專利名稱：晶體管的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體管的形成方法。
背景技術(shù)：
在超大規(guī)模集成電路中，通常采用應(yīng)力襯墊技術(shù)在NMOS晶體管上形成張應(yīng)力襯墊層(tensile stress liner),在PMOS晶體管上形成壓應(yīng)力襯墊層(compressive stressliner)，從而增大NMOS晶體管和PMOS晶體管的載流子遷移率，增大了驅(qū)動電流，提高了電路的響應(yīng)速度。據(jù)研究，使用雙應(yīng)力襯墊技術(shù)的集成電路能夠帶來24%的速度提升。現(xiàn)有技術(shù)中，晶體管的形成方法為請參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，形成位于所述半導(dǎo)體襯底100表面柵絕緣層 103，形成覆蓋所述柵絕緣層103的柵電極層105，在所述半導(dǎo)體襯底100表面形成與位于所述柵絕緣層103、柵電極層105兩側(cè)且與其接觸的側(cè)墻107 ；請參考圖2，以所述側(cè)墻107為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成第一開口 111 ；請參考圖3，采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述第一開口底部和側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底100形成第二開口 112;請參考圖4，在所述第二開口 112內(nèi)填充滿硅鍺，形成應(yīng)力層113?，F(xiàn)有技術(shù)中，對于不同特征尺寸的第一開口，在采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述第一開口底部和側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底形成第二開口后形成的晶體管的性能不穩(wěn)定。更多關(guān)于晶體管及其形成方法見公開號為“CN101789447A”的申請文件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種增強晶體管的穩(wěn)定性的晶體管的形成方法。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種晶體管的形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，形成位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一開口 ；形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁的犧牲側(cè)墻；以所述犧牲側(cè)墻為掩膜氧化所述第一開口底部的半導(dǎo)體襯底形成保護層；去除所述犧牲側(cè)墻；刻蝕所述第一開口的側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底形成第二開口 ；去除所述保護層。可選地，所述犧牲側(cè)墻的材料與保護層的材料不同，所述犧牲側(cè)墻的材料為HfO2或 ZrO2。可選地，所述犧牲側(cè)墻的形成工藝為物理沉積、化學氣相沉積或原子氣相沉積中的一種?？蛇x地，去除所述犧牲側(cè)墻的工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學試劑對犧牲側(cè)墻和保護層的刻蝕選擇比大于2. 5。
可選地，所述濕法刻蝕采用的化學試劑包括溶劑、鹵素酸和表面活性劑?？蛇x地，所述溶劑的含量為大于50% ;所述鹵素酸的含量為0. 0001% 10% ;所述表面活性劑的含量為0. I % 10%?？蛇x地，所述溶劑至少為水、高氯酸、酒精、四氫呋喃、硫酸、二甲基亞砜中的一種；所述鹵素酸至少為HF、HBr、HI、H3ClO4中的一種。可選地，去除所述犧牲側(cè)墻的工藝為等離子體轟擊去除。可選地，所述保護層的材料為氧化硅，所述保護層的厚度為50 200人?？蛇x地，所述保護層的形成工藝為等離子體氧化工藝或熱氧化工藝，所述熱氧化工藝的形成步驟為在溫度大于855K的條件下，通入氧氣對所述半導(dǎo)體襯底的硅表面進行氧化。
可選地，去除所述保護層的方法為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學試劑為氫氟酸?？蛇x地，所述第二開口的形狀為“ E ”，所述第二開口的形成工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學試劑為四甲基氫氧化氨?？蛇x地，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵介質(zhì)層、位于所述柵介質(zhì)層表面的柵電極層及位于所述柵介質(zhì)層和柵電極層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底表面的側(cè)墻?？