專利名稱：發(fā)射輻射的半導體器件的制作方法
發(fā)射輻射的半導體器件 本發(fā)明說明了一種發(fā)射輻射的半導體器件。文獻US 2007/0252512A1描述了一種發(fā)射輻射的半導體器件。為了借助發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生混合色的、特別是白色的光，可以在由發(fā)光二極管芯片發(fā)射的初級輻射的光路中使用轉換元件，以便將一部分短波初級輻射轉換為長波次級輻射。初級輻射與次級輻射的強度關系確定所發(fā)射的光的發(fā)射色彩。在實際中，一方面， 不同發(fā)光二極管芯片的初級輻射的波長有差別，即使這些發(fā)光二極管芯片一起制造并且例如來自同一個晶片；而且另一方面，轉換元件的光學厚度也有差別，使得導致所形成的發(fā)射色彩不被希望的分布。所述問題可以如此解決在足夠大的產(chǎn)量中，通過測量具有在確定的所希望的邊界內(nèi)的發(fā)射色彩的發(fā)光二極管芯片來將發(fā)光二極管芯片分類(所謂的Binning(分類))。 由此產(chǎn)生不可使用的次品，導致這種方法只能有限經(jīng)濟性地施行。本發(fā)明要達到的目的是提供一種發(fā)射輻射的半導體器件，其中所發(fā)射的光的色彩可以調(diào)節(jié)。根據(jù)發(fā)射輻射的半導體器件的至少一個實施形式，半導體器件包括發(fā)光二極管芯片。該發(fā)光二極管芯片包括至少兩個可彼此無關地工作的發(fā)射區(qū)域。這就是說，該發(fā)光二極管芯片分離為至少兩個發(fā)射區(qū)域，其可以彼此無關地工作。 在發(fā)射區(qū)域內(nèi)，可以同時或在不同的時間產(chǎn)生電磁輻射。此外，可以以不同的電流強度為所述發(fā)射區(qū)域供電，使得可以從發(fā)射區(qū)域中產(chǎn)生具有彼此不同的強度的電磁輻射。根據(jù)發(fā)射輻射的半導體器件的至少一個實施形式，發(fā)光二極管芯片包括至少兩個以不同方式構建的轉換元件。“以不同方式構建”在此表示當以相同波長和相同強度的電磁輻射照透轉換元件時，這些轉換元件發(fā)射出彼此不同的次級輻射。例如，轉換元件可以在其幾何尺寸，例如其厚度、和/或其組成方面彼此區(qū)別。例如，第一轉換元件可以包含第一發(fā)光材料，而第二轉換元件包含第二發(fā)光材料。不同轉換元件的發(fā)光材料的濃度也可以不同。根據(jù)半導體器件的至少一個實施形式，發(fā)光二極管芯片的每個發(fā)射區(qū)域均設置用于在工作時產(chǎn)生電磁初級輻射。發(fā)射區(qū)域例如可以分別具有有源區(qū)，在其中當發(fā)光二極管芯片工作時，可以產(chǎn)生電磁輻射。發(fā)射區(qū)域可以具有以相同方式形成的有源區(qū)，使得在發(fā)射區(qū)域中產(chǎn)生的初級輻射分別具有相同的波長。發(fā)射區(qū)域的產(chǎn)生例如可以通過發(fā)光二極管芯片的接觸部的結構化來實現(xiàn)。優(yōu)選地，在此具有較差橫向導電能力的接觸部被結構化。于是，發(fā)射區(qū)域可以包括共同的、延伸通過整個發(fā)射區(qū)域的有源層，使得發(fā)射區(qū)域的有源區(qū)以相同方式構建。接觸部的結構化可以通過在發(fā)射區(qū)域之間的部位上完全沒有接觸部來實現(xiàn)。此外在發(fā)射區(qū)域之間存在具有高接觸阻抗的部位也是可能的，這些部位引起發(fā)射區(qū)域的電去耦。此外，為了將半導體芯片分離為多個發(fā)射區(qū)域而將發(fā)光二極管芯片的半導體本體自身結構化也是可能的，使得例如有源層被切斷。根據(jù)半導體器件的至少一個實施形式，發(fā)光二極管芯片的每個發(fā)射區(qū)域都具有發(fā)射面，至少一部分初級輻射通過這些發(fā)射面從發(fā)光二極管芯片耦合輸出。這些發(fā)射面例如在發(fā)光二極管芯片的上側設置在該發(fā)光二極管芯片的主面中。