專利名稱：Tft基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法。尤其是，本發(fā)明的TFT基板及反射型TFT基板具備利用柵極絕緣膜及層間絕緣膜絕緣的柵電極及柵極配線；作為在柵電極上形成的TFT (薄膜晶體管)的活性層的η型氧化物半導(dǎo)體層；在溝道部上形成的由層間絕緣膜構(gòu)成的溝道保護(hù)層；在層間絕緣膜的一對(duì)開口部形成的漏電極及源電極。由此，本發(fā)明的TFT基板及反射型TFT基板在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定地工作。此外，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)消減制造工序而實(shí)現(xiàn)制造成本的下降，進(jìn)而，能夠排除對(duì)于柵極配線之間的干涉(相互干擾)。
背景技術(shù)：
LCD(液晶顯示裝置)或有機(jī)EL顯示裝置從顯示性能、節(jié)省能源等緣由出發(fā)而被廣泛利用。這些尤其作為移動(dòng)電話或PDA (面向個(gè)人便攜信息終端)、個(gè)人計(jì)算機(jī)或筆記本計(jì)算機(jī)、電視等顯示裝置變?yōu)橹髁鳌Ｔ谶@些顯示裝置中通常使用TFT基板。例如，液晶顯示裝置在TFT基板與對(duì)置基板之間填充有液晶等顯示材料。此外，該顯示材料選擇性地按施加電壓。此處，TFT基板為配置有由半導(dǎo)體薄膜(也稱為半導(dǎo)體膜) 等構(gòu)成的TFT (薄膜晶體管)的基板。通常，TFT基板陣列狀地配置TFT，因此也稱為“TFT 陣列基板”。而且，在用于液晶顯示裝置等的TFT基板中，TFT與液晶顯示裝置的畫面的1像素的組(其稱為1單元)在玻璃基板上橫豎地配設(shè)。TFT基板中，在玻璃基板上，柵極配線例如在橫向上等間隔地配置，源極配線或漏極配線的一方在橫向上等間隔地配置。此外，在構(gòu)成各像素的上述單元中分別設(shè)置有源極配線或漏極配線的另一方、柵電極、源電極及漏電極。<TFT基板的現(xiàn)有的制造方法>作為該TFT基板的制造方法通常已知有使用5片掩模的5片掩模過程(mask process)、或利用半色調(diào)曝光技術(shù)使用4片掩模的4片掩模過程等。然而，在此種TFT基板的制造方法中，通過使用5片或4片掩模，其制造過程需要較多的工序。例如，4片掩模過程需要35步驟(工序)，5片掩模過程需要超過40步驟(工序)。如此地，工序數(shù)變多，有制造成品率降低之虞。此外，如果工序數(shù)多，工序變得復(fù)雜，有制造成本增大之虞。(使用5片掩模的制造方法)圖70是用于說明現(xiàn)有例的TFT基板的制造方法的概略圖，(a)表示形成有柵電極的剖面圖。(b)表示形成有蝕刻停止器的剖面圖。(c)表示形成有源電極及漏電極的剖面圖。(d)表示形成有層間絕緣膜的剖面圖。(e)表示形成有像素電極的剖面圖。圖70(a)中，在玻璃基板9210上使用第一掩模(未圖示)，形成柵電極9212。艮口， 首先在玻璃基板9210上利用濺射來堆積金屬(例如，Al (鋁)等)。接下來，使用第一掩模， 利用光刻法形成抗蝕劑。然后，通過蝕刻成規(guī)定的形狀，形成柵電極9212，且灰化抗蝕劑。其次，如圖70(b)所示，在玻璃基板9210及柵電極9212上依次疊層由SiN膜(氮化硅膜)構(gòu)成的柵絕緣膜9213，及a-Si:H(i)膜9214。接下來，堆積作為溝道保護(hù)層的 SiN膜(氮化硅膜)。然后，使用第二掩模(未圖示)利用光刻法形成抗蝕劑。接下來，使用CHF氣體，SiN膜被干蝕刻為規(guī)定的形狀，從而形成蝕刻停止器9215，且灰化抗蝕劑。其次，如圖70(c)所示，在a-Si:H(i)膜9214及蝕刻停止器9215上堆積 a-Si:H(n)膜9216。接下來，在其上使用真空蒸鍍或?yàn)R射法堆積Cr (鉻)/Al 二層膜。接下來，使用第三掩模(未圖示)利用光刻法形成抗蝕劑。然后，蝕刻Cr/Al 二層膜，形成規(guī)定形狀的源電極9217a及漏電極9217b。此時(shí)，對(duì)Al進(jìn)行使用了 H3P04-CH3C00H_HN03的光刻，此外，對(duì)Cr進(jìn)行使用硝酸第二鈰銨水溶液的光刻。接下來對(duì)a_Si:H膜(9216及9214) 進(jìn)行使用了 CHF氣體的干蝕刻和使用了聯(lián)氨水溶液(NH2NH2 · H2O)的濕蝕刻，形成規(guī)定形狀的α-Si: H (η)膜9216及a-Si:H(i)膜9214，且灰化抗蝕劑。其次，如圖70 (d)所示，在形成透明電極9219之前，在柵極絕緣膜9213、蝕刻停止器9215、源電極9217a及漏電極9217b上堆積層間絕緣膜9218。接下來，使用第四掩模(未圖示)，利用光刻法形成抗蝕劑。然后，蝕刻層間絕緣膜9218，并形成用于使透明電極9219 與源電極9217a電連接的通孔9218a，并灰化抗蝕劑。其次，如圖70(e)所示，在形成有源電極9217a及漏電極9217b的圖案的區(qū)域的層間絕緣膜9218上利用濺射法堆積以氧化銦和氧化鋅為主成分的非晶體透明導(dǎo)電膜。接下來，使用第五掩模(未圖示)，利用光刻法形成抗蝕劑。然后，對(duì)非晶體透明導(dǎo)電膜使用草酸約4重量％的水溶液作為蝕刻劑進(jìn)行光刻。接下來，非晶體導(dǎo)電膜形成與源電極9217a電連接的形狀，并灰化抗蝕劑。由此，形成透明電極9219。如此地，根據(jù)本現(xiàn)有例的TFT基板的制造方法，需要5片掩模。(使用3片掩模的制造方法)作為改良上述現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)，提出了減少掩模的數(shù)量(例如從5片減到3片)， 并以進(jìn)一步消減制造工序的方法來制造TFT基板的技術(shù)。例如，在下述專利文獻(xiàn)1 7中記載有使用了 3片掩模的TFT基板的制造方法。專利文獻(xiàn)1 日本國(guó)特開2004-317685號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本國(guó)特開2004-319655號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本國(guó)特開2005-017669號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本國(guó)特開2005-019664號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本國(guó)特開2005-049667號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6 日本國(guó)特開2005-106881號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7 日本國(guó)特開2005-108912號(hào)公報(bào)但是，上述專利文獻(xiàn)1 7中記載的使用了 3片掩模的TFT基板的制造方法需要柵極絕緣膜的陽(yáng)極氧化工序等，是非常煩雜的制造過程。因此，存在上述TFT基板的制造方法是實(shí)際應(yīng)用困難的技術(shù)的問題。
此外，在實(shí)際的TFT基板(包括反射型TFT基板等)的生產(chǎn)線中，品質(zhì)(例如，長(zhǎng)時(shí)期的工作穩(wěn)定性或避免柵極配線之間干涉(相互干擾)等不良情況)是重要的。即，期望可使品質(zhì)提高，并能使生產(chǎn)率提高的實(shí)用的技術(shù)。進(jìn)而，即使對(duì)于反射型的TFT基板、半透過型的TFT基板、半反射型的TFT基板，期望使品質(zhì)或生產(chǎn)率提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題，目的在于提供一種TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法，其利用溝道保護(hù)層在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定地工作，且能夠防止相互干擾，并且通過消減制造工序的工序數(shù)，能夠大幅地降低制造成本。為達(dá)成該目的，本發(fā)明的TFT基板形成如下結(jié)構(gòu)，即具備基板；形成在該基板的上方，并且上表面被柵極絕緣膜覆蓋，且側(cè)面被層間絕緣膜覆蓋而絕緣的柵電極及柵極配線；在所述柵電極的上方，且在所述柵極絕緣膜的上方形成的氧化物層；在所述氧化物層的上方，由溝道部隔開而形成的導(dǎo)電體層；形成在所述溝道部的上方，保護(hù)所述溝道部的溝道保護(hù)層。如此，溝道部的氧化物層的上部被溝道保護(hù)層保護(hù)，所以能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作。此外，優(yōu)選所述氧化物層是η型氧化物半導(dǎo)體層。如此，通過使用氧化物半導(dǎo)體層作為TFT活性層，電流流過穩(wěn)定，且對(duì)于由電流控制來工作的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光裝置是有用的。此外，優(yōu)選所述溝道保護(hù)層由所述層間絕緣膜構(gòu)成，在所述層間絕緣膜的一對(duì)開口部分別形成有由所述導(dǎo)電體層構(gòu)成的漏電極及源電極。如此，溝道保護(hù)層、溝道部、漏電極及源電極可靠且容易地制造，所以改善成品率， 并且能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。此外，優(yōu)選所述導(dǎo)電體層是氧化物導(dǎo)電體層及/或金屬層。如此，能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作，并改善成品率。此外，優(yōu)選所述導(dǎo)電體層至少作為像素電極起作用。如此，在制造時(shí)能夠消減使用的掩模數(shù)，并消減制造工序。從而，生產(chǎn)效率提高且能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。此外，通常利用導(dǎo)電體層形成源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極。如此，能夠有效地制造源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極。此外，優(yōu)選所述氧化物層形成在與所述溝道部、源電極及漏電極相對(duì)應(yīng)的規(guī)定位置。如此，通常氧化物層僅形成在規(guī)定的位置，所以能夠排除柵極配線之間發(fā)生干涉 (相互干擾)的擔(dān)心。此外，優(yōu)選所述基板的上方由保護(hù)用絕緣膜覆蓋，且所述保護(hù)用絕緣膜在與像素電極、源/漏極配線焊盤及柵極配線焊盤相對(duì)應(yīng)的位置具有開口部。如此，TFT基板具備保護(hù)用絕緣膜。從而，能夠提供可容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料等的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板。另外，源/漏極配線焊盤是指源極配線焊盤或漏極配線焊盤。
