專利名稱：具有用于減少裂痕擴(kuò)展的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開總體上涉及半導(dǎo)體，更具體地涉及一種半導(dǎo)體晶片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記常用于半導(dǎo)體器件的制造中。為了準(zhǔn)確地定位形成在晶片上的半導(dǎo)體管芯的行和列的陣列中的半導(dǎo)體器件，設(shè)備使用該晶片上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。典型地，這種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記被定位在半導(dǎo)體管芯之間的區(qū)域中，這些區(qū)域通常被稱為劃道。通過鋸或切割半導(dǎo)體管芯形成切口來將半導(dǎo)體管芯單體化。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記典型地是劃道中最大的結(jié)構(gòu)。常規(guī)的切割鋸典型地具有40微米或更小的量級(jí)的切割寬度。然而，由于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)對(duì)常規(guī)光刻設(shè)備的限制，目前的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于切口保持較大的尺寸。因此，當(dāng)實(shí)現(xiàn)窄尺寸的切口并且切割鋸遇到 大的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，與每條劃道相鄰的半導(dǎo)體管芯可能會(huì)受到損壞。


通過舉例來闡明本發(fā)明，并且本發(fā)明不受附圖限制。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記指示類似的元件。出于簡(jiǎn)潔和清楚的目的示出了附圖中的元件，并且這些元件無需按照實(shí)際尺寸來描繪。圖I以透視的形式圖示了根據(jù)本發(fā)明的具有劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體晶片。圖2以透視的形式圖示了根據(jù)本發(fā)明的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一個(gè)實(shí)施例。圖3以透視的形式圖示了根據(jù)本發(fā)明的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的另一個(gè)實(shí)施例，該劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以被單獨(dú)地使用，也可以與圖2中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記堆疊交叉結(jié)合地使用。圖4以截面的形式圖示了圖2中的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一個(gè)堆疊實(shí)施例的示例；以及圖5以截面的形式圖示了圖3中的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的互補(bǔ)堆疊實(shí)施例的示例。
具體實(shí)施例圖I圖示了半導(dǎo)體晶片10，該半導(dǎo)體晶片10具有多個(gè)半導(dǎo)體管芯，諸如，管芯12、管芯13、管芯14、以及管芯15。晶片上的所有管芯通過電介質(zhì)材料(例如，絕緣材料)而被電隔離?？梢允褂酶鞣N電介質(zhì)材料中的任何一種電介質(zhì)材料。典型地，在晶片10內(nèi)實(shí)現(xiàn)的半導(dǎo)體管芯被布置成具有管芯的行和列的陣列。如圖中多個(gè)點(diǎn)所示出的，僅圖示了在晶片10內(nèi)實(shí)現(xiàn)的多個(gè)半導(dǎo)體管芯中的少數(shù)半導(dǎo)體管芯。管芯的行和列的陣列導(dǎo)致了分離或劃分管芯的多個(gè)水平或垂直劃道。例如，形成了垂直劃道18和水平劃道20。應(yīng)該理解，出于圖解的目的，圖I中的管芯和劃道的尺寸并不準(zhǔn)確，實(shí)際上，劃道的尺寸遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體管芯的尺寸。并且，在晶片10內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)任何類型的半導(dǎo)體管芯，因此，取決于要形成什么樣的產(chǎn)品，管芯的實(shí)際尺寸在晶片之間是變化的。根據(jù)本發(fā)明，劃道標(biāo)記形成在與某些管芯相鄰的某些劃道內(nèi)。例如，在劃道18內(nèi)是劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24，在劃道20內(nèi)是劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記22。如將在圖2中更詳細(xì)描述的，每個(gè)劃道標(biāo)記具有多條線，這些線由第一材料形成并且被第二材料分段和分離。第一材料和第二材料可以是導(dǎo)電的，也可以是非導(dǎo)電的。在一種形式中，該第一材料是導(dǎo)電材料，諸如銅或另一種金屬，以形成導(dǎo)電線。在這種形式中，該第二材料是用于電絕緣的電介質(zhì)。在一種形式中，每個(gè)劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的導(dǎo)電線被實(shí)現(xiàn)為與晶片切割方向正交或垂直。然而，也可以使用其它角位。當(dāng)劃道內(nèi)的每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的相鄰導(dǎo)電線與鋸切割劃道的方向垂直時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)劃道區(qū)域的充分使用。換句話說，即使劃道很窄，也可以實(shí)現(xiàn)大量的導(dǎo)電線以允許光學(xué)設(shè)備容易地定位對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。如果導(dǎo)電線被實(shí)現(xiàn)為與管芯的邊緣平行而非垂直，那么劃道需要較大的寬度以允許光學(xué)設(shè)備定位對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。