專利名稱：基板處理裝置和基板處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及例如向半導體晶體或LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等基板的表面供給處理液，進行規(guī)定的基板處理例如抗蝕劑液的涂敷、曝光后的顯影處理等的基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術：
在半導體器件、LCD基板的制造工藝中，通過被稱作光刻的技術，對基板進行抗蝕劑圖案的形成。該技術通過下述一系列工序而進行在例如半導體晶片(以下稱為晶片) 等基板上涂敷抗蝕劑液，在該晶片的表面形成液體膜，使用光刻掩模對該抗蝕劑膜進行曝光之后，進行顯影處理，由此得到期望的圖案。這樣的處理一般使用將曝光裝置連接于進行抗蝕劑液的涂敷、顯示的涂敷、顯影裝置而成的抗蝕劑圖案形成裝置進行。例如，在該裝置中，如圖18所示，從收納有多塊晶片的載體10接受晶片，利用臂12交接至處理部1B，在該處理部IB中，進行反射防止膜形成模塊(未圖示)的反射防止膜的形成、涂敷模塊13的抗蝕劑膜的形成，之后經由接口部IC搬送至曝光裝置1D。另一方面，曝光處理后的晶片再次回到處理部1B，由顯影模塊14進行顯影處理，之后回到原來的載體10內。在上述反射防止膜、抗蝕劑膜的形成處理的前后、顯影處理的前后，利用在支架模塊1 15c中排列有多層的加熱模塊、冷卻模塊進行晶片的加熱處理、冷卻處理。在處理部IB內，晶片通過主臂16A、16B在各模塊之間被搬送，但在晶片被實施上述處理時，預先編程使其經由規(guī)定的通路被搬送，對預定處理的全部的晶片，預先決定分別在哪個時刻搬送至哪個模塊的搬送行程表存儲在存儲器內，晶片依據該搬送行程表被搬送。如果將晶片被放置的場所稱為模塊，則上述搬送行程表是對晶片分配編號(順序)，將使晶片的編號和模塊的編號相關聯并指定搬送循環(huán)的搬送循環(huán)數據依時間順序排列而制成的。此處，在抗蝕劑圖案形成裝置中，從提高生產率的觀點出發(fā)，多設定有多模塊。該多模塊是指，搬送的編號相同，對晶片進行相同處理的多個模塊，但由于故障、維修等理由可能不能夠使用構成多模塊的模塊。對于此時的晶片的搬送，例如在專利文獻1中有作出提案。該方法是，將預定搬送至不能夠使用的模塊的晶片搬送至暫時退避模塊，在由構成多模塊的其它能夠使用的模塊結束其它晶片的處理之后，將退避至退避模塊的晶片搬送至上述其它的能夠使用的模塊。但是，為了提高生產率，要求在處理部IB中設置有多個與處理關聯的模塊，難以確保退避模塊的設置空間。更何況在多模塊中，可能在多個模塊同時發(fā)生藥液交換、泵維修等維修、噴嘴的故障等。此時為了應對多個模塊不能夠使用的情況，必須準備多個退避模塊，但很難確保這樣的空間。此外，如果代替退避模塊，使晶片暫時退避至編入搬送行程表的接收臺，則不能夠依據記載于搬送行程表的搬送循環(huán)搬送晶片，發(fā)生晶片搬送停止、搬送延遲等問題。因此，可能會導致例如在加熱模塊中晶片停留，該晶片在模塊內過熱，由此膜質劣化、晶片制品不良。專利文獻1 日本特開2006-203003號公報(0037 0039段)

發(fā)明內容
本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的在于提供下述技術在構成多模塊的多個模塊的一個不能夠使用，成為不可使用模塊時，通過將基板的搬送目的地變更為能夠使用的模塊并進行搬送，也能夠迅速地進行基板的搬送，能夠抑制基板制品不良的發(fā)生。因此，本發(fā)明提供一種基板處理裝置，其包括載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組，在模塊組中，包括搬送的編號順序相同且對基板進行相同處理的多個模塊構成的多模塊，利用搬送部件從一個模塊取出基板，在接受下一模塊的基板之后將先前的基板交于該下一模塊中，由此通過將置于各模塊中的基板向順序上為后一個的模塊移動來進行一個搬送循環(huán)，在進行該一個搬送循環(huán)之后，進入下一搬送循環(huán)，通過依次進行各搬送循環(huán)， 基板依次從上述模塊組中的編號順序小的模塊搬送至編號順序大的模塊，并被實施規(guī)定的處理，在通常時，對上述多模塊的各模塊從之前的模塊開始以基板的規(guī)定順序進行分配，該基板處理裝置的特征在于，包括存儲部，其存儲對基板分配編號順序，將使基板的編號順序與各模塊相關聯并指定搬送循環(huán)的搬送循環(huán)數據依時間順序排列而制成的搬送行程表；和控制部，其以參照上述搬送行程表，將寫入搬送循環(huán)數據的基板搬送至與該基板對應的模塊的方式控制上述搬送部件，由此實施搬送循環(huán)，上述控制部構成為，在構成上述多模塊的多個模塊的至少一個為不能夠使用的不可使用模塊并且至少一個處于能夠使用的狀態(tài)時，進行下述(1)和O)的動作(1)在出現不可使用模塊時，在上述搬送部件在搬送循環(huán)中位于上述不可使用模塊的下游側或者訪問搬送循環(huán)的上游端的模塊之前，(Ι-a)將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊中的基板的搬送目的地，變更為該基板的下一個基板將要搬入的模塊，(Ι-b)在該基板的下一個基板將要搬入的模塊為不可使用模塊時，進一步檢索下一個基板將要搬入的模塊，這樣搜索能夠使用的模塊，并將該能夠使用的模塊作為搬送目的地，(1-c)在前一基板為不能夠從這樣決定的搬送目的地模塊內搬出的狀態(tài)時，不使搬送部件待機地進行搬送循環(huán)，直至成為基板能夠搬出的狀態(tài)；(2)在出現不可使用模塊時，在搬送循環(huán)開始，上述搬送部件在搬送循環(huán)中位于上述不可使用模塊的上游側時，(2-a)將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊的基板的搬送目的地變更為該基板的下一個基板將要搬入的模塊，(2-b)在該基板的下一個基板將要搬入的模塊為不可使用模塊時，進一步檢索下一個基板將要搬入的模塊，由此搜索能夠使用的模塊，將該能夠使用的模塊作為搬送目的地，(2-c)在前一基板為不能夠從這樣決定的搬送目的地模塊內搬出的狀態(tài)時，使搬送部件的搬送動作至少在被確定為上述搬送目的地的模塊的上游側待機。根據本發(fā)明，在構成多模塊的多個模塊的至少一個為不能夠使用的不可使用模塊并且至少一個處于能夠使用的狀態(tài)時，將基板的搬送目的地變更為該基板的下一個基板將要搬入的能夠使用的模塊，迅速地搬送基板，因此，能夠抑制由于基板停留在模塊內導致的基板的制品不良。


