專利名稱：一種增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法，尤其涉及AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)HEMT器件及其制備方法。
背景技術(shù)：
與基于鋁鎵砷/鎵砷(AWaAs/GaAs)異質(zhì)結(jié)的高電子遷移率晶體管(HEMT)相比， 基于鋁鎵氮/鎵氮(AWaN/feN)異質(zhì)結(jié)的HEMT器件具有以下優(yōu)點(diǎn)1、AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面的二維電子氣QDEG)濃度較高(可達(dá)1013em 2)，比 AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)界面的2DEG濃度高出近一個(gè)數(shù)量級(jí)，因此，基于AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)的 HEMT器件具有更高的輸出功率密度。作為規(guī)?；a(chǎn)的產(chǎn)品，基于AKiaN/GaN異質(zhì)結(jié)的 HEMT器件功率密度已達(dá)到達(dá)IOW/毫米以上，比GaAs基HEMT器件的功率密度高出近20倍。2、由于GaN屬于寬禁帶半導(dǎo)體，其工作溫度高，可在500°C以上正常工作，而基于 AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)的HEMT器件的極限工作溫度約為200°C左右。3、由于GaN具有更高的擊穿電場(chǎng)，因此，基于AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的HEMT器件具有較高的柵-漏擊穿電壓，與AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)HEMT器件相比，其工作偏置高出好幾倍以上。4、由干GaN材料化學(xué)鍵能高，材料的物理化學(xué)性能穩(wěn)定，受外來(lái)的物理、化學(xué)作用的影響弱，因此，基于AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)的HEMT具有很強(qiáng)的抗輻照能力。由于基于AlGaN/GanN異質(zhì)結(jié)的HEMT器件具有上述特點(diǎn)，使其廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信及航空航天等領(lǐng)域，使之成為了繼硅(Si)、砷化鎵之后最有應(yīng)用潛力的半導(dǎo)體材料，并廣泛受到業(yè)界和學(xué)界的關(guān)注和研究。但是，由于GaN是一種強(qiáng)極性半導(dǎo)體材料，在AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面自然形成高濃度的2DEG，在通常情況下很難耗盡AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面的2DEG，所以，基于AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的HEMT器件通常均為耗盡型，即在零偏壓下AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的HEMT器件處于常開(kāi)狀態(tài)，只有在柵上加一定大小的負(fù)偏壓時(shí)，才能使器件處于關(guān)斷狀態(tài)。在數(shù)字邏輯集成電路設(shè)計(jì)和研制時(shí)，往往既需要耗盡型器件，還需要增強(qiáng)型器件 (即處于常關(guān)狀態(tài)的器件，只有加一定的正柵壓器件才能工作)。為此，研究工作者一直在探索增強(qiáng)型MGaN/GaN HEMT器件的制備方法。目前，人們已成功采用以下方法制備出了增強(qiáng)型AKiaN/^aN HEMT器件1、通過(guò)能帶設(shè)計(jì)和剪切降低AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面的2DEG濃度，從而實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型 GaNHEMT 器件。這一方法的最大缺點(diǎn)是無(wú)法實(shí)現(xiàn)與耗盡型GaN HEMT器件的兼容，也就是說(shuō)無(wú)法在同一片材料上既制備增強(qiáng)型GaN HEMT器件，還研制出耗盡型GaN HEMT器件。因此，這種方法無(wú)法滿足GaN數(shù)字邏輯電路的研制需要。2、通過(guò)減薄柵區(qū)的AKiaN勢(shì)壘層厚度，降低柵區(qū)的2DEG濃度，從而實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型 GaNHEMT 器件。
