專利名稱：用于抑制金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液和使用其的金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于抑制金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液和使用其的金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，作為在半導(dǎo)體器件、電路基板等廣泛的領(lǐng)域中使用的具有微細(xì)結(jié)構(gòu)的元件的形成和加工方法，使用了光刻技術(shù)。該領(lǐng)域中，伴隨著要求性能的高度化，半導(dǎo)體器件等的小型化、高集成化或高速化顯著進(jìn)行，光刻中使用的抗蝕圖案日趨微細(xì)化，另外高寬比日趨增加。但是，隨著這樣進(jìn)行微細(xì)化等，抗蝕圖案的倒塌成為很大的問(wèn)題。已知抗蝕圖案的倒塌是如此產(chǎn)生的在將對(duì)抗蝕圖案進(jìn)行顯影后的濕處理(主要是用于沖洗顯影液的沖洗處理)中使用的處理液從該抗蝕圖案上干燥時(shí)，起因于該處理液的表面張力的應(yīng)力發(fā)揮作用，由此產(chǎn)生抗蝕圖案的倒塌。因此，為了解決抗蝕圖案的倒塌， 提出了下述方法利用使用了非離子型表面活性劑或醇系溶劑可溶性化合物等的低表面張力的液體替代洗滌液并進(jìn)行干燥的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1和2、；使抗蝕圖案的表面疏水化的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)3)等。然而，對(duì)于使用光刻技術(shù)形成的由金屬、金屬氮化物或金屬氧化物等所構(gòu)成的微細(xì)結(jié)構(gòu)體(以下稱為金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體。另外，包括金屬、金屬氮化物或金屬氧化物在內(nèi)均簡(jiǎn)稱為金屬。)，形成結(jié)構(gòu)體的金屬自身的強(qiáng)度比抗蝕圖案自身的強(qiáng)度或抗蝕圖案與基材的接合強(qiáng)度高，因此與抗蝕圖案相比，該結(jié)構(gòu)體圖案的倒塌難以發(fā)生。但是，隨著半導(dǎo)體裝置或微機(jī)械的小型化、高集成化、高速化進(jìn)一步發(fā)展，由該結(jié)構(gòu)體的圖案的微細(xì)化、以及高寬比的增加而導(dǎo)致的該結(jié)構(gòu)體的圖案的倒塌逐漸成為很大的問(wèn)題。由于作為有機(jī)物的抗蝕圖案與金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的表面狀態(tài)完全不同，與上述抗蝕圖案的倒塌的情況不同，尚未發(fā)現(xiàn)有效的對(duì)策，因此在半導(dǎo)體裝置或微機(jī)械的小型化、高集成化或高速化時(shí)，處于設(shè)計(jì)不發(fā)生圖案倒塌的圖案等、顯著抑制了圖案設(shè)計(jì)的自由的狀況。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2004-184648號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2005-30擬60號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2006-163314號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題如上所述，在半導(dǎo)體裝置、微機(jī)械等金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的領(lǐng)域中，實(shí)際情況是尚未知道抑制圖案的倒塌的有效技術(shù)。本發(fā)明是在該狀況下進(jìn)行的，其目的在于提供一種能夠抑制半導(dǎo)體裝置或微機(jī)械等金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液和使用其的金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的制造方法。用于解決問(wèn)題的方案
本發(fā)明人為了實(shí)現(xiàn)上述目的反復(fù)進(jìn)行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，利用含有磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯的處理液能夠達(dá)到該目的。本發(fā)明是基于上述見(jiàn)解而完成的。S卩，本發(fā)明的主旨如下所述。[1] 一種用于抑制金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液，其含有磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯。[2]根據(jù)上述1所述的處理液，其中，磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯由下述通式⑴和/或通式⑵表示
權(quán)利要求
1.一種用于抑制金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液，其含有磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理液，其中，磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯由下述通式⑴和/或通式⑵表示，p/ w⑵HO OHOH式中，R1表示碳原子數(shù)2 M的烷基、碳原子數(shù)2 M的鏈烯基，R2表示碳原子數(shù)2 6的鏈烷二基或鏈烯二基，多個(gè)R1和R2可以相同也可以不同；另外，η表示O 20的數(shù)，多個(gè)η可以相同也可以不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理液，其還含有水。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的處理液，其中，所述通式(1)和中的OR2為氧化亞乙基和/或氧化亞丙基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的處理液，其中，磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯的含量為IOppm 50%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的處理液，其中，金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案使用選自氮化鈦、鈦、釕、氧化釕、鎢、硅化鎢、氮化鎢、氧化鋁、氧化鉿、硅酸鉿、氮氧硅鉿、鉬、鉭、氧化鉭、氮化鉭、硅化鎳、鎳硅鍺、鎳鍺中的至少一種材料形成。
7.一種金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的制造方法，其特征在于，在濕式蝕刻或干式蝕刻之后的洗滌工序中，使用權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的處理液。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案使用選自氮化鈦、 鈦、釕、氧化釕、鎢、硅化鎢、氮化鎢、氧化鋁、氧化鉿、硅酸鉿、氮氧硅鉿、鉬、鉭、氧化鉭、氮化鉭、硅化鎳、鎳硅鍺、鎳鍺中的至少一種材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其中，金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體為半導(dǎo)體裝置或微機(jī)械。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠抑制半導(dǎo)體裝置或微機(jī)械等金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液和使用其的金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的制造方法。本發(fā)明涉及含有磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯的用于抑制金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液、和使用其的金屬微細(xì)結(jié)構(gòu)體的制造方法。
文檔編號(hào)H01L21/027GK102484056SQ20108003506
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月7日
發(fā)明者大戶秀, 山田健二, 松永裕嗣 申請(qǐng)人:三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社