專利名稱：半導(dǎo)體集成電路以及用于制造半導(dǎo)體集成電路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有安裝在帶狀或者膜狀襯底上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體集成電路，以及用于制造該半導(dǎo)體集成電路的方法。
背景技術(shù)：
近來，在TV和個(gè)人電腦顯示器中使用的顯示裝置已經(jīng)在屏幕尺寸上變得越來越大，在分辨率上變得越來越高，并且在用于顯示裝置的IC，特別是源極驅(qū)動(dòng)器中的輸出端子的數(shù)量已經(jīng)超過了 900個(gè)。同時(shí)，對(duì)于將每個(gè)顯示面板的外圍處的非顯示區(qū)域的尺寸設(shè)計(jì)得更小的所謂的窄邊框規(guī)格的顯示面板也存在著很大的需求。此外，成本競(jìng)爭(zhēng)變得越來越激烈。縮小驅(qū)動(dòng)器 IC的芯片尺寸是一種對(duì)策。這是因?yàn)閺牟牧虾凸r(shí)的角度來看，都可以使制造成本降低。另一方面，在封裝模式中，顯示裝置IC需要能夠在窄邊框區(qū)域內(nèi)安裝大量的輸出端子，所以在很多情況下，使用薄的柔性基底材料和采用在高度上壓縮的可彎曲TAB或者 COF構(gòu)造。此外，相對(duì)于驅(qū)動(dòng)器IC的輸出端子近來的窄節(jié)距的趨勢(shì)，并且還根據(jù)顯示裝置的負(fù)載線和驅(qū)動(dòng)器IC之間的連接可靠性的立場(chǎng)，使得現(xiàn)在最流行的是TCP和C0F。具體地，用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)器IC必須安裝在近來的窄邊框規(guī)格的顯示裝置內(nèi)。 即，用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)器IC需要具有多個(gè)輸出端子，較小的區(qū)域，并且足夠薄。為了滿足該條件，已經(jīng)提出了如下一種半導(dǎo)體集成電路，其中，將短邊長(zhǎng)度較小并且外圍長(zhǎng)度較大的細(xì)長(zhǎng)型薄芯片安裝在膜襯底上。然而，隨著將芯片制成更薄，則幾何慣性矩將變得更小，芯片變得更加容易被損壞，并且在被安裝在膜上之后抵抗縱向方向上的彎曲的能力變得極弱，即，抵抗在驅(qū)動(dòng)器IC的電路集成表面上作用的力的能力變得極弱。因此，需要考慮對(duì)生產(chǎn)時(shí)的可移動(dòng)性和安裝時(shí)的撓曲強(qiáng)度進(jìn)行一定的改善。在日本申請(qǐng)公開No. 2008-177618、No. 2001-053108、No. 2002-158309、 No. Hei09 (1997)-246315、以及No. 2002-118127中描述了具有安裝在膜襯底上的半導(dǎo)體芯片的COP(膜上芯片)類型的半導(dǎo)體集成電路。圖6是示出了在日本申請(qǐng)公開 No. 2008-177618中描述的半導(dǎo)體集成電路100的視圖。如圖6中所示，半導(dǎo)體元件102被連接到帶狀載體101，并且在帶狀載體101和半導(dǎo)體元件102之間的空隙被利用絕緣樹脂 103進(jìn)行密封。多個(gè)突出的電極105被設(shè)置在半導(dǎo)體元件102上。帶狀載體101用于耦合和安裝半導(dǎo)體元件102，并且其包括布線圖案107、阻焊劑108、以及絕緣帶109。布線圖案 107中的每個(gè)均局部地具有不同的厚度。更加具體地，只有布線圖案107和半導(dǎo)體元件102 被耦合在一起的部分(耦合部分)的厚度小于其他部分(未耦合部分)的厚度。因此，在耦合部分中，布線圖案107的節(jié)距可以做得較精細(xì)，而在未耦合部分中，可以提高布線部分 107的機(jī)械強(qiáng)度，并且還能夠改善半導(dǎo)體集成電路100的強(qiáng)度。圖7是示出了在日本申請(qǐng)公開No. 2001-053108中描述的半導(dǎo)體集成電路110的視圖。半導(dǎo)體集成電路110包括基底膜111、半導(dǎo)體元件113、用于連接半導(dǎo)體元件113的布線圖案的連接114、用于布線圖案的外部連接的連接器部分115、粘合層116、通過聚酰亞胺基絕緣膜形成的加強(qiáng)構(gòu)件117、凸起118、以及密封樹脂119。半導(dǎo)體集成電路110具有細(xì)長(zhǎng)型基底膜的布線圖案形成表面1，并且在其相反側(cè)上，具有聚酰亞胺基加強(qiáng)構(gòu)件117，其具有15 μ m到400 μ m的膜厚度。