此外，優(yōu)選所述TFT基板具備柵電極、柵極配線、源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極中至少一種以上，且在所述柵電極、柵極配線、源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極的至少一種的上方形成有輔助導(dǎo)電層。如此，能夠降低各配線或電極的電阻。從而能夠提高可靠性，并且能夠抑制能量效率的降低。此外，優(yōu)選所述TFT基板具備金屬層，并具有保護(hù)所述金屬層的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層。如此，能夠防止金屬層的腐蝕，并提高耐久性。例如，作為柵極配線在使用金屬層的情況下，在形成柵極配線焊盤用的開口部時(shí)，能夠防止金屬表面露出，且能夠使連接可靠性提高。此外，在金屬層為反射金屬層的情況下，能夠防止反射金屬層變色，并能夠防止反射金屬層的反射率降低的不良情況。此外，優(yōu)選所述TFT基板具備柵電極、柵極配線、源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極中至少一種以上，且所述柵電極、柵極配線、源極配線、漏極配線、源電極、 漏電極及像素電極的至少一種由氧化物透明導(dǎo)電體層構(gòu)成。如此，因?yàn)楣獾耐高^量增大，所以能夠提供亮度優(yōu)良的顯示裝置。此外，優(yōu)選所述氧化物層及/或?qū)щ婓w層的能隙為3. OeV以上。如此，通過將能隙設(shè)為3. OeV以上，能夠防止光所形成的誤操作。而且，通常能隙只要在3. OeV以上即可，但優(yōu)選3. 2eV以上，更優(yōu)選3. 4eV以上。如此，通過增大能隙，更可靠地防止光導(dǎo)致的誤操作。此外，優(yōu)選所述TFT基板具備像素電極，所述像素電極的一部分由反射金屬層覆
至
ΓΤΠ ο如此，在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定地工作，且能夠防止相互干擾。此外，能夠提供可以大幅降低制造成本的半透過型的TFT基板或半反射型的TFT基板。此外，優(yōu)選所述反射金屬層至少作為源極配線、漏極配線、源電極及漏電極的至少一種起作用。如此，能夠反射更多的光。從而，能夠使利用了反射光的亮度提高。此外，優(yōu)選所述反射金屬層是由鋁、銀或金構(gòu)成的薄膜，或者由包含鋁、銀或金的合金層構(gòu)成。如此，能夠反射更多的光。從而，能夠使利用了反射光的亮度提高。此外，本發(fā)明的反射型TFT基板具備基板；形成在該基板的上方，并且上表面被柵極絕緣膜覆蓋，且側(cè)面被層間絕緣膜覆蓋而絕緣的柵電極及柵極配線；在所述柵電極的上方，且在所述柵極絕緣膜的上方形成的氧化物層；在所述氧化物層的上方，由溝道部隔開而形成的反射金屬層；形成在所述溝道部的上方，保護(hù)所述溝道部的溝道保護(hù)層。如此，構(gòu)成溝道部的氧化物層被溝道保護(hù)層保護(hù)，所以能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作。此外，優(yōu)選所述氧化物層是η型氧化物舉導(dǎo)體層。如此，通過使用氧化物半導(dǎo)體層作為TFT活性層，電流流過穩(wěn)定，且對(duì)于由電流控制來工作的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光裝置是有用的。此外，優(yōu)選所述溝道保護(hù)層由所述層間絕緣膜構(gòu)成，在所述層間絕緣膜的一對(duì)開口部分別形成有漏電極及源電極。
如此，溝道部、漏電極及源電極可靠且容易地制造。從而，改善成品率，并且能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。此外，優(yōu)選所述反射金屬層至少作為像素電極起作用。如此，在制造時(shí)能夠消減使用的掩模數(shù)，并消減制造工序。從而，生產(chǎn)效率提高且能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。此外，通常利用反射金屬層形成源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極。 如此，能夠有效地制造源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極。此外，優(yōu)選所述氧化物層形成在與所述溝道部、源電極及漏電極相對(duì)應(yīng)的規(guī)定位置。如此，通常氧化物層僅形成在規(guī)定的位置，所以能夠排除柵極配線之間發(fā)生干涉 (相互干擾)的擔(dān)心。此外，優(yōu)選所述基板的上方由保護(hù)用絕緣膜覆蓋，且所述保護(hù)用絕緣膜在與像素電極、源/漏極配線焊盤及柵極配線焊盤相對(duì)應(yīng)的位置具有開口部。如此，TFT基板具備保護(hù)用絕緣膜。從而，能夠提供可容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料等的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板。此外，優(yōu)選所述反射型TFT基板具備反射金屬層及/或金屬薄膜，并具有保護(hù)所述反射金屬層及/或金屬薄膜的金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層。如此，能夠防止反射金屬層及/或金屬薄膜的腐蝕，并提高耐久性。例如，作為柵極配線在使用金屬層的情況下，在形成柵極配線焊盤用的開口部時(shí)，能夠防止金屬表面露出，且能夠使連接可靠性提高。此外，對(duì)于反射金屬層，能夠防止反射金屬層變色，并能夠防止反射金屬層的反射率降低的不良情況。進(jìn)而，因?yàn)橥该鳎怨獾耐高^量不減少，所以能夠提供亮度優(yōu)良的顯示裝置。此外，優(yōu)選所述氧化物層的能隙為3. OeV以上。如此，通過將能隙設(shè)為3. OeV以上，能夠防止光所形成的誤操作。而且，通常能隙只要在3. OeV以上即可，但優(yōu)選3. 2eV以上，更優(yōu)選3. 4eV以上。如此，通過增大能隙，更可靠地防止光導(dǎo)致的誤操作。此外，優(yōu)選所述反射金屬層是由鋁、銀或金構(gòu)成的薄膜，或者由包含鋁、銀或金的合金層構(gòu)成。如此，能夠反射更多的光。從而，能夠使利用了反射光的亮度提高。此外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、第一氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序； 對(duì)所述柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜及第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成開口部，并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊第二氧化物層及第三抗蝕劑的工序；使用第三掩模將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第二氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序。如此，本發(fā)明作為TFT基板的制造方法有效，使用三片掩模，能夠制造VIA孔溝道型的TFT基板。此外，通過消減掩模數(shù)并消減制造工序，生產(chǎn)效率提高，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。此外，在溝道部的氧化物層的上部形成有由層間絕緣膜構(gòu)成的溝道保護(hù)層，該層間絕緣膜具有分別形成漏電極及源電極的一對(duì)開口部。該溝道保護(hù)層保護(hù)溝道部，所以能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作。進(jìn)而，通常氧化物層僅形成在規(guī)定的位置(與溝道部、源電極及漏電極對(duì)應(yīng)的規(guī)定的位置)，所以能夠排除柵極配線之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、第一氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極/ 配線用薄膜、柵極絕緣膜及第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成開口部， 并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊第二氧化物層、保護(hù)用絕緣膜及第三抗蝕劑的工序；使用第三半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第二氧化物層及保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序，將所述第三抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極及柵極配線焊盤露出的工序。如此，源電極、漏電極、源極配線及漏極配線的上部被保護(hù)用絕緣膜覆蓋，所以能夠使動(dòng)作穩(wěn)定性提高。而且，源/漏極配線焊盤是指源極配線焊盤或漏極配線焊盤。此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、第一氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極/ 配線用薄膜、柵極絕緣膜及第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成開口部， 并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊第二氧化物層及第三抗蝕劑的工序；使用第三掩模將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第二氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；層疊保護(hù)用絕緣膜及第四抗蝕劑的工序；將所述第四抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極及柵極配線焊盤露出的工序。如此，由保護(hù)用絕緣膜覆蓋，以不使源電極、漏電極、源極配線及漏極配線露出。此外，TFT基板具備保護(hù)用絕緣膜。從而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板。