圖1是表示本發(fā)明的抗蝕劑圖案形成裝置的實施方式的平面圖。圖2是表示上述抗蝕劑圖案形成裝置的立體圖。圖3是表示上述抗蝕劑圖案形成裝置的側部截面圖。圖4是表示上述抗蝕劑圖案形成裝置的控制部的一個例子的結構圖。圖5是表示上述抗蝕劑圖案形成裝置的第三塊的模塊組的一具例子的結構圖。圖6是表示上述第三塊的搬送方案的一個例子的說明圖。圖7是表示上述第三塊的搬送行程表的一個例子的說明圖。圖8是表示上述第三塊的搬送行程表的一個例子的說明圖。圖9是由上述抗蝕劑圖案形成裝置進行的處理的流程圖。圖10是表示上述第三塊的晶片的搬送例和搬送模塊的一個例子的說明圖。圖11是表示上述第三塊的晶片的搬送例和搬送模塊的一個例子的說明圖。圖12是表示上述第三塊的晶片的搬送例和搬送模塊的一個例子的說明圖。圖13是表示上述第三塊的晶片的搬送例的說明圖。圖14是表示抗蝕劑圖案形成裝置的第三塊和第四塊的晶片的搬送例的說明圖。圖15是表示抗蝕劑圖案形成裝置的第一塊的晶片的搬送例的說明圖。圖16是表示上述第一塊的晶片的搬送例的說明圖。圖17是表示上述第三塊的晶片的搬送例的說明圖。圖18是表示現有的抗蝕劑圖案形成裝置的一個例子的平面圖。附圖標記W半導體晶片C交接部件Al A4搬送臂D交接臂E穿棱臂F 接口臂3控制部31方案存儲部32方案選擇部33搬送行程表變更部
34搬送控制部35控制控制程序
具體實施例方式對以下本發(fā)明的使曝光裝置與涂敷、顯影裝置連接的抗蝕劑圖案形成裝置的一個例子，參照附圖進行簡單的說明。圖1是表示上述抗蝕劑圖案形成裝置的一實施方式的平面圖，圖2是其大致立體圖。該裝置具有載體塊Si、處理塊S2、接口塊S3和曝光裝置S4。 載體塊Sl構成為，交接部件C從載置在載置臺21上的密閉型的載體20取出晶片W，并交接至與該塊Sl鄰接的處理塊S2，并且，上述交接部件C接收在處理塊S2中處理完畢的晶片 W，回到上述載體20。如圖2所示，上述處理塊S2在該例中以從下向上順序疊層用于進行顯影處理的第一塊(DEV層)Bi、用于進行形成在抗蝕劑膜的下層側的反射防止膜的形成處理的第二塊 (BCT層)B2、用于進行抗蝕劑液的涂敷處理的第三塊(COT層)B3、用于進行形成在抗蝕劑膜的上層側的反射防止膜的形成處理的第四塊(TCT層)B4的方式構成。這些第一 第四塊Bl B4為大致同樣的結構，包括多層地配置有用于在與其它塊之間進行晶片W的交接的交接模塊的支架單元Ul ；具有多個涂敷各種藥液的液體處理模塊的液體處旦模塊組L ；多層地配置有用于進行上述液體處理模塊組L所進行的處理的前處理和后處理的加熱、冷卻系統(tǒng)的模塊的支架單元U2 ；和構成用于在這些支架單元Ul、U2 的各部分與液體處理模塊組L的各模塊之間進行晶片W的交接的搬送部件的搬送臂Al A4。例如上述第一 第四塊Bl B4如圖1所示分別具有向圖中Y方向延伸的搬送通路R，上述搬送臂Al A4在該搬送通路R以自由進退、自由升降、繞鉛直軸自由旋轉、沿圖中Y軸方向自由移動的方式構成，并且具有用于支承晶片W的背面?zhèn)戎芫墔^(qū)域的兩根叉子， 這些叉子構成為相互獨立且能夠進退。液體處理模塊組L和支架單元U2以沿著上述搬送通路R相互相對的方式配置。此外在第二 第四塊B2 B4中，液體處理模塊組L以多個例如4個液體處理模塊沿搬送通路R排列的方式配置。作為這些液體處理模塊，在第二模塊B2中設置有用于涂敷形成抗蝕劑的下層側的反射防止膜的藥液的液體處理模塊BCT，在第三塊B3中設置有涂敷抗蝕劑液的液體處理模塊C0T，在第四塊B4中設置有用于涂敷形成抗蝕劑的上層側的反射防止膜的藥液的液體處理模塊TCT。此外，在第一塊Bl中，例如液體處理模塊組L中沿著搬送通路R 排列的四個液體處理模塊DEV跨兩層而設置，作為藥液涂敷顯影液。上述支架單元U1，如圖1和圖3所示，構成為由設置在上述支架單元Ul附近的升降自由的交接臂D在該支架單元Ul的各部之間搬送晶片W。在該支架單元Ul多層地設置有兼用作溫度調節(jié)用的冷卻單元的交接模塊CPL、兼用作能夠載置多塊晶片W的緩沖器的交接模塊BF。在上述支架單元U2設置有加熱晶片W的加熱模塊GHP、GHA等。此外，在第一塊(BEV層)Bi，在接口塊S3側設置有支架單元U3。在該支架單元U3多層地設置有用于在該塊Bl與接口塊B3之間進行晶片W的交接的交接模塊CPL、TRS0以下說明在這樣的涂敷、顯影裝置中晶片W的流程的一個例子。來自載體塊Sl的晶片W由交接單元C依次搬送至上述支架單元Ul的一個交接模塊，如與第二塊B2對應的交接模塊CPL2。接著，晶片W由搬送臂A2在第二塊B2中在液體處理模塊BCT —加熱模塊 GHA —支架單元Ul的交接模塊BF2的通路中搬送，在晶片W上形成反射防止膜。之后，晶片W由交接臂D搬送至支架單元Ul的交接模塊CPL3，接著晶片W由搬送臂A3在第三塊B3內，在液體處理模塊COT —加熱模塊GHA —支架單元Ul的交接模塊BF3 的通路中搬送，在晶片W上形成反射防止膜上的抗蝕劑膜。另外，也有形成有抗蝕劑膜的晶片W由第四塊B4進一步形成反射防止膜的情況。此時，晶片W經由交接模塊CPL4交接至搬送臂A4，在形成反射防止膜之后，由搬送臂A4交接至交接模塊BF4。