利用加強(qiáng)構(gòu)件117，與傳統(tǒng)COF相比較，在沒有改變可彎曲度的情況下，可以改善在COF或者TCP(帶狀載體封裝)中的積累的節(jié)距的尺度精度，以及用于布線圖案的外部連接的連接器部分115或者布線圖案與半導(dǎo)體元件113的連接中的強(qiáng)度。圖8是示出了在日本申請(qǐng)公開No. 2002-158309中描述的半導(dǎo)體集成電路130的視圖。在襯底131中，在帶狀基底135的表面上形成布線層，引線部分137和連接盤部分 138被分別設(shè)置在每個(gè)布線圖案136的兩端處，并且孔徑139被形成在帶狀基底135中，使得連接盤138被暴露于帶狀基底的背表面。在襯底131的表面上的除了引線部分137之外的布線圖案136被阻焊劑140覆蓋。在芯片132的表面上設(shè)置有電極部分141，其被連接到預(yù)定的集成電路。芯片132 被面向下安裝在襯底131的表面上，并且例如金(Au)的凸起這樣的電極部分141被電耦合到襯底131的引線部分137。例如，諸如聚酰亞胺樹脂這樣的密封材料133密封在芯片132 的電極部分141和襯底131的引線部分137之間的連接。通過例如錫(Sn)或者鉛(Pb)或者無鉛焊料球形成的外部端子134通過孔徑139而被電耦合到連接盤部分138。加強(qiáng)框142 被粘附到襯底131的表面，以防止由于帶狀基底135而形成的襯底131的變形。在上述結(jié)構(gòu)中，由于布線耦合到芯片電極部分的襯底的引線部分被固定到帶狀基底上，所以可以減小由于引線彎曲而導(dǎo)致的缺陷，并且因此可以將半導(dǎo)體集成電路中的焊盤節(jié)距變窄。圖9A是在日本申請(qǐng)公開No. hei (1997)-246315中描述的半導(dǎo)體集成電路150的截面圖，并且圖9B是其平面圖。在半導(dǎo)體集成電路150中，作為接地線的布線膜153E和 15 被延伸到膜電路151的外圍部分，具有導(dǎo)電性的加強(qiáng)板175被使用，并且使用例如在膜電路151的外圍部分處的導(dǎo)電膏176而將作為接地線的布線膜153E和15 與導(dǎo)電加強(qiáng)板 175電耦合在一起。其中，要求散熱器177被結(jié)合到半導(dǎo)體元件154的背表面以及膜電路 151的背表面。通過下述步驟來制造半導(dǎo)體集成電路150 將加強(qiáng)板175結(jié)合到膜電路151， 之后，將半導(dǎo)體元件1 定位在被加強(qiáng)板175包圍的位置處，將其電極結(jié)合到膜電路151的半導(dǎo)體元件側(cè)端子上，并且然后利用密封材料174來密封加強(qiáng)板175、膜電路151和半導(dǎo)體元件154ο根據(jù)該方法，圍繞半導(dǎo)體元件巧4的加強(qiáng)板175可以被制成接地線，并且與其他部分靜電屏蔽。因此，通過耦合到加強(qiáng)板175的接地線15 ,可以防止噪聲從半導(dǎo)體器件的外部進(jìn)入到半導(dǎo)體元件154內(nèi)，可以防止在半導(dǎo)體元件154內(nèi)部產(chǎn)生的噪聲輻射到外部，并且可以防止半導(dǎo)體元件的內(nèi)部的串?dāng)_。圖10是示出了在日本申請(qǐng)公開No. 2002-118127中描述的半導(dǎo)體集成電路180的視圖。半導(dǎo)體集成電路180包括用于安裝半導(dǎo)體集成電路180的支撐膜181、形成在支撐膜181上的內(nèi)引線182、以及在支撐膜181上設(shè)置的芯片安裝區(qū)域和芯片密封區(qū)域周圍形成的阻擋部分183。根據(jù)在日本申請(qǐng)公開No. 2002-118127中公開的技術(shù)，通過從半導(dǎo)體器件 184的組件側(cè)罐封樹脂，使得在半導(dǎo)體芯片184的底部和在膜181上形成的阻擋部分183之間的空隙被利用樹脂185來密封。同樣地，芯片184的側(cè)面和阻擋區(qū)域的側(cè)面被利用樹脂 185來密封。通過使用具有阻擋部分的膜，不僅可以防止內(nèi)引線的彎曲和增加樹脂釋放量， 而且還可以防止樹脂沒有充分流到芯片安裝表面上。

發(fā)明內(nèi)容
在日本申請(qǐng)公開No. 2008-177618中描述的半導(dǎo)體集成電路中，未耦合部分的厚度被制成比耦合部分中的布線層的厚度更大，以改善布線層的機(jī)械強(qiáng)度。然而，利用僅僅增加在耦合部分附近的絕緣樹脂的厚度的結(jié)構(gòu)，特別是如果芯片被以其長(zhǎng)邊的兩端為支點(diǎn)而被彎曲，使得基底構(gòu)件側(cè)凹陷并且芯片表面?zhèn)韧钩?，則芯片很容易被損壞，并且不可能獲得足夠的撓曲強(qiáng)度。在日本申請(qǐng)公開No. 2001-053108中描述的半導(dǎo)體集成電路中，通過加強(qiáng)構(gòu)件117 而加強(qiáng)了抗彎曲強(qiáng)度，但是僅僅通過具有15 μ m至400 μ m厚度的聚酰亞胺基加強(qiáng)構(gòu)件117， 很難獲得足夠的撓曲強(qiáng)度。