此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、第一氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極 /配線用薄膜、柵極絕緣膜及第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序； 將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成開口部，并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊第二氧化物層、輔助導(dǎo)電層、保護(hù)用絕緣膜及第三抗蝕劑的工序；使用第三半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序； 對(duì)所述第二氧化物層、輔助導(dǎo)電層及保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；將所述第三抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述輔助導(dǎo)電層及保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極及柵極配線焊盤露出的工序。如此，能夠降低各配線或電極的電阻。從而，能夠使可靠性提高，并且能夠抑制能量效率的降低。此外，源電極、漏電極、源極配線及漏極配線的上部被保護(hù)用絕緣膜覆蓋，所以使工作穩(wěn)定性提高。此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、第一氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極/ 配線用薄膜、柵極絕緣膜及第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成開口部， 并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊第二氧化物層、輔助導(dǎo)電層及第三抗蝕劑的工序；使用第三掩模將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第二氧化物層及輔助導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；層疊保護(hù)用絕緣膜及第四抗蝕劑的工序；將所述第四抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極及柵極配線焊盤露出的工序。如此，能夠降低各配線或電極的電阻。從而，能夠使可靠性提高，并且能夠抑制能量效率的降低。由保護(hù)用絕緣膜覆蓋，以不使源電極、漏電極、源極配線及漏極配線露出， TFT基板具備保護(hù)用絕緣膜。從而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板。此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、第一氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極/ 配線用薄膜、柵極絕緣膜及第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成開口部， 并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊第二氧化物層、反射金屬層及第三抗蝕劑的工序；使用第三半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第二氧化物層及反射金屬層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；將所述第三抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述反射金屬層進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極的一部分及柵極配線焊盤露出，并且形成由所述反射金屬層構(gòu)成的反射金屬部的工序。如此，使用三片掩模，能夠制造VIA孔溝道型的半透過型的TFT基板或半反射型的 TFT基板。此外，通過消減掩模數(shù)并消減制造工序，生產(chǎn)效率提高，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作，且防止相互干擾。此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、第一氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極 /配線用薄膜、柵極絕緣膜及第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序； 將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成開口部，并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊第二氧化物層、反射金屬層、保護(hù)用絕緣膜及第三抗蝕劑的工序；使用第三半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序； 對(duì)所述第二氧化物層、反射金屬層及保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；將所述第三抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述反射金屬層及保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極的一部分及柵極配線焊盤露出，并且形成由所述反射金屬層構(gòu)成的反射金屬部的工序。如此，在VIA孔溝道型的半透過型的TFT基板或半反射型的TFT基板中，漏電極、 源電極、源極配線、反射金屬部及漏極配線的上部由保護(hù)用絕緣膜覆蓋。從而，能夠提高動(dòng)作穩(wěn)定性。此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、第一氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極/ 配線用薄膜、柵極絕緣膜及第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第一氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成開口部， 并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊第二氧化物層、反射金屬層及第三抗蝕劑的工序；使用第三半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述第二氧化物層及反射金屬層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；將所述第三抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述反射金屬層進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極的一部分及柵極配線焊盤露出，并且形成由所述反射金屬層構(gòu)成的反射金屬部的工序；層疊保護(hù)用絕緣膜及第四抗蝕劑的工序；將所述第四抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使所述源/漏極配線焊盤、所述像素電極的一部分及柵極配線焊盤露出的工序。如此，由保護(hù)用絕緣膜覆蓋而不使源電極、漏電極、源極配線及漏極配線露出，且 TFT基板具備保護(hù)用絕緣膜。從而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的VIA孔溝道型的半透過型的TFT基板或半反射型的TFT基板。此外，優(yōu)選在所述反射金屬層的上方形成保護(hù)該反射金屬層的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層。如此，能夠防止反射金屬層的變色，并能夠防止反射金屬層的反射率降低的不良情況。此外，優(yōu)選在所述柵電極/配線用薄膜的上方形成保護(hù)該柵電極/配線用薄膜的柵電極/配線用薄膜保護(hù)用導(dǎo)電層。如此，在形成柵極配線焊盤用的開口部時(shí)，能夠防止柵極配線所使用的金屬表面露出，并使連接可靠性提高。此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜及氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成源電極用開口部及漏電極用開口部，并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊導(dǎo)電體層及第三抗蝕劑的工序；使用第三掩模，將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述導(dǎo)電體層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、 漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序。如此，本發(fā)明作為TFT基板的制造方法有效。使用三片掩模能夠制造VIA孔溝道型的TFT基板。此外，通過消減掩模數(shù)并消減制造工序，生產(chǎn)效率提高并實(shí)現(xiàn)制造成本的降低。此外，在溝道部的氧化物層的上部形成溝道保護(hù)層。該溝道保護(hù)層是具有分別形成漏電極及源電極的一對(duì)開口部的層間絕緣膜。該溝道保護(hù)層保護(hù)溝道部，所以TFT基板能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作。