專利名稱：復合覆蓋層的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種復合覆蓋層及其制作方法，尤指一種用于鑲嵌內(nèi)連線工藝的復合覆蓋層及其制作方法。
背景技術(shù)：
鑲嵌內(nèi)連線技術(shù)是目前集成電路內(nèi)多重金屬內(nèi)連線 (multi-levelinterconnects)的主要技術(shù)，也可說是目前半導體工業(yè)中銅導線的主要制作方式，其可概分為單鑲嵌(single damascene)工藝以及雙鑲嵌(dual damascene)工藝。其中雙鑲嵌工藝因可減少工藝步驟、降低導線與插塞間的接觸電阻、增進可靠性等優(yōu)點，而被大幅采用于鑲嵌內(nèi)連線技術(shù)中。此外，為降低金屬內(nèi)連線的電阻值以及寄生電容效應，以增加信號傳遞速度，現(xiàn)行的雙鑲嵌工藝大多是在低介電(Iow-K)材料所構(gòu)成的介電層中蝕刻出具有溝槽(trench)與引線孔(via)的雙鑲嵌圖案，再填入銅金屬并加以平坦化，進而完成金屬內(nèi)連線的制作。依在介電層中蝕刻圖案的方式來區(qū)分，雙鑲嵌工藝又可再細分為溝槽優(yōu)先(trench-first)工藝、引線孔優(yōu)先(via-first)、部分引線孔優(yōu)先 (partial-via-first)工藝、以及自行對準(self-aligned)工藝等。請參閱圖1至圖5，圖1至圖5為已知的溝槽優(yōu)先雙鑲嵌工藝的示意圖。如圖1所示，首先提供基底10，其上具有導電層12，導電層12上則具有由氮化硅(silicon nitride) 構(gòu)成的底層14。底層14上依序具有超低介電常數(shù)(ultra low-K,以下簡稱為ULK)層16、 覆蓋層(cap layer) 18、金屬硬掩模層(metal hard mask) 20、以及抗反射底層(bottom anti-reflective coating, BARC)22。隨后，在抗反射層22上形成光刻膠層30，并利用已知的光刻技術(shù)形成開口 32，用以定義出鑲嵌導線的溝槽圖案。請參閱圖2。接著進行蝕刻工藝，經(jīng)由光刻膠層30的開口 32蝕刻金屬掩模層20 直到覆蓋層18，由此形成溝槽凹口 34。接著，去除剩下的光刻膠層30以及底部抗反射層 22。接下來請參閱圖3。在基底10上沉積另一抗反射層36，且抗反射層36填滿溝槽凹口 34。接著，再在抗反射層36上形成另一光刻膠層40，并利用已知的光刻技術(shù)形成開口 42，其位置恰好在溝槽凹口 34的正上方，用以定義出鑲嵌導線的引線孔圖案。而如圖4所示，利用光刻膠層40作為蝕刻硬掩模，進行蝕刻工藝，經(jīng)由開口 42蝕刻抗反射層36、覆蓋層18以及ULK層16，由此在ULK層16上半部形成部分引線孔44。接著，利用氧氣等離子體等方式去除剩下的光刻膠層40以及抗反射層36。如圖5所示，接下來，利用金屬掩模層20作為蝕刻硬掩模，進行蝕刻工藝，向下蝕刻未被金屬掩模層20覆蓋到的覆蓋層18以及ULK層16，由此將先前形成的溝槽凹口 34以及部分引線孔44轉(zhuǎn)移至ULK層16中。再蝕刻底層14，以形成具有溝槽以及引線孔的雙鑲嵌圖案50，其包括溝槽開口 52以及引線孔開口 M。一般說來，覆蓋層18為硅氧層，例如以四乙基氧硅烷 (tetraethylorthosilicate,以下簡稱為TEOQ作為前驅(qū)體所得的TEOS硅氧層。此TEOS 硅氧層具有壓縮應力(compressive stress)，當此壓縮應力直接施加于其下具低機械強度 (mechanical strength)及張應力(tensile stress)的 ULK層 16 時，將造成ULK層 16 中發(fā)生線路變形(line distortion)的狀況。此外，由于TEOS硅氧層極易吸附水氣，而被TEOS 硅氧層吸附的水氣在后續(xù)工藝脫附出來后，容易進入ULK層16并在其內(nèi)造成凱氏孔洞開口 (Kelvin via open)的效應，降低工藝的穩(wěn)定性，甚至影響后續(xù)形成的金屬內(nèi)連線的電學表現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明于此提供一種利用復合覆蓋層及其制作方法，可有效降低ULK層中線路變形(line distortion)與凱氏孔洞產(chǎn)生的問題。根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，提供一種復合覆蓋層(multi cap layer)的制作方法，該方法包含有提供至少包含有導電層、底層以及介電層的基底、在該基底表面形成復合覆蓋層。