背接觸式太陽能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽能電池領(lǐng)域，特別是涉及一種背接觸式太陽能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池是一種將太陽的光能直接轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。由于它是綠色環(huán)保產(chǎn)品，不會(huì)引起環(huán)境污染，而且是可再生資源，所以在當(dāng)今能源短缺的情形下，太陽能電池是一種有廣闊發(fā)展前途的新型能源。
[0003]隨著太陽能發(fā)電技術(shù)的發(fā)展，為改善太陽的光電轉(zhuǎn)化的效率，人們開發(fā)出了新一種“背接觸”電池，其特點(diǎn)是取消了太陽能電池受光面的柵線，在背光面相應(yīng)位置設(shè)置正負(fù)電極，從而可減少受光面的遮光，增加光電轉(zhuǎn)換效率。其中，最具代表性的是IBC(Interdigitated back contact)電池。
[0004]IBC電池制備后要實(shí)現(xiàn)電池到組件的互聯(lián)，電池背面需要很寬的金屬pad作為組件連接時(shí)的焊接區(qū)，這些金屬pad通常呈圓形，直徑約為4mm?6mm，然而，由于焊接時(shí)需將銀漿涂覆在金屬pad的表面，因此過大的金屬電極使得銀楽耗量過大，從而導(dǎo)致成本較高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)的背接觸式太陽能電池的成本較高的問題，提供一種低成本的背接觸式太陽能電池。
[0006]—種背接觸式太陽能電池，包括N型硅片主體，所述N型硅片主體具有相對(duì)的受光面和背光面，所述背光面上設(shè)置有第一發(fā)射區(qū)和P+發(fā)射區(qū)，所述第一發(fā)射區(qū)為N+發(fā)射區(qū)和N++發(fā)射區(qū)，所述第一發(fā)射區(qū)與所述P+發(fā)射區(qū)交替排布；
[0007]所述N++發(fā)射區(qū)遠(yuǎn)離所述N型硅片主體的一側(cè)設(shè)置有N型金屬，所述N型金屬的另一側(cè)設(shè)置有N型區(qū)焊接電極，所述N型金屬分別與所述N++發(fā)射區(qū)、所述N型區(qū)焊接電極為點(diǎn)接觸；
[0008]所述P+發(fā)射區(qū)遠(yuǎn)離所述N型硅片主體的一側(cè)設(shè)置有P型金屬，所述P型金屬上設(shè)置有P型區(qū)焊接電極；
[0009]所述P型金屬遠(yuǎn)離所述N型硅片主體的一側(cè)端部設(shè)置有絕緣介質(zhì)，所述絕緣介質(zhì)隔離所述P+發(fā)射區(qū)與所述N型區(qū)焊接電極。
[0010]上述背接觸式太陽能電池中引入了絕緣介質(zhì)以及與N型金屬電連接的N型區(qū)焊接電極，N型金屬位于N型區(qū)焊接電極的一側(cè)位置，同時(shí)，N型金屬分別與N++發(fā)射區(qū)、N型區(qū)焊接電極為點(diǎn)接觸，總體降低了 N型金屬分別與N++發(fā)射區(qū)、N型區(qū)焊接電極接觸的面積，因此，能夠降低N型金屬漿料的消耗，從而大大降低了背接觸式太陽能電池的加工成本。
[0011 ]此外，由于形成了P型區(qū)焊接電極和N型區(qū)焊接電極，極大地方便組件的焊接，不論是手工焊接還是機(jī)器自動(dòng)化焊接都可滿足，且組件可靠穩(wěn)定，具有積極的現(xiàn)實(shí)意義。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述N++發(fā)射區(qū)的摻雜濃度是所述N+發(fā)射區(qū)的摻雜濃度的1.5倍?3倍。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述N++發(fā)射區(qū)的面積占所述背光面的面積的3%?7%。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)所述N++發(fā)射區(qū)引出的接觸面的面積為0.0Olmm2?
0.005mm2ο
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)所述P+發(fā)射區(qū)引出的接觸面的面積為0.0Olmm2?
0.005mm2ο
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)所述P+發(fā)射區(qū)遠(yuǎn)離所述N型硅片主體的一側(cè)設(shè)置有若干非連續(xù)的非晶硅介質(zhì)。
[0017]非晶硅介質(zhì)
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣介質(zhì)的厚度為20μπι?40μπι。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述N型金屬為銀，所述P型金屬為鋁。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述N型區(qū)焊接電極為銅層、鋁層或錫層。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述受光面上設(shè)置有N+前表面場，所述N+前表面場為金字塔絨面，所述N+前表面場遠(yuǎn)離所述N型硅片主體的表面上設(shè)置有減反層。
【附圖說明】
[0022]圖1為一實(shí)施方式的背接觸式太陽能電池的側(cè)面剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0024]需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。
[0025]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0026]請(qǐng)參見圖1，一實(shí)施方式的背接觸式太陽能電池100包括N型硅片主體3，Ν型硅片主體3具有相對(duì)的受光面110和背光面120。
[0027]受光面110上設(shè)置有N+前表面場2。礦前表面場2為金字塔絨面。N+前表面場2遠(yuǎn)離N型硅片主體3的表面上鍍有氮化硅減反層I，但減反層不以此為限，還可以為其他材質(zhì)的減反層。
[0028]背光面120上設(shè)置有第一發(fā)射區(qū)和P+發(fā)射區(qū)4。第一發(fā)射區(qū)為N+發(fā)射區(qū)8和N++發(fā)射區(qū)5，且N++發(fā)射區(qū)5的兩側(cè)均設(shè)置有N+發(fā)射區(qū)8。本實(shí)施例中，N++發(fā)射區(qū)的摻雜濃度是N+發(fā)射區(qū)的摻雜濃度的2倍，但其不限于此，還可以為1.5倍?3倍，亦可根據(jù)需要選擇其他摻雜倍數(shù)。如圖中所示，第一發(fā)射區(qū)與P+發(fā)射區(qū)4交替排布。
[0029]每個(gè)P+發(fā)射區(qū)4遠(yuǎn)離N型硅片主體3的一側(cè)設(shè)置有若干非連續(xù)的非晶硅介質(zhì)121+發(fā)射區(qū)4遠(yuǎn)離N型硅片主體3的一側(cè)設(shè)置有P型金屬71型金屬7覆蓋P+發(fā)射區(qū)4以及非晶硅介質(zhì)12 J+發(fā)射區(qū)4穿過非晶硅介質(zhì)12與P型金屬7點(diǎn)