進(jìn)而，通常氧化物層僅形成在規(guī)定的位置(與溝道部、源電極及漏電極對(duì)應(yīng)的規(guī)定的位置)，所以能夠排除柵極配線之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。此外，本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜及氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序；層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成源電極用開口部及漏電極用開口部，并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊導(dǎo)電體層及第三抗蝕劑的工序；使用第三掩模將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述導(dǎo)電體層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；層疊保護(hù)用絕緣膜及第四抗蝕劑的工序；將所述第四抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻， 使源/漏極配線焊盤、所述像素電極及柵極配線焊盤露出的工序。如此，由保護(hù)用絕緣膜覆蓋而不使源電極、漏電極、源極配線及漏極配線露出，且 TFT基板具備保護(hù)用絕緣膜。從而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板。此外，本發(fā)明反射型TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極 /配線用薄膜、柵極絕緣膜及氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序； 層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成源電極用開口部及漏電極用開口部，并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊反射金屬層及第三抗蝕劑的工序；使用第三掩模，將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述反射金屬層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序。如此，本發(fā)明作為反射型TFT基板的制造方法有效。使用三片掩模能夠制造VIA 孔溝道型的反射型TFT基板。此外，通過消減掩模數(shù)并消減制造工序，生產(chǎn)效率提高并實(shí)現(xiàn)制造成本的降低。此外，在溝道部的氧化物層的上部形成溝道保護(hù)層。該溝道保護(hù)層是具有分別形成漏電極及源電極的一對(duì)開口部的層間絕緣膜。該溝道保護(hù)層保護(hù)溝道部，所以 TFT基板能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作。進(jìn)而，通常氧化物層僅形成在規(guī)定的位置(與溝道部、源電極及漏電極對(duì)應(yīng)的規(guī)定的位置)，所以能夠排除柵極配線之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。此外，本發(fā)明的反射型TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極 /配線用薄膜、柵極絕緣膜及氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序； 層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成源電極用開口部及漏電極用開口部，并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊反射金屬層、保護(hù)用絕緣膜及第三抗蝕劑的工序；使用第三半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述反射金屬層及保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；將所述第三抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極及柵極配線焊盤露出的工序。如此，源電極、漏電極、源極配線及漏極配線的上部被保護(hù)用絕緣膜覆蓋，所以能夠使動(dòng)作穩(wěn)定性提高。此外，本發(fā)明的反射型TFT基板的制造方法包括在基板的上方層疊作為柵電極和柵極配線的柵電極/配線用薄膜、柵極絕緣膜、氧化物層及第一抗蝕劑的工序；使用第一半色調(diào)掩模，利用半色調(diào)曝光將所述第一抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述柵電極 /配線用薄膜、柵極絕緣膜及氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成所述柵電極及柵極配線的工序；將所述第一抗蝕劑再形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述氧化物層進(jìn)行蝕刻，形成溝道部的工序； 層疊層間絕緣膜及第二抗蝕劑的工序；使用第二掩模將所述第二抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為源電極及漏電極的部分形成源電極用開口部及漏電極用開口部，并且對(duì)所述層間絕緣膜及柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻，在作為柵極配線焊盤的部分形成柵極配線焊盤用開口部的工序；層疊反射金屬層及第三抗蝕劑的工序；使用第三掩模將所述第三抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述反射金屬層進(jìn)行蝕刻，形成源電極、漏電極、源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線焊盤的工序；層疊保護(hù)用絕緣膜及第四抗蝕劑的工序；將所述第四抗蝕劑形成為規(guī)定的形狀的工序；對(duì)所述保護(hù)用絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使源/漏極配線焊盤、所述像素電極及柵極配線焊盤露出的工序。如此，由保護(hù)用絕緣膜覆蓋而不使源電極、漏電極、源極配線及漏極配線露出，且反射型TFT基板具備保護(hù)用絕緣膜。從而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL 材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的反射型TFT基板。此外，優(yōu)選在所述氧化物層和反射金屬層之間層疊氧化物導(dǎo)電體層。如此，TFT的開關(guān)速度高速化，并且能夠使TFT的耐久性提高。此外，優(yōu)選在所述反射金屬層的上方層疊金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層。如此，能夠防止反射金屬層的腐蝕，并能夠提高耐久性。此外，能夠防止反射金屬層的變色，并能夠防止反射金屬層的反射率降低的不良情況。此外，優(yōu)選所述柵電極/配線用薄膜具有金屬層，在該金屬層的上方層疊金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層。如此，例如，作為柵極配線使用金屬層的情況下，在形成柵極配線焊盤用的開口部時(shí)，能夠防止金屬表面露出，并能夠使連接可靠性提高。


圖1表示用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖2是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第一半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示金屬層成膜/柵極絕緣膜成膜/n型氧化物半導(dǎo)體層成膜/第一抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第一蝕刻/第一抗蝕劑的再形成后的剖面圖，(C)表示第二蝕刻/剝離第一抗蝕劑后的剖面圖。圖3是表示在本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第一抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖4是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第二掩模的處理的概略圖，(a)表示層間絕緣膜成膜/第二抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第三蝕刻后的剖面圖，(c)表示第二抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖5是表示在本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第二抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖6是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖7是表示在本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖8表示用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖9是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。圖10是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖11是表示在本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖12是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。圖13是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/剝離第三抗蝕劑后的剖面圖。