該復合覆蓋層至少包含有第一覆蓋層與形成于該第一覆蓋層上的第二覆蓋層。接下來在該復合覆蓋層表面形成圖案化的金屬硬掩模層(metal hard mask layer)，以及進行蝕刻工藝，經(jīng)由該圖案化的金屬硬掩模層蝕刻該復合覆蓋層，且在該第二覆蓋層中形成至少一開口。根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，另提供一種復合覆蓋層的制作方法。該方法包含有提供至少包含有導電層、底層以及介電層的基底，并在該基底表面形成復合覆蓋層。該復合覆蓋層至少包含有張應力層與第一保護層(protecting layer)，且該張應力層的厚度大于該第一保護層的厚度。根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，提供一種復合覆蓋層，包含有第一保護層以及張應力層。 該張應力層的厚度大于該第一保護層的厚度。根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，更提供一種復合覆蓋層，包含有第一保護層、設置于該第一保護層上的張應力層、以及設置于該張應力層上的第二保護層。本發(fā)明所提供的利用復合覆蓋層及其制作方法，利用復合覆蓋層提供相對于其前層的應力，避免前層應力造成的變形，同時利用復合覆蓋層的保護層避免前層所吸附的水氣在后續(xù)工藝脫附出來而形成的凱氏孔洞開口。


圖1至圖5為已知的溝槽優(yōu)先雙鑲嵌工藝的示意圖。圖6至圖11為本發(fā)明所提供的復合覆蓋層的制作方法的第一優(yōu)選實施例。圖12為根據(jù)本發(fā)明所提供復合覆蓋層所形成的鑲嵌結(jié)構(gòu)成品率的比較圖。圖13為孔洞對于鑲嵌結(jié)構(gòu)成品率影響的比較圖。圖14至圖17為本發(fā)明所提供的復合覆蓋層的制作方法的第二優(yōu)選實施例。附圖標記說明10 基底12 導電層
14底層16超低介電層數(shù)層
18覆蓋層20金屬掩模層
22抗反射底層30光刻膠圖案
32溝槽開口34溝槽凹口
36抗反射底層40光刻膠圖案
42引線孔開口44部分引線孔
50雙鑲嵌圖案52溝槽開口
54引線孔開口
100基底102導電層
104底層106介電層
110復合覆蓋層112第一覆蓋層
114第二覆蓋層120金屬硬掩模層
122開口124引線孔或溝槽
130抗反射底層132光刻膠層
134開口136部分引線孔
150雙鑲嵌圖案152溝槽開口
154引線孔開口
200基底202導電層
204底層206介電層
210復合覆蓋層212第一覆蓋層
214第二覆蓋層216第三覆蓋層
220硬掩模層222開口
具體實施例方式請參閱圖6至圖11，圖6至圖11為本發(fā)明所提供的復合覆蓋層的制作方法的第一優(yōu)選實施例。如圖6所示，首先提供基底100，其上具有導電層102，導電層102上則具有由氮化硅構(gòu)成的底層104。底層104上形成有介電層106。介電層106包含有ULK介電材料， 同時具有張應力，且該張應力約為30至80百萬帕斯卡(mega Pascal,以下簡稱為MPa)。請參閱圖7。接下來分別利用沉積工藝在介電層106上形成第一覆蓋層112與第二覆蓋層114，第一覆蓋層112與第二覆蓋層114作為一復合覆蓋層110。該沉積工藝是利用等離子體增強化學氣相沉積(plasma-enhancedchemical vapor deposition,以下簡稱為 PECVD)工藝、次大氣壓化學氣相沉積(sub-atmosphere chemical vapor exposition，以下簡稱為SACVD)工藝、或低壓氣相沉積(low pressure chemical vapor exposition，以下簡稱為LPCVD)來加以實施。且形成第一覆蓋層112與第二覆蓋層114的沉積工藝可利用同位(in-situ)方式進行。同時該沉積工藝中可通入硅甲烷(silane，SiH4)、TE0S、四甲基硅烷(tetra-methyl silane，以下簡稱為4MS)、四甲基環(huán)四硅氧烷(tetra-methyl cyclo tetra-siloxane,以下簡稱為 TMCTS)、二乙氧基甲基硅烷(diethoxy-methyl-silane，以下簡稱為DEMQ、或其他含硅化合物作為前驅(qū)體(precursor)，并以二氧化碳(CO2)、氧化亞氮 (N2O)、氧氣(O2)、臭氧(O3)等作為第一覆蓋層112與第二覆蓋層114的氧化劑(oxidizingagents)。此外在形成第一覆蓋層112與第二覆蓋層114之前，本第一優(yōu)選實施例亦可利用氦氣(He)、氬氣(Ar)、氮氣(N2)、氨氣(NH3)、CO2、或O2進行前處理(pre-treatment)；或者可再以相同成分在形成第一覆蓋層112與第二覆蓋層114之后，分別對第一覆蓋層112與第二覆蓋層114進行后處理(post-treatment)。