圖2圖示了在管芯12和管芯13之間的區(qū)域中的圖I的劃道18的第一種形式的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。如上所述，在劃道18內(nèi)是劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24。劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24具有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，諸如，組30、組31、組32、組33。每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電線，這些導(dǎo)電線與劃道18被鋸的方向正交。中間參考標(biāo)記35定位在組30、31和組32、33之間，并且作為標(biāo)稱對(duì)準(zhǔn)中心。典型地，中間參考標(biāo)記35上方的組與中間參考標(biāo)記35下方的組在組的數(shù)量上是不同的。在所圖示的形式中，利用3條劃道標(biāo)記線來實(shí)現(xiàn)組30至33中的每一個(gè)組。應(yīng)該理解，可以實(shí)現(xiàn)其它數(shù)目的劃道標(biāo)記線或者單個(gè)劃道標(biāo)記線。還應(yīng)該理解，出于解釋的目的示出了一個(gè)特定的實(shí)施方式，但是也可以實(shí)現(xiàn)組30至33中的劃道標(biāo)記線之間的其它距離。將組30的中間劃道標(biāo)記線與相鄰組31的中間劃道標(biāo)記線之間的距離標(biāo)識(shí)為 距離D1。類似地，將組32的中間劃道標(biāo)記線與相鄰組33的中間劃道標(biāo)記線之間的距離標(biāo)識(shí)為距離D2。將組31的中間劃道標(biāo)記線與組32的中間劃道標(biāo)記線之間的距離標(biāo)識(shí)為距離D3。針對(duì)特定的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)硬件，每個(gè)光刻設(shè)備生產(chǎn)商指定組之間的間距。因此，取決于檢測(cè)硬件，距離Dl、D2、D3根據(jù)正在使用的設(shè)備而變化。在一種形式中，距離D2的值大于距離Dl的值。因此，可以容易地理解，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在由鋸形成的切口的方向上的尺寸取決于光刻設(shè)備。由此，可以實(shí)現(xiàn)各種劃道標(biāo)記線的分組和分離。在組30內(nèi)設(shè)置劃道標(biāo)記線36、37、38，在組32內(nèi)設(shè)置劃道標(biāo)記線40、41、42。在該示例的所示出的形式中，組31的劃道標(biāo)記線與組30中的相同。類似地,組32的劃道標(biāo)記線與組33中的相同。在組30上方設(shè)置多個(gè)附加的類似組。在組33的下方也設(shè)置多個(gè)附加的類似組。僅在一種形式中，在中間參考標(biāo)記35上方總共設(shè)置19個(gè)相同的組，并且在中間參考標(biāo)記35下方總共設(shè)置21個(gè)相同的組。每條劃道標(biāo)記線被分段并且被形成為具有多個(gè)段，這些段由間隙分開。例如，在劃道標(biāo)記線36內(nèi)是線段45、46、47、48和49。段45和46由間隙51分開。段46和47由間隙52分開。段47和48由間隙53分開。段48和49由間隙54分開。如果劃道標(biāo)記線是由諸如銅的導(dǎo)電材料形成的，則間隙51至54由電介質(zhì)56形成。在更廣泛的意義上，只要?jiǎng)澋罉?biāo)記線與間隙材料是不同的材料即可，而不管是導(dǎo)電的還是非導(dǎo)電的。從劃道18的中間部分切割寬度為W的切口 58。使用鋸來形成該切口。如果劃道標(biāo)記線是由諸如銅的導(dǎo)電材料形成的并且是連續(xù)的，那么鋸的刀片的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作會(huì)劈開銅并且在橫向動(dòng)作中將銅抬起。銅的抬起會(huì)橫向延伸并且引起裂痕，該裂痕會(huì)延伸至間隙或劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24與管芯12、13中的每一個(gè)之間的緩沖地帶。在許多實(shí)例中，該裂痕會(huì)延伸通過緩沖地帶并且進(jìn)入相鄰管芯12、13中的一個(gè)或兩者中，從而毀壞管芯12、13外圍處的電路的功能。在其它實(shí)例中，當(dāng)管芯被實(shí)現(xiàn)在終端使用應(yīng)用中之后，該裂痕會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體管芯的過早破壞。可以在管芯12、13中的每一個(gè)的外圍處執(zhí)行管芯止裂，但是這種方案典型地并不是完全有效。為了消除管芯裂痕問題，將每一條劃道標(biāo)記線分段以阻止切割動(dòng)作引起的裂痕的橫向擴(kuò)展。劃道標(biāo)記線被實(shí)現(xiàn)為長(zhǎng)方形線條，這些長(zhǎng)方形線條具有多個(gè)由間隙分開的長(zhǎng)方形斷片。中斷的或者切分的劃道標(biāo)記線延伸跨過劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24的寬度。在一種形式中，所有相鄰劃道標(biāo)記線的間隙沿切割方向?qū)?zhǔn)，并且相鄰劃道標(biāo)記線的各個(gè)段的材料也對(duì)準(zhǔn)。在其它形式中，相鄰劃道標(biāo)記線的間隙不必沿切割方向?qū)?zhǔn)。被分段的劃道標(biāo)記線呈長(zhǎng)方形并且具有某一長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度足夠長(zhǎng)使得不會(huì)發(fā)生標(biāo)記線材料的量的明顯減少。由此，不會(huì)顯著地降低所使用的光學(xué)識(shí)別設(shè)備的光學(xué)特性。換句話說，在各個(gè)段之間實(shí)現(xiàn)的間隙相對(duì)小，從而不會(huì)顯著地降低光學(xué)識(shí)別設(shè)備對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片的能力。通過使用連續(xù)的材料將被分段的劃道標(biāo)記線制成長(zhǎng)方形圖案，除了在段之間的間隙或空間中，不會(huì)導(dǎo)致反射材料或吸收材料的丟失。圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24’的另一個(gè)實(shí)施例，該劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24’可以被單獨(dú)地使用，也可以與圖2中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記堆疊結(jié)合地使用。在所示的形式中，假設(shè)劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24’將與圖2的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24堆疊。因此，為了易于理解并且便于闡述，圖2和圖3之間公共的元件將被同樣地編號(hào)。劃道標(biāo)記線36、37、38中的每一條都由被金屬包圍的電介質(zhì)材料形成，假定利用金屬和電介質(zhì)材料來實(shí)現(xiàn)劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24’。因此，在這種 形式中，劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24’在材料形成上與圖2的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24互補(bǔ)。類似地，中間參考標(biāo)記35’由金屬和電介質(zhì)材料形成，其與圖2的中間參考標(biāo)記35相應(yīng)或相對(duì)。中間參考標(biāo)記35’被電介質(zhì)56’包圍，不同于圖2的實(shí)施方式，其沒有延伸進(jìn)入組31和組32。在所示出的形式中，在圖2的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24的上方或者下方對(duì)準(zhǔn)劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24’，并且在不同的金屬化層中實(shí)現(xiàn)該劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24’。但是，也可以如所示出的，在沒有劃道中的附加的金屬化層的情況下，單獨(dú)地實(shí)現(xiàn)劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24’。圖4圖示了圖2中的金屬化的劃道標(biāo)記線40內(nèi)的金屬化層沿線4-4的截面圖。在劃道18內(nèi)設(shè)置襯底62，該襯底62在任何一側(cè)與管芯12和管芯13毗鄰。電介質(zhì)56在襯底62上方。利用劃道標(biāo)記線在每隔一個(gè)的金屬化層中實(shí)現(xiàn)圖2中的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24，例如，在第二金屬化層(M2)中，在第四金屬化層(M4)中，以及在第六金屬化層(M6)中。每一層的金屬以及間隙均被對(duì)準(zhǔn)。電介質(zhì)56將M2、M4、M6層分開，并且形成每個(gè)金屬化層的間隙。應(yīng)該理解，圖4所示的金屬化可以通過形成單獨(dú)的圖案化的金屬層和電介質(zhì)層來實(shí)現(xiàn)，或者通過形成單獨(dú)的通孔層來實(shí)現(xiàn)，在該通孔層中，交替地形成金屬層和電介質(zhì)層。圖5圖示了，當(dāng)圖3中的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與圖2中的劃道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記堆疊交叉結(jié)合地使用時(shí)，圖3中的金屬與電介質(zhì)鄰接的劃道標(biāo)記線40’內(nèi)的金屬化層的截面圖。作為堆疊交叉結(jié)合的結(jié)果，圖3中的暴露的頂部金屬不再是金屬頂層，而是被表示為圖5的金屬層M5。換句話說，圖5中的劃道標(biāo)記線圖示了以金屬層I為起點(diǎn)的奇數(shù)金屬層，圖4中的劃道標(biāo)記線圖示了以金屬層2為起點(diǎn)的偶數(shù)金屬層。如結(jié)合圖4所不的，電介質(zhì)56在襯底62上方。例如,利用第一金屬化層(Ml)、第三金屬化層(M3)、第五金屬化層(M5)來實(shí)現(xiàn)金屬與電介質(zhì)鄰接的劃道標(biāo)記線41’。將每個(gè)層的金屬和間隙均對(duì)準(zhǔn)。在垂直于鋸痕的方向上，將圖4和圖5的每個(gè)金屬化層的金屬和間隙均對(duì)準(zhǔn)。應(yīng)該理解，間隙不需要在垂直于鋸痕的方向上對(duì)準(zhǔn)。在與鋸痕對(duì)準(zhǔn)的方向上，對(duì)于其中圖2和圖3過重疊(圖2或圖3中的任何一個(gè)在另一個(gè)之上)的實(shí)施例，圖4和圖5的每一個(gè)金屬化層的金屬和間隙在實(shí)現(xiàn)金屬和實(shí)現(xiàn)電介質(zhì)之間互補(bǔ)。在其中圖2被實(shí)現(xiàn)為不與圖3過重疊或欠重疊或圖3被實(shí)現(xiàn)為不與圖2過重疊或欠重疊的實(shí)施例中，可以形成圖4和圖5的層使得這些層沒有交叉也沒有重疊。還應(yīng)該理解，圖5所示的金屬化可以通過形成單獨(dú)的圖案化的金屬層和電介質(zhì)層來實(shí)現(xiàn)，或者通過形成單獨(dú)的通孔層來實(shí)現(xiàn)，在該通孔層中，交替地形成金屬層和電介質(zhì)層。到目前，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了一種具有排列成陣列以形成劃道的管芯的半導(dǎo)體晶片，其中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記具有分段的平行線，這些分段的平行線垂直于晶片被切割以形成單個(gè)管芯的方向。間隙將每一段與另一個(gè)段分開。在大約沿劃道的中心形成切口的情況下，當(dāng)形成該切口的鋸的刀片碰撞到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，鋸抬起對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記材料的抬起會(huì)在各個(gè)方向上撕裂對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。