另一方面，在第一塊Bl內的上部，設置有穿棱臂E，其是用于從設置于支架單元Ul 的交接模塊CPLll向設置于支架單元U3的交接模塊CPL12直接搬送晶片W的專用的搬送部件。形成有抗蝕劑膜以及反射防止膜的晶片W，由交接臂D經由交接模塊BF3、BF4到達交接模塊CPL11，由此處利用穿棱臂E直接搬送至支架單元U3的交接模塊CPL12，并放置于接口塊S3。接著，晶片W由接口臂F搬送至曝光裝置S4，在進行規(guī)定的曝光處理之后，載置于支架單元U3的交接模塊TRS6，回到處理塊S2。返回的晶片W在第一塊Bl進行顯影處理， 由搬送臂Al搬送至支架單元Ul的交接單元C的到達范圍的交接模塊TRS1，經由交接單元 C回到載體20。此時，晶片W對于第一 第四塊Bl B4的各個模塊組，依據后述的搬送行程表由搬送臂Al A4對每個塊進行晶片W的搬送。此時，各塊Bl B4中，由各個搬送臂Al A4，在各個模塊組中從一個模塊取出晶片W，在接受下一模塊的晶片W之后將先前的晶片W 交于該下一模塊，這樣通過將置于各模塊的晶片W向編號后一個的模塊移動而進行一次搬送循環(huán)，在進行該一次搬送循環(huán)之后，進入下一搬送循環(huán)，通過依次進行各搬送循環(huán)，晶片W 依次從上述模塊組中編號小的模塊搬送至編號大的模塊，進行規(guī)定的處理。此處，在各處理塊Bl B4內，搬送臂Al A4從作為支架單元Ul的上述搬送循環(huán)的上游端的模塊的交接模塊CPL接受晶片，將該晶片沿上述搬送通路依次搬送至上述搬送循環(huán)的下游端的交接模塊BF，這樣以在處理塊Bl B4內分別進行搬送循環(huán)的方式構成。上述抗蝕劑圖案形成裝置具有由計算機構成的控制部3，其進行各模塊的方案管理、晶片W的搬送流程(搬送通路)的方案管理、各模塊的處理、交接部件C、交接臂D、搬送臂Al A4、穿棱臂E、接口臂F等的驅動控制。該控制部3具有例如由軟件構成的程序，該軟件具有以實施用于實現抗蝕劑圖案形成裝置整體的作用即對晶片W形成規(guī)定的抗蝕劑圖案的各模塊的處理和晶片W的搬送等的方式編有步驟(命令)組。通過由控制部3讀出這些程序，能夠由控制部控制抗蝕劑圖案形成裝置整體的作用。另外，該程序能夠以收納于例如軟盤、硬盤、光盤、磁光盤、存儲卡等存儲介質中的狀態(tài)被收納。圖4表示控制部3的結構，實際上由CPU(中央模塊)、程序和存儲器等構成，但本發(fā)明的特征在于模塊不能夠使用時的晶片W的搬送，因此此處將與其關聯的構成要素的一部分模塊塊以進行說明。圖4中30是總線，在該總線30上連接有方案存儲部31、方案選擇部32、搬送行程表變更部33、搬送控制部34、搬送控制程序35、警報產生部件36等。此外，各模塊M經由控制器CO與控制部3連接，在各個模塊M中發(fā)生故障時，從該模塊M經由控制器CO向控制部3輸出警報信號。另外，在該模塊M中包括例如設置于支架單元Ul U3的全部模塊和液體處理模塊。方案存儲部31是與存儲部相當的部位，例如是存儲有下述方案的部位記載有晶片W的搬送通路的搬送方案；內容為基于該搬送方案，將批次內的全部晶片W在哪個時刻搬送至哪個模塊的搬送行程表；記錄對晶片W進行處理的條件等的多個方案。方案選擇部32 是從存儲于方案存儲部31的方案中選擇適當的方案的部位，也能夠進行使用的模塊M的選擇等。如后所述，搬送行程表變更部33是，在晶片W的搬送中該晶片W的預定要搬送到的模塊成為不可使用模塊時，變更搬送模塊的部位。搬送控制部34參照上述搬送行程表， 以將記載于搬送循環(huán)數據的晶片搬送至與該晶片對應的模塊的方式，控制交接部件C、交接臂D、搬送臂Al A2、穿棱臂E、接口臂F，由此實施搬送循環(huán)。搬送控制程序35是在晶片W的搬送中該晶片W預定要搬送到的模塊成為不可使用模塊時進行驅動的程序。該程序基于例如在各個模塊發(fā)生故障時從各個模塊經由控制器 CO輸出的警報信號而被驅動。以在出現不可使用模塊時由警報產生部件36輸出警報，并且判斷是否能夠變更搬送目的地的模塊，在能夠變更的情況下由搬送行程表變更部33變更搬送行程表，由搬送控制部34依據新的搬送行程表進行晶片的搬送的方式，實施利用搬送臂Al A4等的晶片W的搬送控制。另一方面，在搬送目的地的模塊不能夠變更的情況下， 由搬送控制部34對搬送臂Al A4等輸出指令，停止晶片的搬送，或者實施不可使用模塊的下游側的晶片的搬送。由上述警報產生單元36進行燈的點亮、警報音的產生、向顯示畫面的警報顯示等的警報的產生。此處，上述不可使用模塊是指模塊發(fā)生故障，或者由于維修等不能夠搬入晶片的模塊。此外，搬送目的地的模塊能夠變更的情況是指，構成多模塊的多個模塊中的至少一個能夠使用的狀態(tài)。此時，多模塊是指分別配置有晶片并且搬送的編號已被確定的模塊組中， 搬送的編號相同，且對晶片進行同一處理的多個模塊，即設定為搬送方案的相同步驟的多個模塊。此外，搬送目的地的模塊不能夠變更的情況是指，在搬送方案的相同步驟中僅設定一個模塊的情況，或者在搬送方案的相同步驟設定有多個模塊，但沒有處于能夠使用的狀態(tài)的模塊的情況。此處，在圖5中表示設置于第三塊B3(以下稱為“COT層B3”)的模塊組的一個例子。在支架單元Ul設置有，在向該COT層B3搬入晶片時使用的三個交接模塊CPL31 33， 和在從該COT層B3搬出晶片時使用的一個交接模塊BF3。該交接模塊BF3構成為多層地載置多塊晶片。此外，液體處理模塊組L具有四個液體處理模塊COTl C0T4，在支架單元U2 排列有八個加熱模塊GHP31 GHP38和兩個加熱模塊GHA31、GHA32。在該例中，上述液體處理模塊COTl C0T4具有分別在其內部大致水平地載置基板的基板保持部，和包圍該基板保持部的周圍的罩。有時將該基板保持部稱作模塊。設置于COT層B3的全部模塊與用于在曝光前在基板上形成涂敷膜的模塊組相當。另外，這些模塊并非全部被使用，而是根據處理方案選擇使用的模塊。此外，圖6表示COT層B3的搬送方案的一個例子。作為此時使用的模塊，在搬送方案的步驟1設定為三個交接模塊CPL31 CPL33，在步驟2設定四個液體處理模塊COTl C0T4，在步驟3設定為五個加熱模塊GHP31 GHP35。