第一覆蓋層112與第二覆蓋層114分別為TEOS層。而如圖7所示，第一覆蓋層 112為張應力TEOS層；而第二覆蓋層114為保護層，如氣密(hermetical) TEOS層，且張應力 TEOS層厚于氣密TEOS層。在形成張應力TEOS層時，沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為(high frequency RF power)約為 750 至 850 瓦特，低頻無線電波功率(lower frequency RF power)約為100至200瓦特；而在形成氣密TEOS層的沉積工藝中，所使用的高頻無線電波功率約為230至330瓦特，低頻無線電波功率約為10至100瓦特。值得注意的是，張應力TEOS層具有約為50至IOOMPa的張應力，而該氣密TEOS層具有約為-150至-300MPa的壓應力。請參閱圖8。接下來是在復合覆蓋層110表面形成圖案化的硬掩模層，如圖案化的金屬硬掩模層(metal hard mask layer) 120。此外，亦可在金屬硬掩模層120上再形成抗反射底層。并進行蝕刻工藝，透過圖案化的金屬硬掩模層120蝕刻復合覆蓋層110，而在第二覆蓋層114中形成至少一開口 122，開口 122用以作為鑲嵌結(jié)構(gòu)的引線孔開口或溝槽開口。隨后可根據(jù)溝槽優(yōu)先(trench-first)工藝、引線孔優(yōu)先(via-first)、部分引線孔優(yōu)先(partial-via-first)工藝、以及自行對準(self-aligned)工藝等工藝要求，進行后續(xù)工藝，以獲得鑲嵌結(jié)構(gòu)。如本第一優(yōu)選實施例中，開口 122用以作為溝槽優(yōu)先雙鑲嵌工藝中的溝槽開口。請參閱圖9。接著在基底100上沉積抗反射層130，且抗反射層130填滿開口 122。 接著，再在抗反射層130上形成光刻膠層132，并利用已知光刻技術(shù)形成開口 134，其位置正好在開口 122的正上方，用以定義出鑲嵌導線的引線孔圖案。而如圖10所示，利用光刻膠層132作為蝕刻掩模，隨后進行蝕刻工藝，經(jīng)由開口 134蝕刻抗反射層130、復合覆蓋層110 以及ULK層106，由此在ULK層106上半部形成部分引線孔136。接著，利用氧氣等離子體等方式去除剩下的光刻膠層132以及抗反射層130。請參閱圖11。接下來，利用金屬掩模層120作為蝕刻硬掩模，進行蝕刻工藝，向下蝕刻未被金屬掩模層120覆蓋到的復合覆蓋層110以及ULK層106，由此將先前形成的開口 122以及部分引線孔136轉(zhuǎn)移至ULK層106中。再蝕刻底層104，以形成具有溝槽以及引線孔的雙鑲嵌圖案150，其包括溝槽開口 152以及引線孔開口 154。請參閱圖12與圖13，圖12為根據(jù)本發(fā)明所提供的復合覆蓋層所形成的鑲嵌結(jié)構(gòu)電學表現(xiàn)的比較圖；而圖13為凱氏孔洞開口對于鑲嵌結(jié)構(gòu)電學表現(xiàn)影響的比較圖。在圖 12與圖13中，編號3 6號的芯片包含有已知技術(shù)中所采用的單層TEOS覆蓋層的鑲嵌結(jié)構(gòu)；而編號7 9號的芯片則包含有根據(jù)本第一優(yōu)選實施例所提供的雙層(bi-layer)復合覆蓋層所形成的鑲嵌結(jié)構(gòu)。根據(jù)本第一優(yōu)選實施例所提供的復合覆蓋層110，第二覆蓋層 114(即氣密TEOS層)提供的壓應力，通過第一覆蓋層112(即張應力TEOS層)作為一緩沖，故可避免直接影響介電層106而造成的變形。同時蝕刻工藝中所產(chǎn)生的水氣可通過第二覆蓋層114(即氣密TEOS層)阻絕，較不易為第一覆蓋層112所吸收。因此如圖12與圖 13所示，根據(jù)本第一優(yōu)選實施例所提供的復合覆蓋層110所得的鑲嵌結(jié)構(gòu)的電學表現(xiàn)可大幅提升。接下來，請參閱圖14至圖17，圖14至圖17為本發(fā)明所提供的復合覆蓋層的制作方法的第二優(yōu)選實施例，同理本第二優(yōu)選實施例所提供的復合覆蓋層亦用于鑲嵌內(nèi)連線工藝中。如圖14所示，首先提供基底200，其上具有導電層202，導電層202上則具有由氮化硅構(gòu)成的底層204。底層204上形成有介電層106。介電層106則包含有ULK材料，且具有約為30至80MPa的張應力。請參閱圖15。