這種方法雖然有效，但其最大的問(wèn)題是由于很難監(jiān)控刻蝕速率，導(dǎo)致柵區(qū)AKiaN 勢(shì)壘層的厚度難以準(zhǔn)確控制。因此，所制備的增強(qiáng)型GaN HEMT器件的性能一致性和重復(fù)性難以保證，這對(duì)于GaN數(shù)字邏輯電路的研制來(lái)說(shuō)，同樣是很難接受的。3、對(duì)柵區(qū)AWaN勢(shì)壘層注入F離子，耗盡柵區(qū)的2DEG，從而實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型GaN HEMT 器件。這種方法雖然避免了以上兩種方法的缺點(diǎn)，但其最大的問(wèn)題是柵區(qū)AKiaN勢(shì)壘層的F離子注入會(huì)破壞AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面特性，使GaN增強(qiáng)型HEMT器件的性能退化，從而使所研制的GaN集成電路性能較差。總之，現(xiàn)有的增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件技術(shù)方案都存在較大問(wèn)題，需要發(fā)明新的技術(shù)方法，既能實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件與耗盡型MGaN/GaN HEMT器件在制備工藝上的兼容，又能最大限度地保證增強(qiáng)型GaN HEMT器件與耗盡型GaN HEMT器件性能相當(dāng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種增強(qiáng)型(常關(guān)型)AWaN/GaN HEMT器件及其制備方法。所述增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件通過(guò)在絕緣柵介質(zhì)中引入固定負(fù)電荷，并通過(guò)控制所引入固定負(fù)電荷的電荷量來(lái)調(diào)節(jié)晶體管的閾值電壓，并實(shí)現(xiàn)閾值電壓大于零增強(qiáng)型AWaN/GaN HEMT器件。所述增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件的制備方法工藝簡(jiǎn)單可控，與耗盡型(常開(kāi)型)AWaN/ GaNHEMT器件的制備工藝相兼容，制備GaN增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管的所制備的器件源漏飽和電流密度、柵漏電流小，特別適合于研制GaN邏輯電路。本發(fā)明技術(shù)方案如下一種增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件，如圖1所示，包括位于襯底表面的GaN薄膜、位于GaN薄膜表面的AWaN薄膜，所述AlGaN薄膜與GaN薄膜形成AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)；在所述AlGaN薄膜上具有柵、源、漏電極，其中柵電極位于源電極和漏電極之間，且在柵電極與 AlGaN薄膜之間具有柵介質(zhì)薄膜。所述柵介質(zhì)薄膜材料中具有固定負(fù)電荷。上述增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件中，所述襯底材料可以采用碳化硅(SiC)、硅 (Si)或藍(lán)寶石(Al2O3)；所述柵介質(zhì)薄膜材料可以采用Al203、Si02、Hf02、HfTi0、Zr02、SiNx、 SiNO或MgO ；所述固定負(fù)電荷可采用F離子或Cl離子。本發(fā)明提供的一種增強(qiáng)型MGaN/GaN HEMT器件的制備方法，如圖2所示，包括以下步驟步驟1 在襯底表面先外延生長(zhǎng)一層GaN薄膜，然后在GaN薄膜表面生長(zhǎng)一層 AlGaN薄膜，形成AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)。所述襯底材料可以采用碳化硅(SiC)、硅(Si)或藍(lán)寶石(Al2O3)。步驟2 在AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)表面制備一層?xùn)沤橘|(zhì)薄膜。所述柵介質(zhì)薄膜材料可以采用 A1203、SiO2, HfO2, HfTiO, ZrO2, SiNx、SiNO 或 MgO。步驟3 光刻?hào)沤橘|(zhì)薄膜，定義出源極區(qū)和漏極區(qū)，沉積源極金屬和漏極金屬，形成源極和漏極。步驟4:光刻定義出柵極區(qū)，采用離子注入或離子擴(kuò)散工藝，在柵介質(zhì)薄膜材料中注入或擴(kuò)散F離子或Cl離子，形成引入F離子或Cl離子固定負(fù)電荷的柵介質(zhì)薄膜。
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步驟5 在柵介質(zhì)薄膜表面沉積金屬形成柵電極。本發(fā)明提供的另一種增強(qiáng)型MGaN/GaN HEMT器件的制備方法，如圖3所示，包括以下步驟步驟1 在襯底表面先外延生長(zhǎng)一層GaN薄膜，然后在GaN薄膜表面生長(zhǎng)一層 AlGaN薄膜，形成AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)；步驟2 采用氣氛真空沉積薄膜工藝，在含F(xiàn)或Cl的氣氛條件下，在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)表面真空沉積柵介質(zhì)薄膜，形成帶固定F離子或Cl離子固定負(fù)電荷的柵介質(zhì)薄膜。步驟3 光刻?hào)沤橘|(zhì)薄膜，定義出源極區(qū)和漏極區(qū)，沉積源極金屬和漏極金屬，形成源極和漏極。步驟4 在柵介質(zhì)薄膜表面沉積金屬形成柵電極。