由此，在COT層B3，步驟1的交接模塊CPL31 CPL33、步驟2的液體處理模塊COTl C0T4、步驟3的加熱模塊GHP31 GHP35 分別構成多模塊。接著使用圖7說明正常時候的搬送行程表。該搬送行程表表示由圖6的搬送方案和使用模塊制作出的COT層B3的搬送行程表的一部分。COT層B3依據該搬送行程表進行晶片W的搬送。這樣，在正常的時候，對多模塊的各模塊例如液體處理模塊COTl C0T4，從之前的模塊即交接模塊CPL31 CPL33以規(guī)定順序分配晶片。該批次的最初的晶片Wl在循環(huán)1中由交接臂D搬入搬送方案的最初的步驟1的交接模塊CPL31，在循環(huán)4中搬送至下一步驟2的液體處理模塊C0T31，在循環(huán)8搬送至下一步驟3的加熱模塊GHP31，在循環(huán)13搬送至最后的步驟4的交接模塊BF3。交接模塊BF3 的晶片W由交接臂D搬送至實施下一工序的其它塊Bl (B4)。以下對于模塊，以CPL、COT、 GHP、BF進行說明。此處，說明循環(huán)13中搬送臂A3的動作。利用一方的叉子從CPL31搬出晶片WlO 之后，移動至C0T2，此處利用另一方的叉子搬出C0T2內的晶片W6，之后將一方的叉子上的晶片WlO搬入該C0T2。然后移動至GHP31，在由一方的叉子搬出GHP31內的晶片Wl之后， 將另一方的叉子上的晶片W6搬入該GHP31。接著移動至BF3，將一方的叉子上的晶片Wl交接至該BF3。接著說明搬送行程表變更部33的搬送行程表的變更。此處分為情況(1)、情況 O)，進行搬送行程表的變更。首先在情況(1)中，在出現不可使用模塊時，在搬送臂Al A4在搬送循環(huán)中位于上述不可使用模塊的下游側或者訪問搬送循環(huán)的上游端的模塊之前，以滿足下述條件的方式制作新的搬送行程表。(Ι-a)將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊(搬送源模塊)的晶片W的搬送目的地，變更為該晶片W的下一晶片W將要搬入的模塊(搬送目的地模塊)。此處，不可使用模塊的前一個模塊是指實施搬送方案的前一步驟的模塊。(1-b)在該晶片W的下一個晶片W將要搬入的模塊為不可使用模塊時，進一步檢索下一個晶片W將要搬入的模塊，這樣搜索能夠使用的模塊，并將該能夠使用的模塊作為搬送目的地。該晶片W的下一個晶片W將要搬入的模塊為不可使用模塊是指在(ι-a)中變更后的搬送目的地模塊為不可使用模塊的情況。(1-c)在前一晶片W為不能夠從這樣決定的搬送目的地模塊內搬出的狀態(tài)時，不使搬送臂Al A4待機地進行搬送循環(huán)，直至成為晶片W能夠搬出的狀態(tài)。此處，各塊Bl B4具有用于搬入各晶片W的搬入用臺和用于從各塊Bl B4搬出晶片W的搬出用臺。搬送臂Al A4開始對搬入用臺進行訪問動作的時刻(“搬送循環(huán)的開始時刻”)相當于搬送臂Al A4結束對搬出用臺的訪問動作的時刻(“搬送循環(huán)的結束時刻”)。由此，“搬送循環(huán)的上游端的模塊”是指搬入用臺，“位于不可使用模塊的下游側”是指從對不可使用模塊進行訪問到結束訪問搬出用臺。COT層B3在設定例如圖6所示的搬送方案時，交接模塊CPL31 33相當于搬入用臺，交接模塊BF3相當于搬出用臺。此外，在情況O)中，在出現不可使用模塊時，在搬送循環(huán)開始，上述搬送臂Al A4在搬送循環(huán)中位于上述不可使用模塊的上游側時，以滿足下述條件的方式制作新的搬送行程表。此處，“搬送循環(huán)開始，搬送臂Al A4在搬送循環(huán)中位于上述不可使用模塊的上游側”是指，從搬送臂 Al A4訪問搬入用臺到訪問不可使用模塊。(2-a)將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊的晶片W的搬送目的地變更為該晶片W的下一個晶片W將要搬入的模塊。Q-b)在該晶片W的下一個晶片W將要搬入的模塊為不可使用模塊時，進一步檢索下一個晶片W將要搬入的模塊，這樣搜索能夠使用的模塊，將該能夠使用的模塊作為搬送目的地。(2-c)在前一晶片W為不能夠從這樣決定的搬送目的地的模塊內搬出的狀態(tài)時， 使搬送臂A3的搬送動作至少在被確定為上述搬送目的地的模塊的上游側待機。對于這樣變更后的搬送行程表，對在將批次的第五個晶片W5搬送至COTl之前， COTl成為不可使用模塊的情況，以情況(1)的(l-a)為例表示于圖8。另外，COTl的下游側的搬送模塊與情況O)同樣，因此省略情況O)的搬送行程表。此時，將預定搬入不可使用模塊(COTl)的、置于不可使用模塊的前一個模塊 (CPL32)的晶片W5的搬送目的地，變更為該晶片W5的下一個晶片W6將要搬入的模塊 (C0T2)。然后，下一個晶片W6以后的晶片，也是按照將晶片W6的搬送目的地變更為下一個晶片W7將要搬入的模塊(ccrn)的方式依次進行更變。在前一晶片W2為不能夠從這樣決定的搬送目的地模塊(C0T2)內搬出的狀態(tài)時， 不使搬送臂A3待機地進行搬送循環(huán)直至成為晶片W2能夠搬出的狀態(tài)。因此，在該情況(1) 中，使晶片W5在搬送源模塊(CPL3》內待機直至循環(huán)9之后，將該晶片W5搬送至搬送目的地模塊(C0T2)。此外，晶片W6之后的晶片，全部變更為不使用COTl的行程表，但是，因為此時多模塊(COT)的模塊數減少至三個，所以以將滯留循環(huán)數從3減為2的方式進行搬送行程表的變更，使得在循環(huán)12中能夠將晶片W8搬送至C0T2。此外，在情況(2)下，在前一晶片W為不能夠從已被確定的搬送目的地的模塊內搬出的狀態(tài)時，使搬送臂A3的搬送動作至少在確定為上述搬送目的地的模塊(C0T2)的上游側待機。即，以使保持晶片W5的搬送臂A3在新的搬送目的地模塊(COI^)的上游側待機的方式進行控制，直至成為前一晶片W能夠從決定的搬送目的地的模塊內搬出的狀態(tài)。