專利名稱：Led封裝結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種LED封裝結構，尤其涉及一種具有較佳出光效果的LED封裝結構。
背景技術：
LED產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目 的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點，然而LED高功率產(chǎn)品為獲得所需要的亮度與顏色，在LED封裝結構中具有一個反射層設置。所述反射層通常是使用塑料制成，例如，PPA(Polyphthalamide)或是其它高熱塑性的塑料。這樣的塑料在產(chǎn)品小型化而薄化反射層時，LED芯片的光容易穿過所述反射層，因此不但會造成產(chǎn)品出光的飽和度不足，還會因為光線穿過所述反射層的折射關系，使得LED封裝結構產(chǎn)生光暈現(xiàn)象。目前改善的方式，有在所述反射層的外部覆蓋一個金屬層或是再加厚所述反射層，這些改善的方式會增加LED封裝結構的制造成本，同時不利于小型化的產(chǎn)品設計發(fā)展。

發(fā)明內容
有鑒于此，有必要提供一種可維護發(fā)光飽和度、避免光暈現(xiàn)象的LED封裝結構。一種LED封裝結構，其包括一個基板、一個反射層、一個光吸收層、一個覆蓋層以及一個LED芯片。所述基板具有兩個電極，用以設置所述LED芯片，并達成電性連接。所述反射層設置于所述基板上，環(huán)繞著所述LED芯片。所述反射層的內部設置所述覆蓋層，覆蓋所述LED芯片，所述反射層的外部環(huán)繞所述光吸收層。上述LED封裝結構，由于所述反射層的外部環(huán)繞具有所述光吸收層，使所述反射層內部的所述LED芯片穿透所述反射層的光，可直接被所述光吸收層予以吸收，不會在所述LED封裝結構的外部產(chǎn)生光暈現(xiàn)象，進而可以維持所述LED封裝結構的光的飽和度以及對比顏色，改善目前所存在的缺點。


圖I是本發(fā)明LED封裝結構的剖視圖。圖2是本發(fā)明LED封裝結構反射層與光吸收層第一實施方式的俯視圖。圖3是本發(fā)明LED封裝結構反射層與光吸收層第二實施方式的俯視圖。主要元件符號說明
LED封裝結構j 10
基板__12_
頂面_120_
底面_1202
電極122、12「
凹槽 20
反射層14 —
^吸收層 —15
覆蓋層__16_
LED芯片 118導電線1182 —
如下具體實施方式
將結合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
具體實施例方式下面將結合附圖對本發(fā)明作一具體介紹。
請參閱圖1，所示為本發(fā)明LED封裝結構10，包括一個基板12、一個反射層14、一個光吸收層15、一個覆蓋層16以及一個LED芯片18。所述基板12具有兩個電極122、124，所述電極122、124由所述基板12具有的一個頂面120延伸至所述頂面120相對的底面1202。所述兩個電極122、124—個為正電極，一個為負電極。所述兩個電極122、124的其中一個所述電極122上承載所述LED芯片18，所述LED芯片18通過導電線182分別與所述電極122、124達成電性連接。所述電極122、124經(jīng)通電后，所述LED芯片18可產(chǎn)生向四周發(fā)射的光線。所述反射層14設置于所述基板12的頂面120上，并環(huán)繞于所述LED芯片18周緣，在所述頂面120上形成一個凹槽1220。所述反射層14內部的所述凹槽1220內設置所述覆蓋層16，所述覆蓋層16覆蓋所述LED芯片18。所述覆蓋層16通常為透明膠體，所述透明膠體內可以包含有熒光粉(圖中未標示)。所述反射層14具有反射光線的作用，其材料可以是塑料或是高分子材料，例如，PPA(Polyphthalamide)塑料或是環(huán)氧樹脂(Epoxy)材料。所述反射層14的外部環(huán)繞所述光吸收層15，所述光吸收層15具有吸收光線的作用。所述光吸收層15的材料可以是塑料或是高分子的材料，其材料本身具有大于70%的吸光效率，且材料顏色主要為黑色，例如，PPA(Polyphthalamide)塑料或是環(huán)氧樹脂(Epoxy)材料。上述LED封裝結構10，所述反射層14的外部具有所述光吸收層15環(huán)繞，在所述反射層14內部的所述LED芯片18向四周發(fā)射的光線，會受外圍所述反射層14的反射光線作用，而增強所述LED封裝結構10發(fā)光的效果。即使所述LED封裝結構10在小型化而薄化所述反射層14時，所述LED芯片18的光線就算是穿過所述反射層14，也會被所述光吸收層15所吸收，不會有任何內部所述LED芯片18的光線散發(fā)到所述LED封裝結構10的外部。因此，所述LED封裝結構10在運作時，不但不會有光暈現(xiàn)象發(fā)生，而且可以維持所述LED封裝結構10良好的發(fā)光飽和度。請再參閱圖2，是本發(fā)明LED封裝結構反射層與光吸收層第一實施方式的俯視圖。