在日本申請(qǐng)公開No. 2002-158309中描述的半導(dǎo)體集成電路中，在芯片132和加強(qiáng)框架142之間的空隙沒有利用密封材料140來填充，并且不能夠獲得抵抗在電路集成表面上作用的力的足夠的撓曲強(qiáng)度。在日本申請(qǐng)公開No. Hei (1997)-246315中描述的半導(dǎo)體集成電路中，在半導(dǎo)體元件IM和加強(qiáng)板175之間的空隙利用密封材料174來填充，但是與半導(dǎo)體元件IM相比較，加強(qiáng)板175較大，其不適合安裝在諸如用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)器IC這樣的長(zhǎng)形芯片的 FPC(柔性印刷電路)上。此外，因?yàn)榧訌?qiáng)板175的截面形狀是平坦的，所以撓曲強(qiáng)度不能提高到令人滿意的程度。在日本申請(qǐng)公開No. 2002-118127中描述的半導(dǎo)體集成電路中，形成阻擋區(qū)域以補(bǔ)償樹脂不足的缺陷，但是其中沒有考慮提高抗彎曲強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的方面的半導(dǎo)體集成電路包括可彎曲的帶狀襯底，所述帶狀襯底包括外部端子，被設(shè)置用于耦合到矩形半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部端子，以及用于將外部端子和內(nèi)部端子相互耦合的布線；矩形半導(dǎo)體芯片，其與襯底電耦合；以及加強(qiáng)構(gòu)件，用于在芯片的縱向方向上對(duì)在襯底之上的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加固，其中，半導(dǎo)體芯片和加強(qiáng)構(gòu)件被利用樹脂來密封。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種具有在帶狀或者膜狀襯底上安裝的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體集成電路，所述半導(dǎo)體集成電路具有更高的抗彎曲強(qiáng)度，并且還提供了一種用于制造所述半導(dǎo)體集成電路的方法。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路的輪廓的視圖；圖2A、2B和2C是示出了第一實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路的截面的視6
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路的輪廓的視圖；圖4A、4B和4C是示出了第二實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路的截面的視圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路的截面的視圖；圖6是示出了傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的視圖；圖7是示出了另一傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的視圖；圖8是示出了又一個(gè)傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的視圖；圖9A和9B是示出了又一個(gè)傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的視圖；以及圖10是示出了又一個(gè)傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的視圖。
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例將參考附圖來描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路具有被稱為COP或者TCP的帶狀或者膜狀封裝。圖1是示出了該實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路1的輪廓的視圖。半導(dǎo)體集成電路1包括帶狀襯底10、半導(dǎo)體芯片20、以及加強(qiáng)構(gòu)件 30，半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件30利用樹脂40來密封。作為可彎曲的帶狀襯底的帶狀襯底10包括外部端子(未示出)、用于與半導(dǎo)體芯片20耦合的內(nèi)部端子(未示出)、以及用于將外部端子和內(nèi)部端子相互耦合的布線50。通過半導(dǎo)體芯片20的凸起(未示出)，半導(dǎo)體芯片20被電耦合到帶狀襯底10的內(nèi)部端子。加強(qiáng)構(gòu)件30是與半導(dǎo)體芯片20的整個(gè)周邊大致平行的框形形狀。在加強(qiáng)構(gòu)件30 和半導(dǎo)體芯片20之間的空隙以及在加強(qiáng)構(gòu)件30和帶狀襯底10之間的空隙被利用樹脂40