這樣，上述控制部3構成為，在構成上述多模塊的多個模塊的至少一個不能夠使用而成為不可使用模塊并且至少一個處于能夠使用的狀態(tài)時，進行上述(1)和(2)的動作。接著以COT層B3為例，使用圖9的流程圖說明本實施方式的作用。首先，在開始對作為基板的晶片W進行處理之前，操作員進行處理方案、搬送方案、搬送行程表的選擇。由此依據上述正常時候的搬送行程表，利用搬送臂A3進行晶片W的搬送。然后，在搬送臂A3 向搬送源模塊前的移動完成時(步驟Sl 1)，判斷是否能夠向搬送目的地模塊搬送晶片W (步驟S12)，如果為“是”則進入步驟S13，如果是“否”則進入步驟S14。在步驟S14中，判斷是否能夠變更搬送目的地模塊，如果為“是”則進入步驟S15。 如果為“否”則進入步驟S16，判斷是否存在能夠搬送至不可使用模塊的下游側的晶片W。然后，如果為“是”則進行上述下游側的晶片W的搬送(步驟S17)，如果為“否”則停止晶片W 的搬送(步驟S18)。另一方面，在步驟S14中判斷為“是”(能夠變更搬送目的地模塊)時，在步驟S15中制作新的搬送行程表，并變更搬送目的地模塊，在新的搬送目的地模塊成為能夠搬送晶片的狀態(tài)后(步驟S19)，在步驟S13從搬送源模塊搬出晶片W。其中，新的搬送目的地模塊成為能夠搬送晶片的狀態(tài)是指，如果搬送臂A3能夠訪問該搬送目的地模塊，則置于該新的搬送目的地模塊內的前一晶片W為能夠搬出的狀態(tài)。然后，使搬送臂A3移動至搬送目的地模塊前(步驟S20)，再次判斷是否能夠向搬送目的地模塊搬送晶片W(步驟S21)。然后，如果為“是”則進入步驟S22，向搬送目的地模塊搬入晶片W，如果為“否”則進入步驟S23，判斷是否能夠變更搬送目的地模塊。由此，如果為“是”則進入步驟S24，制作新的搬送行程表，變更搬送目的地模塊，在新的搬送目的地模塊成為能夠搬入晶片的狀態(tài)后(步驟S2Q，回到步驟S20，繼續(xù)進行搬送。另一方面，如果為“否”則進入步驟S26，在搬送目的地模塊前保持晶片W，停止搬送臂的搬送。接著說明各種情況。此處，如圖10(a)所示，以搬送源模塊為CPL31、搬送目的地模塊為C0T1、在將晶片W5搬送至COTl之前在該COTl中發(fā)生故障的情況為例進行說明。圖 10(b)表示正常時候的搬送行程表的一部分。首先說明情況1的(Ι-a)的狀態(tài)，在使搬送臂A3移動到搬送源模塊(CPL31)前之后，確認是否能夠將該晶片W5搬送至搬送目的地模塊(COTl)，在確認該COTl為不可使用模塊時，如上所述變更為圖11(a)所示的新的搬送行程表，將搬送目的地變更為新的搬送目的地模塊即C0T2。接著，在成為能夠將晶片W5搬送至C0T2的狀態(tài)后，從CPL31搬出晶片W5并搬送至C0T2前，向該C0T2搬入該晶片W5。另外，對于晶片W5以后的晶片W，同樣地以下一晶片W的搬送目的地成為新的搬送目的地模塊的方式變更搬送行程表。該情況1 中晶片W5在搬送源模塊CPL31內等待搬送，COTl內的晶片Wl被搬出。此外，說明情況2的O-a)的狀態(tài)。從搬送源模塊(CPL31)搬出晶片W5，在使晶片 W5移動至搬送目的地模塊(COTl)前之后，確認是否能夠將該晶片W5搬送至C0T1，在確認該COTl為不可使用模塊時，如上所述變更為圖11(b)所示的新的搬送行程表，將搬送目的地變更為新的搬送目的地模塊即C0T2。接著在成為能夠將晶片W5搬送至C0T2的狀態(tài)后， 使晶片W5移動到該C0T2前，向該C0T2搬入該晶片W5。對于晶片W5的后續(xù)的晶片W，也同樣以變更搬送目的地模塊的方式制作新的搬送行程表。圖11的搬送行程表中“WAIT”表示等待晶片W的搬送的循環(huán)，在該情況2中晶片W5以在發(fā)生了故障的COTl前保持在搬送臂 A3上的狀態(tài)等待搬送。此外，COTl內的晶片Wl不被搬出而留在COTl內。在這樣的實施方式中，在構成上述多模塊的多個模塊的至少一個不能夠使用而成為不可使用模塊并且至少一個處于能夠使用的狀態(tài)時，將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊(搬送源模塊)中的晶片W的搬送目的地(搬送目的地模塊) 變更為該晶片W的下一個晶片W將要搬入的模塊，因此，能夠迅速地進行晶片W的搬送。S卩，如圖7的正常時候的搬送行程表所示，在正常時例如晶片W5在循環(huán)8中搬送至C0T1，在循環(huán)17中搬送至BF3。與此相對，在COTl成為不可使用模塊時，如圖8的搬送行程表所示，例如晶片W5在循環(huán)9中搬送至C0T2，晶片W5的后續(xù)的晶片W也依次一個一個地在接下來的循環(huán)中分別被搬送。這樣，雖然晶片W5之后的晶片W待機一個循環(huán)，但是不會在途中停止搬送，能夠不發(fā)生遲滯地迅速地進行搬送。因此，能夠抑制晶片W停留于加熱模塊GHP中，導致晶片W過熱、膜質劣化等的問題的發(fā)生，結果能夠抑制晶片W的制品不良的發(fā)生。為在搬送行程表中能夠使用的COT的臺數減少，所以只要以減少COT內的晶片W的滯留循環(huán)數的方式變更搬送行程表，晶片W2之后的晶片W就能夠與正常時候同樣地在循環(huán)14搬送至BF3，向其它的塊B1、B2、B4的晶片W的交接不會發(fā)生延遲， 能夠迅速地進行該晶片W的搬送。此外，根據在出現不可使用模塊時，搬送晶片W的搬送臂相對于不可使用模塊位于哪個位置，而如上所述分為情況1、情況2，以不同的方法控制搬送臂的移動，因此，無論在哪個時刻出現不可使用模塊，都能夠迅速地應對，搬送臂的控制變得容易。以上，如情況1的(1-b)、情況2的(2-b)所記載的那樣，在(Ι-a)中被變更的新的搬送目的地模塊為不可使用模塊的情況下，進一步檢索下一個晶片W將要搬入的模塊，這樣搜索能夠使用的模塊，將該能夠使用的模塊作為搬送目的地。在該例中，以在例如將晶片 W5搬送至COTl之前COTl和C0T2成為不可使用模塊的情況為例，參照圖12所示的新的搬送行程表進行說明。