圖14是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖15是表示在本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例中，剝離第四抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖16表示用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖17是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/輔助導(dǎo)電層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。圖18是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖19是表示在本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖20是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。圖21是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/輔助導(dǎo)電層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/剝離第三抗蝕劑后的剖面圖。圖22是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖23是表示在本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第四抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖M表示用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖25是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/反射金屬層成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。圖沈是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖27是表示在本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖觀表示用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖四是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/反射金屬層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。圖30是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖31是表示在本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖32是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。圖33是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第六蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖34是表示在本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例中，剝離第四抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖35表示用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖36是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/反射金屬層成膜/金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。圖37是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖38是表示在本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖39是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。圖40是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第六蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖41是表示在本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例中，剝離第四抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖42表示用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖43是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第一半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示金屬層成膜/金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/柵極絕緣膜成膜/n型氧化物半導(dǎo)體層成膜/第一抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第一蝕刻/第一抗蝕劑的再形成后的剖面圖，(c)表示第二蝕刻/剝離第一抗蝕劑后的剖面圖。圖44是表示在本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第一抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖45是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第二掩模的處理的概略圖，(a)表示層間絕緣膜成膜/第二抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第三蝕刻后的剖面圖，(c)表示第二抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖46是表示在本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第二抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖47是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖48是表示在本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖49是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。圖50是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖51是表示在本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例中，剝離第四抗蝕劑后的TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖52表示用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖53是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示反射金屬層層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖M是表示在本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的反射型TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖55表示用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖56是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示反射金屬層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。圖57是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖58是表示在本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的反射型TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖59表示用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖60是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖61是表示在本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法中，剝離第四抗蝕劑后的反射型TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖62表示用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖63是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示反射金屬層成膜/金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖， (b)表示第四蝕刻后的剖面圖。圖64是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖65是表示在本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的反射型TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖66表示用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。圖67是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/反射金屬層成膜/金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。圖68是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。圖69是表示在本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法中，剝離第三抗蝕劑后的反射型TFT基板的主要部分的概略俯視圖。圖70是用于說明現(xiàn)有例的TFT基板的制造方法的概略圖，(a)表示形成有柵電極的剖面圖。(b)表示形成有蝕刻停止器的剖面圖。(c)表示形成有源電極及漏電極的剖面圖。(d)表示形成有層間絕緣膜的剖面圖。(e)表示形成有像素電極的剖面圖。