蛇x地，所述柵電極層的材料為多晶硅或金屬材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施例在形成第二開口之前，氧化所述第一開口底部的半導(dǎo)體襯底生成保護層，所述保護層可以作為濕法刻蝕形成第二開口時的刻蝕阻擋層，由于有保護層對所述保護層以下的半導(dǎo)體襯底進行保護，因此即使第一開口的特征尺寸不同，形成的第二開口的深度仍然保持一致，使得晶體管的穩(wěn)定性增強。進一步的，本發(fā)明的實施例在形成所述保護層之前，還在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁形成犧牲側(cè)墻，所述犧牲側(cè)墻在后續(xù)形成保護層時，保護所述第一開口側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底沒有被氧化，利于后續(xù)形成“ E ”形狀的第二開口，增加晶體管的溝道區(qū)的應(yīng)力，提高載流子遷移率，從而加快晶體管的響應(yīng)速度。由于本發(fā)明實施例只需形成一道犧牲側(cè)墻，形成工藝簡單。


圖I 圖4是現(xiàn)有技術(shù)的晶體管的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)的過程示意圖；圖5是本發(fā)明實施例的晶體管的形成方法的流程示意圖；圖6 圖11是本發(fā)明實施例的晶體管的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)的過程示意圖。
具體實施例方式由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有的晶體管的形成方法在形成第一開口后，直接采用濕法刻蝕形成第二開口，由于所述第一開口的特征尺寸不同，造成后續(xù)形成的第二開口的深淺不一，影響晶體管的穩(wěn)定性。本發(fā)明實施例的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的晶體管的形成方法造成晶體管的性能不穩(wěn)定的原因是，特征尺寸大的第一開口的底部刻蝕的速度較快，因此與特征尺寸大的第一開口對應(yīng)的第二開口的深度大于與特征尺寸小的第一開口對應(yīng)的第二開口的深度，形成的第二開口的深淺不一，導(dǎo)致了晶體管的性能不穩(wěn)定。本發(fā)明實施例的發(fā)明人經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，在第一開口的底部形成一層保護層，所述保護層作為后續(xù)形成第二開口時的刻蝕阻擋層，使得保護層底部的半導(dǎo)體襯底不被刻蝕，從而使得形成的第二開口具有相同的深度，增強晶體管的穩(wěn)定性。本發(fā)明實施例的發(fā)明人經(jīng)過進一步研究后發(fā)現(xiàn)，為保護第一開口側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底在后續(xù)不被氧化，以利于后續(xù)形成第二開口，需要在第一開口的側(cè)壁形成犧牲側(cè)墻，而為了使所述犧牲側(cè)墻在后續(xù)更加容易去除，而不影響保護層和柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)墻，所述犧牲側(cè)墻的材料與保護層和柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)墻不同。本發(fā)明實施例的發(fā)明人考慮可以通過在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁形成第一犧牲側(cè)墻和第二犧牲側(cè)墻來解決上述問題，然而工藝過程復(fù)雜，不利于節(jié)省工藝。本發(fā)明實施例的發(fā)明人經(jīng)過進一步研究后發(fā)現(xiàn)，可以只在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁形成一層犧牲側(cè)墻，同樣可以起到保護第一開口側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底的作用，且在后續(xù)容易去除，并且成型工藝簡單。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖以及具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。 需要說明的是，本發(fā)明所提供的晶體管形成方法既可以用于形成PMOS晶體管，也可以用于形成NMOS晶體管，在形成PMOS晶體管和形成NMOS晶體管的工藝中，不同之處在于應(yīng)力層的材料不一樣。本發(fā)明實施例的發(fā)明人提供了一種晶體管的形成方法，請參考圖5，包括步驟S201，提供半導(dǎo)體襯底，形成位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一開口；步驟S203，形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁的犧牲側(cè)墻；步驟S205，以所述犧牲側(cè)墻為掩膜氧化所述第一開口底部的半導(dǎo)體襯底形成保護層；步驟S207，去除所述犧牲側(cè)墻；步驟S209，刻蝕所述第一開口的側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底形成第二開口 ；步驟S211，去除所述保護層，填充滿所述第二開口形成應(yīng)力層。