo)體區(qū)域上且第 2導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度低的第2半導(dǎo)體區(qū)域、以覆蓋第2半導(dǎo)體區(qū)域的表面的方式形成于第2半導(dǎo)體區(qū)域上的第1導(dǎo)電類型的第3半導(dǎo)體區(qū)域、以及用于從第2半導(dǎo)體區(qū)域取出電荷的第2導(dǎo)電類型的第4半導(dǎo)體區(qū)域，第4半導(dǎo)體區(qū)域在第2半導(dǎo)體區(qū)域上間隔地配置有多個(gè)。根據(jù)該影像傳感器，用于從第2半導(dǎo)體區(qū)域(光感應(yīng)區(qū)域)取出電荷的第4半導(dǎo)體區(qū)域因?yàn)殚g隔地配置有多個(gè)，所以即使在使η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域大面積化的情況下， 也能夠恰當(dāng)?shù)乜s短從第4半導(dǎo)體區(qū)域到第2半導(dǎo)體區(qū)域的邊緣為止的距離。因此，在埋入型光電二極管中，能夠確保向第4半導(dǎo)體區(qū)域的電位梯度，并能夠降低來自于第2半導(dǎo)體區(qū)域的電荷的讀出殘留。其結(jié)果，能夠抑制余像的發(fā)生。另外，根據(jù)該影像傳感器，因?yàn)閮H形成多個(gè)用于從第2半導(dǎo)體區(qū)域取出電荷的第4 半導(dǎo)體區(qū)域，所以與以往相比能夠更加簡易地減少電荷的讀出殘留。上述的影像傳感器優(yōu)選為具備在排列方向上延伸的遮光膜，該遮光膜覆蓋第4半導(dǎo)體區(qū)域以及連接于第4半導(dǎo)體區(qū)域的配線中的一部分。由第4半導(dǎo)體區(qū)域以及連接于第4半導(dǎo)體區(qū)域的配線，在實(shí)質(zhì)性的光感應(yīng)區(qū)域的形狀為非左右對稱以及上下對稱的情況下，在入射光跨越所鄰接的像素并且照射于一方的像素中的埋入型光電二極管的電荷讀出線上的時(shí)候，起因于實(shí)質(zhì)性的光感應(yīng)區(qū)域的非對稱性而在所鄰接的像素的光檢測靈敏度產(chǎn)生不均勻性。然而，根據(jù)該結(jié)構(gòu)，因?yàn)榫邆湟愿采w第4半導(dǎo)體區(qū)域以及連接于第4半導(dǎo)體區(qū)域的配線的方式在排列方向上延伸的遮光膜，所以相對于像素的中心軸能夠使光感應(yīng)區(qū)域的形狀左右對稱以及上下對稱。因此，即使在光跨越所鄰接的像素進(jìn)行照射的情況下，也能夠減少所鄰接的像素的光檢測靈敏度的不均勻性。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在影像傳感器中，與以往相比能夠更加簡易地減少電荷的讀出殘留。 其結(jié)果，能夠抑制余像的發(fā)生。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的影像傳感器的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示作為由圖1所表示的像素的第1實(shí)施方式且從表面?zhèn)瓤吹降南袼氐膱D。圖3是表示沿著圖2中的III-III線的像素的截面的圖。圖4是從表面?zhèn)瓤吹奖景l(fā)明的比較例的像素的圖。圖5是表示沿著圖4中的V-V線的像素的截面的圖。圖6是表示作為由圖1所表示的像素的第2實(shí)施方式且從表面?zhèn)瓤吹降南袼氐膱D。圖7是表示沿著圖6中的VII-VII線的像素的截面的圖。圖8是在不具備遮光膜的情況下光跨越所鄰接的像素進(jìn)行入射的時(shí)候的圖。圖9是在具備遮光膜的情況下光跨越所鄰接的像素進(jìn)行入射的時(shí)候的圖。符號(hào)的說明UlAUX影像傳感器P(m，n)、Pl(m，n)、P2(m，n)、Px(m，n)像素PD (m，η), PDl (m，η)、PD2 (m，η)、PDx (m，η)埋入型光電二極管
10 ρ型基板(第1半導(dǎo)體區(qū)域)20 η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域(第2半導(dǎo)體區(qū)域)30 ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域(第3半導(dǎo)體區(qū)域)40 η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域(第4半導(dǎo)體區(qū)域)50 配線60遮光膜70硅氧化膜T (m，n)、Tl (m, η)、Tx (m, η)晶體管DS η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域G柵電極
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。還有，在各個(gè)附圖中，對相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同的符號(hào)。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的影像傳感器的結(jié)構(gòu)的圖。由圖1所表示的影像傳感器1具備二維排列的MXN個(gè)(Μ行N列)的像素P(m，n)。在此，M為2以上的整數(shù)，m為1以上M以下的任意的整數(shù)。另外，N為2以上的整數(shù)，η為1以上N以下的任意的整數(shù)。還有，在圖1中，為了明確本發(fā)明的特征而省略了用于控制各個(gè)像素P(m，η)的動(dòng)作的控制部以及處理從各個(gè)像素P(m，η)讀出的信號(hào)的信號(hào)處理部等。以下，對于具有本發(fā)明的特征的像素P (m, η)，例示了多個(gè)實(shí)施方式以進(jìn)行說明。[第1實(shí)施方式]圖2是表示作為由圖1所表示的像素P(m，η)的第1實(shí)施方式且從表面?zhèn)瓤吹降南袼豍l (m，η)的圖，圖3是表示沿著圖2中的III-III線的像素Pl (m，η)的截面的圖。在圖2以及圖3中，代表MXN個(gè)像素Pl (m，η)而表示第m行η列的像素Pl (m，η)。該像素 Pl(m, η)具有埋入型光電二極管PDl (m，η)和晶體管Tl (m，η)。另外，在圖2中，為了容易理解本發(fā)明的特征而省略埋入型光電二極管PDl (m，η)中的后面所述的ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30以進(jìn)行表示。