所述反射層14以及所述光吸收層15是以兩次的成型(Molding)方式，形成在所述基板12的頂面120上。所述反射層14成型后，其內部形成的所述凹槽1220環(huán)繞于所述LED芯片18周緣，所述LED芯片18位于所述凹槽1220的底部，并設置在其中一個所述電極122上，再通過所述導電線182分別與兩個電極122、124達成電性連接。所述凹槽1220的內部設置所述覆蓋層(圖中未標號)，所述覆蓋層覆蓋所述LED芯片18。所述反射層14以及所述光吸收層15以成型(Molding)方式形成的所述LED封裝結構10，其具有較佳的機械強度，同時所述反射層14以及所述光吸收層15元件的厚度容易控制，有助于所述LED封裝結構10在維持良好的發(fā)光飽和度以及顏色對比下，進行產(chǎn)品小型化的設計。請參閱圖3，所示為本發(fā)明LED封裝結構反射層與光吸收層第二實施方式的俯視圖。所述第二實施方式的所述LED封裝結構10，相較于所述第一實施方式的所述LED封裝結構10，基本上的構造以及所述反射層14成型的方式相同于所述第一實施方式就不再贅述。不同在于，所述光吸收層15是以貼覆(Pasting)或是涂布(Coating)的方式固定在所述反射層14的外部。所述光吸收層15貼覆或是涂布的固定方式具有制程容易而且成本低的效能。所述光吸收層15同樣能防止所述LED芯片18發(fā)射出的光線外漏所產(chǎn)生的光暈現(xiàn)象，可以有效解決目前LED封裝結構10小型化而薄化反射層14所產(chǎn)生出光飽和度、對比色不佳的問題。綜上，本發(fā)明LED封裝結構的所述反射層的外部環(huán)繞具有所述光吸收層，對于所述LED芯片發(fā)射穿透過所述反射層的光線具有吸收的效果，因此可以穩(wěn)固所述LED封裝結構出光的飽和度、對比色，并可避免光暈現(xiàn)象，從而有效提升所述LED封裝結構的發(fā)光質量。
另外，本領域技術人員還可在本發(fā)明精神內做其它變化，當然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內。
權利要求
1.ー種LED封裝結構，其包括ー個基板、ー個反射層、一個光吸收層、一個覆蓋層以及ー個LED芯片，所述基板具有兩個電極，用以設置所述LED芯片，并達成電性連接，所述反射層設置于所述基板上，環(huán)繞著所述LED芯片，所述反射層的內部設置所述覆蓋層，覆蓋所述LED芯片，所述反射層的外部環(huán)繞所述光吸收層。
2.如權利要求I所述的LED封裝結構，其特征在于所述兩個電極，由所述基板具有的一個頂面延伸至所述頂面相對的底面，所述電極一個為正電極，一個為負電極。
3.如權利要求I所述的LED封裝結構，其特征在于所述LED芯片，由所述兩個電極中的ー個電極承載，并通過導電線與所述電級電性連接。
4.如權利要求I所述的LED封裝結構，其特征在于所述反射層，設置于所述基板的頂面上，在所述頂面上形成ー個凹槽。
5.如權利要求I所述的LED封裝結構，其特征在于所述反射層，具有反射光線的作用，其材料是塑料或是高分子材料，例如，PPA(Polyphthalamide)塑料或是環(huán)氧樹脂材料。
6.如權利要求I所述的LED封裝結構，其特征在于所述光吸收層，具有吸收光線的作用，其材料是塑料或是高分子的材料，例如，PPA(Polyphthalamide)塑料或是環(huán)氧樹脂材料。
7.如權利要求6所述的LED封裝結構，其特征在于所述光吸收層材料，具有大于70%的吸光效率，所述材料顔色主要為黑色。
8.如權利要求I所述的LED封裝結構，其特征在于所述覆蓋層，為透明膠體，所述透明膠體內可以包含有熒光粉。
9.如權利要求I所述的LED封裝結構，其特征在于所述反射層與光吸收層，是以兩次的成型方式，形成在所述基板的頂面上。
10.如權利要求9所述的LED封裝結構，其特征在于所述反射層與光吸收層，其中所述反射層以成型的方式形成，所述光吸收層是以貼覆或是涂布的方式固定在所述反射層的外部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種LED封裝結構，其包括一個基板、一個反射層、一個光吸收層、一個覆蓋層以及一個LED芯片。所述基板具有兩個電極,用以設置所述LED芯片,并達成電性連接。所述反射層設置于所述基板上,環(huán)繞著所述LED芯片。所述反射層的內部設置所述覆蓋層,覆蓋所述LED芯片,所述反射層的外部環(huán)繞所述光吸收層。本發(fā)明的所述光吸收層可吸收所述LED芯片穿過所述反射層的光線，以維護發(fā)光的飽和度、對比顏色并避免光暈現(xiàn)象。
文檔編號H01L33/48GK102683543SQ201110061860
公開日2012年9月19日 申請日期2011年3月15日 優(yōu)先權日2011年3月15日
發(fā)明者汪楷倫, 胡必強, 許時淵 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司