專利名稱：基底、制造基底的方法及有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例涉及一種包括薄膜晶體管的基底、制造該基底的方法及包括該基底的有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
平板顯示裝置可包括發(fā)射型顯示裝置和非發(fā)射型顯示裝置。發(fā)射型顯示裝置可包括例如平板陰極射線管(flat cathode ray tube)、等離子體顯示面板(PDP)和電致發(fā)光顯示裝置。非發(fā)射型顯示裝置可包括液晶顯示器(LCD)。電致發(fā)光顯示裝置可具有寬視角、優(yōu)異的對比度和快響應(yīng)速度，因此，近來電致發(fā)光顯示裝置作為下一代顯示裝置已受到重視。 根據(jù)形成發(fā)射層的材料，這樣的電致發(fā)光顯示裝置可包括無機電致發(fā)光裝置或有機電致發(fā)光裝置。有機電致發(fā)光裝置可用于通過熒光有機化合物的電激發(fā)來發(fā)射光的自發(fā)光顯示器中。由于電致發(fā)光裝置可使用低電壓進行驅(qū)動，可容易地制薄，且具有寬視角和快響應(yīng)速度，所以它們已受到廣泛的關(guān)注。有機電致發(fā)光裝置可包括由有機材料形成并設(shè)置在陽極和陰極之間的發(fā)射層。當陽極電壓和陰極電壓分別施加到陽極和陰極時，從陽極注入的空穴通過空穴傳輸層移動到發(fā)射層，電子從陰極通過電子傳輸層移動到發(fā)射層，從而空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合并形成激子。激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)，從而使發(fā)射層的熒光分子發(fā)射光并形成圖像。全彩型有機電致發(fā)光器件可包括發(fā)射紅R、綠G和藍B顏色的像素，從而實現(xiàn)全彩圖像。在這樣的有機電致發(fā)光器件中，像素限定層可形成在陽極的兩端上。預(yù)定的開口可形成在像素限定層中。然后，發(fā)射層和陰極可順序地形成在通過開口暴露到外部的陽極上。

發(fā)明內(nèi)容
實施例的特征提供了一種包括薄膜晶體管的基底、制造該基底的方法及包括該基底的有機發(fā)光顯示裝置，該基底可在不使用離子摻雜工藝的情況下制造。通過提供一種包括薄膜晶體管的基底可實現(xiàn)上面和其它特征和優(yōu)點中的至少一個，該基底包括有源層，設(shè)置在基底上，有源層包括溝道區(qū)及源區(qū)和漏區(qū)；柵電極，設(shè)置在有源層上，溝道區(qū)與柵電極對應(yīng)；柵極絕緣層，設(shè)置在有源層和柵電極之間；層間絕緣層， 設(shè)置為覆蓋有源層和柵電極，層間絕緣層具有部分地暴露有源層的第一接觸孔和第二接觸孔；源電極和漏電極，設(shè)置在層間絕緣層上，源區(qū)和漏區(qū)與源電極和漏電極對應(yīng)；歐姆接觸層，歐姆接觸層設(shè)置在層間絕緣層與源電極和漏電極之間，并通過第一接觸孔和第二接觸孔接觸源區(qū)和漏區(qū)。歐姆接觸層可包括非晶硅層或多晶硅層，非晶硅層包含離子雜質(zhì)，多晶硅層包含離子雜質(zhì)。
離子雜質(zhì)可為N+或P+雜質(zhì)。歐姆接觸層可為在形成非晶硅層或多晶硅層的過程中通過注入磷基氣體或硼基氣體形成的等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)層。源區(qū)和漏區(qū)可導(dǎo)電。源區(qū)和漏區(qū)可因使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電。源區(qū)的接觸歐姆接觸層的第一區(qū)域和漏區(qū)的接觸歐姆接觸層的第二區(qū)域可導(dǎo)電。第一區(qū)域和第二區(qū)域可因在形成歐姆接觸層之后使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電。源區(qū)的接觸歐姆接觸層的第一區(qū)域和漏區(qū)的接觸歐姆接觸層的第二區(qū)域可導(dǎo)電。第一區(qū)域和第二區(qū)域可因在形成歐姆接觸層之后使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電?；走€可包括緩沖層，緩沖層設(shè)置在基底和有源層之間以覆蓋基底。