接下來分別利用沉積工藝在介電層206上形成第一覆蓋層212與第二覆蓋層214，第一覆蓋層212作為第一保護層(protecting layer)，第一覆蓋層212與第二覆蓋層214作為復合覆蓋層210。該沉積工藝包含有PECVD工藝、SACVD工藝、或LPCVD。 且形成第一覆蓋層212與第二覆蓋層214的沉積工藝利用同位(in-situ)方式進行。同時該沉積工藝中可通入硅甲烷(SiH4)、TE0S、4MS、TMCTS、或DEMS等材料作為前驅(qū)體，并以C02、 N20、02、03等作為第一覆蓋層212與第二覆蓋層214的氧化劑。此外在形成第一覆蓋層212 與第二覆蓋層214之前，本第二優(yōu)選實施例亦可利用徹31~、隊、冊3、0)2、或&進行前處理； 或者可再以相同成分對在形成第一覆蓋層212與第二覆蓋層214之后，分別對第一覆蓋層 212與第二覆蓋層214進行后處理。第一覆蓋層212與第二覆蓋層214分別為TEOS層。且第一覆蓋層212為氣密TEOS 層；而第二覆蓋層214為張應力TEOS層。張應力TEOS層的厚度Y大于氣密TEOS層的厚度 X。如上所述，形成氣密TEOS層的沉積工藝中使用的高頻無線電波功率約為230至330瓦特，低頻無線電波功率約為10至100瓦特；而形成張應力TEOS層的沉積工藝中使用的高頻無線電波功率約為750至850瓦特，低頻無線電波功率約為100至200瓦特。同理，張應力 TEOS層具有約為50至IOOMpa的張應力；而氣密TEOS層具有約為-150至_300Mpa的壓應力。此時可如前所述，在基底200上形成圖案化的硬掩模層，而該后續(xù)工藝由于同于第一優(yōu)選實施例所述，同于第一優(yōu)選實施例所述，故于此不再贅述。請參閱圖16。根據(jù)本發(fā)明所提供的第二優(yōu)選實施例，更可在形成第二覆蓋層214 后，在其上再形成第三覆蓋層216，作為第二保護層。第三覆蓋層216亦為利用沉積工藝， 如PECVD工藝、SACVD工藝、或LPCVD工藝形成于第二覆蓋層214上的氣密TEOS層，且該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為約為230至330瓦特，低頻無線電波功率約為10至 100瓦特，且第三覆蓋層216具有約為-150至-300Mpa的壓應力。而用以形成第一覆蓋層 212、第二覆蓋層214、與第三覆蓋層216的沉積工藝可利用同位方式進行。此外，第三覆蓋層216具有厚度Z。值得注意的是，第二覆蓋層214的厚度Y大于第一覆蓋層212的厚度X 與第三覆蓋層216的厚度Z的總和。第一覆蓋層212的厚度X、第二覆蓋層214的厚度Y、 與第三覆蓋層216的厚度Z的比值為1 2 1至1 10 1，并以1 3 1較佳。請參閱圖17。如前所述，接下來是在復合覆蓋層210表面形成圖案化的掩模層 220，如圖案化的氮化硅、氧化硅、或金屬硬掩模層。此外，亦可在硬掩模層220上再形成抗反射底層。并進行蝕刻工藝，透過圖案化的硬掩模層220蝕刻復合覆蓋層210，而在第二覆蓋層214與第三覆蓋層216中形成至少一開口 222。本第二優(yōu)選實施例中，開口 222用以作為鑲嵌結(jié)構(gòu)的引線孔開口或溝槽開口。隨后再進行蝕刻工藝，通過開口 222向下蝕刻第一覆蓋層212與介電層206至底層204，最后移除暴露出來的底層204而形成鑲嵌結(jié)構(gòu)的引線孔或溝槽。由于該步驟與第一優(yōu)選實施例所述相同，故在本第二優(yōu)選實施例中不再贅述。
根據(jù)本第二優(yōu) 選實施例所提供的復合覆蓋層210，第一覆蓋層212與第三覆蓋層 216提供的壓應力，通過厚度較厚的第二覆蓋層214得到緩沖，因此可避免介電層206直接受其應力影響而造成變形。另外，由于第三覆蓋層216為氣密TEOS層，其可在蝕刻工藝當中，阻絕水分被吸水性較高的張應力TEOS層，即第二覆蓋層214所吸收。而第一覆蓋層212 則可避免仍被吸收的水氣在后續(xù)工藝中釋放而進入介電層206中造成凱氏孔洞開口。請再參閱圖12與圖13，在圖12與圖13中，編號11 18號的芯片包含有本第二優(yōu)選實施例所提供的三層(tri-layer)復合覆蓋層所形成的鑲嵌結(jié)構(gòu)。如圖12與圖13可知，根據(jù)本第二優(yōu)選實施例所提供的復合覆蓋層所得的鑲嵌內(nèi)連線，其電學表現(xiàn)穩(wěn)定且大幅超越已知技術(shù)。請再次參閱圖7。根據(jù)本發(fā)明所提供的第一優(yōu)選實施例所述，本發(fā)明提供一種用于制作鑲嵌內(nèi)連線的復合覆蓋層110，包含有第一覆蓋層112以及第二覆蓋層114。第一覆蓋層112為張應力層；而第二覆蓋層114則用以作為第一保護層。