來密封。例如，在該實(shí)施例中使用的帶狀襯底10是具有幾百微米厚度的聚酰亞胺襯底。半導(dǎo)體集成電路1被設(shè)置在可彎曲的帶狀襯底10上，因此，如果趨于使得半導(dǎo)體集成電路1 彎曲的力被從外部施加到電路上，則與在不具有柔性的襯底上的半導(dǎo)體集成電路相比較， 由于帶狀襯底10的柔性而導(dǎo)致芯片易于斷裂。在該實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路1中，通過利用樹脂40來密封耦合到帶狀襯底10的半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件30，可以加強(qiáng)抗彎曲強(qiáng)度。將進(jìn)一步討論該實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路1。在半導(dǎo)體集成電路1中，半導(dǎo)體芯片20被布置在帶狀襯底10上，并且通過使用例如高頻和超聲波，帶狀襯底10的內(nèi)部端子和半導(dǎo)體芯片20的凸起被電力地和機(jī)械地耦合在一起。接下來，與半導(dǎo)體芯片20的整個(gè)周邊平行的框架結(jié)構(gòu)的加強(qiáng)構(gòu)件30被布置，并且通過使用例如毛細(xì)管現(xiàn)象，樹脂40被在與半導(dǎo)體芯片20基本上垂直的方向上注入到半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件30之間，以利用樹脂來密封在半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件之間的空隙。然后，通過施加熱來硬化樹脂40，以將加強(qiáng)構(gòu)件30固定在帶狀襯底10上。優(yōu)選地，在半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件30之間的空隙大約為0. 01到0. 5mm。通過將在半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件30之間的空隙設(shè)置為大約0. 01至0. 5mm的值，從而產(chǎn)生毛細(xì)管現(xiàn)象。因此，通過在半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件30之間注入樹脂，加強(qiáng)構(gòu)件30通過毛細(xì)管現(xiàn)象而自對(duì)準(zhǔn)，并且在加強(qiáng)構(gòu)件30和帶狀襯底10之間的空隙以及在加強(qiáng)構(gòu)件30和半導(dǎo)體芯片20之間的空隙被利用樹脂40而密封。關(guān)于在半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件30之間的空隙，通過樹脂40的粘性來確定最佳間距。通常地，當(dāng)半導(dǎo)體芯片20被安裝到帶狀襯底10時(shí)，在半導(dǎo)體芯片20和帶狀襯底10 之間的空隙取大約10 μ m的值。需要使用具有能夠填充所述空隙的特性的樹脂40，并且因此優(yōu)選的是，在半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件30之間的空隙取大約0. 01至0. 5mm的值。大約 0. 01至0. 5mm的值可以根據(jù)在加強(qiáng)構(gòu)件30、帶狀襯底10、以及半導(dǎo)體芯片20中每一個(gè)的表面材料和加工方法，或者樹脂40的可濕性而進(jìn)行變化。關(guān)于樹脂40的材料，優(yōu)選的是，在-50°C至150°C的溫度范圍內(nèi)，其熱膨脹系數(shù)與作為半導(dǎo)體芯片20的材料的硅的熱膨脹系數(shù)相對(duì)較為接近。此外，為了密封半導(dǎo)體芯片20 和加強(qiáng)構(gòu)件30，優(yōu)選的是，樹脂40對(duì)于硅和加強(qiáng)構(gòu)件30而言均具有優(yōu)良的可濕性。通過調(diào)整樹脂40的可濕性，自然地形成了嵌條，并且可以避免應(yīng)力集中。