還可通過提供一種制造基底的方法來實現(xiàn)上面和其它特征和優(yōu)點中的至少一個， 該方法包括以下步驟在基底上形成有源層，有源層包括溝道區(qū)及源區(qū)和漏區(qū)；在有源層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成柵電極；在基底上形成層間絕緣層以覆蓋柵電極；在層間絕緣層中形成第一接觸孔和第二接觸孔以部分地暴露源區(qū)和漏區(qū)；形成通過第一接觸孔和第二接觸孔接觸源區(qū)和漏區(qū)的歐姆接觸層；形成設(shè)置在歐姆接觸層上的源電極和漏電極。形成歐姆接觸層的步驟可包括形成包含離子雜質(zhì)的非晶硅層的步驟或形成包含離子雜質(zhì)的多晶硅層的步驟。 離子雜質(zhì)可為N+或P+雜質(zhì)。形成歐姆接觸層的步驟可包括在用于形成非晶硅層或多晶硅層的等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝過程中注入磷基氣體或硼基氣體的步驟。該方法還可包括以下步驟在形成柵電極之后和形成層間絕緣層之前，使用磷基氣體或硼基氣體對源區(qū)和漏區(qū)執(zhí)行等離子體工藝以提供具有導(dǎo)電性的源區(qū)和漏區(qū)。該方法還可包括以下步驟在層間絕緣層上沉積歐姆接觸層之后，使用磷基氣體或硼基氣體執(zhí)行等離子體工藝以提供源區(qū)和漏區(qū)的接觸歐姆接觸層的具有導(dǎo)電性的第一區(qū)域和第二區(qū)域。該方法還可包括以下步驟在層間絕緣層上沉積歐姆接觸層之后，使用磷基氣體或硼基氣體執(zhí)行等離子體工藝以提供接觸源區(qū)和漏區(qū)的具有導(dǎo)電性的歐姆接觸層。另外，還通過提供一種有機發(fā)光顯示裝置可實現(xiàn)上面和其它特征和優(yōu)點中的至少一個，該有機發(fā)光顯示裝置包括有源層，設(shè)置在基底上，有源層包括溝道區(qū)及源區(qū)和漏區(qū)； 柵電極，設(shè)置在有源層上，溝道區(qū)與柵電極對應(yīng)；柵極絕緣層，設(shè)置在有源層和柵電極之間； 層間絕緣層，設(shè)置為覆蓋有源層和柵電極，層間絕緣層具有部分暴露有源層的第一接觸孔和第二接觸孔；源電極和漏電極，設(shè)置在層間絕緣層上，源區(qū)和漏區(qū)與源電極和漏電極對應(yīng)；歐姆接觸層，歐姆接觸層設(shè)置在層間絕緣層與源電極和漏電極之間，并通過第一接觸孔和第二接觸孔與源區(qū)和漏區(qū)接觸；鈍化膜，覆蓋源電極和漏電極；平坦化膜，設(shè)置在鈍化膜上；像素電極，設(shè)置在平坦化膜上，像素電極連接到漏電極；像素限定層，暴露像素電極；中間層，設(shè)置在像素電極上，中間層構(gòu)造為發(fā)光；對向電極，覆蓋中間層和像素限定層。
歐姆接觸層可包括非晶硅層或多晶硅層，非晶硅層包含離子雜質(zhì)，多晶硅層包含離子雜質(zhì)。離子雜質(zhì)可為N+或P+雜質(zhì)。歐姆接觸層可為等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)層，PECVD包括在形成非晶硅層或多晶硅層的過程中注入磷基氣體或硼基氣體。源區(qū)和漏區(qū)可導(dǎo)電。源區(qū)和漏區(qū)可因使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電。源區(qū)的接觸歐姆接觸層的第一區(qū)域和漏區(qū)的接觸歐姆接觸層的第二區(qū)域可導(dǎo)電。第一區(qū)域和第二區(qū)域可因在形成歐姆接觸層之后使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電。源區(qū)的接觸歐姆接觸層的第一區(qū)域和漏區(qū)的接觸歐姆接觸層的第二區(qū)域可導(dǎo)電。第一區(qū)域和第二區(qū)域可因在形成歐姆接觸層之后使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電。有機發(fā)光顯示裝置還可包括緩沖層，緩沖層設(shè)置在基底和有源層之間，緩沖層覆
蓋基底ο


通過參照附圖對示例實施例進行詳細描述，上面和其它特征和優(yōu)點對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將變得更明顯，其中圖1示出根據(jù)實施例的包括薄膜晶體管的基底的示意性剖視圖；圖2示出根據(jù)另一實施例的包括薄膜晶體管的基底的示意性剖視圖；圖3示出根據(jù)另一實施例的包括薄膜晶體管的基底的示意性剖視圖；圖4示出根據(jù)另一實施例的包括薄膜晶體管的基底的示意性剖視圖；圖5示出根據(jù)另一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。