本發(fā)明提供的增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件，既可以與金屬-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的耗盡型 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESHEMT)進(jìn)行集成，構(gòu)成GaN集成電路(如圖4所示)；還可以與耗盡型GaN MISHEMT器件進(jìn)行集成，構(gòu)成GaN集成電路(如圖5所示)。本發(fā)明提供的增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件，采用了三種工藝方法向柵介質(zhì)薄膜材料中引入F離子或Cl離子固定負(fù)電荷1)離子注入，2)離子擴(kuò)散，3)氣氛條件下真空沉積介質(zhì)薄膜，在制備柵介質(zhì)薄膜的同時(shí)引入F離子或Cl離子固定負(fù)電荷。對(duì)采用離子注入工藝向柵介質(zhì)薄膜材料中引入F離子或Cl離子固定負(fù)電荷時(shí)，通過(guò)控制注入離子的能量和離子劑量來(lái)調(diào)控進(jìn)入到絕緣柵介質(zhì)中的固定負(fù)電荷的電荷量；對(duì)采用離子擴(kuò)散工藝向柵介質(zhì)薄膜材料中引入F離子或Cl離子固定負(fù)電荷時(shí)，通過(guò)控制擴(kuò)散源濃度和擴(kuò)散時(shí)間來(lái)控制進(jìn)入到絕緣柵介質(zhì)薄膜材料中的固定負(fù)電荷的電荷量；對(duì)于采用在含F(xiàn)、Cl的氣氛中真空沉積絕緣柵介質(zhì)薄膜引入固定負(fù)電荷的方法，通過(guò)控制薄膜沉積氣氛中含F(xiàn)、Cl氣體的分壓來(lái)調(diào)控進(jìn)入到絕緣柵介質(zhì)中的固定負(fù)電荷的電荷量。無(wú)論采用那一種方法向柵介質(zhì)薄膜材料中引入F離子或Cl離子固定負(fù)電荷，都要確保引入的F離子或Cl離子固定負(fù)電荷只存在于柵介質(zhì)薄膜材料中，而不能進(jìn)入到AlGaN勢(shì)壘層，從而確保AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面特性和器件的性能不發(fā)生退化。本發(fā)明提供的增強(qiáng)型(常關(guān)型)AWaN/GaN HEMT器件及其制備方法，由于在絕緣柵介質(zhì)中引入了 F離子或Cl離子固定負(fù)電荷，并通過(guò)控制所引入固定負(fù)電荷的電荷量來(lái)調(diào)節(jié)晶體管的閾值電壓，并實(shí)現(xiàn)閾值電壓大于零增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件。與常規(guī)增強(qiáng)型 AlGaN/GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)或制備方法相比較，本發(fā)明通過(guò)在柵介質(zhì)薄膜材料中引入固定負(fù)電荷的方法來(lái)獲得增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)，由于對(duì)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面特性沒(méi)有影響，故而不會(huì)造成器件性能的退化。所述增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件的制備方法工藝簡(jiǎn)單可控，與耗盡型(常開(kāi)型)AWaN/GaN HEMT器件的制備工藝相兼容，制備GaN增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管的所制備的器件源漏飽和電流密度、柵漏電流小，特別適合于研制GaN邏輯電路。


圖1是本發(fā)明提供的增強(qiáng)型AWaN/GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是采用離子注入法或離子擴(kuò)算法制備增強(qiáng)型AWaN/GaN HEMT器件的制備工藝流程示意圖。圖3是采用在含F(xiàn)或Cl氣氛中真空沉積絕緣柵介質(zhì)薄膜的方法制備增強(qiáng)型AlGaN/GaNHEMT器件的制備工藝流程示意圖。圖4是本發(fā)明提供的增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件與耗盡型GaN MESHEMT器件集成的GaN集成電路示意圖。圖5是本發(fā)明提供的增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件與耗盡型GaN MISHEMT器件集成的GaN集成電路示意圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施方式中采用F = Al2O3薄膜為柵介質(zhì)薄膜的增強(qiáng)型AKiaN/GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是本發(fā)明實(shí)施方式中采用F = Al2O3薄膜為柵介質(zhì)薄膜的增強(qiáng)型AKiaN/GaN HEMT器件的轉(zhuǎn)移特性。圖8是本發(fā)明實(shí)施方式中采用F = Al2O3薄膜為柵介質(zhì)薄膜的增強(qiáng)型AKiaN/GaN HEMT器件的輸出特性。圖9是本發(fā)明實(shí)施方式中采用F = Al2O3薄膜為柵介質(zhì)薄膜的增強(qiáng)型AKiaN/GaN HEMT器件柵漏電特性。圖10是本發(fā)明實(shí)施方式中采用F = Al2O3薄膜為柵介質(zhì)薄膜的增強(qiáng)型AKiaN/GaN HEMT器件柵介質(zhì)薄膜中F離子和0離子成分分布。