根據(jù)半導體器件的至少一個實施形式，轉換元件設置用于吸收初級輻射的至少一部分，并用于再發(fā)射次級輻射。例如，初級輻射涉及藍光波長范圍的電磁輻射。于是轉換元件可以設置用于再發(fā)射黃光作為次級輻射。初級輻射和次級輻射可以混合成白光。根據(jù)半導體器件的至少一個實施形式，以不同方式構建的轉換元件設置在發(fā)光二極管芯片的不同發(fā)射面下游。這就是說，發(fā)光二極管芯片的發(fā)射區(qū)域中的至少兩個分別具有發(fā)射面，其中每個發(fā)射面下游均設置有轉換元件并且轉換元件在其構造方面彼此不同。 以該方式，從兩個發(fā)射面發(fā)射的混合光彼此不同。根據(jù)發(fā)射輻射的半導體器件的至少一個實施形式，發(fā)射輻射的半導體器件包括電阻元件。電阻元件為具有可預先給定的、優(yōu)選可調(diào)節(jié)的電阻的器件。該電阻元件至少與發(fā)射區(qū)域的其中之一串聯(lián)或并聯(lián)連接。該半導體器件在此也可以具有多個電阻元件，其可以與不同的發(fā)射區(qū)域相關。例如，發(fā)光二極管芯片的發(fā)射區(qū)域可以串聯(lián)或并聯(lián)連接。為了可以調(diào)節(jié)從發(fā)射區(qū)域發(fā)射的初級輻射的強度關系，在串聯(lián)的情況下可以將電阻元件與發(fā)射區(qū)域并聯(lián)連接，而在并聯(lián)的情況下，可以將電阻元件與發(fā)射區(qū)域串聯(lián)連接。在此，發(fā)射區(qū)域的并聯(lián)連接提供的優(yōu)點為共同的負極或正極，如此可以減少半導體器件的發(fā)光二極管芯片的制造費用。例如，發(fā)射輻射的半導體器件在工作時設置為發(fā)射白光，其中在發(fā)射區(qū)域中產(chǎn)生的例如藍光被轉換元件至少部分地波長轉換為使得形成白光。發(fā)射區(qū)域在此情況下優(yōu)選彼此并聯(lián)連接，阻抗元件串聯(lián)連接。在此證明為特別有利的是阻抗元件串聯(lián)連接在發(fā)射區(qū)域之前，該阻抗元件的發(fā)射區(qū)域下游連接有轉換元件，與在半導體器件中存在的其他轉換元件相比，該轉換元件將在該發(fā)射區(qū)域中產(chǎn)生的電磁輻射較不強烈地轉換。例如，該轉換元件為此較薄地構成或者發(fā)光材料的濃度在該轉換元件中小于在其他的轉換元件中。換言之， 阻抗元件與如下發(fā)射區(qū)域串聯(lián)連接，與半導體器件中的其他發(fā)射區(qū)域與轉換元件對相比， 或者與半導體器件中的所有其他發(fā)射區(qū)域與轉換元件對相比，所述發(fā)射區(qū)域與其轉換元件一起例如發(fā)射較藍的光?，F(xiàn)在表明，通過該措施可以至少部分地補償轉換元件隨著溫度升高的效率變化。此外，該措施在對器件調(diào)光時使得色溫朝著暖白色偏移，這使半導體器件的用戶覺得舒適。提供一種發(fā)射輻射的半導體器件，其具有發(fā)光二極管芯片和電阻元件。發(fā)光二極管芯片包括至少兩個可彼此無關地工作的發(fā)射區(qū)域，電阻元件與發(fā)射區(qū)域中的至少一個串聯(lián)或并聯(lián)連接。此外，該發(fā)光二極管芯片包括至少兩個以不同方式構建的轉換元件。發(fā)光二極管芯片的每個發(fā)射區(qū)域均設置用于在工作時產(chǎn)生電磁初級輻射，并且每個發(fā)射區(qū)域均具有發(fā)射面，至少一部分初級輻射通過該發(fā)射面從發(fā)光二極管芯片耦合輸出。轉換元件設置用于吸收至少一部分初級輻射并且再發(fā)射次級輻射，其中以不同方式構建的轉換元件設置在不同的發(fā)射面下游。因此，根據(jù)至少一個實施形式提出了如下半導體器件，該半導體器件包括帶有至少兩個發(fā)射區(qū)域的、劃分過的發(fā)光二極管芯片，其發(fā)射區(qū)域可以被彼此獨立地電激勵。用于發(fā)射區(qū)域的轉換元件可以具有不同的發(fā)射波長和/或不同的發(fā)射強度。根據(jù)第一測量可以借助電阻元件調(diào)節(jié)在發(fā)射區(qū)域中產(chǎn)生的初級輻射的強度?？