且如圖7所示，張應力層 (即第一覆蓋層112)的厚度大于第一保護層(即第二覆蓋層114)。請繼續(xù)參閱圖7。第一覆蓋層112與第二覆蓋層114包含有TE0S，且第二覆蓋層 114為氣密TEOS層。此外，第一覆蓋層112具有約為50至IOOMpa的張應力，而第二覆蓋層 114則具有約為-150至-300Mpa的壓應力。請再次參閱圖15。根據(jù)本發(fā)明所提供的第二優(yōu)選實施例，提供復合覆蓋層210，包含有第一覆蓋層212以及第二覆蓋層214。第一覆蓋層212用以作為第一保護層；而第二覆蓋層214則為張應力層。且如圖13所示，張應力層(即第二覆蓋層214)的厚度大于第一保護層(即第一覆蓋層212)。請繼續(xù)參閱圖15。第一覆蓋層212與第二覆蓋層214包含有TE0S，且第一覆蓋層 212為氣密TEOS層。此外，第二覆蓋層214具有約為50至IOOMpa的張應力，而第一覆蓋層 212則具有約為-150至-300Mpa的壓應力。根據(jù)第一優(yōu)選實施例與第二優(yōu)選實施例所提供的復合硬掩模層110、210，第一保護層所提供的應力，通過張應力層緩沖，因此可避免第一保護層的應力直接影響到前層而造成變形。同時，由于第一保護層為氣密TEOS層，其可避免吸水性較高的張應力層在蝕刻工藝吸收水氣，因此該被張應力層吸收的水氣在后續(xù)工藝中被釋放出來造成前層凱氏孔洞開口的缺點，可為氣密TEOS層所避免。接下來請參閱圖16。根據(jù)本發(fā)明所提供的第二優(yōu)選實施例，復合覆蓋層210更可包含第三覆蓋層216，，設置于第二覆蓋層214之上，用以作為第二保護層。第三覆蓋層保護層216亦包含有TE0S，且為氣密TEOS層。作為第二保護層的第三覆蓋層216具有約為-150 至-300Mpa的壓應力。如圖16所示，第一覆蓋層212、第二覆蓋層214、與第三覆蓋層216分別具有厚度 X、Y、Z，而第二覆蓋層214的厚度Y大于第一覆蓋層212的厚度X與第三覆蓋層216的厚度 Z的總和。第一覆蓋層212的厚度X、第二覆蓋層214的厚度Y、與第三覆蓋層216的厚度Z 的比值為1 2 1至1 10 1，并以1 3 1較佳。根據(jù)第二優(yōu)選實施例所提供的復合硬掩模層210，可通過第一保護層與第二保護層所提供的應力，可通過厚度較厚的張應力所減緩，因此可避免后續(xù)所形成的鑲嵌內(nèi)連線因其應力所造成的變形。同時，由于第二保護層為氣密TEOS層，其可避免吸水性較高的張應力層在蝕刻工藝吸收水氣，而第一保護層則可避免張應力層所吸收的水氣在后續(xù)工藝中釋出而進入前層造成前層孔洞的缺點。綜上所述，本發(fā)明所提供的用于鑲嵌內(nèi)連線工藝的復合覆蓋層，可通過較厚的張應力層緩減應力，避免前層直接受到應力影響造成變形；同時利用復合覆蓋層的保護層，可避免前層吸附水氣，并避免其所吸附的水氣在后續(xù)工藝脫附出來而影響工藝結(jié)果，故本發(fā)明所提供復合覆蓋層可確切提升鑲嵌內(nèi)連線的電學表現(xiàn)。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種復合覆蓋層的制作方法，包含有以下步驟提供基底，該基底至少包含有導電層、底層以及介電層；在該基底表面形成復合覆蓋層，且該復合覆蓋層至少包含有第一覆蓋層與形成于該第一覆蓋層上的第二覆蓋層；在該復合覆蓋層表面形成圖案化的金屬硬掩模層；以及進行蝕刻工藝，經(jīng)由該圖案化的金屬硬掩模層蝕刻該復合覆蓋層，且在該第二覆蓋層中形成至少一開口。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該介電層包含有超低介電材料。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該介電層具有張應力，且該張應力為30至80MPa。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一覆蓋層與該第二覆蓋層分別為利用沉積工藝所形成的四乙基氧硅烷層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該沉積工藝包含有等離子體增強化學氣相沉積工藝、次大氣壓化學氣相沉積工藝、或低壓氣相沉積。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中形成該第一覆蓋層與該第二覆蓋層的該沉積工藝利用同位方式進行。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該第一覆蓋層為張應力四乙基氧硅烷層，而該第二覆蓋層為氣密四乙基氧硅烷層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該張應力四乙基氧硅烷層厚于該氣密四乙基氧硅烷層。