專利名稱：晶體硅太陽(yáng)能電池的鈍化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池鈍化實(shí)現(xiàn)方法技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種晶體硅太陽(yáng)能電池的鈍化方法。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池的鈍化是提高電池效率一個(gè)主要的途徑?，F(xiàn)有的鈍化技術(shù)有PECVD沉積的SiNx、熱氧化法生長(zhǎng)的Si02、SiNx和Si02兩種薄膜的疊層，其它的一些鈍化膜例如 MgF2、A1203等也都被用在鈍化表面上。商業(yè)上比較常用的是SiNx薄膜，高效電池上用的比較多的是熱氧化生長(zhǎng)的Si02，可以降低表面的復(fù)合速率到lOcm/s以下，效率可以達(dá)到20% 以上。Si02鈍化膜雖然在高效電池上的應(yīng)用很廣泛，但是熱氧化所需要的溫度都在 1000°C，對(duì)于高效電池所用的FZ的硅片來(lái)說(shuō)，在氧化過(guò)程中少子壽命不會(huì)受到影響，而商業(yè)化生產(chǎn)所用的CZ硅片一般少子壽命較低，雜質(zhì)含量比較高，因此在高溫氧化過(guò)程中硅片的少子壽命會(huì)大幅度降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池的鈍化方法，克服傳統(tǒng)熱氧化生長(zhǎng)二氧化硅的缺陷，在降低了生產(chǎn)的成本的同時(shí)提高電池的效率。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的方案是一種晶體硅太陽(yáng)能電池的鈍化方法，在低溫下用熱氧化的方法在硅片的表面生長(zhǎng)一層厚度為5-50nm的二氧化硅薄膜，溫度范圍為 600°C _800°C，氧化時(shí)間為 5-60min。進(jìn)一步地，二氧化硅薄膜作為太陽(yáng)能電池的一層鈍化層，在這層鈍化層的表面另外再沉積一層鈍化層，形成疊層的鈍化膜來(lái)鈍化電池的表面。再進(jìn)一步地，另外再沉積的一層鈍化層為SiNx、SiOx或者A1203鈍化膜。本發(fā)明的有益效果是在太陽(yáng)能電池的表面多增加一層本發(fā)明所涉及的二氧化硅鈍化膜，再加上一層如SiNx薄膜的鈍化層之后，相對(duì)于單層的SiNx薄膜或高溫下生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜的疊層鈍化的鈍化，效率可以提升0. 2%以上，電壓可以提高5-8mV，電流也有 50-100mA的提升。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明；圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1. 二氧化硅薄膜，2. SiNx。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，在SE電池的基礎(chǔ)上加上低溫下熱氧化生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜1作為疊層鈍化膜的一層。電池的制作工藝流程如下1、堿制絨；2、掩膜生長(zhǎng)；3、選擇性擴(kuò)散結(jié)的形成；4、后清洗及邊緣刻蝕；5、在低溫下用熱氧化的方法在硅片表面生長(zhǎng)一層厚度為5-50nm的二氧化硅薄膜 (1)，溫度范圍為6000C _800°C，氧化時(shí)間為5-60min ；6、PECVD 法沉積 SiNx2 ；7、正面和背面漿料的印刷和燒結(jié)，測(cè)試。測(cè)試結(jié)果顯示，相對(duì)于單層SiNx2或高溫下生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜1的疊層鈍化， Voc開路電壓有5-8mV的提升，電流有50-100mA的提升，效率有0. 2%以上的提升。具體的
電性能數(shù)據(jù)如下
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池的鈍化方法，其特征是在低溫下用熱氧化的方法在硅片表面生長(zhǎng)一層厚度為5-50nm的二氧化硅薄膜(1)，溫度范圍為600°C -800°C，氧化時(shí)間為 5_60mino
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的鈍化方法，其特征是所述的二氧化硅薄膜(1)作為太陽(yáng)能電池的一層鈍化層，在這層鈍化層的表面另外再沉積一層鈍化層，形成疊層的鈍化膜來(lái)鈍化電池的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的鈍化方法，其特征是所述的另外再沉積的一層鈍化層為SiNx (2)、SiOx或者A1203鈍化膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池鈍化實(shí)現(xiàn)方法技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種晶體硅太陽(yáng)能電池的鈍化方法。該方法為在低溫下用熱氧化的方法在硅片的表面生長(zhǎng)一層厚度為5-50nm的二氧化硅薄膜，溫度范圍為600℃-800℃，氧化時(shí)間為5-60min。二氧化硅薄膜作為太陽(yáng)能電池的一層鈍化層，在這層鈍化層的表面另外再沉積一層鈍化層，形成疊層的鈍化膜來(lái)鈍化電池的表面。本發(fā)明的有益效果是在太陽(yáng)能電池的表面多增加一層本發(fā)明所涉及的二氧化硅鈍化膜，再加上一層如SiNx薄膜的鈍化層之后，相對(duì)于單層的SiNx薄膜或高溫下生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜的疊層鈍化的鈍化，效率可以提升0.2％以上，電壓可以提高5-8mV，電流也有50-100mA的提升。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102364696SQ20111017974
公開日2012年2月29日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者馮志強(qiáng), 鄧偉偉 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司