圖12(a)與上述情況(1)對應，在從搬送源模塊搬出晶片W5之前，COTl、C0T2成為不可使用模塊，因此，將晶片W5的新的搬送目的地變更為正常時候的后續(xù)的晶片W6的搬送目的地C0T2，但該C0T2也為不可使用模塊，因此進一步以變更為后續(xù)的晶片W7的搬送目的地C0T3的方式變更搬送行程表。然后，使晶片W5在搬送源模塊CPL31內待機，直至成為能夠將晶片W5搬入C0T3的狀態(tài)，在從C0T3搬出前一晶片W3之后，將該晶片W5搬入C0T3。 對晶片W5之后的晶片，也同樣變更搬送目的地，以依次搬送至能夠使用的模塊的方式變更搬送行程表。此外，圖12(b)與上述情況(2)對應，在從搬送源模塊CPL31搬出晶片W5之后， C0TUC0T2成為不可使用模塊，在想要將晶片W5的新的搬送目的地變更為正常時候的后續(xù)的晶片W6的搬送目的地C0T2時，因為該C0T2也為不可使用模塊，所以進一步以變更為后續(xù)的晶片W7的搬送目的地C0T3的方式制作新的搬送行程表。然后，使晶片W5在新的搬送目的地模塊C0T3的上游側以保持于搬送臂A3的狀態(tài)待機，直至成為能夠將晶片W5搬送 C0T3的狀態(tài)，在從C0T3搬出前的晶片W3之后，將該晶片W5搬入C0T3。對晶片W5之后的晶片，也同樣變更搬送目的地，以依次搬送至能夠使用模塊的方式變更搬送行程表。此外，在多模塊的所有模塊都為不可使用模塊的情況下，以如下所述進行搬送臂的控制的方式構成控制部3。即，在將晶片W從搬送源模塊搬出之前，搬送目的地的模塊全部變得不能夠使用時，以不從搬送源模塊進行晶片W的搬出的方式進行控制。此外，在將晶片W從搬送源模塊搬出之后搬送目的地的模塊全部變得不能夠使用時，以維持保持晶片W 的狀態(tài)在搬送目的地模塊前停止搬送的方式進行控制。另外，在搬送方案中設定于相同步驟的模塊為一個的情況下，在該模塊成為不可使用模塊時，以如下所述進行搬送臂的控制的方式構成控制部3。即，在將晶片W從搬送源模塊搬出之前搬送目的地模塊變得不能夠使用時，以不從搬送源模塊進行晶片W的搬出的方式進行控制。此外，在將晶片W從搬送源模塊搬出之后搬送目的地模塊變得不能夠使用時，以維持保持晶片W的狀態(tài)在搬送目的地模塊前停止搬送的方式進行控制。進一步，對在同一塊中，實施搬送方案的不同步驟的多個模塊成為不可使用模塊時的情況。在該情況下，以如下所述進行晶片W的搬送控制的方式構成控制部3。S卩，如果與不可使用模塊設定為相同步驟的模塊能夠使用，則以將晶片W的新的搬目的地變更為各自的正常時候的后續(xù)的晶片W的搬送目的地，而進行晶片W的搬送的方式進行控制。例如， 圖13表示COT層B3中C0T1、GHP34成為不可使用模塊的情況，在該情況下，以將晶片W的新的搬送目的地變更為正常時候的后續(xù)的晶片W的搬送目的地C0T2、GHP35，而進行晶片W 的搬送的方式進行控制。進一步，說明在不同的塊中多個模塊成為不可使用模塊時的情況。在該情況下，以如下所述進行晶片W的搬送控制的方式構成控制部3。即，如果與不可使用模塊設定為相同步驟的模塊能夠使用，則將晶片W的新的搬送目的地變更為各自的正常時的后續(xù)的晶片W 的搬送目的地，進行晶片W的搬送。例如，圖14表示COT層B3中C0T1、TCT層B4中GHA42 成為不可使用模塊的情況，在該情況下，以將晶片W的新的搬送目的地變更為正常時候的后續(xù)的晶片W的搬送目的地C0T2、GHA43,而進行晶片W的搬送的方式進行控制。另外，作為用于在曝光光在基板上形成涂敷膜的模塊組，不僅是第三塊(COT層) B3的模塊組，還包括用于形成抗蝕劑膜的下層側的反射防止膜的模塊組即第二塊(BCT層) B2的模塊組，和用于形成抗蝕劑膜的上層側的反射防止膜的模塊組即第四模塊(TCT層)B4 的模塊組。此外，用于進行對曝光后的基板進行的處理即包括顯影的處理的模塊組，與第一塊(DEV層)Bl的模塊組相當。在這樣的COT層B3以外的塊B1、B2、B4中，也與上述COT層 B3同樣地進行晶片W的搬送。此處，DEV層Bl中液體處理模塊DEV跨兩層而設置，因此，對該DEV層Bl內的晶片W的搬送進行簡單說明。此處，如圖15所示，以液體處理模塊DEV在一層中各排列有四個，設置有共計八個液體處理模塊DEVl DEV8的情況為例進行說明。在該DEV層Bl中也與COT層B3同樣，各個液體處理模塊DEVl DEV8具有分別在其內部大致水平地載置基板的基板保持部，和包圍該基板保持部的周圍的罩，將該基板保持部被稱作模塊。圖15中5A 5D是用于對基板保持部上的晶片W供給顯影液的處理噴嘴，在各層的兩側分別設置有一個處理噴嘴。這些處理噴嘴根據搬送方案設定而設定使用的噴嘴，在各層的處理噴嘴內使用兩方的處理噴嘴時，也能夠進行使用任一方的處理噴嘴時的使用哪一個的設定。例如，在根據搬送方案設定，設定為使用兩側的處理噴嘴的情況下，由噴嘴5A 對DEVI、DEV2、DEV3進行處理，由噴嘴5B對DEV5、DEV6、DEV7進行處理，由兩根噴嘴5C、5D 分別對DEV4、DEV8進行處理。此外，記載于各模塊DEVl DEV8的括號內的數字是晶片W的搬入編號(順序)，通過以該順序搬入晶片W，在使用共用的噴嘴的模塊彼此之間，即在DEV1、DEV2、DEV3與DEV5、 DEV6、DEV7之間，不會連續(xù)搬入晶片W，而是空出多次搬送循環(huán)，在該例中為兩次循環(huán)的量。 這樣，通過空出搬送循環(huán)，在使用共用噴嘴的模塊間，能夠在一方的模塊進行顯影處理的期間，對另一方的模塊進行晶片W的搬入搬出。即，在使用共用噴嘴的模塊，能夠防止由噴嘴占用引起的處理開始延遲，因此能夠順利地進行顯影處理。例如，在使用圖5所示的結構進行顯影處理時，在正常時的搬送中，晶片Wl搬送至 DEVI、晶片W2搬送至DEV5、晶片W3搬送至DEV4、晶片W4搬送至DEV2、晶片W5搬送至DEV6、 晶片W6搬送至DEV8、晶片W7搬送至DEV3、晶片W8搬送至DEV7。