此外，通過調(diào)整可濕性，加強(qiáng)構(gòu)件30、帶狀襯底10、以及半導(dǎo)體芯片20可以相互呈現(xiàn)為整體?？梢酝ㄟ^調(diào)整加強(qiáng)構(gòu)件30和帶狀襯底10中的每一個(gè)的表面涂覆和表面粗糙度，以及通過選擇樹脂40的合適材料來調(diào)整可濕性。圖2A至2C是沿著圖1中的線A-A'截取的圖1的半導(dǎo)體集成電路1的截面圖。 圖2A至2C示出了該實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路1的第一至第三示例，第一示例使用帶狀襯底11、半導(dǎo)體芯片21、加強(qiáng)構(gòu)件31和樹脂41，第二示例使用帶狀襯底12、半導(dǎo)體芯片22、加強(qiáng)構(gòu)件32以及樹脂42，并且第三示例使用帶狀襯底13、半導(dǎo)體芯片23、加強(qiáng)構(gòu)件33以及樹脂43。圖2A示出了具有矩形截面的加強(qiáng)構(gòu)件31的半導(dǎo)體集成電路1。圖2B示出了具有大致為三角形截面的加強(qiáng)構(gòu)件32的半導(dǎo)體集成電路1，該三角形截面使用布線襯底12作為底邊。圖2C示出了具有大致為梯形截面的加強(qiáng)構(gòu)件33的半導(dǎo)體集成電路1，該梯形截面使用帶狀襯底13作為底邊。在半導(dǎo)體集成電路1中，在將半導(dǎo)體芯片21至23分別耦合到帶狀襯底11至13 上之后，布置加強(qiáng)構(gòu)件31至33，并且通過使用毛細(xì)管現(xiàn)象，利用樹脂41至43來將加強(qiáng)構(gòu)件31至33密封。因此，如圖2A至2C中所示，在半導(dǎo)體芯片21至23和帶狀襯底11至13 之間的空隙，以及在半導(dǎo)體芯片21至23和加強(qiáng)構(gòu)件31至33之間的空隙被利用樹脂41至 43來密封。將對(duì)于加強(qiáng)構(gòu)件31至33的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。如圖2B中所示，假設(shè)加強(qiáng)構(gòu)件31至 33中的每個(gè)的高度為h，并且加強(qiáng)構(gòu)件31至33中的每個(gè)的截面寬度為t。加強(qiáng)構(gòu)件31至 33中的每個(gè)的高度h可以與半導(dǎo)體芯片的每個(gè)的高度相同，但是，優(yōu)選的是比后者更大。有益的是，對(duì)于加強(qiáng)構(gòu)件30而言，其在被彎曲的方向上較厚，以通過使用小量的框架材料來有效地增加截面模數(shù)。因此，因?yàn)榧訌?qiáng)構(gòu)件31至33與樹脂41至43形成整體，所以當(dāng)彎曲半導(dǎo)體集成電路1時(shí)，難以將它們的中心部分向外膨脹。因此，即使加強(qiáng)構(gòu)件31至33中的每個(gè)的截面寬度t較小，也可以增強(qiáng)抗彎曲強(qiáng)度。如圖2B中所示，在相對(duì)于帶狀襯底10的垂直方向中，加強(qiáng)構(gòu)件30的截面形狀較高，并且加強(qiáng)構(gòu)件30的截面寬度t小于加強(qiáng)構(gòu)件30的高度h。以此方式，在沒有增加芯片尺寸的情況下，半導(dǎo)體芯片20的封裝結(jié)構(gòu)的縱向方向中的抗撓剛度得到更有效的增強(qiáng)。優(yōu)選的是，加強(qiáng)構(gòu)件31至33的每個(gè)的截面高度比半導(dǎo)體芯片21至23的每個(gè)的高度更大，但是如果從樹脂41至43中的每個(gè)突出的高度太大，則將會(huì)導(dǎo)致較大的封裝。因此，需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。加強(qiáng)構(gòu)件31至33可以在樹脂能夠進(jìn)入到關(guān)聯(lián)的空隙中以確保絕緣的情況下進(jìn)行導(dǎo)電。然而，如果半導(dǎo)體芯片21至23與加強(qiáng)構(gòu)件31至33在熱膨脹系數(shù)上不同，則將會(huì)產(chǎn)生熱應(yīng)力，因此優(yōu)選的是，加強(qiáng)構(gòu)件31至33均具有與硅的熱膨脹系數(shù)接近的熱膨脹系數(shù)， 并且具有高的強(qiáng)度。優(yōu)選的是，加強(qiáng)構(gòu)件31至33是絕緣體，或者具有已經(jīng)被絕緣處理的各自表面。更加具體地，優(yōu)選的是，加強(qiáng)構(gòu)件31至33均由陶瓷材料或者具有已經(jīng)被絕緣處理的表面的不銹鋼來形成。通過使用該種材料，可以增強(qiáng)封裝強(qiáng)度和散熱性能。通過加強(qiáng)構(gòu)件30，該實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路1可以加強(qiáng)其抗彎曲強(qiáng)度。