偟膩碚f，以這種方式提出了一種可以調(diào)節(jié)限定總發(fā)射的色彩的半導體器件。此外，尤其也可能的是在發(fā)射區(qū)域的至少一個發(fā)射面下游未設置轉換元件。于是， 在工作時由該相關的發(fā)射面發(fā)射例如未轉換的、例如藍色的光。于是，其余發(fā)射面可以包括稍許過轉換的轉換元件。這就是說從這些帶有發(fā)射面的發(fā)射區(qū)域與轉換元件的對發(fā)射的混合光稍微朝著從所述轉換元件發(fā)射的光的色彩偏移。以這種方式，一方面可以借助小的阻抗變化實現(xiàn)大的色彩變化，而且另一方面可以借助串聯(lián)電阻的高阻值工作，這引起半導體器件的效率改進。在前述的發(fā)射輻射的半導體器件中，根據(jù)至少一個實施形式，電阻元件也可以是與發(fā)光二極管芯片在空間上分離的部件。例如發(fā)光二極管芯片對于每個發(fā)射區(qū)域可以包括至少一個接觸部位，在所述接觸部位上可以連接外部的電阻元件。于是，該電阻元件例如可以具有可調(diào)節(jié)的阻抗，使得發(fā)射輻射的半導體器件為可調(diào)整色彩的光源。例如，在該實施形式中電阻元件可以設置在發(fā)光二極管芯片和電阻元件的共同支承體上。這種支承體例如可以為電路板，在該電路板上也設置了其他的電子部件，例如電子存儲單元。發(fā)射區(qū)域所產(chǎn)生的初級輻射的不同的激勵模式和強度關系可以借助存儲單元來存儲，并且其對于發(fā)射輻射的半導體器件的工作是可調(diào)用的。根據(jù)發(fā)射輻射的半導體器件的至少一個實施形式，阻抗元件集成在發(fā)光二極管芯片中。為此，阻抗元件例如可以集成在發(fā)光二極管芯片的發(fā)射區(qū)域的支承體中。此外，可以將阻抗元件設置在發(fā)光二極管芯片的外表面上。兩種情況均允許特別緊湊構造的發(fā)射輻射的半導體器件。根據(jù)發(fā)射輻射半導體器件的至少一個實施形式，阻抗元件構成為層，其施加在發(fā)光二極管芯片的外表面上。所述層例如可以構成為金屬層或由摻雜的半導體材料制成的層。所述層例如可以直接施加在發(fā)光二極管芯片的半導體本體上。例如，將該層施加在也包括各個發(fā)射區(qū)域的發(fā)射面的主面上。這就是說，所述層例如在發(fā)光二極管芯片的上側設置在該發(fā)光二極管芯片上。此外，可以將阻抗元件設置在發(fā)射面之下。該阻抗元件例如可以設置在發(fā)光二極管芯片和支承體之間。根據(jù)發(fā)射輻射半導體器件的至少一個實施形式，形成阻抗元件的層具有多個導電區(qū)段。所述導電區(qū)段例如構成為帶狀的并且至少局部地彼此連接。例如，所述層的區(qū)段可以形成網(wǎng)狀的格柵。這些區(qū)段中的至少一個可以為了調(diào)節(jié)阻抗元件的阻抗而被切斷。在發(fā)光二極管芯片工作時于是可以沒有電流流過這些區(qū)段。通過切斷所述導電區(qū)段中的至少一個減小了阻抗元件的兩個連接部位之間的導電連接部的數(shù)量，使得阻抗元件的電阻可以通過所述切斷變大。可替代地，也可以通過將預先給定的導電的子結構至少部分地彼此連接來改變阻抗。所述導電連接例如可以通過粘合材料或電鍍來施加。根據(jù)發(fā)射輻射的半導體器件的至少一個實施形式，在發(fā)光二極管芯片的每個發(fā)射面下游均設置有轉換元件，其中初級輻射和次級輻射分別混合為白色的混合光。這就是說， 在此實施形式中發(fā)光二極管芯片從每個發(fā)射面發(fā)射白色的混合光。各個發(fā)射面的混合光對于觀察者又混合為總體光。在此，不同發(fā)射面的混合光可以在其色度坐標和/或其色溫和 /或其亮度方面彼此區(qū)別。