如果沒有用于將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的多個(gè)分離的部分隔離的間隙，那么裂痕很有可能橫向擴(kuò)展通過整個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并且到達(dá)鄰接的管芯的邊緣。作為這種裂痕擴(kuò)展的結(jié)果，典型地，管芯的邊緣被物理地改變，這將導(dǎo)致管芯的失靈。通常，裂痕的力足夠地大，使得即使在管芯外圍附近存在止裂也不能確保這種裂痕擴(kuò)展不會(huì)損壞管芯。通常用于對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記的材料是銅，鋸的刀片的動(dòng)作輕易地就將該銅抬起。對(duì)垂直于切割方向的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行分段使得可以減少銅被抬起的量以及減少所需的銅的量。另外，這些對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記被形成為多個(gè)分段的平行線的多個(gè)組，其中每一系列組的中心分開預(yù)定的距離。中心標(biāo)記上方或左側(cè)的組被分開的距離不同于中心標(biāo)記下方或右側(cè)組被分開的距離。并且，從中心標(biāo)記起在一個(gè)方向上實(shí)現(xiàn)的組的數(shù)目不同于從中心標(biāo)記起在與該一個(gè)方向相反的方向上實(shí)現(xiàn)的組的數(shù)目。因此，當(dāng)將管芯單體化或形成了切口時(shí)，可以在減少相鄰管芯的裂痕擴(kuò)展的同時(shí)保持對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的穩(wěn)健性。在一種形式中，提供一種具有至少第一管芯和至少第二管芯的晶片。定位在第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域?qū)⒌谝还苄竞偷诙苄颈舜朔珠_。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括第一多條對(duì)準(zhǔn)線。利用第一多個(gè)段來形成該第一多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第一多個(gè)段由填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，至少第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)。第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括第二多條對(duì)準(zhǔn)線。利用第二多個(gè)段來形成該第二多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第二多個(gè)段由填充有絕緣材料的第二多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，第一多個(gè)段形成于晶片的第一多個(gè)金屬層中或者形成于晶片的第一多個(gè)通孔層中。第二多個(gè)段形成于晶片的第二多個(gè)金屬層中或者形成于晶片的第二多個(gè)通孔層中。在另一種形式中，該第一多個(gè)段的每一個(gè)段的長(zhǎng)度大于填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度是至少三倍。在另一種形式中，至少第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)，其中，該第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括第三多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，利用第三多個(gè)段來形成該第三多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第三多個(gè)段由填充有絕緣材料的第三多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，提供至少第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，以用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)，其中，該第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括第四多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，利用第四多個(gè)段來形成該第四多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第四多個(gè)段由填充有絕緣材料的第四多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，平行于第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的第一多條線的中心軸與平行于第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的第三多條線的中心軸分開第一距離。平行于第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的第二多條線的中心軸與平行于第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的第四多條線的中心軸分開第二距離。該第二距離大于該第一距離。在另一種形式中，使用包含至少銅的導(dǎo)電材料來形成該第一多個(gè)段。在另一種形式中，本發(fā)明提供一種具有至少第一管芯和至少第二管芯的晶片。定位在第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域?qū)⒌谝还苄竞偷诙苄颈舜朔珠_。提供第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括中間參考標(biāo)記以及位于中間參考標(biāo)記的相對(duì)側(cè)上的第一對(duì)準(zhǔn)線和第二對(duì)準(zhǔn)線。利用第一多個(gè)段來形成該第一對(duì)準(zhǔn)線，該第一多個(gè)段由填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙分開，并且，利用第二多個(gè)段來形成該第二對(duì)準(zhǔn)線，該第二多個(gè)段由填充有絕緣材料的第二多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，第一多個(gè)段形成于晶片的第一多個(gè)金屬層中或者形成于晶片的第一多個(gè)通孔層中。