專利名稱：一種單晶硅電池生產(chǎn)中去除單晶硅片上磷硅玻璃的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，具體的說是一種單晶硅電池生產(chǎn)中去除單晶娃片上磷娃玻璃的方法。
背景技術(shù)：
我國對太陽能電池的研究開發(fā)工作高度重視，早在七五期間，非晶硅半導(dǎo)體的研究工作已經(jīng)列入國家重大課題；八五和九五期間，我國把研究開發(fā)的重點放在大面積太陽能電池等方面。2003年10月，國家發(fā)改委、科技部制定出未來5年太陽能資源開發(fā)計劃，發(fā)改委"光明工程"將籌資100億元用于推進(jìn)太陽能發(fā)電技術(shù)的應(yīng)用，計劃到2015年全國太陽能發(fā)電系統(tǒng)總裝機(jī)容量達(dá)到300兆瓦。我國已成為全球光伏產(chǎn)品最大制造國，我國即將出臺的《新能源振興規(guī)劃》，我國光伏發(fā)電的裝機(jī)容量規(guī)劃為2020年達(dá)到20GW，是原來《可 再生能源中長期規(guī)劃》中I. 8GW的10多倍。太陽能電池的應(yīng)用已從軍事領(lǐng)域、航天領(lǐng)域進(jìn)入工業(yè)、商業(yè)、農(nóng)業(yè)、通信、家用電器以及公用設(shè)施等部門，尤其可以分散地在邊遠(yuǎn)地區(qū)、高山、沙漠、海島和農(nóng)村使用，以節(jié)省造價很貴的輸電線路。目前，由于對不同廠家在生產(chǎn)單晶硅片時使用不同的擴(kuò)散工藝技術(shù)，所以導(dǎo)致在不同的擴(kuò)散工藝中單晶硅片表面形成的一層磷硅玻璃會有不同的差異性，致使PECVD鍍膜后會產(chǎn)生不同幾率的白線等缺陷片的發(fā)生，影響產(chǎn)品的質(zhì)量，增大在PECVD工序的返工量，影響生產(chǎn)的正常進(jìn)行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種單晶硅太陽能電池片生產(chǎn)去除磷硅玻璃的一種方法，應(yīng)用該方法不僅能夠有效的去除因不同擴(kuò)散工藝產(chǎn)生的磷硅玻璃，而且還能夠保證在PECVD工序進(jìn)行鍍膜過程中避免產(chǎn)生白線等缺陷，能夠有效控制
產(chǎn)品質(zhì)量。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，首先在容積為150—160升工藝槽中加入去離子水130—140升，溫度控制在18—23 °C之間，一次加入濃度48% 49%的電子級HF酸16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到清洗液備用；然后將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍(lán)中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在300片一400片之間，最后將裝有單晶硅片的大花藍(lán)放入配有清洗液的工藝槽中，浸泡10(Γ120秒，上述工藝槽中備用的清洗液可以連續(xù)生產(chǎn)4(Γ50批次。本發(fā)明的優(yōu)點是
I、本發(fā)明通過控制一定濃度的HF酸(電子級)溶液，與擴(kuò)散后產(chǎn)生的磷硅玻璃反應(yīng)，去除含磷的SiO2層，使表面雜質(zhì)剝離，有效產(chǎn)生鈍化。同時容易控制HF酸的過度腐蝕，不破壞硅片Si-Si鍵，避免了 PECVD成膜過程中產(chǎn)生復(fù)合而出現(xiàn)白線等缺陷片的發(fā)生。2、本發(fā)明方法在生產(chǎn)過程中可以不必補(bǔ)液及其他參數(shù)調(diào)整，可連續(xù)生產(chǎn)多個批次。
具體實施例方式實施例I
在容積為150升工藝槽中加入去離子水130升，溫度控制在18°C，一次加入HF酸(電子級，濃度48°/Γ49%)16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到清洗液備用；然后將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍(lán)中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在300片，最后將裝有單晶硅片的大花藍(lán)放入配有清洗液的工藝槽中，浸泡100秒，上述工藝槽中備用的清洗液可以連續(xù)生產(chǎn)40批次。實施例2
在容積為155升工藝槽中加入去離子水135升，溫度控制在20°C，一次加入HF酸(電子 級，濃度48°/Γ49%)16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到清洗液備用；然后將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍(lán)中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在400片，最后將裝有單晶硅片的大花藍(lán)放入配有清洗液的工藝槽中，浸泡110秒，上述工藝槽中備用的清洗液可以連續(xù)生產(chǎn)45批次。實施例3
在容積為160升工藝槽中加入去離子水140升，溫度控制在23°C，一次加入HF酸(電子級，濃度48°/Γ49%)16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到清洗液備用；然后將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍(lán)中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在400片，最后將裝有單晶硅片的大花藍(lán)放入配有清洗液的工藝槽中，浸泡120秒，上述工藝槽中備用的清洗液可以連續(xù)生產(chǎn)50批次。
權(quán)利要求
1. 一種單晶硅電池生產(chǎn)中去除單晶硅片上磷硅玻璃的方法，其特征在于該方法包括以下步驟首先在容積為150—160升工藝槽中加入去離子水130—140升，溫度控制在18 — 23°C之間，一次加入濃度48% 49%的電子級HF酸16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到清洗液備用；然后將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍(lán)中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在300片一400片之間，最后將裝有單晶硅片的大花藍(lán)放入配有清洗液的工藝槽中，浸泡10(Γ120秒，上述工藝槽中備用的清洗液可以連續(xù)生產(chǎn)40 50批次。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，具體的說是一種單晶硅電池生產(chǎn)中去除單晶硅片上磷硅玻璃的方法，該方法通過控制一定濃度的HF酸(電子級)溶液，與擴(kuò)散后產(chǎn)生的磷硅玻璃反應(yīng)，去除含磷的SiO2層，使表面雜質(zhì)剝離，有效產(chǎn)生鈍化。同時容易控制HF酸的過度腐蝕，不破壞硅片Si-Si鍵，避免了PECVD成膜過程中產(chǎn)生復(fù)合而出現(xiàn)白線等缺陷片的發(fā)生。
文檔編號H01L31/18GK102723398SQ201110077390
公開日2012年10月10日 申請日期2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月30日
發(fā)明者劉萬學(xué), 劉志堅, 吳帥, 楊帥, 程明輝, 韓麗 申請人:吉林慶達(dá)新能源電力股份有限公司