根據(jù)發(fā)射輻射的半導體器件的至少一種實施形式，以不同方式構建的轉換元件在其厚度方面彼此區(qū)別。在此，轉換元件的厚度例如在垂直于發(fā)光二極管芯片的第一主面的方向上測量，發(fā)光二極管芯片的發(fā)射面也位于該方向上。為了制造以不同方式構建的轉換元件，例如可以在所有的發(fā)射面上施加相同的轉換元件，其中例如可以通過如下方式調(diào)節(jié)轉換元件的厚度分級形式的注塑，或者發(fā)射面之上的材料去除-例如借助分級工具進行磨削或鋸割，或者借助刻蝕或消融進行位置選擇性的去除。對于使用不同厚度的轉換元件可替代地或者額外地，也可以應用不同材料組成的轉換元件。此外，也可以使用多層的轉換元件，其中例如轉換元件的不同層可以包括不同的發(fā)光材料。還有在這樣的轉換元件中，可以通過調(diào)節(jié)轉換元件的各個層的厚度來調(diào)節(jié)所形成的混合光的色度坐標。例如，轉換元件可以是層壓在一起的、多層的轉換元件，該轉換元件在不同的發(fā)射面之上具有其層的不同厚度?？商娲?，可以在不同的發(fā)射面上安放彼此不同的轉換元件，所述轉換元件例如以可以由陶瓷發(fā)光材料組成的陶瓷薄片的形式存在。根據(jù)發(fā)射輻射的半導體器件的至少一種實施形式，至少一個發(fā)射面在橫向方向上被至少一個其他發(fā)射面圍繞。在此，該橫向方向是與發(fā)光二極管芯片的包括發(fā)射面的第一主面平行的方向。例如，發(fā)光二極管芯片包括設置在第一主面中間的發(fā)射面。其他的發(fā)射面圍繞著所述第一發(fā)射面設置。發(fā)射面這種布置可以促使發(fā)光二極管芯片的總體光的混合光混合在芯片層面上已經(jīng)發(fā)生，使得在發(fā)光二極管芯片的遠場中顯示為均勻發(fā)射的。于是可以省去用于光混合的附加的光學元件，例如以漫射方式散射的板。由于通過至少一個其他發(fā)射面在橫向方向上圍繞至少一個發(fā)射面而實現(xiàn)了如下發(fā)射輻射的半導體器件，與例如在沿著直線布置發(fā)射面的情況下相比，在該半導體器件的情況下更為均質(zhì)地發(fā)射混合光。各個發(fā)射面的、其中發(fā)射面分別構建為例如彼此平行地設置的帶狀物的帶狀布置可以形成特別均質(zhì)地發(fā)射混合光的發(fā)射輻射的半導體器件。根據(jù)發(fā)射輻射的半導體器件的至少一個實施形式，用于接觸發(fā)光二極管芯片的發(fā)射區(qū)域中至少其中之一的至少一個印制導線設置在至少一個發(fā)射面之下。這種實施形式具有的優(yōu)點尤其為發(fā)光二極管芯片的第一主面可以特別有效地用于耦合輸出電磁輻射，因為所述發(fā)射面并不通過在第一主面上的印制導線而減小。于是發(fā)光二極管芯片的接觸也可以只從一側，例如從下側或上側實現(xiàn)。接下來，借助實施例和附圖進一步闡明在此描述的發(fā)射輻射的半導體器件。借助

圖1A、1B、1C、2A、2B、2C、2D與3的示意圖詳細描述在此描述的發(fā)射輻射的半導體器件的不同實施例。相同的、同類的或作用相同的元件在附圖中設有相同的附圖標記。附圖以及附圖中示出的元件彼此間的大小關系視不應視為合乎比例的。相反地，可以為了更好的可示出性和/或為了更好的理解夸大地示出各個元件。圖IA以示意性俯視圖示出了在此描述的發(fā)射輻射的半導體器件。該發(fā)射輻射的半導體器件包括發(fā)光二極管芯片1。在該實施例中，發(fā)光二極管芯片 1具有兩個發(fā)射面21、22。第一發(fā)射面21在發(fā)光二極管芯片1的上側設置在第一主面Ia 中間。第一發(fā)射面21在橫向方向上至少局部地被第二發(fā)射面22圍繞。每個發(fā)射面下游均設置有轉換元件31、32，其中兩個轉換元件彼此不同。例如所述轉換元件厚度不同地構成。在發(fā)光二極管芯片1工作時，可以從發(fā)射面21、22同時發(fā)射混合光，該混合光由相應的初級輻射和相應的次級輻射組成。此外，發(fā)射輻射的半導體器件包括電阻元件4。在此，電阻元件4集成在發(fā)光二極管芯片中，其方式為將該電阻元件設置在發(fā)光二極管芯片的外表面上，即第一主面Ia上。 該阻抗元件4構成為具有格柵狀設置的多個導電區(qū)段41的金屬層。金屬層例如由沉積在發(fā)光二極管芯片1的半導體本體上的金、鎳或鉬組成。此外，阻抗元件4具有切斷部42，這些切斷部將導電區(qū)段41中的一些切斷，使得在發(fā)光二極管芯片工作時，沒有電流通過這些區(qū)段。