執(zhí)行步驟S201，請參考圖6，提供半導(dǎo)體襯底300，形成位于所述半導(dǎo)體襯底300表面的柵極結(jié)構(gòu)(未標示)，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底300內(nèi)形成第一開口311。所述半導(dǎo)體襯底300為單晶硅。在本發(fā)明的實施例中，所述半導(dǎo)體襯底300的晶向為〈100〉或〈110〉。所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述半導(dǎo)體襯底300表面的柵介質(zhì)層303、位于所述柵介質(zhì)層303表面的柵電極層305及位于所述柵介質(zhì)層303和柵電極層305兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底300表面的側(cè)墻307。其中，所述柵介質(zhì)層303的材料為二氧化硅或高K(high-k)材料；所述柵電極層305的材料為多晶硅或金屬材料，所述金屬材料的選擇與晶體管的類型有關(guān)，例如PMOS晶體管所選用的金屬為TiN、TaN、Ti和Al的組合，NMOS晶體管所選用的金屬為TiAl、TiN、Ti和Al的組合；所述側(cè)墻307的材料為氮化硅。
所述柵極結(jié)構(gòu)的形成步驟為采用沉積工藝或熱氧化工藝在所述半導(dǎo)體襯底300表面形成柵介質(zhì)層303 ;采用沉積工藝，例如物理或化學沉積工藝在所述柵介質(zhì)層303表面形成柵電極層305 ;采用沉積、刻蝕工藝在所述柵介質(zhì)層303和柵電極層305兩側(cè)且與其接觸的半導(dǎo)體襯底300表面形成側(cè)墻307。所述半導(dǎo)體襯底300內(nèi)形成有多個第一開口 311，所述第一開口 311的特征尺寸可以相同，也可以不同；所述第一開口 311的深度相同，為500 700 A;所述第一開口 311的形成工藝為干法刻蝕。所述第一開口 311的形 成步驟為以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述半導(dǎo)體襯底300,形成第一開口 311。需要說明的是，所述特征尺寸指的是第一開口 311沿半導(dǎo)體襯底300表面的方向的長度。在本發(fā)明的實施例中，多個第一開口 311的特征尺寸不同。執(zhí)行步驟S203，請參考圖7，形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口 311的側(cè)壁的犧牲側(cè)墻313。所述犧牲側(cè)墻313用于保護第一開口 311的側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底300在后續(xù)形成保護層時不被氧化。為了避免后續(xù)去除所述犧牲側(cè)墻313時不破壞柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)墻307和后續(xù)形成的保護層，所述犧牲側(cè)墻313的材料應(yīng)該與側(cè)墻307、保護層的材料不同。在本發(fā)明的實施例中，本發(fā)明實施例的發(fā)明人經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，當選擇HfO2或ZrO2作為所述犧牲側(cè)墻313的材料時，可以只形成一道犧牲側(cè)墻313，所述犧牲側(cè)墻313既能在形成保護層時保護第一開口 311側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底300，又不會在后續(xù)去除犧牲側(cè)墻313破壞柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)墻307和保護層，并且節(jié)省了工藝步驟，工藝簡單。所述犧牲側(cè)墻313的形成步驟為采用沉積工藝，例如物理、化學氣相沉積或原子氣相沉積工藝形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口 311的側(cè)壁的犧牲薄膜，然后采用回刻蝕工藝刻蝕所述犧牲薄膜形成犧牲側(cè)墻313。執(zhí)行步驟S205，請參考圖8，以所述犧牲側(cè)墻313為掩膜氧化所述第一開口 311底部的半導(dǎo)體襯底300形成保護層317。所述保護層317的材料為氧化硅，用于作為后續(xù)刻蝕形成第二開口時的刻蝕阻擋層，保護后續(xù)形成第二開口時保護層317底部的半導(dǎo)體襯底300不被刻蝕，形成的第二開口的深度均勻一致。本發(fā)明實施例的發(fā)明人經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，所述保護層3 17的厚度的大小與是否能夠很好的保護所述保護層317底部的半導(dǎo)體襯底300有關(guān)。所述保護層317的厚度太薄，不能很好的保護所述保護層317底部的半導(dǎo)體襯底300 ;所述保護層317的厚度太厚，不利于節(jié)省工藝時間，因此，在本發(fā)明的實施例中，所述保護層317的厚度為50 200人。在本發(fā)明的一個實施例中，所述保護層317的形成工藝為熱氧化工藝，所述熱氧化工藝的形成步驟為在溫度大于855K的條件下，通入氧氣對所述半導(dǎo)體襯底的硅表面進行氧化。在本發(fā)明的另一實施例中，所述保護層317的形成工藝為等離子體氧化工藝，具體為在射頻等離子體環(huán)境中通入氧氣，氧化所述單晶硅形成氧化薄膜，作為保護層。執(zhí)行步驟S207，請參考圖9，去除所述犧牲側(cè)墻。去除所述犧牲側(cè)墻，用于暴露出第一開口 311側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底300，利于后續(xù)形