第二多個(gè)段形成于晶片的第二多個(gè)金屬層中或者形成于晶片的第二多個(gè)通孔層中。在另一種形式中，該第一多個(gè)段的每一個(gè)段的長(zhǎng)度大于填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度是至少三倍，并且，該第二多個(gè)段的每一個(gè)段的長(zhǎng)度大于填充有絕緣材料的第二多個(gè)間隙的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度是至少三倍。在又一種形式中，使用包含至少銅的導(dǎo)電材料來形成該第一多個(gè)段。在一種形式中，提供一種具有至少第一管芯和至少第二管芯的晶片。定位在第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域?qū)⒌谝还苄竞偷诙苄颈舜朔珠_。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括(I)形成于第一層中的第一多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，利用第一多個(gè)段來形成該第一多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第一多個(gè)段由填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙分開；以及(2)形成于第二層中的第二多條對(duì)準(zhǔn)線，第二層位于第一層下方，并且，利用第二多個(gè)段來形成該第二多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第二多個(gè)段由填充有絕緣材料的第二多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，提供至少第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，以用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)。第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括(1)形成在該第一層中的第三多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，利用第三多個(gè)段來形成該第三多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第三多個(gè)段由填充有絕緣材料的第三多個(gè)間隙分開；以及(2)形成在該第二層中的第四多條對(duì)準(zhǔn)線，第二層位于第一層下方，并且，利用第四多個(gè)段來形成該第四多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第四多個(gè)段由填充有絕緣材料的第四多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，提供至少第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，以用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第三對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)。第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括(I)形成在該第一層中的第五多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，利用第五多個(gè)段來形成該第五多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第五多個(gè)段由填充有絕緣材料的第五多個(gè)間隙分開；以及(2)形成在該第二層中的第六多條對(duì)準(zhǔn)線，第二層位于第一層下方，并且，利用第六多個(gè)段來形成該第六多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第六多個(gè)段由填充有絕緣材料的第六多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，晶片具有至少第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，以用于將晶片與圖案化晶片的工具對(duì)準(zhǔn)。第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域內(nèi)。第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括(1)形成在該第一層中的第七多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，利用第七多個(gè)段來形成該第七多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第七多個(gè)段由填充有絕緣材料的第七多個(gè)間隙分開；以及(2)形成在該第二層中的第八多條對(duì)準(zhǔn)線，第二層位于第一層下方，并且，利用第八多個(gè)段來形成該第八多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線，該第八多個(gè)段由填充有絕緣材料的第八多個(gè)間隙分開。在另一種形式中，平行于第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的第一多條線的中心軸與平行于第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的第五多條線的中心軸分開第一距離。平行于第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的第三多條線平行的中心軸與平行于第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的第七多條線的中心軸分開第二距離，并且，該第二距離大于該第一距離。