區(qū)段41的切斷例如可以通過所述區(qū)段41的熔融或熱分解實現(xiàn)。所述區(qū)段的切斷也可以例如通過注入高電流或通過激光照射實現(xiàn)。此外，可以如下調(diào)節(jié)阻抗元件的阻抗首先，在半導體芯片的第一測量之后以光刻膠對還在晶片復合物中的發(fā)光二極管芯片1進行涂層。在此，優(yōu)選地以光刻膠對晶片復合物中的所有發(fā)光二極管芯片1進行涂層。其后，芯片選擇性地，即對于每個發(fā)光二極管芯片 1單獨地例如在導電區(qū)段41的要分離或連接的部位進行光刻膠的曝光，例如借助激光直寫來進行。隨后，通過刻蝕或連接和隨后去除光刻膠進行所限定的阻抗元件的分離，所述連接通過金屬的電鍍生長(galvanisches Aufwachsen)或者通過例如借助金屬蒸鍍來進行成面的涂層。在一個可替代的方法中，可以借助金屬涂層將膜放置在晶片之上，然后該金屬涂層在阻抗元件的待連接的部位上通過激光脈沖傳輸?shù)骄稀＿@就是說，該連接借助激光誘導的金屬過渡來建立。對于用于形成阻抗元件的區(qū)段的金屬可替代地，也可以使用半導體材料。以半導體材料形成的阻抗元件的電阻也可以通過半導體材料的相應的摻雜，例如通過離子轟擊來實現(xiàn)。例如，這樣的阻抗元件也可以集成在發(fā)光二極管芯片的發(fā)射區(qū)域的支承體中。借助圖IB和IC的示意性電路布置示出了發(fā)光二極管芯片1的發(fā)射區(qū)域h、2b與阻抗元件4連接的不同可能性。在兩種情況中，發(fā)射區(qū)域2a、2b都通過接觸部位5ajb被接觸。在圖IB的實施例中，發(fā)射區(qū)域并聯(lián)連接，阻抗元件與發(fā)射區(qū)域之一串聯(lián)連接。在此， 阻抗元件4也可以與另一個發(fā)射區(qū)域串聯(lián)連接。在圖IC的實施例中，發(fā)射區(qū)域 、2b串聯(lián)連接，并且阻抗元件4與發(fā)射區(qū)域之一 2a并聯(lián)連接。圖2A至2D以示意性的俯視圖示出在此描述的發(fā)射輻射的半導體器件的其他實施例。在圖2A的實施例中，設置在中間的發(fā)射面21與相關的轉換元件32被四個另外的發(fā)射面22、23、M、25環(huán)繞，在這些另外的發(fā)射面下游設置有相應的轉換元件32、33、34、35。 因此，這樣的發(fā)射輻射的半導體器件包括具有不同轉換元件的五個不同的發(fā)射區(qū)域。從每個發(fā)射面均可以發(fā)射白色的混合光，其中不同發(fā)射面的混合光可以在色度坐標、色溫和/ 或亮度方面彼此區(qū)別。在圖2B的實施例中，帶有相關的轉換元件31的發(fā)射面21被帶有相關的轉換元件 32的另一發(fā)射面22橫向地圍繞。在圖2C的實施例中，發(fā)射輻射的半導體器件的發(fā)光二極管芯片1具有帶有相關的轉換元件的三個不同的發(fā)射面。
在圖2C的實施例中，發(fā)射輻射的半導體器件的發(fā)光二極管芯片1具有帶有相關的轉換元件31、32的兩個不同的發(fā)射面21、22，其分別構成為帶狀的。在此，各個帶狀物彼此平行，并且交替地設置。從發(fā)射面21、22中的每個均可以發(fā)射白色的混合光，其中不同發(fā)射面的混合光可以在色度坐標、色溫和/或亮度方面相區(qū)別。此外，該帶狀布置可以實現(xiàn)所發(fā)射的光的特別良好的混合?？偟膩碚f，在這里描述的發(fā)射輻射的半導體器件的發(fā)光二極管芯片可以在其發(fā)射區(qū)域、相關的發(fā)射面以及相關的轉換元件方面非常靈活地來構成。多個不同的發(fā)射面可以安放在較小的空間上，使得在沒有其他光學元件的情況下在遠場中形成所發(fā)射的總體光的均勻的色彩印象，所述總體光為各個發(fā)射面的混合光的疊加。結合圖3的示意性的剖面圖詳細闡述了在這里描述的發(fā)射輻射的半導體器件的實施例，其中用于接觸發(fā)光二極管芯片1的發(fā)射區(qū)域h、2b的印制導線65設置在發(fā)射面 21、22之下。