具體實(shí)施例方式采用本發(fā)明如圖2所示的工藝流程，采用F離子注入的A1203 (以下簡(jiǎn)寫為 FiAl2O3)薄膜作為柵介質(zhì)的增強(qiáng)型AKiaN/GaN HEMT器件，其器件結(jié)構(gòu)示意圖如圖6所示。 其具體實(shí)施方式
如下(1)、首先在藍(lán)寶石襯底上制備AKiaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料，然后采用分子束外延 (MBE)在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料表面沉積一層約IOnm厚的Al2O3薄膜。(2)、在覆蓋有Al2O3薄膜的AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料表面旋涂光刻膠，通過(guò)光刻定位出源區(qū)(Source)和漏區(qū)(Drain)的位置，再用1 100的HF溶液將源區(qū)和漏區(qū)位置的 Al2O3薄膜刻蝕掉。采用電子束蒸發(fā)技術(shù)沉積Ti/Al/Ni/Au多層膜金屬電極，Ti/Al/Ni/Au 多層膜金屬電極的厚度分別為20nm/100nm/30nm/50nm，采用剝離工藝制備出源區(qū)和漏區(qū)的金屬電極，并在氮?dú)夥罩袑?duì)金屬電極進(jìn)行快速退火處理(退火溫度825°C，退火時(shí)間30s)， 以形成歐姆電極。(3)、光刻定位出柵區(qū)位置，在反應(yīng)離子刻蝕機(jī)內(nèi)，用CF4作為反應(yīng)氣體，對(duì)柵區(qū)進(jìn)行F離子注入，工藝條件為注入功率60W，工作氣壓20mTorr，注入時(shí)間300s。(4)、再采用電子束蒸發(fā)在晶圓表面沉積Ni/Au金屬薄膜，Ni/Au金屬薄膜的厚度分別為100nm/50nm，并通過(guò)剝離工藝形成柵金屬電極，再在氮?dú)夥障聦?duì)整個(gè)晶圓進(jìn)行退火處理(退火溫度400°C，退火時(shí)間IOmin.)。通過(guò)以上工藝步驟，就可研制出了這種F = Al2O3柵介質(zhì)的增強(qiáng)型GaN MISHEMT器件，為了對(duì)比，本發(fā)明還研制了與圖5同樣結(jié)構(gòu)的以Al2O3薄膜(未在Al2O3薄膜中注入F離子)作為柵介質(zhì)的GaN MISHEMT器件。采用HP4284A LCR儀對(duì)所研制的這兩種器件進(jìn)行電學(xué)性質(zhì)測(cè)試。圖7給出了這兩種器件的轉(zhuǎn)移特性，可以看出采用Al2O3薄膜作為柵介質(zhì)的 ( 匪ISHEMT器件閾值電壓為-4. 2V，為耗盡型feiN MISHEMT器件；而采用F = Al2O3薄膜作為柵介質(zhì)的GaN MISHEMT器件閾值電壓約為+0. 3V，為增強(qiáng)型GaN MISHEMT器件。與同樣結(jié)構(gòu)的耗盡型GaN MISHEMT器件相比，雖然采用本發(fā)明研制的這種耗盡型GaN MISHEMT器件的最大飽和電流密度和跨導(dǎo)均略低一些，但仍然達(dá)到了 600mA/mm及160mS/mm，性能良好。圖8給出了采用本發(fā)明研制的以F = Al2O3作為柵介質(zhì)的增強(qiáng)型GaN MISHEMT器件的輸出特性，當(dāng)柵電壓從-3V增大到+5V時(shí)，器件的輸出特性仍然良好。圖9給出了采用本發(fā)明研制的以F = Al2O3作為柵介質(zhì)的增強(qiáng)型GaN MISHEMT器件的柵漏電特性，即使在正5V偏壓下仍然保持很低的柵漏電。采用X射線光電子能譜分析(XPS)方法對(duì)柵介質(zhì)中的F離子和0離子成分沿薄膜厚度方向做深度譜，其分析結(jié)果如圖10所示，F(xiàn)離子主要分布在Al2O3柵介質(zhì)的最表層，從而證明了 在本發(fā)明技術(shù)中，固定電荷并未進(jìn)入到AKiaN勢(shì)壘層中。以上測(cè)試結(jié)果說(shuō)明采用本發(fā)明技術(shù)不僅可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型GaN MISHEMT器件，而且本發(fā)明技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)、與其它制備增強(qiáng)型GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管的技術(shù)相比，本技術(shù)的制備工藝可控性好，所研制的器件性能重復(fù)性好。(2)、所研制的增強(qiáng)型GaN MISHEMT器件性能良好，最大源漏飽和電流密度大，柵漏電小，器件工作電壓范圍寬，完全可滿足GaN集成電路研制需要。
權(quán)利要求