具體實施例方式于2010年3月M日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的名稱為“Substrate Including Thin Film Transistor, Method of Manufacturing the Substrate, and Organic Light Emitting Display Apparatus Including the Substrate" 10-2010-0026403 專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此?，F(xiàn)在，將在下文中參照附圖更充分地描述示例實施例，然而，這些示例實施例可以以不同的形式實施，且不應(yīng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底和完全的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。為了示出的清楚起見，在附圖中會夸大層和區(qū)域的尺寸。還將理解的是，當層或元件被稱作“在”另一層或基底“上”時，它可以直接在該另一層或基底上，或也可存在中間層。 另外，將理解的是，當層被稱作“在”另一層“下面”時，它可以直接在下面，或也可存在一個或多個中間層。另外，還將理解的是，當層被稱作“在”兩個層“之間”時，它可為該兩個層之間的唯一層，或可存在一個或多個中間層。相同的標號始終代表相同的元件。圖1示出了根據(jù)實施例的包括薄膜晶體管的基底101的示意性剖視圖。
參照圖1，基底101可具有形成在其上的薄膜晶體管?；?01可為例如玻璃基底或塑料基底。緩沖層102可形成在基底101上。緩沖層102可由具有阻擋特性的絕緣材料形成。 例如，緩沖層102可由SiA或SiOx形成。有源層103可形成在緩沖層102上。有源層103可由半導(dǎo)體材料形成，并可通過圖案化形成在緩沖層102上的半導(dǎo)體材料而形成。例如，可將半導(dǎo)體材料沉積在緩沖層上， 然后可將沉積的半導(dǎo)體材料圖案化來形成有源層103。有源層103可分為溝道區(qū)103a、源區(qū)103c和漏區(qū)103b，且溝道區(qū)103a將源區(qū)103c和漏區(qū)10 連接。有源層103可由例如無機半導(dǎo)體材料或有機半導(dǎo)體材料形成。形成有源層103 的無機半導(dǎo)體材料的示例可包括CdS、GaS、ZnS, CdSe, CaSe, ZnSe, CdTe, SiC和Si。形成有源層103的有機半導(dǎo)體的示例可包括作為聚合物的聚噻吩或其衍生物、聚對苯撐乙烯撐(PPV)或其衍生物、聚對苯撐或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚噻吩乙烯撐或其衍生物、 聚1雜芳香環(huán)類共聚物(polythiophene-hetero aromatic ring group copolymer)或其衍生物及作為低分子量材料的并五苯、并四苯、晶態(tài)萘(oligoacene of naphthalene) 或其衍生物、α-6-噻吩(alpha-6-thiophene)、低聚 α-5-噻吩(oligothiophene of alpha-5-thiophene)或其衍生物、酞菁(包含或不包含金屬)或其衍生物、均苯四甲酸二酐 (pyromellitic dianhydride)或均苯四甲酸二酰亞胺(pyromellitic diimide)或者它們的衍生物和茈四甲酸二甘(perylenetetracarboxylic acid dianhydride)或茈四甲酰二酰亞胺(perylenetetracarboxylic diimide)或者它們的衍生物。柵極絕緣層104可形成在有源層103的溝道區(qū)103a上。例如，柵極絕緣層104可由諸如S^2或SiNx的絕緣材料形成。柵電極105可形成在柵極絕緣層104上。例如，柵電極105可由諸如MoW、Al、Cr 或Al/Cu的導(dǎo)電金屬膜、諸如導(dǎo)電聚合物等的各種導(dǎo)電材料形成。柵電極105可形成為覆蓋與有源層103的溝道區(qū)103a對應(yīng)的區(qū)域?？