在又一形式中，第一多條對(duì)準(zhǔn)線、第三多條對(duì)準(zhǔn)線、第五多條對(duì)準(zhǔn)線、以及第七多條對(duì)準(zhǔn)線形成于第一層中，并且，第二多條對(duì)準(zhǔn)線、第四多條對(duì)準(zhǔn)線、第六多條對(duì)準(zhǔn)線、以及第八多條對(duì)準(zhǔn)線形成于第二層中，使得它們不會(huì)重疊。在另一種形式中，該第一多個(gè)段的每一個(gè)段的長(zhǎng)度大于填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度是至少三倍，并且，該第二多個(gè)段的每一個(gè)段的長(zhǎng)度大于填充有絕緣材料的第二多個(gè)間隙的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度是至少三倍。在又一形式中，使用包含至少銅的導(dǎo)電材料來形成該第一多個(gè)段、該第二多個(gè)段、該第三多個(gè)段、該第四多個(gè)段、該第五多個(gè)段、該第六多個(gè)段、該七多個(gè)段、以及該第八多個(gè)段。盡管已經(jīng)針對(duì)具體的導(dǎo)電類型或電勢(shì)極性描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，如果存在的話，說明書以及權(quán)利要求中的諸如“前”、“后”、“頂”、“底”、“之上”、“之下”之類的術(shù)語僅是出于描述性目的的，而并非是用于描述永久的相對(duì)位置?？梢岳斫猓绱耸褂玫倪@些術(shù)語在適當(dāng)?shù)那闆r下是可以互換的，使得本說明書中描述的本發(fā)明的實(shí)施例在不同于本說明書中所示出的方位的其它方位中也能夠操作。 盡管已經(jīng)針對(duì)具體的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是在不脫離如下述權(quán)利要求中陳述的本發(fā)明的范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變型。例如，可以使用導(dǎo)電的或非導(dǎo)電的各種材料來實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。當(dāng)使用導(dǎo)電材料時(shí)，可以使用除了金屬以外的其它材料。當(dāng)使用導(dǎo)電金屬時(shí)，可以使用除了銅以外的其它金屬?？梢允褂萌魏螖?shù)量的電絕緣材料來實(shí)現(xiàn)所描述的電介質(zhì)。當(dāng)使用金屬來實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，在一種形式中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在與切口線正交的方向上不具有連續(xù)的金屬，該切口線的長(zhǎng)度大于切口線的寬度的預(yù)定百分比。該預(yù)定百分比是可變的，在一種形式中，該預(yù)定百分比是50%。在其它形式中，該預(yù)定百分比大于100%。可以實(shí)現(xiàn)段的各種對(duì)準(zhǔn)圖案，其中，間隙可以部分對(duì)準(zhǔn)或者完全不對(duì)準(zhǔn)。相應(yīng)地，本說明書和附圖是示例性的而非限制性的，并且所有這種修改都意圖包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在本說明書中針對(duì)具體實(shí)施例描述的益處、優(yōu)點(diǎn)或問題的解決方法不應(yīng)該被理解為是任何權(quán)項(xiàng)或所有權(quán)項(xiàng)的關(guān)鍵的、必須的、或?qū)嵸|(zhì)的特征或要素。本說明書中使用的術(shù)語“一個(gè)”被解釋為一個(gè)或多于一個(gè)。并且，權(quán)項(xiàng)中諸如“至少一個(gè)”以及“一個(gè)或多個(gè)”之類的引導(dǎo)短語的使用不應(yīng)該被理解為暗示由不定冠詞引導(dǎo)的另一個(gè)保護(hù)元件將包含如此引導(dǎo)的保護(hù)元件的任何權(quán)利要求限制為僅包含一個(gè)這種元件的發(fā)明，即使當(dāng)同一個(gè)權(quán)利要求包括引導(dǎo)短語“一個(gè)或多個(gè)”或“至少一個(gè)”以及不定冠詞。對(duì)于定冠詞也是同樣的道理。除非另外說明，諸如“第一”和“第二”之類的術(shù)語被用于任意地區(qū)分由這些術(shù)語描述的元件。因此，這些術(shù)語不意圖指示這些元件的時(shí)間或其它優(yōu)先次序。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片，包括 至少第一管芯； 至少第二管芯，其中，所述第一管芯和所述第二管芯由位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域彼此分開；以及 第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括第一多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，其中，所述第一多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第一多個(gè)段形成的，所述第一多個(gè)段由填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙彼此分開。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括至少第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括第二多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，其中，所述第二多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第二多個(gè)段形成的，所述第二多個(gè)段由填充有絕緣材料的第二多個(gè)間隙彼此分開。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多個(gè)段形成于所述晶片的第一多個(gè)金屬層中或者形成于所述晶片的第一多個(gè)通孔層中，并且所述第二多個(gè)段形成于所述晶片的第二多個(gè)金屬層中或者形成于所述晶片的第二多個(gè)通孔層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多個(gè)段中的每一個(gè)段的長(zhǎng)度至少是填充有所述絕緣材料的所述第一多個(gè)間隙中的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度的三倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括至少第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括第三多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，其中，所述第三多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第三多個(gè)段形成的，所述第三多個(gè)段由填充有絕緣材料的第三多個(gè)間隙彼此分開。