成第二開口。
在本發(fā)明的實施例中，去除所述犧牲側(cè)墻的工藝為濕法刻蝕，本發(fā)明實施例的發(fā)明人經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，所述濕法刻蝕采用的化學試劑對犧牲側(cè)墻和保護層的刻蝕選擇比大于2. 5，即可在不破壞保護層的情況下完全去除所述犧牲側(cè)墻。所述濕法刻蝕采用的化學試劑包括溶劑、鹵素酸和表面活性劑。其中，所述溶劑至少為水(H20)、高氯酸(HC104)、酒精、四氫呋喃(THF)、硫酸(H2SO4)、二甲基亞砜(DMSO)中的一種；所述齒素酸至少為HF、HBr、HI、H3ClO4 中的一種。并且，經(jīng)過進一步研究，本發(fā)明實施例的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，所述溶劑的含量為大于50%;所述鹵素酸的含量為0. 0001% 10%;所述表面活性劑的含量為0. 1% 10%時，去除所述犧牲側(cè)墻的效果最好，且耗時最短。需要說明的是，在本發(fā)明的另一實施例中，所述去除犧牲側(cè)墻的工藝還可以為等離子體轟擊去除工藝。步驟S209，刻蝕所述第一開口的側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底300形成第二開口 319。 所述第二開口 319的形狀為“ E ”，用于使得第二開口 319更加靠近溝道區(qū)，使得溝道區(qū)的應(yīng)力增大，提高載流子的遷移率，從而提高晶體管的響應(yīng)速率。本發(fā)明實施例的發(fā)明人經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，濕法刻蝕工藝中采用的化學試劑在腐蝕半導(dǎo)體襯底300的單晶硅時，對于不同晶向的單晶硅的腐蝕速率不同，可以形成形狀為“E”的第二開口 319。在本發(fā)明的實施例中，以沿〈100〉晶向生長的單晶硅的半導(dǎo)體襯底300為例，采用四甲基氫氧化氨(TMAH)的化學試劑對第一開口的側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底300進行腐蝕，所述化學試劑沿晶向為〈110〉腐蝕半導(dǎo)體襯底300的速度最快，沿〈110〉晶向的半導(dǎo)體襯底300被腐蝕的厚度為15 20nm，而沿其他晶向的腐蝕速率較小，且晶向為〈111〉方向的腐蝕速率最小，最終形成“E”形狀的第二開口 319。在濕法刻蝕形成第二開口 319時，由于有保護層317的保護，所述保護層317底部的半導(dǎo)體襯底300不會被腐蝕，從而使得形成的第二開口 319的深度均勻一致，不存在深淺不一的情況，晶體管的穩(wěn)定性好。執(zhí)行步驟S211，請參考圖11，去除所述保護層，填充滿所述第二開口形成應(yīng)力層321。去除所述保護層的工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學試劑為氫氟酸。在去除所述保護層后，向所述第二開口中填充鍺硅，形成應(yīng)力層321。由于硅、鍺具有相同的晶格結(jié)構(gòu)，即“金剛石”結(jié)構(gòu)，在室溫下，鍺的晶格常數(shù)大于硅的晶格常數(shù)，所以對于PMOS晶體管，在第二開口內(nèi)形成硅鍺(SiGe)，可以引入硅和鍺硅之間晶格失配形成的壓應(yīng)力，進一步提高壓應(yīng)力，提高PMOS晶體管的性能。相應(yīng)地，對于NMOS晶體管，在第二開口內(nèi)形成碳硅(SiC)可以引入硅和碳硅之間晶格失配形成的拉應(yīng)力，進一步提高拉應(yīng)力，提高NMOS晶體管的性能。綜上，本發(fā)明實施例在形成第二開口之前，氧化所述第一開口底部的半導(dǎo)體襯底生成保護層，所述保護層可以作為濕法刻蝕形成第二開口時的刻蝕阻擋層，由于有保護層對所述保護層以下的半導(dǎo)體襯底進行保護，因此即使第一開口的特征尺寸不同，形成的第二開口的深度仍然保持一致，使得晶體管的穩(wěn)定性增強。進一步的，本發(fā)明的實施例在形成所述保護層之前，還在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁形成犧牲側(cè)墻，所述犧牲側(cè)墻在后續(xù)形成保護層時，保護所述第一開口側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底沒有被氧化，利于后續(xù)形成“ E ”形狀的第二開口，增加晶體管的溝道區(qū)的應(yīng)力，提高載流子遷移率，從而加快晶體管的響應(yīng)速度。由于本發(fā)明實施例只需形成一道犧牲側(cè)墻，形成工藝簡單。 本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。 ·