砂慈缦虏襟E來形成柵極絕緣層104和柵電極105。首先，在緩沖層102上沉積絕緣材料以覆蓋有源層103。然后，可在沉積的絕緣材料上沉積金屬層。接下來，可部分地去除沉積的絕緣材料和金屬層以暴露有源層103的源區(qū)103c和漏區(qū)10北?？赏ㄟ^例如干法蝕刻或濕法蝕刻去除沉積的絕緣材料和金屬層。當使用干法蝕刻時，可同時蝕刻沉積的絕緣材料和金屬層。當使用濕法蝕刻時，例如，可在單獨的蝕刻操作中間斷地蝕刻沉積的絕緣材料和金屬層。在蝕刻沉積的絕緣材料和金屬層之后，柵極絕緣層104和柵電極105可堆疊在有源層103的溝道區(qū)103a上。層間絕緣層106可形成為覆蓋有源層103和柵電極105。例如，層間絕緣層106可由諸如S^2或SiNx的絕緣材料形成。層間絕緣層106可具有部分地暴露有源層103的第一接觸孔106a和第二接觸孔 10乩。第一接觸孔106a可暴露漏區(qū)10 的第二區(qū)域A，第二接觸孔10 可暴露源區(qū)103c 的第一區(qū)域B。歐姆接觸層107a和107b可分別形成為接觸漏區(qū)10 的第二區(qū)域A和源區(qū)103c 的第一區(qū)域B，漏區(qū)10 的第二區(qū)域A通過第一接觸孔106a暴露，源區(qū)103c的第一區(qū)域B 通過第二接觸孔106b暴露。歐姆接觸層107a和107b可通過接觸漏區(qū)10 的暴露的第二區(qū)域A和源區(qū)103c的暴露的第一區(qū)域B而形成歐姆接觸。歐姆接觸層107a和107b可為包含離子雜質(zhì)的非晶硅層、例如多晶硅 (polycrystalline silicon)的多晶娃層(multi-crystalline silicon layer)等。例如， 歐姆接觸層107a和107b可為包含N+或P+離子雜質(zhì)的非晶硅層或多晶硅層。歐姆接觸層107a和107b可在使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成非晶硅層或多晶硅層的過程中，通過注入磷基氣體或硼基氣體而形成。在該工藝中，歐姆接觸層 107a和107b可形成為例如非晶硅層或多晶硅層，這樣的層在不使用離子注入工藝的情況下而具有離子雜質(zhì)。這樣，歐姆接觸層107a和107b可在PECVD過程中通過注入磷基氣體或硼基氣體而包括離子雜質(zhì)，PECVD用于形成非晶硅層(或多晶硅層)，代替在現(xiàn)有技術(shù)中的在層間絕緣層106上沉積非晶硅層并順序地利用離子對它們進行摻雜(即，注入)的工藝。通常，如在現(xiàn)有技術(shù)中，當在層間絕緣層106上沉積非晶硅層并順序地在其中摻雜離子時，當形成大尺寸的平板顯示面板(例如，第8代或下一代有機發(fā)光顯示裝置)時會難以進行離子摻雜。相反，根據(jù)實施例，包括離子雜質(zhì)的非晶硅層(或多晶硅層)可在不使用離子注入工藝的情況下形成，從而薄膜晶體管可通過使用簡單的工藝形成在大的基底上。另外， 由于不需要昂貴的離子注入裝置，所以可以減少制造成本。在實施中，歐姆接觸層107a和 107b可通過實質(zhì)上由在PECVD過程中使用含磷或含硼的氣體的PECVD工藝組成的工藝形成并形成為具有導(dǎo)電性。如上所述，實施例可提供一種包括薄膜晶體管的基底、制造該基底的方法和包括該基底的有機發(fā)光顯示裝置，在該基底中不需要單獨的離子注入工藝來形成歐姆接觸層。 因此，在不使用離子注入工藝的情況下可實現(xiàn)歐姆接觸層的形成。源電極108和漏電極109(統(tǒng)稱為源/漏電極)可分別設(shè)置在歐姆接觸層107a和 107b上。歐姆接觸層107a和107b及源/漏電極108和109可按如下步驟形成。首先，可形成包含離子雜質(zhì)的非晶硅層(或多晶硅層)以覆蓋層間絕緣層106。然后，可在包含離子雜質(zhì)的非晶硅層(或多晶硅層)上沉積用于源/漏電極的金屬層。然后，使用光刻圖案化包含離子雜質(zhì)的非晶硅層(或多晶硅層)和金屬層，因此，源/漏電極108和109形成在歐姆接觸層107a和107b上。圖2示出根據(jù)另一實施例的包括薄膜晶體管的基底的示意性剖視圖。與在圖1中示出的包括薄膜晶體管的基底相比，根據(jù)本實施例的在圖2中示出的包括薄膜晶體管的基底可包括有源層203的導(dǎo)電的源/漏區(qū)203c和20北?？墒褂玫入x子體工藝使源/漏區(qū)203c和20 導(dǎo)電。例如，可將柵極絕緣層104和柵電極105形成為暴露有源層203的源/漏區(qū)203c和20北，然后可在形成層間絕緣層106之前使用磷基氣體或硼基氣體執(zhí)行等離子體工藝。