埋入型光電二極管PDl (m,n)具有ρ型基板10、形成于該ρ型基板10上的η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20、形成于該η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20上的ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30、以及形成于η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20上的多個(gè)η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40。還有，這些ρ型基板10、η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20、ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30以及η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40 分別相當(dāng)于權(quán)利要求所述的第1半導(dǎo)體區(qū)域、第2半導(dǎo)體區(qū)域、第3半導(dǎo)體區(qū)域以及第4半導(dǎo)體區(qū)域，P型以及η型分別相當(dāng)于權(quán)利要求所述的第1導(dǎo)電類型以及第2導(dǎo)電類型。P型基板10的ρ型雜質(zhì)濃度例如為IO15CnT3 IO17CnT3左右。在ρ型基板10上以被埋入到P型基板10的一部分的方式形成有η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20。η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20形成為長方形(例如大致正方形)。例如，η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的厚度為0. 6 μ m 1. 0 μ m左右，η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的η型雜質(zhì)濃度為IO16CnT3 IO18CnT3左右而比較低。在η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的表面上形成有ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30以及η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40。
ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30以覆蓋η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的表面的方式形成， 其厚度薄至0. 2μπι 0.4μπι。ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30的ρ型雜質(zhì)濃度為1017cm_3 IO19CnT3左右而比較高。這些ρ型基板10、η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20以及ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30形成光感應(yīng)區(qū)域，對應(yīng)于入射到該光感應(yīng)區(qū)域的光強(qiáng)度而產(chǎn)生的量的電荷被存儲(chǔ)于由ρ型基板 10和η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20形成的ρη接合部、以及由η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20和ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30形成的ρη接合部。如以上所述，因?yàn)棣切偷蜐舛劝雽?dǎo)體區(qū)域20的η型雜質(zhì)濃度低，所以能夠完全使 η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20空乏化，并能夠完全地讀出在ρη接合部所產(chǎn)生的電荷。另外，通過將薄的ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30形成于η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的表面，從而即使在使η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20完全空乏化的情況下，也能夠使ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30即基板表面不發(fā)生空乏化。其結(jié)果，能夠減少起因于可能存在于基板表面的電荷而可能產(chǎn)生的漏電流(暗電流)，并能夠提高光檢測的S/N比。另一方面，η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40以被ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30包圍的方式形成在多個(gè)地方(例如4個(gè)地方)。這些η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40在η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域 20的4邊的中心附近，間隔地排列。η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40的厚度為0. 2 μ m 0. 4 μ m 而比較薄，η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40的η型雜質(zhì)濃度為IO19CnT3 1021cm_3左右而比較高。 這些η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40通過接點(diǎn)、中繼接點(diǎn)(via)以及配線50而被連接于晶體管 Tl(m, η)。晶體管Tl (m,n)由相當(dāng)于漏極(drain)、源極(source)的η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域 DS和柵電極G所構(gòu)成。晶體管Tl (m，η)鄰接于埋入型光電二極管PDl (m，η)的1邊的中心附近而形成，例如，η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域DS的一方兼用埋入型光電二極管PD (η)中的η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40中的一個(gè)，并且被連接于配線50，并被連接于所有的η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40。