權(quán)利要求
1.一種晶體管的形成方法，包括 提供半導(dǎo)體襯底，形成位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一開口； 其特征在于，還包括 形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁的犧牲側(cè)墻； 以所述犧牲側(cè)墻為掩膜氧化所述第一開口底部的半導(dǎo)體襯底形成保護層； 去除所述犧牲側(cè)墻； 刻蝕所述第一開口的側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底形成第二開口； 去除所述保護層。
2.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述犧牲側(cè)墻的材料與保護層的材料不同，所述犧牲側(cè)墻的材料為HfO2或ZrO2。
3.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述犧牲側(cè)墻的形成工藝為物理沉積、化學氣相沉積或原子氣相沉積中的一種。
4.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲側(cè)墻的工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學試劑對犧牲側(cè)墻和保護層的刻蝕選擇比大于2. 5。
5.如權(quán)利要求4所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的化學試劑包括溶劑、鹵素酸和表面活性劑。
6.如權(quán)利要求5所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述溶劑的含量為大于50%;所述鹵素酸的含量為0.0001% 10% ;所述表面活性劑的含量為0. 1% 10%。
7.如權(quán)利要求5所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述溶劑至少為水、高氯酸、酒精、四氫呋喃、硫酸、二甲基亞砜中的一種；所述鹵素酸至少為HF、HBr、HI、H3ClO4中的一種。
8.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲側(cè)墻的工藝為等離子體轟擊去除。
9.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料為氧化硅，所述保護層的厚度為50 200 A。
10.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述保護層的形成工藝為等離子體氧化工藝或熱氧化工藝，所述熱氧化工藝的形成步驟為在溫度大于855K的條件下，通入氧氣對所述半導(dǎo)體襯底的硅表面進行氧化。
11.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述保護層的方法為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學試劑為氫氟酸。
12.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二開口的形狀為“ E ”，所述第二開口的形成工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學試劑為四甲基氫氧化氨。
13.如權(quán)利要求I所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵介質(zhì)層、位于所述柵介質(zhì)層表面的柵電極層及位于所述柵介質(zhì)層和柵電極層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底表面的側(cè)墻。
14.如權(quán)利要求13所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵電極層的材料為多晶硅或金屬材料。
全文摘要
一種晶體管的形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，形成位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一開口；形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁的犧牲側(cè)墻；以所述犧牲側(cè)墻為掩膜氧化所述第一開口底部的半導(dǎo)體襯底形成保護層；去除所述犧牲側(cè)墻；刻蝕所述第一開口的側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底形成第二開口；去除所述保護層。本發(fā)明實施例的晶體管的形成工藝簡單，并且晶體管的穩(wěn)定性增強。
文檔編號H01L21/8238GK102810513SQ20111014535
公開日2012年12月5日 申請日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者張翼英, 何其旸 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司