在該實施例中，發(fā)光二極管芯片1包括兩個發(fā)射區(qū)域h、2b。發(fā)射區(qū)域加、213通過電絕緣的分離層61彼此電去耦。接觸部位fe與印制導線65導電地連接，該印制導線在發(fā)射區(qū)域加的發(fā)射面21 之下延伸。接觸部位恥與印制導線65導電地連接，該印制導線在發(fā)射區(qū)域2b的發(fā)射面22 之下延伸。例如，電流經(jīng)過電流擴展層62從印制導線65注入到發(fā)射區(qū)域h、2b的有源區(qū)64中。發(fā)射面21、22例如可以包括粗化部63，其提高了電磁輻射的出射概率。此外，發(fā)射區(qū)域分別可以包括反射器68，其設置用于將電磁輻射向發(fā)射面21、22 反射。此外，發(fā)光二極管芯片1在此包括支承體67，其借助連接材料66與發(fā)光二極管芯片1的其他區(qū)域連接。該支承體可以構成為電絕緣的。其中印制導線在發(fā)射面之下延伸的類似接觸方案例如在文獻DE 10 2007 022 947A1中進一步闡述，其公開內(nèi)容通過引用結合與此。阻抗元件4設置在發(fā)射面21、22之下。阻抗元件4設置在發(fā)光二極管芯片1和支承體67之間。在此，電阻元件4集成在發(fā)光二極管芯片中，其方式為將電阻元件設置在發(fā)光二極管芯片的外表面上，即在發(fā)光二極管芯片1的下側設置在第二主面Ib上。阻抗元件 4構成為金屬層，其具有格柵狀設置的多個導電區(qū)段41 (為此也參見圖1A)?？商娲?，發(fā)光二極管芯片1之下的阻抗元件4也可以集成在支承體67中。此外， 無論如何阻抗元件4都被發(fā)光二極管芯片覆蓋，并且不會導致發(fā)光二極管芯片1的發(fā)射面減小。于是，阻抗元件4設置在發(fā)光二極管芯片1的發(fā)射面21、22之下。本專利申請要求德國專利申請10 2009 037 186. 9的優(yōu)先權，其公開內(nèi)容通過引用結合于此。本發(fā)明不通過借助實施例的描述而限于這些實施例。更確切而言，本發(fā)明包括任意新的特征以及特征的任意組合，這尤其包括在權利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組合本身并未在權利要求或者實施例中明確說明。
權利要求
1.發(fā)射輻射的半導體器件，所述半導體器件包括 -發(fā)光二極管芯片(1)，所述發(fā)光二極管芯片具有 -至少兩個可彼此無關地工作的發(fā)射區(qū)域Oa、2b)， -至少兩個以不同方式構建的轉換元件(31、32)，其中-每個所述發(fā)射區(qū)域(h、2b)均設置用于在所述發(fā)光二極管芯片(1)工作時產(chǎn)生電磁初級輻射，-每個發(fā)射區(qū)域(h、2b)均具有發(fā)射面01、22)，所述初級輻射的至少一部分通過所述發(fā)射面從所述發(fā)光二極管芯片(1)耦合輸出，-所述轉換元件(31、32)設置用于吸收所述初級輻射的至少一部分并且再發(fā)射次級輻射，-以不同方式構建的所述轉換元件(31、3幻設置在不同的發(fā)射面下游， -電阻元件G)，所述電阻元件與所述發(fā)射區(qū)域Oa、2b)中的至少一個串聯(lián)或并聯(lián)連接。
2.根據(jù)前一項權利要求所述的發(fā)射輻射的半導體器件， -其中所述阻抗元件(4)集成在所述發(fā)光二極管芯片(1)中。
3.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中所述阻抗元件(4)施加在所述發(fā)光二極管芯片(1)的外表面上。
4.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中所述阻抗元件(4)設置在所述發(fā)光二極管芯片(1)的所述發(fā)射面(21、2幻之下。
5.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中所述阻抗元件(4)構成為施加在所述發(fā)光二極管芯片的外表面上的層。