晶體管Tl (m，η)對應(yīng)于施加于柵電極G的電壓成為ON狀態(tài)，并能夠從一方的 η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域DS向另一方的η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域DS讀出通過η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40取出的來自于η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的電荷。還有，配線50被配置于鄰接的埋入型光電二極管PDl (m, η)中的η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20之間的ρ型基板10上。另外，基板的表面以及基板的側(cè)面被硅氧化膜70所保護(hù)。以下，一邊與本發(fā)明的比較例所涉及的影像傳感器IX比較，一邊說明第1實(shí)施方式的影像傳感器1的作用效果。本發(fā)明的比較例所涉及的影像傳感器IX與由圖1所表示的第1實(shí)施方式的影像傳感器1相同，具備二維排列的MXN個(gè)像素1 (m，η)，該像素1 (m，η)在取代埋入型光電二極管PD(m，n)而具備埋入型光電二極管PDx(m，η)的結(jié)構(gòu)上與第1實(shí)施方式不同。影像傳感器IX的其它結(jié)構(gòu)與影像傳感器1相同。影像傳感器IX與專利文獻(xiàn)2所記載的相同。圖4是從層疊方向的表面?zhèn)瓤吹奖容^例的像素I^(m，η)的圖，圖5是表示沿著圖 4中的V-V線的像素1 (m，η)的截面的圖。在圖4中，也省略埋入型光電二極管PDx(m，η) 中的P型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30以進(jìn)行表示。比較例的埋入型光電二極管PDx(m，η)，在第1實(shí)施方式的埋入型光電二極管PD (m, η)中，η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40的個(gè)數(shù)不同。即，在比較例的埋入型光電二極管 PDx (m, η)中，僅有1個(gè)用于取出電荷的η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40形成于η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20中的中心附近。在該比較例的埋入型光電二極管PDx (m，η)中，如果使η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20 大面積化，那么從η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40到η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的邊緣為止的距離會(huì)變長。因此，從η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的邊緣向η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40的電位梯度基本上沒有，取出η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的邊緣的電荷變得困難，并會(huì)有發(fā)生電荷的讀出殘留的可能性。其結(jié)果，會(huì)發(fā)生余像。然而，根據(jù)具備第1實(shí)施方式的埋入型光電二極管PDl (m，η)以及像素Pl (m，η) 的影像傳感器1，用于從η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域(第2半導(dǎo)體區(qū)域光感應(yīng)區(qū)域)20取出電荷的η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域(第4半導(dǎo)體區(qū)域)40因?yàn)殚g隔地配置有多個(gè)，所以即使在使 η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20大面積化的情況下，也能夠恰當(dāng)?shù)乜s短從η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域 40到η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的邊緣為止的距離。因此，在埋入型光電二極管PDl (m, η) 中，能夠確保向第4半導(dǎo)體區(qū)域的電位梯度，并能夠減少來自η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的電荷的讀出殘留。其結(jié)果，能夠抑制余像的發(fā)生。另外，根據(jù)第1實(shí)施方式的影像傳感器1，因?yàn)閮H形成多個(gè)用于從η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20取出電荷的η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40，所以與以往相比可以更加簡易地減少電荷的讀出殘留。另外，根據(jù)第1實(shí)施方式的影像傳感器1，因?yàn)橛糜趶摩切偷蜐舛劝雽?dǎo)體區(qū)域20取出電荷的η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40被形成于η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20的4邊附近，配線 50被配置于η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20之間的ρ型基板10上，所以作為光感應(yīng)區(qū)域的η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20以及ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30未被配線50所覆蓋。其結(jié)果，能夠提高光感應(yīng)區(qū)域的開口率，并能夠提高光檢測的靈敏度。[第2實(shí)施方式]圖6是表示作為由圖1所表示的像素P(m，η)的第2實(shí)施方式且從表面?zhèn)瓤吹降南袼豍2(m，η)的圖，圖7(a)是表示沿著圖6中的Vila-Vila線的像素Ρ2 (m，η)的截面的圖。