具體實(shí)施例方式[TFT基板的制造方法中的第一實(shí)施方式]圖1表示用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求M對(duì)應(yīng)。在該圖中，首先在玻璃基板1010上依次層疊作為柵電極/配線用薄膜的金屬層 1020、柵極絕緣膜1030、作為第一氧化物層的η型氧化物半導(dǎo)體層1040以及第一抗蝕劑 1041，并利用第一半色調(diào)掩模1042及半色調(diào)曝光，將第一抗蝕劑1041形成規(guī)定的形狀(步驟 S1001)。接下來，對(duì)使用第一半色調(diào)掩模1042的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用了第一半色調(diào)掩模的處理)圖2是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第一半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示金屬層成膜/柵極絕緣膜成膜/n型氧化物半導(dǎo)體層成膜/第一抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第一蝕刻/第一抗蝕劑的再形成后的剖面圖，(c)表示第二蝕刻/剝離第一抗蝕劑后的剖面圖。在該圖(a)中，首先準(zhǔn)備透光性的玻璃基板1010。而且，作為TFT基板1001的基材的板狀部件并不限定于上述玻璃基板1010，例如樹脂制的板狀部件或片狀部件也可。
接下來，在玻璃基板1010上，使用高頻濺射法，將Al層疊至膜厚約250nm。接下來，使用高頻濺射法，將Mo(鉬)層疊至膜厚約50nm。由此，形成用于形成柵電極1023及柵極配線IOM的金屬層1020。S卩，金屬層1020雖然未圖示，但由Al薄膜層和Mo薄膜層構(gòu)成。首先，使用Al濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Al薄膜層。此外，使用Mo濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Mo薄膜層。而且，代替上述的Mo，能夠使用Ti (鈦)、Cr (鉻)等。此外，作為柵極配線IOM也能夠使用Ag(銀)、Cu(銅)等金屬薄膜或合金薄膜。此外，Al可以是純Al (純度約100% 的Al)，但也可添加Nd(釹)、Ce(鈰)、Mo、W(鎢)、Nb(鈮)等金屬。另夕卜，Ce、W、Nb等適于抑制與氧化物透明導(dǎo)電體層1060的電池反應(yīng)。添加量可以適宜地選擇，但優(yōu)選約0. 1 2wt%。此外，在本實(shí)施方式中，作為柵電極/配線用薄膜使用了金屬層1020，但并不限定于此，作為柵電極/配線用薄膜也可使用例如由氧化銦-氧化錫(In2O3 SnO=約 90 10wt% )等構(gòu)成的氧化物透明導(dǎo)電體層。接下來，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍法)法等，在金屬層1020上堆積氮化硅 (SiNx)膜即柵極絕緣膜1030至膜厚約300nm。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用 SiH4-NH3-N2系的混合氣體。而且，在本實(shí)施方式中，柵極絕緣膜1030使用了 SiNx等氮化硅膜，但也可以將氧化物絕緣體用作絕緣膜。在此情況下，氧化物絕緣膜的介電常數(shù)越大，越有利于薄膜晶體管的工作。此外，絕緣性優(yōu)選越大越好。作為滿足其的例子，優(yōu)選具有氧化物的超晶格構(gòu)造的氧化物的氧化物絕緣膜。進(jìn)而，也能夠使用非晶體的氧化物絕緣膜。在非晶體氧化物絕緣膜的情況下，能夠?qū)⒊赡囟染S持在低溫，因此，在塑料基板等耐熱性欠缺的基板的情況下是有利的。例如，也可以使用&AlMg04、ScAlZnO4, ScAICoO4, ScAlMnO4, ScGaZnO4, ScGaMgO4 或者 ScAlZn3O6^ ScAlZn4O7^ ScAlZn7O10、或者 ScGaZn3O6^ ScGaZn5O8^ ScGaZn7O10 或者 ScFeZn2O5^ ScFeZn3O6、ScFeZn6O9 等。此外，也可以使用氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鑭(酸化，> 夕7 4 K)等氧化物以及超晶格構(gòu)造的復(fù)合氧化物。接下來，在柵極絕緣膜1030上，使用氧化銦-氧化鋅(In2O3 ZnO =約 97 3wt% )的濺射靶，將膜厚約150nm的η型氧化物半導(dǎo)體層1040成膜。此時(shí)的條件為，氧氬比約為10 90Vol. %，且基板溫度約為150°C。在該條件下，η型氧化物半導(dǎo)體層1040作為非晶體膜得到。而且，η型氧化物半導(dǎo)體層1040在以約200°C以下的低溫進(jìn)行成膜的情況下，作為非晶體膜得到，以超過約200的高溫成膜的情況下，作為結(jié)晶體膜得到。此外，上述非晶體膜通過熱處理也能夠使其結(jié)晶化。在本實(shí)施方式中，將η型氧化物半導(dǎo)體層1040作為非晶體膜形成，并使其結(jié)晶化而使用。而且，η型氧化物半導(dǎo)體層1040并不限定于由上述氧化銦-氧化鋅構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體層，例如，也可為由氧化銦-氧化鎵-氧化鋅系、或氧化銦-氧化釤、氧化鋅-氧化鎂等構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體層。此外，上述氧化銦-氧化鋅薄膜的載流子密度在IO+16CnT3以下，是足夠作為半導(dǎo)體工作的區(qū)域。此外，孔移動(dòng)度為25cm7V*sec。通常，載流子密度只要不足約10+17cm_3，則構(gòu)成足夠的工作區(qū)域，且移動(dòng)度與非晶體硅的移動(dòng)相比大10倍以上，因此，η型氧化物半導(dǎo)體層1040是十分有用的半導(dǎo)體薄膜。此外，η型氧化物半導(dǎo)體層1040需要透明性，因此可以使用能隙約3. OeV以上的氧化物。優(yōu)選約3. 以上，更優(yōu)選約3. ^V以上。上述的氧化銦-氧化鋅系、氧化銦-氧化鎵-氧化鋅系、或氧化銦-氧化釤、氧化鋅-氧化鎂等構(gòu)成的η型氧化物半導(dǎo)體層的能隙約3. 2eV以上，適宜使用。此外，這些薄膜(η型氧化物半導(dǎo)體層)在非晶體的情況下能夠溶解于草酸水溶液、或由磷酸、醋酸及硝酸構(gòu)成的混酸(適宜地簡(jiǎn)稱為混酸)，但通過使其加熱結(jié)晶化，變得不溶于草酸水溶液或混酸，顯示出耐性。此外，結(jié)晶化的溫度能夠根據(jù)添加的氧化鋅的量來控制。接下來，如該圖(a)所示，在η型氧化物半導(dǎo)體層1040上涂敷第一抗蝕劑1041， 并利用第一半色調(diào)掩模1042及半色調(diào)曝光，將第一抗蝕劑1041形成規(guī)定的形狀(步驟 S1001)。即，第一抗蝕劑1041覆蓋柵電極1023及柵極配線1024，并且利用半色調(diào)掩模 1421，形成為覆蓋柵極配線IOM的部分比其它的部分薄的形狀。接下來，如該圖(b)所示，作為第一蝕刻，首先利用第一抗蝕劑1041及蝕刻液(草酸水溶液)，對(duì)η型氧化物半導(dǎo)體層1040進(jìn)行蝕刻，接下來，使用第一抗蝕劑1041及蝕刻氣體(01 (0&、01&氣體等))，對(duì)柵極絕緣膜1030進(jìn)行干蝕刻，進(jìn)而，利用第一抗蝕劑1041及蝕刻液(混酸)，對(duì)金屬層1020進(jìn)行蝕刻，形成柵電極1023及柵極配線10 (步驟S1002)。接下來，將上述第一抗蝕劑1041灰化。由此，柵極配線IOM的上方的η型氧化物半導(dǎo)體層1040露出，并且，將第一抗蝕劑1041再形成為覆蓋柵電極1023的上方的η型氧化物半導(dǎo)體層1040的形狀(S1003)。接下來，如該圖(C)所示，作為第二蝕刻，使用再形成的第一抗蝕劑1041及蝕刻液 (草酸水溶液)，并利用蝕刻將露出的柵極配線IOM上的η型氧化物半導(dǎo)體層1040除去。 由此，形成由η型氧化物半導(dǎo)體層1040構(gòu)成的溝道部1044(S1004)。接下來，如果將再形成的第一抗蝕劑1041灰化，則如圖3所示，在玻璃基板1010 上，柵極絕緣膜1030及溝道部1044露出。柵極絕緣膜1030層疊在柵極配線IOM上。此外，溝道部1044在柵電極1023上經(jīng)由柵極絕緣膜1030而形成。如圖2(c)所示，柵電極 1023及溝道部1044表示圖3中的A-A剖面。此外，柵極配線IOM表示B-B剖面。如此，作為TFT活性層使用η型氧化物半導(dǎo)體層1040，由此即使流過電流也穩(wěn)定， 對(duì)于作為由電流控制而工作的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件是有用的。此外，在本發(fā)明中，η型氧化物半導(dǎo)體層1040僅形成在與溝道部1044、源電極1063 及漏電極1064對(duì)應(yīng)的規(guī)定位置，因此，能夠排除對(duì)于柵極配線IOM發(fā)生干涉(相互干擾) 的擔(dān)心。接下來，如圖1所示，在玻璃基板1010、柵極絕緣膜1030及η型氧化物半導(dǎo)體層 1040上依次層疊層間絕緣膜1050及第二抗蝕劑1051，并使用第二掩模1052將第二抗蝕劑 1051形成規(guī)定的形狀(步驟S1005)。接下來，對(duì)于使用第二掩模1052的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第二掩模的處理)圖4是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第二掩模的處理的概略圖，(a)表示層間絕緣膜成膜/第二抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第三蝕刻后的剖面圖，(C)表示第二抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，利用輝光放電CVD(化學(xué)蒸鍍法)，在露出的玻璃基板1010、 柵極絕緣膜1030及η型氧化物半導(dǎo)體層1040上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即層間絕緣膜1050。