此處，在將晶片W6搬送至 DEV8之前，如圖16(a)所示，在DEV8成為不可使用模塊時，將晶片W6的搬送目的地變更為下一個晶片W7要搬送到的DEV3，接著對后續(xù)的晶片W也同樣地依次將搬送目的地變更為下一個晶片W要搬送到的模塊，進行晶片W6之后的晶片W的搬送，這樣由控制部3進行搬送控制。由此，在使用共用噴嘴的模塊間，即使是DEV8成為不可使用狀態(tài)之后，也不會連續(xù)搬入晶片W，而是空開一循環(huán)的量的搬送循環(huán)，能夠如上所述繼續(xù)進行順利的顯影處理。 另外，如果僅是將搬送目的地變更為鄰接的模塊，則如圖16(b)所示，將晶片W6搬入DEV7， 并且如圖所示搬送晶片W6之后的晶片W7，但這樣的話，在DEV6與DEV7之間，在使用共用噴嘴的模塊間，連續(xù)搬入晶片W5、W6，在將晶片W6搬入DEV7之前存在待機時間，順利的搬送被打斷。如上所述，在晶片Wn被搬送至搬送目的地模塊Ml之前，該模塊Ml成為不可使用模塊，新的搬送模塊被變更為搬送目的地模塊M2的情況下，在該模塊M2的處理方案R2與原來的搬送目的地模塊Ml的處理方案Rl不同的情況下，以在將新的搬送目的地變更為該模塊M2之后，從控制部3向模塊M2傳送處理方案Rl，之后晶片Wn被搬送至該模塊M2的方式由控制部3進行控制。此外，在上述裝置中出現不可使用模塊時，以對于已經從載體塊Sl進行晶片W的送出的批次，保持原樣繼續(xù)進行晶片W的送出的方式由控制部3進行控制。另一方面，對于在出現不可使用模塊時沒有從載體塊Sl進行晶片W的送出的批次，可以進行送出，也可以
停止送出。進一步，對于上述裝置中的準分配(dummy dispense)以下述方式從控制部3輸出控制指令。即，在出現不可使用模塊時，在搬送批次的最前的晶片W之前，在不可使用模塊以外的模塊中需要進行準分配時，以在該準分配結束之后，開始晶片W的搬送的方式進行控制。此外，對于不可使用模塊的準分配來說，在共用噴嘴中需要進行準分配時，在使用共用噴嘴的模塊的一個為能夠使用的模塊的情況下，以實施準分配的方式進行控制。另一方面，在對于不可使用模塊的共用噴嘴之外的噴嘴需要進行準分配時，以不實施分配的方式控制。此外，對于與不可使用模塊為相同模塊組的能夠使用的模塊來說，在共用噴嘴以外的噴嘴需要進行準分配時，以實施分配的方式進行控制。此外，在多模塊中已經出現不可使用模塊的狀態(tài)下進而出現不可使用模塊的情況下，以如果有能夠使用的模塊，則使用該模塊繼續(xù)進行搬送，如果沒有能夠使用的模塊，則停止晶片W的搬送的方式進行控制。此時，在搬送臂Al A4不保持晶片W的情況下，以繼續(xù)進行不可使用模塊的下游側的搬送的方式進行控制。此外，在不可使用模塊恢復，成為能夠使用的模塊的情況下，以在不可使用模塊成為能夠使用的模塊的時刻，從沒有搬送至包括該不可使用模塊的多模塊的晶片W開始，向該能夠使用的模塊搬送的方式由控制部3進行控制。另外，是否成為能夠使用的模塊，可以從各模塊M經由控制器CO將已恢復的情息輸出至控制部3，也可以由操作員輸入已恢復的 fn息ο例如，以C0T4為不可使用模塊，在搬送晶片W4前C0T4恢復成為能夠使用的模塊的情況為例，使用圖17進行說明。圖17(a)表示C0T4恢復成為能夠使用的模塊之前的晶片 W的搬送順序，作為搬送源模塊的CPL31的晶片W4向COTl搬送，CPL32的晶片W5向C0T2 搬送，CPL33的晶片W6向C0T3搬送。與此相對，圖17(b)表示C0T4恢復成為能夠使用的模塊后的晶片W的搬送順序， 在C0T4成為能夠使用的模塊的時刻，從沒有搬送至包括該C0T4的多模塊的晶片W4開始，向該C0T4搬送。這樣從不可使用模塊能夠使用的時刻開始，再次開始向該模塊的晶片W的搬送，因此，當模塊能夠使用時立即使用，能夠提高生產率。 如上所述，本發(fā)明能夠應用于處理半導體晶片以及液晶顯示器用的玻璃基板(LCD 基板)等基板的涂敷、顯影裝置。
權利要求
1.一種基板處理裝置，其包括載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組，在模塊組中，包括搬送的編號順序相同且對基板進行相同處理的多個模塊所構成的多模塊，利用搬送部件從一個模塊取出基板，在接受下一模塊的基板之后將先前的基板交于該下一模塊中，由此通過將置于各模塊中的基板向順序上為后一個的模塊移動來進行一個搬送循環(huán)，在進行該一個搬送循環(huán)之后，進入下一搬送循環(huán)，通過依次進行各搬送循環(huán)，基板依次從所述模塊組中的編號順序小的模塊被搬送至編號順序大的模塊，并被實施規(guī)定的處理，在通常時，對所述多模塊的各模塊從之前的模塊開始以基板的規(guī)定順序進行分配， 該基板處理裝置的特征在于，包括存儲部，其存儲對基板分配編號順序，將使基板的編號順序與各模塊相關聯并指定搬送循環(huán)的搬送循環(huán)數據依時間順序排列而制成的搬送行程表；和控制部，其以參照所述搬送行程表，將寫入搬送循環(huán)數據的基板搬送至與該基板對應的模塊的方式控制所述搬送部件，由此實施搬送循環(huán)，所述控制部構成為，在構成所述多模塊的多個模塊的至少一個為不能夠使用的不可使用模塊并且至少一個處于能夠使用的狀態(tài)時，進行下述(1)和O)的動作(1)在出現不可使用模塊時，在所述搬送部件在搬送循環(huán)中位于所述不可使用模塊的下游側或者訪問搬送循環(huán)的上游端的模塊之前，(Ι-a)將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊中的基板的搬送目的地，變更為該基板的下一個基板將要搬入的模塊，(Ι-b)在該基板的下一個基板將要搬入的模塊為不可使用模塊時，進一步檢索下一個基板將要搬入的模塊，由此搜索能夠使用的模塊，并將該能夠使用的模塊作為搬送目的地， (1-c)在前一基板為不能夠從這樣決定的搬送目的地模塊內搬出的狀態(tài)時，不使搬送部件待機來進行搬送循環(huán)，直至成為基板能夠搬出的狀態(tài)；(2)在出現不可使用模塊時，在搬送循環(huán)開始，所述搬送部件在搬送循環(huán)中位于所述不可使用模塊的上游側時，(2-a)將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊的基板的搬送目的地變更為該基板的下一個基板將要搬入的模塊，(2-b)在該基板的下一個基板將要搬入的模塊為不可使用模塊時，進一步檢索下一個基板將要搬入的模塊，由此搜索能夠使用的模塊，將該能夠使用的模塊作為搬送目的地，(2-c)在前一基板為不能夠從這樣決定的搬送目的地模塊內搬出的狀態(tài)時，使搬送部件的搬送動作至少在被確定為所述搬送目的地的模塊的上游側待機。