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中形成該張應力四乙基氧硅烷層的該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為750至850瓦特，低頻無線電波功率為100至200瓦特。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中形成該氣密四乙基氧硅烷層的該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為230至330瓦特，低頻無線電波功率為10至100瓦特。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該張應力四乙基氧硅烷層包含有50至IOOMPa的張應力，而該氣密四乙基氧硅烷層包含有-150至-300MPa的壓應力。
12.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該第一覆蓋層為氣密四乙基氧硅烷層，而該第二覆蓋層為張應力四乙基氧硅烷層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中該張應力四乙基氧硅烷層厚于該氣密四乙基氧硅焼層。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成該氣密四乙基氧硅烷層的該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為230至330瓦特，低頻無線電波功率為10至100瓦特。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成該張應力四乙基氧硅烷層的該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為750至850瓦特，低頻無線電波功率為100至200瓦特。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中該張應力四乙基氧硅烷層具有為50至IOOMPa的張應力，而該氣密四乙基氧硅烷層具有為-150至-300MPa的壓應力。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中該復合覆蓋層還包含有第三覆蓋層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中該第三覆蓋層為利用沉積工藝形成于該第二覆蓋層上的氣密四乙基氧硅烷層。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該沉積工藝包含有等離子體增強化學氣相沉積工藝、次大氣壓化學氣相沉積工藝、或低壓氣相沉積所形成的氣密四乙基氧硅烷層。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中形成該氣密四乙基氧硅烷層包含有-150 至-300MPa的壓應力。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該形成該第一覆蓋層、該第二覆蓋層、與該第三覆蓋層的該沉積工藝利用同位方式進行。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中形成該氣密四乙基氧硅烷層的該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為230至330瓦特，低頻無線電波功率為10至100瓦特。
23.如權(quán)利要求17所述的方法，其中該開口形成于該第二覆蓋層與該第三覆蓋層內(nèi)。
24.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該開口包含有鑲嵌結(jié)構(gòu)的溝槽開口或引線孔開口。
25.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一覆蓋層與該第二覆蓋層包含四乙基氧硅烷。
26.一種復合覆蓋層的制作方法，包含有以下步驟提供基底，該基底至少包含有導電層、底層以及介電層；以及在該基底表面形成復合覆蓋層，至少包含有張應力層與第一保護層，且該張應力層的厚度大于該第一保護層的厚度。
27.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中該介電層包含有超低介電材料。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中該介電層具有張應力，且該張應力為30至80MPa。