6.根據(jù)前一項權利要求所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中所述層具有多個導電區(qū)段(41)，其中為了調(diào)節(jié)所述阻抗元件的阻抗而將所述區(qū)段中的至少一個切斷，使得在所述發(fā)光二極管芯片(1)工作時沒有電流流過該區(qū)段。
7.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中所述層設置在所述發(fā)光二極管芯片(1)的也包括所述發(fā)射面01、22)的主面 (Ia)上。
8.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中所述層設置在所述發(fā)光二極管芯片(1)的與所述發(fā)射面(21、2幻對置的主面 (Ib)上。
9.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件， -其中所述層由金屬組成。
10.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中所述層由摻雜的半導體材料組成，其中對于所述區(qū)段Gl)的切斷G2)附加地或者可替選地借助摻雜調(diào)節(jié)所述阻抗元件的阻抗。
11.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中每個發(fā)射區(qū)域(21、22)下游均設置有轉換元件(31、32)，其中所述初級輻射和所述次級輻射相應地混合為白色的混合光。
12.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中以不同方式構建的所述轉換元件(31、3幻在其厚度(D)方面彼此區(qū)別。
13.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中在所述發(fā)光二極管芯片(1)工作時，從每個發(fā)射面(21、2幻發(fā)射白色的混合光， 其中至少兩個不同的發(fā)射區(qū)域(h、2b)的混合光在色度坐標和/或色溫和/或亮度方面彼此區(qū)別。
14.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中至少一個發(fā)射面在橫向方向上被至少一個其他的發(fā)射面(22、23、M、25)圍繞。
15.根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)射輻射的半導體器件，-其中用于接觸所述發(fā)光二極管芯片(1)的至少一個發(fā)射區(qū)域Oa、2b)的至少一個印制導線(65)設置在至少一個發(fā)射面(21、22)之下。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)射輻射的半導體器件，其包括發(fā)光二極管芯片(1)，其具有至少兩個可彼此無關地工作的發(fā)射區(qū)域(2a、2b)；以不同方式構建的至少兩個轉換元件(31、32)，其中每個發(fā)射區(qū)域(2a、2b)設置用于在發(fā)光二極管芯片(1)工作時產(chǎn)生電磁初級輻射，每個發(fā)射區(qū)域(2a、2b)均具有發(fā)射面(21、22)，初級輻射的至少一部分通過所述發(fā)射面從發(fā)光二極管芯片(1)耦合輸出，轉換元件(31、32)設置用于吸收初級輻射的至少一部分并且再發(fā)射次級輻射，以不同方式構建的轉換元件(31、32)設置在不同的發(fā)射面下游；電阻元件(4)，其與發(fā)射區(qū)域(2a、2b)中的至少一個串聯(lián)或并聯(lián)連接。
文檔編號H01L27/15GK102473717SQ201080035663
公開日2012年5月23日 申請日期2010年8月5日 優(yōu)先權日2009年8月12日
發(fā)明者拉爾夫·維爾特, 諾溫·文馬爾姆 申請人:歐司朗光電半導體有限公司