1.一種增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件，包括位于襯底表面的GaN薄膜、位于GaN薄膜表面的AlGaN薄膜，所述AlGaN薄膜與GaN薄膜形成AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)；在所述AlGaN薄膜上具有柵、源、漏電極，其中柵電極位于源電極和漏電極之間，且在柵電極與AKiaN薄膜之間具有柵介質(zhì)薄膜；其特征在于，所述柵介質(zhì)薄膜材料中具有固定負(fù)電荷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型AlGaN/GaNHEMT器件，其特征在于，所述襯底材料為碳化硅、硅或藍(lán)寶石。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型AlGaN/GaNHEMT器件，其特征在于，所述柵介質(zhì)薄膜材料為 A1203、SiO2, HfO2, HfTiO, ZrO2, SiNx、SiNO 或 MgO。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型AKiaN/GaNHEMT器件，其特征在于，所述固定負(fù)電荷為F離子或Cl離子。
5.一種增強(qiáng)型MGaN/GaN HEMT器件的制備方法，包括以下步驟步驟1 在襯底表面先外延生長(zhǎng)一層GaN薄膜，然后在GaN薄膜表面生長(zhǎng)一層AKiaN薄膜，形成AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)；步驟2 在AWaN/GaN異質(zhì)結(jié)表面制備一層?xùn)沤橘|(zhì)薄膜；步驟3 光刻?hào)沤橘|(zhì)薄膜，定義出源極區(qū)和漏極區(qū)，沉積源極金屬和漏極金屬，形成源極和漏極；步驟4 光刻定義出柵極區(qū)，采用離子注入或離子擴(kuò)散工藝，在柵介質(zhì)薄膜材料中注入或擴(kuò)散F離子或Cl離子，形成引入F離子或Cl離子固定負(fù)電荷的柵介質(zhì)薄膜；步驟5 在柵介質(zhì)薄膜表面沉積金屬形成柵電極。
6.一種增強(qiáng)型MGaN/GaN HEMT器件的制備方法，包括以下步驟步驟1 在襯底表面先外延生長(zhǎng)一層GaN薄膜，然后在GaN薄膜表面生長(zhǎng)一層AlGaN薄膜，形成AKiaN/GaN異質(zhì)結(jié)；步驟2 采用氣氛真空沉積薄膜工藝，在含F(xiàn)或Cl的氣氛條件下，在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)表面真空沉積柵介質(zhì)薄膜，形成帶固定F離子或Cl離子固定負(fù)電荷的柵介質(zhì)薄膜；步驟3 光刻?hào)沤橘|(zhì)薄膜，定義出源極區(qū)和漏極區(qū)，沉積源極金屬和漏極金屬，形成源極和漏極；步驟4 在柵介質(zhì)薄膜表面沉積金屬形成柵電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的增強(qiáng)型AlGaN/GaNHEMT器件的制備方法，其特征在于， 所述襯底材料為碳化硅、硅或藍(lán)寶石。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的增強(qiáng)型AlGaN/GaNHEMT器件的制備方法，其特征在于， 所述柵介質(zhì)薄膜材料為 A1203、SiO2, HfO2, HfTiO, ZrO2, SiNx, SiNO 或 MgO。
全文摘要
一種增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件及其制造方法，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。器件包括位于襯底表面的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)和柵、源、漏電極結(jié)構(gòu)，其中柵介質(zhì)薄膜材料中具有F離子或Cl離子固定負(fù)電荷。本發(fā)明通過(guò)在柵介質(zhì)薄膜中引入F離子或Cl離子固定負(fù)電荷，并通過(guò)控制所引入固定負(fù)電荷的電荷量來(lái)調(diào)節(jié)晶體管的閾值電壓，并實(shí)現(xiàn)閾值電壓大于零的增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件。本發(fā)明通過(guò)在柵介質(zhì)薄膜材料中引入固定負(fù)電荷的方法來(lái)獲得增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)，由于對(duì)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面特性沒(méi)有影響，故而不會(huì)造成器件性能的退化，且工藝簡(jiǎn)單可控，與耗盡型(常開(kāi)型)AlGaN/GaN HEMT器件的制造工藝相兼容，制造GaN增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管的所制造的器件源漏飽和電流密度、柵漏電流小，特別適合于研制GaN邏輯電路。
文檔編號(hào)H01L29/778GK102184943SQ201110096268
公開(kāi)日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月18日
發(fā)明者劉興釗, 張萬(wàn)里, 李言榮, 陳超 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)