另外，圖7(b)是表示沿著圖6中的Vnb-VIIb線的像素P2(m，n)的截面的圖。在圖6 以及圖7中，代表MXN個(gè)像素P2(m，η)而表示第m行η列的像素Ρ2 (m，η)。該像素Ρ2 (m， η)具有埋入型光電二極管PD2(m，η)和上述的晶體管Tl (η)。另外，在圖6中，為了容易理解本發(fā)明的特征而省略埋入型光電二極管PD2(m，η)中的后面所述的ρ型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域30以進(jìn)行表示。第2實(shí)施方式的埋入型光電二極管PD2(m，n)，在第1實(shí)施方式的埋入型光電二極管PDl(m，n)中，多個(gè)η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40的形成位置不同。即，多個(gè)η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40，在η型低濃度半導(dǎo)體區(qū)域20，在上下左右大致等間隔地間隔配置。埋入型光電二極管PD2(m，n)的其它結(jié)構(gòu)與埋入型光電二極管PDl (m，η)相同。另外，第2實(shí)施方式的像素P2(m，n)具備多個(gè)(例如2個(gè))遮光膜60。遮光膜60 在由圖1所表示的像素P(m，η)的排列方向上延伸。在本實(shí)施方式中，遮光膜60在列方向上延伸。多個(gè)遮光膜60分別以覆蓋η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40以及連接于該η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40并在列方向上延伸的配線50的方式配置。對于遮光膜的材料，使用Al等，具
7有光吸收性的材料，例如，如果使用TiN等那么能夠防止檢測光的散射，因而優(yōu)選。在此，詳細(xì)地說明由遮光膜60所起到的作用效果。圖8是在不具備遮光膜60的情況下光跨越所鄰接的像素P2(l，1)、P2(2，1)進(jìn)行入射的時(shí)候的圖，圖9是在具備遮光膜 60的情況下光跨越所鄰接的像素？2(1，1)、？2(2，1)進(jìn)行入射的時(shí)候的圖。如圖8所示，在不具備遮光膜60的像素P2(m，η)中，在入射光A跨越所鄰接的像素卩2(1，1)、？2(2，1)并且被照射于一方的像素P2(l，l)中的埋入型光電二極管PD2 (1，1) 的電荷讀出線上的情況下，僅有η型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40以及在列方向上延伸的配線50 的部分，一方的像素P2(l，l)的靈敏度降低，鄰接的像素P2(1，1)、P2Q，1)的光檢測靈敏度發(fā)生不均勻性。然而，如圖9所示，根據(jù)具備該第2實(shí)施方式的像素P2(m，n)的影像傳感器1A，因?yàn)橐愿采wη型高濃度半導(dǎo)體區(qū)域40以及在列方向上延伸的配線50的方式具備在列方向上延伸的遮光膜60，所以相對于像素P2(m，n)的中心軸能夠使光感應(yīng)區(qū)域的形狀左右對稱以及上下對稱。即，能夠緩和由配線50所產(chǎn)生的部分的非對稱性。因此，即使在光A跨越所鄰接的像素P2 (1，1)、P2 (2，1)進(jìn)行照射的情況下，也能夠減小所鄰接的像素P2 (1，1)、P2 (2， 1)的光檢測靈敏度的不均勻性。還有，本發(fā)明并不限定于以上所述的本實(shí)施方式，可以進(jìn)行各種各樣的變形。例如，在本實(shí)施方式中，埋入型光電二極管PD(n)以及晶體管T(n)被直接形成于ρ型基板10 上，但是，也可以被形成于η型基板上。在此情況下，可以將P型阱形成于η型基板上，并在該P(yáng)型阱上形成同樣的結(jié)構(gòu)。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性能夠應(yīng)用于減少影像傳感器的電荷的讀出殘留的用途中。
權(quán)利要求
1.一種影像傳感器，其特征在于，是排列有多個(gè)埋入型光電二極管的影像傳感器， 所述埋入型光電二極管分別具備 第1導(dǎo)電類型的第1半導(dǎo)體區(qū)域；形成于所述第1半導(dǎo)體區(qū)域上且第2導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度低的第2半導(dǎo)體區(qū)域； 以覆蓋所述第2半導(dǎo)體區(qū)域的表面的方式形成于所述第2半導(dǎo)體區(qū)域上的第1導(dǎo)電類型的第3半導(dǎo)體區(qū)域；以及用于從所述第2半導(dǎo)體區(qū)域取出電荷的第2導(dǎo)電類型的第4半導(dǎo)體區(qū)域， 所述第4半導(dǎo)體區(qū)域在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域上間隔地配置有多個(gè)。
2.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，具備在排列方向上延伸的遮光膜，該遮光膜覆蓋所述第4半導(dǎo)體區(qū)域以及連接于所述第4半導(dǎo)體區(qū)域的配線中的一部分。
全文摘要
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的影像傳感器(1)排列有多個(gè)埋入型光電二極管(PD(m，n))。該埋入型光電二極管(PD(m，n))分別具備第1導(dǎo)電類型的第1半導(dǎo)體區(qū)域(10)、形成于第1半導(dǎo)體區(qū)域(10)上且第2導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度低的第2半導(dǎo)體區(qū)域(20)、以覆蓋第2半導(dǎo)體區(qū)域(20)的表面的方式形成于第2半導(dǎo)體區(qū)域(20)上的第1導(dǎo)電類型的第3半導(dǎo)體區(qū)域(30)、以及用于從第2半導(dǎo)體區(qū)域(20)取出電荷的第2導(dǎo)電類型的第4半導(dǎo)體區(qū)域(40)，第4半導(dǎo)體區(qū)域(40)在第2半導(dǎo)體區(qū)域(20)上間隔地配置有多個(gè)。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102318067SQ20108000786
公開日2012年1月11日 申請日期2010年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月13日
發(fā)明者太田慶一, 瀧本貞治, 渡邊寬 申請人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社