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于涂敷、顯影裝置包括用于在曝光前在基板上形成涂敷膜的模塊組，和用于進行作為在曝光后對基板進行的處理的、包括顯影的處理的模塊組，該涂敷、顯影裝置對基板涂敷抗蝕劑，并且使曝光后的基板顯影，在該涂敷、顯影裝置中，用于形成這些涂敷膜的模塊組和用于進行包括顯影的處理的模塊組分別具有專用的搬送通路，由專用的搬送部件在模塊組之間進行基板的搬送，載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組，是用于在曝光前在基板上形成涂敷膜的模塊組。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于涂敷、顯影裝置包 括用于在曝光前在基板上形成涂敷膜的模塊組，和用于進行作為在曝光后對基板進行的處理的、包括顯影的處理的模塊組，該涂敷、顯影裝置對基板涂敷抗蝕劑，并且使曝光后的基板顯影，在該涂敷、顯影裝置中，用于形成這些涂敷膜的模塊組和用于進行包括顯影的處理的模塊組分別具有專用的搬送通路，由專用的搬送部件在模塊組之間進行基板的搬送，載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組，是用于進行作為在曝光后對基板進行的處理的、包括顯影的處理的模塊組。
4. 一種基板處理方法，其用于基板處理裝置，該基板處理裝置具有載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組，在模塊組中，包括搬送的編號順序相同且對基板進行相同處理的多個模塊所構成的多模塊，利用搬送部件從一個模塊取出基板，在接受下一模塊的基板之后將先前的基板交于該下一模塊，由此通過將置于各模塊中的基板向順序上為后一個的模塊移動來進行一個搬送循環(huán)，在進行該一個搬送循環(huán)之后，進入下一搬送循環(huán)，通過依次進行各搬送循環(huán)，基板依次從所述模塊組中的編號順序小的模塊被搬送至編號順序大的模塊，并被實施規(guī)定的處理，在通常時，對所述多模塊的各模塊從之前的模塊開始以基板的規(guī)定順序進行分配， 該基板處理裝方法的特征在于，包括參照對基板分配編號順序，將使基板的編號順序與各模塊相關聯并指定搬送循環(huán)的搬送循環(huán)數據依時間順序排列而制成的搬送行程表，利用所述搬送部件，將寫入搬送循環(huán)數據的基板搬送至與該基板對應的模塊的工序；和在構成所述多模塊的多個模塊的至少一個為不能夠使用的不可使用模塊并且至少一個處于能夠使用的狀態(tài)時，進行下述(1)和O)的動作的工序，(1)在出現不可使用模塊時，在所述搬送部件在搬送循環(huán)中位于所述不可使用模塊的下游側或者訪問搬送循環(huán)的上游端的模塊之前，(Ι-a)將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊中的基板的搬送目的地，變更為該基板的下一個基板將要搬入的模塊，(Ι-b)在該基板的下一個基板將要搬入的模塊為不可使用模塊時，進一步檢索下一個基板將要搬入的模塊，由此搜索能夠使用的模塊，并將該能夠使用的模塊作為搬送目的地， (1-c)在前一基板為不能夠從這樣決定的搬送目的地模塊內搬出的狀態(tài)時，不使搬送部件待機來進行搬送循環(huán)，直至成為基板能夠搬出的狀態(tài)；(2)在出現不可使用模塊時，在搬送循環(huán)開始，所述搬送部件在搬送循環(huán)中位于所述不可使用模塊的上游側時，(2-a)將預定搬入不可使用模塊的、置于不可使用模塊的前一個模塊的基板的搬送目的地變更為該基板的下一個基板將要搬入的模塊，(2-b)在該基板的下一個基板將要搬入的模塊為不可使用模塊時，進一步檢索下一個基板將要搬入的模塊，由此搜索能夠使用的模塊，將該能夠使用的模塊作為搬送目的地，(2-c)在前一基板為不能夠從這樣決定的搬送目的地模塊內搬出的狀態(tài)時，使搬送部件的搬送動作至少在被確定為所述搬送目的地的模塊的上游側待機。
全文摘要
本發(fā)明提供基板處理裝置和基板處理方法。本發(fā)明在構成多模塊的模塊為不可使用模塊時，能夠迅速地進行基板的搬送，抑制制品不良的發(fā)生。在將基板搬送至搬送目的地模塊之前，該搬送目的地模塊變得不能夠使用時，將基板的搬送目的地變更為該基板的下一個基板將要搬入的模塊。在出現不可使用模塊時，在為上述搬送部件例如訪問搬送循環(huán)的上游端的模塊之前時，以進行搬送循環(huán)直至成為前一基板能夠從變更后的搬送目的地模塊內搬出的狀態(tài)的方式進行控制。此外，在出現不可使用模塊時，在上述搬送部件在搬送循環(huán)中位于上述不可使用模塊的上游側時，以使搬送部件的搬送動作待機直至成為前一基板能夠從變更后的搬送目的地模塊搬出的狀態(tài)的方式進行控制。
文檔編號H01L21/677GK102169848SQ20111004735
公開日2011年8月31日 申請日期2011年2月24日 優(yōu)先權日2010年2月24日
發(fā)明者松山健一郎, 松本武志 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社