專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光芯片制造方法，特別是指一種半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管作為一種新興的光源，目前已廣泛應(yīng)用于多種場合之中，并大有取代傳統(tǒng)光源的趨勢。發(fā)光二極管中最重要的元件為發(fā)光芯片，其決定了發(fā)光二極管的各種出光參數(shù)， 如強(qiáng)度、顏色等?，F(xiàn)有的發(fā)光芯片通常是由依次生長在基板的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層所組成。通過外界電流的激發(fā)，發(fā)光芯片的N型半導(dǎo)體層的電子與P型半導(dǎo)體層的空穴在發(fā)光層復(fù)合而向外輻射出光線。然而，由于發(fā)光層輻射出的光線當(dāng)中有相當(dāng)部分會被發(fā)光芯片與外界環(huán)境的交界面所反射回發(fā)光芯片內(nèi)，導(dǎo)致發(fā)光芯片的發(fā)光效率降低，影響發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度

發(fā)明內(nèi)容
因此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的半導(dǎo)體發(fā)光芯片的制造方法。一種半導(dǎo)體發(fā)光芯片的制造方法，包括步驟提供具有磊晶層的基板，該磊晶層包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及位于第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層；將磊晶層浸入電解質(zhì)溶液當(dāng)中，通入電流使電解質(zhì)溶液蝕刻磊晶層表面而形成孔洞 '及在磊晶層上制作電極。由于使用該方法制造出來的發(fā)光芯片的表面被粗化，因此可破壞光線在發(fā)光芯片內(nèi)部的反射，從而增大光線出射的機(jī)率，進(jìn)而提升發(fā)光芯片的發(fā)光效率。下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。


圖I為本發(fā)明半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法的第一個步驟。圖2為本發(fā)明半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法的第二個步驟。圖3為本發(fā)明半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法的第三個步驟。圖4為本發(fā)明半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法的第四個步驟。圖5從另一視角示出了本方法的第四個步驟。圖6示出了經(jīng)過第四個步驟處理之后的半導(dǎo)體發(fā)光芯片。圖7為本發(fā)明半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法的第五個步驟。圖8示出了制造完成的半導(dǎo)體發(fā)光芯片。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，包括步驟 提供具有磊晶層的基板，該磊晶層包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及位于第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層； 將磊晶層浸入電解質(zhì)溶液當(dāng)中，通入電流使電解質(zhì)溶液蝕刻磊晶層表面而形成孔洞；及 在磊晶層上制作電極。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于電解質(zhì)溶液包括草酸。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于磊晶層包括氮化鎵材料。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于在將磊晶層浸入電解質(zhì)溶液之前包括在磊晶層的第二半導(dǎo)體層頂面形成槽道的步驟，第一半導(dǎo)體層暴露在槽道內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于還包括在形成槽道之后在暴露出來的第一半導(dǎo)體層表面形成保護(hù)層的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片的制造方法，其特征在于該保護(hù)層由二氧化娃制成。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于在蝕刻完磊晶層之后還包括去除保護(hù)層的步驟，電極制作在暴露出來的第一半導(dǎo)體層表面。
8.如權(quán)利要求I至7任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于磊晶層是通過夾具夾持浸入電解質(zhì)溶液當(dāng)中的，夾具包括抵接第二半導(dǎo)體層頂面的第一夾持部及抵接基板底面的第二夾持部。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于第一夾持部為正電極。
10.如權(quán)利要求I至7任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于形成的孔洞的直徑介于10_9m至10_7m之間。
全文摘要
一種半導(dǎo)體發(fā)光芯片的制造方法，包括步驟提供具有磊晶層的基板，該磊晶層包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及位于第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層；將磊晶層浸入電解質(zhì)溶液當(dāng)中，通入電流使電解質(zhì)溶液蝕刻磊晶層表面而形成孔洞；及在磊晶層上制作電極。該方法制成的半導(dǎo)體發(fā)光芯片可破壞發(fā)光層的光線在磊晶層表面的反射，從而提升整體的出光效率。
文檔編號H01L33/00GK102623579SQ20111002811
公開日2012年8月1日 申請日期2011年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者凃博閔, 林雅雯, 黃世晟 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司