此外，通過使加強(qiáng)構(gòu)件30和半導(dǎo)體芯片20利用樹脂40而相互形成整體，可以進(jìn)一步增強(qiáng)抗彎曲強(qiáng)度。因此，當(dāng)彎曲應(yīng)力被在芯片的縱向方向上施加到半導(dǎo)體芯片20上時(shí)，可以增強(qiáng)撓曲強(qiáng)度。換言之，依靠加強(qiáng)構(gòu)件30的其自身截面形狀的抗撓剛度，被填充在加強(qiáng)構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)和外側(cè)面上的樹脂40的抗撓剛度，以及基于在加強(qiáng)構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)和外側(cè)面與樹脂40 之間的結(jié)合的抗撓剛度，可以有效地增強(qiáng)撓曲強(qiáng)度。因此，根據(jù)該實(shí)施例，可以通過將帶狀襯底10、半導(dǎo)體芯片20、以及加強(qiáng)構(gòu)件30利用樹脂40來密封，從而提供具有更高抗彎曲強(qiáng)度的半導(dǎo)體集成電路。第二實(shí)施例以下將會(huì)參考附圖來描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。關(guān)于與第一實(shí)施例中相同的組件，通過與第一實(shí)施例中的相同的參考標(biāo)號(hào)來將其識(shí)別，并且將會(huì)省略對(duì)其的詳細(xì)描述。圖3是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路2的輪廓的視圖。半導(dǎo)體集成電路2包括帶狀襯底10、半導(dǎo)體芯片20、樹脂40、布線50、以及加強(qiáng)構(gòu)件60。帶狀襯底10是可彎曲襯底，其具有用于耦合到半導(dǎo)體芯片20的內(nèi)部端子(未示出)以及用于將內(nèi)部端子和外部端子相互耦合的布線50。作為矩形芯片的半導(dǎo)體芯片20 被電耦合到帶狀襯底10，并且提供了與半導(dǎo)體芯片20的整個(gè)周邊平行的框架結(jié)構(gòu)的加強(qiáng)構(gòu)件60。樹脂40被沿著與半導(dǎo)體芯片20基本上垂直的方向而注入在半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件60之間，以利用樹脂40來密封半導(dǎo)體芯片20和加強(qiáng)構(gòu)件60之間，并且將加強(qiáng)構(gòu)件 60固定到帶狀襯底10上。在制造半導(dǎo)體集成電路2時(shí)，首先，將加強(qiáng)構(gòu)件60形成在帶狀襯底10上。加強(qiáng)構(gòu)件60沒有受到特別的限制，只要保證其所需的強(qiáng)度即可，假設(shè)絕緣材料被使用在與帶狀襯底10耦合的其表面上，從而防止布線50之間的短路。與加強(qiáng)構(gòu)件30 —樣，加強(qiáng)構(gòu)件60也是與半導(dǎo)體芯片20的整個(gè)周邊基本平行的框架形狀，但是其被固定在帶狀襯底10上。因此，包括帶狀襯底10的、布置了半導(dǎo)體芯片20的部分是盆形形狀。在此之后，注入樹脂40， 使得半導(dǎo)體芯片20被加強(qiáng)構(gòu)件60包圍。因此，可以防止樹脂40的擴(kuò)散。將進(jìn)一步描述第二實(shí)施例。圖4A至圖4C是沿著圖1的線B-B'截取的圖2A至圖 2C的半導(dǎo)體集成電路2的截面圖。在圖4A至圖4C中，使用的是帶狀襯底14至16、半導(dǎo)體芯片21至23、加強(qiáng)構(gòu)件61至63、以及樹脂41至43。圖4A示出了具有大致為矩形截面的加強(qiáng)構(gòu)件61的半導(dǎo)體集成電路2。圖4B示出了具有大致為三角形截面的加強(qiáng)構(gòu)件62的半導(dǎo)體集成電路2，該矩形截面使用帶狀襯底15的基底來作為底邊。圖4C示出了具有大致為梯形截面的加強(qiáng)構(gòu)件63的半導(dǎo)體集成電路2，該梯形截面使用帶狀襯底16作為底邊。 在半導(dǎo)體集成電路1的情況下，在安裝了半導(dǎo)體芯片20之后布置加強(qiáng)構(gòu)件60，并且利用樹脂40來進(jìn)行其與帶狀襯底10的結(jié)合，使得樹脂40也存在于加強(qiáng)構(gòu)件60下面。另一方面， 在該實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路2的情況下，在安裝半導(dǎo)體芯片20之前，將圖3中所示的加強(qiáng)構(gòu)件60結(jié)合到帶狀襯底10，使得樹脂40僅僅存在于加強(qiáng)構(gòu)件60和半導(dǎo)體芯片20之間， 并且沒有重疊在加強(qiáng)構(gòu)件60和帶狀襯底10之間。