由于等離子體工藝，有源層203的源/漏區(qū)203c和20 可導(dǎo)電。由于有源層203的源/漏區(qū)203c和20 可導(dǎo)電，所以可防止因偏移(offset)產(chǎn)生的導(dǎo)通電流減小。與在圖2中示出的基底相關(guān)的其它結(jié)構(gòu)和工藝可與在圖1中示出的包括薄膜晶體管的基底的其它結(jié)構(gòu)和工藝相同。因此，將不重復(fù)它們的描述。圖3示出根據(jù)另一實施例的包括薄膜晶體管的基底的示意性剖視圖。與圖1中示出的包括薄膜晶體管的基底相比，根據(jù)本實施例的在圖3中示出的包括薄膜晶體管的基底可包括源/漏區(qū)303c和30 的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域B和第二區(qū)域A，其中，第一區(qū)域B和第二區(qū)域A導(dǎo)電?？墒褂玫入x子體工藝使源區(qū)/漏區(qū)303c和30 的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域B和第二區(qū)域A導(dǎo)電。例如， 可形成歐姆接觸層107a和107b，然后可使用磷基氣體或硼基氣體執(zhí)行等離子體工藝。因等離子體工藝，使得源/漏區(qū)303c和30 的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域B和第二區(qū)域A導(dǎo)電。由于源/漏區(qū)303c和30 的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域 B和第二區(qū)域A可導(dǎo)電，所以可防止因偏移產(chǎn)生的導(dǎo)通電流減小。與在圖3中示出的基底相關(guān)的其它結(jié)構(gòu)和工藝可與在圖1中示出的包括薄膜晶體管的基底的其它結(jié)構(gòu)和工藝相同。 因此，將不重復(fù)它們的描述。圖4示出根據(jù)另一實施例的包括薄膜晶體管的基底的示意性剖視圖。與圖1中示出的包括薄膜晶體管的基底相比，根據(jù)本實施例的在圖4中示出的包括薄膜晶體管的基底可包括有源層403的導(dǎo)電的源/漏區(qū)403c和40 及源/漏區(qū)403c 和40 的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域B和第二區(qū)域A，其中，第一區(qū)域B和第二區(qū)域A導(dǎo)電。這樣，有源層403的源/漏區(qū)403c和40 可導(dǎo)電，且源/漏區(qū)403c和 403b的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域B和第二區(qū)域A可導(dǎo)電。源/漏區(qū)403c 和40 的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域B和第二區(qū)域A的導(dǎo)電率可比源/漏區(qū)403c和40 除第一區(qū)域B和第二區(qū)域A之外的其它區(qū)域的導(dǎo)電率高。在實施中，可將柵極絕緣層104和柵電極105形成為暴露有源層403的源/漏區(qū) 403c和40北，然后可在形成層間絕緣層106之前使用磷基氣體或硼基氣體執(zhí)行等離子體工藝。使用等離子體工藝可使有源層403的源/漏區(qū)403c和40 導(dǎo)電。在等離子體工藝之后，可形成層間絕緣層106及歐姆接觸層107a和107b，然后，可使用磷基氣體或硼基氣體執(zhí)行等離子體工藝。這樣，可執(zhí)行等離子體工藝兩次。利用第二次等離子體工藝，源/漏區(qū) 403c和40 的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域B和第二區(qū)域A的導(dǎo)電率可比源 /漏區(qū)403c和40 除第一區(qū)域B和第二區(qū)域A之外的其它區(qū)域的導(dǎo)電率高。由于有源層 403的源/漏區(qū)403c和40 及源/漏區(qū)403c和40 的接觸歐姆接觸層107a和107b的第一區(qū)域B和第二區(qū)域A可導(dǎo)電，所以可防止因偏移產(chǎn)生的導(dǎo)通電流減小。與在圖4中示出的基底相關(guān)的其它結(jié)構(gòu)和工藝可與在圖1中示出的包括薄膜晶體管的基底的其它結(jié)構(gòu)和工藝相同。