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括至少第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，所述第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括第四多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，其中，所述第四多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第四多個(gè)段形成的，所述第四多個(gè)段由填充有絕緣材料的第四多個(gè)間隙彼此分開。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶片，其中，平行于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的所述第一多條對(duì)準(zhǔn)線的中心軸與平行于所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的所述第三多條對(duì)準(zhǔn)線的中心軸分開第一距離，其中，平行于所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的所述第二多條對(duì)準(zhǔn)線的中心軸與平行于所述第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的所述第四多條對(duì)準(zhǔn)線的中心軸分開第二距離，并且其中，所述第二距離大于所述第一距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多個(gè)段是使用包含至少銅的導(dǎo)電材料形成的。
9.一種半導(dǎo)體晶片，包括 至少第一管芯； 至少第二管芯，其中，所述第一管芯和所述第二管芯由位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域彼此分開；以及第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括中間參考標(biāo)記以及位于所述中間參考標(biāo)記的相對(duì)側(cè)上的第一對(duì)準(zhǔn)線和第二對(duì)準(zhǔn)線，并且，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)線是使用第一多個(gè)段形成的，所述第一多個(gè)段由填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙彼此分開，所述第二對(duì)準(zhǔn)線是使用第二多個(gè)段形成的，所述第二多個(gè)段由填充有所述絕緣材料的第二多個(gè)間隙彼此分開。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多個(gè)段形成于所述晶片的第一多個(gè)金屬層中或者形成于所述晶片的第一多個(gè)通孔層中，并且所述第二多個(gè)段形成于所述晶片的第二多個(gè)金屬層中或者形成于所述晶片的第二多個(gè)通孔層中。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多個(gè)段中的每一個(gè)段的長(zhǎng)度至少是填充有所述絕緣材料的所述第一多個(gè)間隙中的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度的三倍，并且所述第二多個(gè)段中的每一個(gè)段的長(zhǎng)度至少是填充有所述絕緣材料的所述第二多個(gè)間隙中的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度的三倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多個(gè)段是使用包含至少銅的導(dǎo)電材料形成的。
13.一種半導(dǎo)體晶片，包括 至少第一管芯； 至少第二管芯，其中，所述第一管芯和所述第二管芯由位于第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域彼此分開；以及 第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括(I)形成于第一層中的第一多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，所述第一多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第一多個(gè)段形成的，所述第一多個(gè)段由填充有絕緣材料的第一多個(gè)間隙彼此分開；以及(2)形成于第二層中的第二多條對(duì)準(zhǔn)線，其中，所述第二層位于所述第一層下方，并且，所述第二多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第二多個(gè)段形成的，所述第二多個(gè)段由填充有絕緣材料的第二多個(gè)間隙彼此分開。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括至少第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括(I)形成于所述第一層中的第三多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，所述第三多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第三多個(gè)段形成的，所述第三多個(gè)段由填充有絕緣材料的第三多個(gè)間隙彼此分開；以及(2)形成于所述第二層中的第四多條對(duì)準(zhǔn)線，其中，所述第二層位于所述第一層下方，并且，所述第四多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第四多個(gè)段形成的，所述第四多個(gè)段由填充有絕緣材料的第四多個(gè)間隙彼此分開。