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在層間絕緣膜1050上涂敷第二抗蝕劑1051，并使用第二掩模1052，將第二抗蝕劑1051形成為規(guī)定的形狀(步驟SiooO。即，第二抗蝕劑1051形成在除了與后面工序中形成的源電極1063及漏電極1064對(duì)應(yīng)的部分以及柵極配線焊盤1250 的上方的層間絕緣膜1050上。柵極配線IOM及柵電極1023的上表面被柵極絕緣膜1030 覆蓋，且側(cè)面被層間絕緣膜1050覆蓋，由此而被絕緣。接下來，使用第二抗蝕劑1051及蝕刻氣體(CHF (CF4、CHF3氣體等))，對(duì)與源電極 1063及漏電極1064對(duì)應(yīng)的部分的層間絕緣膜1050、以及柵極配線焊盤1250的上方柵極絕緣膜1030及層間絕緣膜1050進(jìn)行蝕刻，并形成源電極1063及漏電極1064用的一對(duì)開口部1631、1641，以及柵極配線焊盤1025用的開口部1251 (步驟S1006)。此時(shí)，因?yàn)镃HF中的η型氧化物半導(dǎo)體層1040的蝕刻速度極為緩慢，因此η型氧化物半導(dǎo)體層1040不會(huì)受到損害。此外，溝道部1044被形成在溝道部1044上的由層間絕緣膜1050構(gòu)成的溝道保護(hù)層1500保護(hù)，因此能夠使TFT基板1001的工作穩(wěn)定性提高。下面，如果將第二抗蝕劑1051灰化，則如圖(c)所示，層間絕緣膜1050、η型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020露出在玻璃基板1010的上方(參照?qǐng)D幻。η型氧化物半導(dǎo)體層1040經(jīng)由開口部1631、1641露出，金屬層1020經(jīng)由開口部1251露出。如圖4(c) 所示，柵電極1023、溝道部1044及開口部1631、1641表示圖5中的C-C剖面。此外，柵極配線焊盤1250及開口部1251表示D-D剖面。而且，開口部1631、1641、1251的形狀和大小沒有特別限定。然而，當(dāng)使用第二抗蝕劑1051及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)柵極配線焊盤1250的上方的柵極絕緣膜1030及層間絕緣膜1050進(jìn)行蝕刻時(shí)，有時(shí)柵極配線焊盤1250 露出的金屬層1020受到損害。在此種情況下，在金屬層1020上也可設(shè)置金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層(未圖示)作為導(dǎo)電性保護(hù)膜。由此，能夠降低由于蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3 氣體等))造成對(duì)金屬層1020的損害，此外，能夠防止金屬層1020的腐蝕，并且能夠提高耐久性。由此，TFT基板1001的工作穩(wěn)定性提高，且使用TFT基板1001的液晶顯示裝置或電場(chǎng)發(fā)光裝置等(未圖示)也穩(wěn)定地工作。作為上述金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層(適當(dāng)?shù)兀?jiǎn)稱為導(dǎo)電性保護(hù)膜)，例如， 可以使用由氧化銦-氧化鋅構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。在該情況下，導(dǎo)電性保護(hù)膜只要是能夠利用Al薄膜層的蝕刻液即混酸(通常也稱為PAN)能夠同時(shí)蝕刻的導(dǎo)電性的金屬氧化物即可，并不限定于上述氧化銦-氧化鋅。即，作為氧化銦-氧化鋅的組成，只要是利用PAN能夠與Al同時(shí)蝕刻即能夠使用，但h/αη+Ζη)=約0. 5 0. 95 (重量比)，優(yōu)選約0. 7 0. 9 (重量比)。其理由是，若不足約0. 5 (重量比)，則有時(shí)導(dǎo)電性的金屬氧化物自身的耐久性低，如果超過約0. 95 (重量比)，則有時(shí)難以與Al同時(shí)蝕刻的緣故。此外，在與Al同時(shí)蝕刻的情況下，期望導(dǎo)電性的金屬氧化物為非晶體。其理由是，在結(jié)晶化了的膜的情況下，有時(shí)與Al同時(shí)蝕刻變得困難。此外，這些導(dǎo)電性保護(hù)膜的厚度只要是約10 200nm即可。優(yōu)選約15 150nm，更優(yōu)選約20 lOOnm。其理由是，若不足約lOnm，則存在作為保護(hù)膜的效果小的情況，若超過200nm，則在經(jīng)濟(jì)上不利的緣故。進(jìn)而，作為金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層通常使用與氧化物透明導(dǎo)電體層1060 相同的材料。如此，能夠降低使用的材料的種類，并能夠得到適合的期望的TFT基板1001。 金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層的材料基于蝕刻特性或保護(hù)膜特性等來選擇。而且，金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層并不限定于形成在作為柵電極/配線用薄膜的金屬層1020的上部的情況。例如，在輔助導(dǎo)電層1080由金屬層構(gòu)成的情況下，也可形成在輔助導(dǎo)電層1080的上部。此外，在Al薄膜層與導(dǎo)電性保護(hù)膜之間，接觸阻抗大的情況下，在Al薄膜層與導(dǎo)電性保護(hù)膜之間只要形成Mo、Ti、Cr等的金屬薄膜即可。在本實(shí)施方式中形成有Mo薄膜層，特別是如果為Mo，則因?yàn)槟軌蚶门cAl薄膜層或?qū)щ娦员Ｗo(hù)膜相同的PAN來蝕刻，所以能夠不增加工序地進(jìn)行加工，故而合適。上述Mo、Ti、Cr等金屬薄膜的厚度只要是約10 200nm即可。優(yōu)選約15 lOOnm，更優(yōu)選約20 50nm。其理由是，若不足約10nm，則存在作為降低接觸阻抗的效果小的情況，若超過200nm，則在經(jīng)濟(jì)上不利的緣故。下面，如圖1所示，在形成有開口部1631、1641、1251的玻璃基板1010的上方依次層疊作為第二氧化物層的氧化物透明導(dǎo)電體層1060及第三抗蝕劑1061，并使用第二掩模 1062而將第三抗蝕劑1061形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007)。而且，在本實(shí)施方式中，作為第二氧化物層，使用氧化物透明導(dǎo)電體層1060，但并不限定于此。例如，也可使用半透明或非透明的氧化物導(dǎo)電體層。下面，對(duì)使用了第三掩模1062的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用了第三掩模的處理)圖6是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，使用氧化銦-氧化鋅(In2O3 ZnO =約90 IOwt% )的濺射靶， 在露出的層間絕緣膜1050、n型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020上，將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層1060成膜。此時(shí)的條件為，氧氬比約為10 90Vol. %，且基板溫度約為150°C。在該條件下，氧化物透明導(dǎo)電體層1060作為非晶體膜得到。而且，非晶體的氧化銦-氧化鋅薄膜能夠利用草酸水溶液蝕刻，但對(duì)混酸顯示出耐性而不被蝕刻。此外，在約 300°C以下的熱處理中而不會(huì)結(jié)晶化。由此，根據(jù)需要能夠控制選擇蝕刻性。氧化物透明導(dǎo)電體層1060并不限定于由上述的氧化銦-氧化鋅構(gòu)成的氧化物導(dǎo)電體層。例如，也可是由氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化錫-氧化鋅、氧化銦-氧化錫-氧化釤等構(gòu)成的氧化物導(dǎo)電體層，或者在氧化銦-氧化鋅、氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化錫-氧化鋅、氧化銦-氧化錫-氧化釤等中添加有鑭(，> 夕"K )元素的氧化物導(dǎo)電體層。此外，在本實(shí)施方式中，利用氧化物透明導(dǎo)電體層1060來形成像素電極1067。從而，氧化物透明導(dǎo)電體層1060的導(dǎo)電性優(yōu)良。此外，氧化物透明導(dǎo)電體層1060需要透明性，因此形成為能隙約3. OeV以上的氧化物。優(yōu)選約3. 以上，更優(yōu)選約3. ^V以上。上述氧化銦-氧化鋅、氧化銦-氧化錫、 氧化銦-氧化錫-氧化鋅、氧化銦-氧化錫-氧化釤等構(gòu)成的氧化物導(dǎo)電體層，或者在氧化銦-氧化鋅、氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化錫-氧化鋅、氧化銦-氧化錫-氧化釤等中添加有鑭(，> 夕7 4 K)元素的氧化物導(dǎo)電體層的能隙都在約3. 2eV以上，因此適合使用。下面，如該圖(a)所示，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上涂敷第三抗蝕劑1061，使用第三掩模1062而將第三抗蝕劑1061形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007)。即，第三抗蝕劑 1061形成為覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、漏極配線1066、像素電極1067 及柵極配線焊盤1025的形狀(參照該圖(b))。而且，在本實(shí)施方式中，形成為像素電極 1067及源電極1063經(jīng)由源極配線1065而連接的結(jié)構(gòu)，但也可形成為像素電極1067和漏電極經(jīng)由漏極配線連接的結(jié)構(gòu)。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，使用第三抗蝕劑1061及草酸水溶液，對(duì)氧化物透明導(dǎo)電體層1060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、像素電極1067、漏極配線1066及柵極配線焊盤1025(步驟S1008)。