因此，將不重復(fù)它們的描述。圖5示出了根據(jù)另一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。參照圖5，根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示裝置可包括形成在圖1中示出的包括薄膜晶體管的基底上的鈍化膜110、平坦化膜111、像素電極112、中間層113和對向電極114。 圖5中的有機發(fā)光顯示裝置可包括在圖1中示出的包括薄膜晶體管的基底或在圖2至圖4 中示出的包括薄膜晶體管的任何基底。在鈍化膜110下面的結(jié)構(gòu)可與圖1中示出的結(jié)構(gòu)相同，因此，將不重復(fù)對其進行描述。鈍化膜110(可為例如SiA或SiOx)可形成在源/漏電極109和108上。平坦化膜111可形成在鈍化膜110上，例如，平坦化膜111可由諸如壓克力(acryl)、聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(BCB)的有機材料形成。像素電極112可用作有機電致發(fā)光器件的陽極并可形成在平坦化膜111上。另外， 像素限定層115可覆蓋像素電極112，像素限定層115可由例如有機材料形成。預(yù)定的開口可形成在像素限定層115中。然后像素電極112可通過開口暴露，中間層113可形成在像素限定層115的開口中的像素電極112上。中間層113可包括發(fā)射層。 相似地，可應(yīng)用各種其它有機發(fā)光顯示裝置。有機電致發(fā)光裝置可根據(jù)電流的流動通過發(fā)射紅、綠和藍光顯示預(yù)定的圖像信息。有機電致發(fā)光裝置可包括像素電極112、對向電極114和中間層113。像素電極112可連接到薄膜晶體管的漏電極108并接收正電壓，對向電極114可覆蓋整個像素并提供負電壓，中間層113可設(shè)置在像素電極112和對向電極114之間并發(fā)射光。像素電極112和對向電極114可通過中間層113彼此絕緣，并可施加不同極性的電壓，從而在中間層113發(fā)射光。例如，中間層113可包括低分子量有機層或聚合物有機層。如果中間層113包括低分子量有機層，則中間層113可具有包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層 (EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一層或多層的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)?？捎玫挠袡C材料的示例可包括銅酞菁(CuPc)、N，N-二(萘-1-基)-N，N’_二苯基聯(lián)苯胺(NPB， N, N-di (naphthalene-1-yl) -N, N' -diphenyl-benzidine)或三 _8_ 羥基喹啉-鋁(Alq3)。 例如，這些低分子量有機層通過真空沉積而形成。如果中間層113包括聚合物有機層，則中間層113通常可具有包括HTL和EML的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，HTL可由例如聚乙烯二氧基噻吩(PEDOT)形成，EML可由例如聚苯撐乙烯(PPV)或聚芴形成。HTL和EML可通過例如絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷等形成。中間層113 不限于此且可進行結(jié)構(gòu)上的改變。中間層113可通過例如旋涂形成。例如，可涂覆有機材料來覆蓋像素電極112和像素限定層115。然后，可旋轉(zhuǎn)第一基底101。根據(jù)第一基底101的旋轉(zhuǎn)可去除涂覆在像素限定層115上的有機材料，且可保留涂覆在像素電極112上的有機材料。然后，使涂覆在像素電極112上的有機材料塑化以形成中間層113。像素電極112可用作陽極，對向電極114可用作陰極。在另一實施中，像素電極 112可用作陰極，對向電極114可用作陽極。例如，像素電極112可為透明電極或反射電極。如果像素電極112為透明電極，則像素電極112可由例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(SiO)或氧化銦(In2O3)形成。