本實(shí)用新型屬于信息科學(xué)技術(shù)學(xué)科的微電子應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有源OLED硅背板像素電路結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

OLED(0rganic Light Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)為電流驅(qū)動(dòng)器件，要求背板電路能提供精確、穩(wěn)定的電流控制。早期的有源背板采用的是非晶硅(amorphous Silicon)TFT技術(shù)，但是由于非晶硅的遷移率較低及閾值電壓的不穩(wěn)定等原因并沒有獲得成功，之后采用LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)TFT技術(shù)替代。相比非晶硅而言，LTPS的遷移率要高得多，但是閾值電壓仍存在均勻性不一致問題，因而在像素電路的設(shè)計(jì)中要進(jìn)行一定的電路補(bǔ)償，目前已有的有源OLED顯示器大部分采用的都是LTPS-TFT背板技術(shù)。

近來出現(xiàn)的一種有源OLED技術(shù)是采用單晶硅MOS基板技術(shù)，相比其他基板技術(shù)而言，單晶硅具有載流子遷移率高、閾值電壓穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，可以將像素矩陣及周邊驅(qū)動(dòng)電路等都集成在顯示屏上，大大減小整個(gè)顯示系統(tǒng)的體積及成本，同時(shí)成熟的MOS集成電路工藝也為有源OLED微型顯示器件的基板制作提供了便利。在單晶硅MOS基板芯片的設(shè)計(jì)上，主要考慮的是如何精確控制流過OLED的電流，從而實(shí)現(xiàn)良好的灰度圖象顯示。同時(shí)芯片功耗也非常重要，因?yàn)楣杌鵒LED微型顯示器件也就可以用于VR/AR/MR等近眼顯示型眼鏡，由普通手機(jī)電池供電，低功耗電路可延長電池的使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有LTPSTFT背板的像素電路存在的缺陷，提供一種基于單晶硅MOS基板技術(shù)的有源OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，且存儲(chǔ)信號(hào)能量的電容器由PMOS晶體管充當(dāng)，做到完全與常規(guī)PMOS半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序相匹配。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：

一種由3個(gè)PMOS晶體管構(gòu)成的有源OLED像素單元電路，主要由第1-PMOS晶體管、第2-PMOS晶體管和第3-PMOS晶體管組成；其中，第1-PMOS晶體管和第3-PMOS晶體管形成電學(xué)串聯(lián)，第2-PMOS晶體管與第3-PMOS晶體管形成電學(xué)并聯(lián)；第2-PMOS晶體管源極和第2-PMOS晶體管漏極連接到電源線形成MOS電容器結(jié)構(gòu)。

所述第1-PMOS晶體管源極連接到數(shù)據(jù)輸入線，所述第1-PMOS晶體管柵極連接到電壓掃描線。

所述第1-PMOS晶體管漏極與所述第2-PMOS晶體管柵極通過第1連線聯(lián)通。

所述第2-PMOS晶體管柵極與所述第3-PMOS晶體管柵極通過第2連線聯(lián)通。

所述第3-PMOS晶體管漏極連接到所述電源線，所述第3-PMOS晶體管源極連接到公共陽極。

本實(shí)用新型的有益效果是：

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供了一種由3個(gè)PMOS晶體管構(gòu)成的像素單元電路，且存儲(chǔ)信號(hào)能量的電容器由PMOS晶體管充當(dāng)，這種由PMOS晶體管組成像素單元電路，做到完全與常規(guī)PMOS半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序相匹配，這是因?yàn)镻MOS電容器與PMOS晶體管均為同種類型，且在實(shí)際器件結(jié)構(gòu)中由PMOS晶體管構(gòu)建的PMOS電容器不設(shè)置相應(yīng)的源極和漏極，通過減小電容器面積從而達(dá)到減小像素單元尺寸的效果。

附圖說明

圖1是有源OLED像素單元電路原理圖；

其中：1：數(shù)據(jù)輸入線，2：第1-PMOS晶體管源極，3：第1-PMOS晶體管，4：電壓掃描線，5：第1-PMOS晶體管柵極，6：第1-PMOS晶體管漏極，7：第2-PMOS晶體管源極，8：第2-PMOS晶體管，9：第2-PMOS晶體管漏極，10：第3-PMOS晶體管柵極，11：第3-PMOS晶體管，12：電源線，13：第3-PMOS晶體管漏極，14：第3-PMOS晶體管源極，15：公共陽極，16：第1連線，17：第2-PMOS晶體管柵極，18：第2連線。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖1對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)作進(jìn)一步具體的說明：

一種由3個(gè)PMOS晶體管構(gòu)成的像素單元電路，主要由第1-PMOS晶體管(3)、第2-PMOS晶體管(8)和第3-PMOS晶體管(11)組成；

其中，所述第1-PMOS晶體管(3)和所述第3-PMOS晶體管(11)形成電學(xué)串聯(lián)關(guān)系，所述第2-PMOS晶體管(8)與所述第3-PMOS晶體管(11)形成電學(xué)并聯(lián)，

且第2-PMOS晶體管源極(7)和第2-PMOS晶體管漏極(9)連接到電源線(12)形成MOS電容器結(jié)構(gòu)；

所述第1-PMOS晶體管源極(2)連接到所述數(shù)據(jù)輸入線(1)，所述第1-PMOS晶體管柵極(5)連接到所述電壓掃描線(4)；

所述第1-PMOS晶體管漏極(6)與所述第2-PMOS晶體管柵極(17)通過所述第1連線(16)聯(lián)通；

所述第2-PMOS晶體管柵極(17)與所述第3-PMOS晶體管柵極(10)通過所述第2連線(18)聯(lián)通；

所述第3-PMOS晶體管漏極(13)連接到所述電源線(12)，所述第3-PMOS晶體管源極(14)連接到所述公共陽極(15)。

應(yīng)當(dāng)明確的是，本實(shí)用新型不限于這里的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型的揭示，按本實(shí)用新型構(gòu)思所做出的顯而易見的改進(jìn)和修飾都應(yīng)該在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。