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括至少第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括(1)形成于所述第一層中的第五多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，所述第五多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第五多個(gè)段形成的，所述第五多個(gè)段由填充有絕緣材料的第五多個(gè)間隙彼此分開；以及(2)形成于所述第二層中的第六多條對(duì)準(zhǔn)線，其中，所述第二層位于所述第一層下方，并且，所述第六多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第六多個(gè)段形成的，所述第六多個(gè)段由填充有絕緣材料的第六多個(gè)間隙彼此分開。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括至少第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組，所述第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組用于將所述晶片與圖案化所述晶片的工具對(duì)準(zhǔn)，所述第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組全部位于所述第一管芯和第二管芯之間的所述區(qū)域內(nèi)，其中，所述第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組包括(I)形成于所述第一層中的第七多條對(duì)準(zhǔn)線，并且，所述第七多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第七多個(gè)段形成的，所述第七多個(gè)段由填充有絕緣材料的第七多個(gè)間隙彼此分開；以及(2)形成于所述第二層中的第八多條對(duì)準(zhǔn)線，其中，所述第二層位于所述第一層下方，并且，所述第八多條對(duì)準(zhǔn)線中的每一條線是使用第八多個(gè)段形成的，所述第八多個(gè)段由填充有絕緣材料的第八多個(gè)間隙彼此分開。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體晶片，其中，平行于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的所述第一多條對(duì)準(zhǔn)線的中心軸與平行于所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的所述第五多條對(duì)準(zhǔn)線的中心軸分開第一距離，其中，平行于所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的所述第三多條對(duì)準(zhǔn)線的中心軸與平行于所述第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組的所述第七多條對(duì)準(zhǔn)線的中心軸分開第二距離，并且其中，所述第二距離大于所述第一距離。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多條對(duì)準(zhǔn)線、所述第三多條對(duì)準(zhǔn)線、所述五多條對(duì)準(zhǔn)線、以及所述第七多條對(duì)準(zhǔn)線形成于所述第一層中，并且，形成于所述第二層中的所述第二多條對(duì)準(zhǔn)線、所述第四多條對(duì)準(zhǔn)線、所述第六多條對(duì)準(zhǔn)線、以及所述第八多條對(duì)準(zhǔn)線被形成為使得它們不重疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多個(gè)段中的每一個(gè)段的長(zhǎng)度至少是填充有所述絕緣材料的所述第一多個(gè)間隙中的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度的三倍，并且所述第二多個(gè)段中的每一個(gè)段的長(zhǎng)度至少是填充有所述絕緣材料的所述第二多個(gè)間隙中的每一個(gè)間隙的長(zhǎng)度的三倍。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述第一多個(gè)段、所述第二多個(gè)段、所述第三多個(gè)段、所述第四多個(gè)段、所述第五多個(gè)段、所述第六多個(gè)段、所述第七多個(gè)段、以及所述第八多個(gè)段是使用包含至少銅的導(dǎo)電材料形成的。
全文摘要
一種晶片(10)至少包括第一管芯(12)和至少第二管芯(13)，其中，所述第一管芯和所述第二管芯由定位在第一管芯和第二管芯之間的區(qū)域彼此分開。該晶片還包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組(31)，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組(31)用于將所述晶片與圖案化所述晶片(10)的工具對(duì)準(zhǔn)，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組(31)全部位于所述第一管芯(12)和第二管芯(13)之間的區(qū)域內(nèi)，并且，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組(31)包括多條對(duì)準(zhǔn)線(36，37，38)，并且，其中，所述多條對(duì)準(zhǔn)線(36，37，38)中的每一條線是使用多個(gè)段(45，46，47，48，49)形成的，所述多個(gè)段(45，46，47，48，49)由填充有絕緣材料的多個(gè)間隙(51，52，53，54)彼此分開。
文檔編號(hào)H01L21/301GK102782812SQ201080047064
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2010年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月19日
發(fā)明者V·波爾, 忠-誠(chéng)·付 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司