如果像素電極112為反射電極，則可通過例如使用銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、 鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的混合物形成反射單元并在反射單元上使用ITO、IZO、ZnO或L2O3形成層來形成像素電極112。另外，對向電極114可為例如透明電極或反射電極。如果對向電極114為透明電極，則對向電極114可用作陰極，并且可通過例如面向中間層113沉積具有低逸出功的材料 (諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂 (Mg)或它們的混合物)，并在沉積的金屬上通過使用例如用于形成透明電極的材料(諸如 ITO、IZO、ZnO或^i2O3等)形成輔助電極層或匯流電極線來形成對向電極114。如果對向電極114為反射電極，則對向電極114通過例如在像素電極112的整個表面上沉積Li、Ca、 LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物而形成。如上所述，在不使用離子摻雜的情況下可制造包括薄膜晶體管的基底。同樣，可容易地制造大尺寸的有機發(fā)光顯示裝置。這里已公開了示例實施例，雖然使用了特定的術(shù)語，但使用的這些術(shù)語將僅解釋
10為普通的和描述性的意義，而不是出于限制的目的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在不脫離由權(quán)利要求闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對形式和細節(jié)做各種改變。
權(quán)利要求
1.一種包括薄膜晶體管的基底，所述基底包括有源層，設(shè)置在基底上，有源層包括溝道區(qū)及源區(qū)和漏區(qū)； 柵電極，設(shè)置在有源層上，溝道區(qū)與柵電極對應(yīng)； 柵極絕緣層，設(shè)置在有源層和柵電極之間；層間絕緣層，設(shè)置為覆蓋有源層和柵電極，層間絕緣層具有部分地暴露有源層的第一接觸孔和第二接觸孔；源電極和漏電極，設(shè)置在層間絕緣層上，源區(qū)和漏區(qū)與源電極和漏電極對應(yīng)； 歐姆接觸層，歐姆接觸層設(shè)置在層間絕緣層與源電極和漏電極之間，并通過第一接觸孔和第二接觸孔接觸源區(qū)和漏區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的基底，其中，歐姆接觸層包括包含離子雜質(zhì)的非晶硅層或包含離子雜質(zhì)的多晶硅層。
3.如權(quán)利要求2所述的基底，其中，離子雜質(zhì)為N+或P+雜質(zhì)。
4.如權(quán)利要求2所述的基底，其中，歐姆接觸層為在形成非晶硅層或多晶硅層的過程中通過注入磷基氣體或硼基氣體形成的等離子體增強化學(xué)氣相沉積層。
5.如權(quán)利要求2所述的基底，其中，源區(qū)和漏區(qū)導(dǎo)電。
6.如權(quán)利要求5所述的基底，其中，源區(qū)和漏區(qū)因使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電。
7.如權(quán)利要求5所述的基底，其中，源區(qū)的接觸歐姆接觸層的第一區(qū)域和漏區(qū)的接觸歐姆接觸層的第二區(qū)域?qū)щ姟?br> 8.如權(quán)利要求7所述的基底，其中，第一區(qū)域和第二區(qū)域因在形成歐姆接觸層之后使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電。
9.如權(quán)利要求2所述的基底，其中，源區(qū)的接觸歐姆接觸層的第一區(qū)域和漏區(qū)的接觸歐姆接觸層的第二區(qū)域?qū)щ姟?br> 10.如權(quán)利要求9所述的基底，其中，第一區(qū)域和第二區(qū)域因在形成歐姆接觸層之后使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導(dǎo)電。
11.如權(quán)利要求1所述的基底，其中，所述基底還包括緩沖層，緩沖層設(shè)置在基底和有源層之間以覆蓋基底。