因此，可以制造具有加強(qiáng)的抗彎曲強(qiáng)度的半導(dǎo)體集成電路。第三實(shí)施例以下將參考附圖來描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。通過與第一和第二實(shí)施例相同的參考標(biāo)號(hào)來標(biāo)示與第一和第二實(shí)施例中相同的組件，并且將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。圖5似乎出了該第三實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路3。半導(dǎo)體集成電路3包括帶狀襯底10、半導(dǎo)體芯片20、布線50、以及加強(qiáng)構(gòu)件70。半導(dǎo)體集成電路3與半導(dǎo)體集成電路1的不同之處在于，其具有在半導(dǎo)體芯片20 的縱向方向上幾乎平行的板狀加強(qiáng)構(gòu)件70。每個(gè)加強(qiáng)構(gòu)件70的長(zhǎng)度大于半導(dǎo)體芯片20的每一長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度。每個(gè)加強(qiáng)構(gòu)件70具有與在其他實(shí)施例中使用的加強(qiáng)構(gòu)件相同的截面形狀和材料。在半導(dǎo)體集成電路3的情況下，與半導(dǎo)體集成電路2 —樣，在將加強(qiáng)構(gòu)件70固定到帶狀襯底10之后，注入樹脂40。半導(dǎo)體集成電路3的其他部分與半導(dǎo)體集成電路2的相同。在半導(dǎo)體集成電路3中，可以利用更少量的加強(qiáng)構(gòu)件70來加強(qiáng)半導(dǎo)體芯片20。根據(jù)本發(fā)明，可以在減小芯片厚度的同時(shí)，以及在沒有很大增加重量的情況下，可以確保COF和TAB封裝產(chǎn)品的令人滿意的撓曲強(qiáng)度(在縱向方向上的抗撓剛度)。此外，抑制了封裝步驟數(shù)量的增加，并且傳統(tǒng)設(shè)備可以幾乎完全得以使用。此外，作為整個(gè)封裝，熱容量得到增加，并且通過選擇適當(dāng)?shù)牟牧峡梢灶A(yù)期令人滿意的散熱。本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例，而是在不脫離本發(fā)明的主旨的情況下，可以在本發(fā)明范圍內(nèi)根據(jù)需要來進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路，其包括可彎曲的帶狀襯底，所述帶狀襯底包括外部端子、被設(shè)置用于耦合到矩形半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部端子、以及用于將所述內(nèi)部端子和所述外部端子相互耦合的布線；矩形半導(dǎo)體芯片，所述矩形半導(dǎo)體芯片與所述襯底電耦合；以及加強(qiáng)構(gòu)件，所述加強(qiáng)構(gòu)件用于在所述芯片的縱向方向上對(duì)所述襯底之上的所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加固，其中，所述半導(dǎo)體芯片和所述加強(qiáng)構(gòu)件被利用樹脂來進(jìn)行密封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述加強(qiáng)構(gòu)件是與所述半導(dǎo)體芯片的整個(gè)周邊基本平行的框架形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述加強(qiáng)構(gòu)件是與所述半導(dǎo)體芯片的縱向方向基本平行的板狀形狀，并且所述加強(qiáng)構(gòu)件在其縱向方向上的長(zhǎng)度大于所述半導(dǎo)體芯片的每一長(zhǎng)邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，與所述加強(qiáng)構(gòu)件的縱向方向正交的所述加強(qiáng)構(gòu)件的截面形狀是矩形形狀、或者是將所述襯底作為底邊的大體上的三角形或梯形形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述加強(qiáng)構(gòu)件的高度大于所述半導(dǎo)體芯片的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述加強(qiáng)構(gòu)件關(guān)于其高度和其截面的所述底邊的長(zhǎng)度滿足以下關(guān)系所述加強(qiáng)構(gòu)件的高度>所述加強(qiáng)構(gòu)件的截面的所述底邊的長(zhǎng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述加強(qiáng)構(gòu)件是絕緣體或者是具有已經(jīng)被進(jìn)行絕緣處理的表面的構(gòu)件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述加強(qiáng)構(gòu)件由陶瓷材料或者由具有為絕緣而處理過的表面的不銹鋼來形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，在所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述半導(dǎo)體芯片之間存在0. 01至0. 5mm的空隙。
10.一種用于制造半導(dǎo)體集成電路的方法，包括將矩形半導(dǎo)體芯片電耦合到可彎曲的帶狀襯底，所述帶狀襯底包括外部端子、被設(shè)置用于耦合到所述半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部端子、以及用于將所述外部端子和所述內(nèi)部端子相互耦合的布線；提供與所述半導(dǎo)體芯片的整個(gè)周邊平行的框架結(jié)構(gòu)的加強(qiáng)構(gòu)件；以及在與所述半導(dǎo)體芯片基本垂直的方向上，在所述半導(dǎo)體芯片和所述加強(qiáng)構(gòu)件之間注入樹脂，以利用所述樹脂來在所述半導(dǎo)體芯片和所述加強(qiáng)構(gòu)件之間進(jìn)行密封，并且將所述加強(qiáng)構(gòu)件固定到所述襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述半導(dǎo)體芯片之間具有大約0. 01至0. 5mm的空隙，在所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述半導(dǎo)體芯片之間注入所述樹脂，通過毛細(xì)管現(xiàn)象而使得所述框架結(jié)構(gòu)自對(duì)準(zhǔn)，并且利用所述樹脂來密封在所述框架結(jié)構(gòu)、所述襯底和所述半導(dǎo)體芯片之中的空隙。
12.一種用于制造半導(dǎo)體集成電路的方法，所述半導(dǎo)體集成電路包括可彎曲的帶狀襯底和電耦合到所述襯底的矩形半導(dǎo)體芯片，所述帶狀襯底包括外部端子、被設(shè)置用于耦合到所述矩形半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部端子、以及用于將所述內(nèi)部端子和所述外部端子相互耦合的布線，所述襯底具有加強(qiáng)構(gòu)件，該加強(qiáng)構(gòu)件與被固定到所述襯底的所述半導(dǎo)體芯片的整個(gè)周邊或者長(zhǎng)邊平行， 所述方法包括在所述半導(dǎo)體芯片和所述加強(qiáng)構(gòu)件之間注入樹脂，以利用所述樹脂來在所述半導(dǎo)體芯片和所述加強(qiáng)構(gòu)件之間進(jìn)行密封。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路以及用于制造半導(dǎo)體集成電路的方法。所述半導(dǎo)體集成電路具有安裝在帶狀或者膜狀襯底上的半導(dǎo)體芯片，并且所述半導(dǎo)體集成電路具有更高的抗彎曲強(qiáng)度。半導(dǎo)體集成電路包括可彎曲帶狀襯底，所述帶狀襯底包括外部端子、被設(shè)置用于耦合到矩形半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部端子、以及用于將內(nèi)部端子和外部端子相互耦合的布線；以及加強(qiáng)構(gòu)件，所述加強(qiáng)構(gòu)件用于在半導(dǎo)體芯片的縱向方向上對(duì)在帶狀襯底之上的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加固，所述半導(dǎo)體芯片和所述加強(qiáng)構(gòu)件被利用樹脂來進(jìn)行密封。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102169865SQ201110047218
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月24日
發(fā)明者安田司, 松本市郎, 松田覺 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社