29.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中該張應力層包含有50至IOOMPa的張應力。
30.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中該張應力層與該第一保護層分別為利用沉積工藝所形成的利用四乙基氧硅烷層。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其中該沉積工藝包含有等離子體增強化學氣相沉積工藝、次大氣壓化學氣相沉積工藝、或低壓氣相沉積。
32.如權(quán)利要求30所述的方法，其中該張應力層與該第一保護層的該沉積工藝利用同位方式進行。
33.如權(quán)利要求30所述的方法，其中形成該張應力層的該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為750至850瓦特，低頻無線電波功率為100至200瓦特。
34.如權(quán)利要求30所述的方法，其中該第一保護層為氣密四乙基氧硅烷層。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中形成該氣密四乙基氧硅烷層的該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為230至330，低頻無線電波功率為10至100瓦特。
36.如權(quán)利要求34所述的方法，其中該氣密四乙基氧硅烷層具有為-150至-300MPa的壓應力。
37.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中該第一保護層形成于該張應力層之上。
38.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中該張應力層形成于該第一保護層之上。
39.如權(quán)利要求38所述的方法，還包含利用沉積工藝形成第二保護層的步驟，進行于形成該復合覆蓋層之后，且該第二保護層覆蓋該張應力層。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其中該第二保護層為氣密四乙基氧硅烷層。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，其中該沉積工藝包含有等離子體增強化學氣相沉積工藝、次大氣壓化學氣相沉積工藝、或低壓氣相沉積工藝。
42.如權(quán)利要求39所述的方法，其中形成該張應力層、該第一保護層、與該第二保護層的該沉積工藝利用同位方式進行。
43.如權(quán)利要求39所述的方法，其中形成該第二保護層的該沉積工藝中使用的高頻無線電波功率為230至330瓦特，低頻無線電波功率為10至100瓦特。
44.如權(quán)利要求39所述的方法，其中形成該第二保護層包含有-150至-300MPa的壓應力。
45.如權(quán)利要求39所述的方法，其中該張應力層的厚度大于該第一保護層與該第二保護層的厚度的總和。
46.如權(quán)利要求45所述的方法，其中第二保護層、該張應力層、與該第一保護層的厚度具有一比例，且該比例的范圍為1 2 1至1 10 1。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該第二保護層、該張應力層、與該第一保護層的厚度比例為1 3 1。
48.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中該張應力層包含有四乙基氧硅烷。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種復合覆蓋層的制作方法，包含有提供基底、在該基底表面形成復合覆蓋層。該復合覆蓋層至少包含有第一覆蓋層與形成于其上的第二覆蓋層。在該復合覆蓋層表面形成圖案化的金屬硬掩模層，以及進行蝕刻工藝，經(jīng)由該圖案化的金屬硬掩模層蝕刻該復合覆蓋層，在該第二覆蓋層中形成至少一開口。
文檔編號H01L21/311GK102157441SQ20111004929
公開日2011年8月17日 申請日期2007年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月25日
發(fā)明者宋述仁, 許豐裕, 邱建智, 陳美玲, 陳韋志, 黃俊杰 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司