12.一種制造基底的方法，所述方法包括以下步驟 在基底上形成有源層，有源層包括溝道區(qū)及源區(qū)和漏區(qū)； 在有源層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成柵電極； 在基底上形成層間絕緣層以覆蓋柵電極；在層間絕緣層中形成第一接觸孔和第二接觸孔以部分地暴露源區(qū)和漏區(qū)； 形成通過第一接觸孔和第二接觸孔接觸源區(qū)和漏區(qū)的歐姆接觸層； 形成設(shè)置在歐姆接觸層上的源電極和漏電極。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成歐姆接觸層的步驟包括形成包含離子雜質(zhì)的非晶硅層的步驟或形成包含離子雜質(zhì)的多晶硅層的步驟。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，離子雜質(zhì)為N+或P+雜質(zhì)。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成歐姆接觸層的步驟包括在用于形成非晶硅層或多晶硅層的等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝過程中注入磷基氣體或硼基氣體。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括以下步驟在形成柵電極之后和形成層間絕緣層之前，使用磷基氣體或硼基氣體對源區(qū)和漏區(qū)執(zhí)行等離子體工藝以提供具有導(dǎo)電性的源區(qū)和漏區(qū)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括以下步驟在層間絕緣層上沉積歐姆接觸層之后，使用磷基氣體或硼基氣體執(zhí)行等離子體工藝以提供源區(qū)和漏區(qū)的接觸歐姆接觸層的具有導(dǎo)電性的第一區(qū)域和第二區(qū)域。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括以下步驟在層間絕緣層上沉積歐姆接觸層之后，使用磷基氣體或硼基氣體執(zhí)行等離子體工藝以提供接觸源區(qū)和漏區(qū)的具有導(dǎo)電性的歐姆接觸層。
19.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述裝置包括有源層，設(shè)置在基底上，有源層包括溝道區(qū)及源區(qū)和漏區(qū)； 柵電極，設(shè)置在有源層上，溝道區(qū)與柵電極對應(yīng)； 柵極絕緣層，設(shè)置在有源層和柵電極之間；層間絕緣層，設(shè)置為覆蓋有源層和柵電極，層間絕緣層具有部分暴露有源層的第一接觸孔和第二接觸孔；源電極和漏電極，設(shè)置在層間絕緣層上，源區(qū)和漏區(qū)與源電極和漏電極對應(yīng)； 歐姆接觸層，歐姆接觸層設(shè)置在層間絕緣層與源電極和漏電極之間，并通過第一接觸孔和第二接觸孔與源區(qū)和漏區(qū)接觸； 鈍化膜，覆蓋源電極和漏電極； 平坦化膜，設(shè)置在鈍化膜上；像素電極，設(shè)置在平坦化膜上，像素電極連接到漏電極； 像素限定層，暴露像素電極； 中間層，設(shè)置在像素電極上，中間層被構(gòu)造為發(fā)光； 對向電極，覆蓋中間層和像素限定層。
20.如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，歐姆接觸層包括包含離子雜質(zhì)的非晶硅層或包含離子雜質(zhì)的多晶硅層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基底、制造該基底的方法及包括該基底的有機發(fā)光顯示裝置。該基底包括有源層，設(shè)置在基底上，有源層包括溝道區(qū)及源區(qū)和漏區(qū)；柵電極，設(shè)置在有源層上，溝道區(qū)與柵電極對應(yīng)；柵極絕緣層，設(shè)置在有源層和柵電極之間；層間絕緣層，設(shè)置為覆蓋有源層和柵電極，層間絕緣層具有部分地暴露有源層的第一接觸孔和第二接觸孔；源電極和漏電極，設(shè)置在層間絕緣層上，源區(qū)和漏區(qū)與源電極和漏電極對應(yīng)；歐姆接觸層，歐姆接觸層設(shè)置在層間絕緣層與源電極和漏電極之間，并通過第一接觸孔和第二接觸孔接觸源區(qū)和漏區(qū)。
文檔編號H01L21/77GK102201443SQ201110055020
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月24日
發(fā)明者孫榕德, 徐晉旭, 樸承圭, 樸炳建, 樸鐘力, 李東炫, 李卓泳, 李吉遠, 李基龍, 蘇炳洙, 鄭在琓, 鄭珉在, 鄭胤謨 申請人:三星移動顯示器株式會社