如此，因?yàn)樵趯娱g絕緣膜1050的一對(duì)開口部1631、1641分別形成由氧化物透明導(dǎo)電體層1060構(gòu)成的源電極1063及漏電極1064，因此源電極1063及漏電極1064形成為被溝道保護(hù)層1500及溝道部1044確實(shí)地隔開的構(gòu)造。即，確實(shí)且容易地制造溝道保護(hù)層 1500、溝道部1044、源電極1063及漏電極1064，所以改善成品率，并且能夠?qū)崿F(xiàn)制造原價(jià)的成本降低。將此種構(gòu)造的TFT基板1001稱為VIA孔溝道型TFT基板。此外，由氧化物透明導(dǎo)電體層1060構(gòu)成的漏電極1064、源電極1063、源極配線 1065、像素電極1067及漏極配線1066通過第四蝕刻有效地形成。即，能夠消減制造時(shí)使用的掩模數(shù)，并消減制造工序，由此生產(chǎn)效率提高，并能夠?qū)崿F(xiàn)制造原價(jià)的成本降低。進(jìn)而，漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、像素電極1067及漏極配線1066 由氧化物透明導(dǎo)電體層1060構(gòu)成，由此光的透過量增大，所以能夠提供亮度優(yōu)良的顯示裝置。接下來，若將第三抗蝕劑1061灰化，則由氧化物透明導(dǎo)電體層1060構(gòu)成的漏電極 1064、源電極1063、源極配線1065、像素電極1067及漏極配線1066以及柵極配線焊盤1025 露出。如圖6(b)所示，漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、源極配線1065 及像素電極1067表示圖7中的E-E剖面。此外，漏極配線1066表示F-F剖面。此外，柵極配線焊盤1025表示G-G剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板1001的制造方法，使用三片掩模1044、1052、 1062，在活性半導(dǎo)體層上能夠制造使用了氧化物半導(dǎo)體層(η型氧化物半導(dǎo)體層1040)的 VIA孔溝道型TFT基板1001。此外，因?yàn)橄麥p了制造工序，所以能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。 此外，因?yàn)闇系啦?044被溝道保護(hù)層1500保護(hù)，所以能夠在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定地工作。此外， η型氧化物半導(dǎo)體層1040僅在規(guī)定的位置(與溝道部1044、源電極1063及漏電極1064對(duì)應(yīng)的規(guī)定的位置)形成，所以能夠排除柵極配線IOM之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。而且，在本實(shí)施方式中，在玻璃基板1010上層疊金屬層1020、柵極絕緣膜1030、 η型氧化物半導(dǎo)體層1040以及第一抗蝕劑1041，進(jìn)而層疊層間絕緣膜1050及第二抗蝕劑 1051，進(jìn)而層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060及第三抗蝕劑1061。但是并不限定于此。例如， 在各層間也可經(jīng)由其他的層而層疊。其他的層例如不對(duì)本實(shí)施方式的功能或效果帶來?yè)p害的層或輔助其他的功能或效果的層。此與后述的實(shí)施方式也相同。[TFT基板的制造方法中的第二實(shí)施方式]
圖8表示用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求25對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的TFT基板IOOla的制造方法代替上述的第一實(shí)施方式的步驟S1007及步驟S1008，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、保護(hù)用絕緣膜1070及第三抗蝕劑1071，并利用第三半色調(diào)掩模1072來形成第三抗蝕劑1071 (步驟S1007a)。此外，使用第三抗蝕劑1071，形成漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、像素電極1067、 漏極配線1066及柵極配線焊盤1025 (步驟SlOOSa)。此外，再形成第三抗蝕劑1071 (步驟 S1009a)。進(jìn)而，使用再形成的第三抗蝕劑1071，使像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出(步驟SlOlOa)。即，上述這些點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第一實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第一實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖8所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖8所示，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、保護(hù)用絕緣膜1070及第三抗蝕劑1071，并利用第三半色調(diào)掩模1072及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑1071形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007a)。接下來，對(duì)于使用第三半色調(diào)掩模1072的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三掩模的處理)圖9是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，與第一實(shí)施方式相同，使用氧化銦-氧化鋅(In2O3 ZnO = 約90 IOwt % )的濺射靶，在露出的層間絕緣膜1050、η型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020上將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層1060成膜。此時(shí)的條件為，氧氬比約為10 90Vol. %，且基板溫度約為150°C。接下來，利用輝光放電CVD(化學(xué)蒸鍍)法，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜1070。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用S^-NH3-N2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在保護(hù)用絕緣膜1070上涂敷第三抗蝕劑1071，并通過第三半色調(diào)掩模1072及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑1071形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007a)。 即，第三抗蝕劑1071形成為覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、漏極配線1066、 像素電極1067及柵極配線焊盤1025的形狀。此外，第三抗蝕劑1071利用半色調(diào)掩模部 1721，形成為覆蓋像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的部分比其他的部分薄的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑1071及蝕刻氣體 (CHF(CF4, CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，進(jìn)而，通過第三抗蝕劑 1071及蝕刻液(草酸水溶液)，對(duì)氧化物透明導(dǎo)電體層1060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極1064、 源電極1063、源極配線1065、像素電極1067、漏極配線1066及柵極配線焊盤1025(步驟 S1008a)。圖10是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，將上述第三抗蝕劑1071灰化，將第三抗蝕劑1071再形成為像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的上方的保護(hù)用絕緣膜1070露出的形狀 (步驟 S1009a)。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，使用再形成的第三抗蝕劑1071及蝕刻氣體(CHF (CF4XHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，使像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出(步驟SlOlOa)。接下來，若將再形成后的第三抗蝕劑1071灰化，則如圖11所示，在玻璃基板1010上，層疊在漏電極1064、源電極1063、 源極配線1065及漏極配線1066上的保護(hù)用絕緣膜1070露出。如圖10(b)所示，漏電極 1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、源極配線1065及像素電極1067表示圖11中的H-H剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示I-I剖面。此外，柵極配線焊盤1025表示J-J 剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板IOOla的制造方法，具有與第一實(shí)施方式大致同樣的效果，并且，由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線1066的上部，由此能夠使TFT的工作穩(wěn)定性提高。而且，在本實(shí)施方式中，源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線1066 的側(cè)部露出，但也可由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋他們的側(cè)部。接下來，對(duì)由保護(hù)用絕緣膜1070也覆蓋源電極1063、漏電極1064、源極配線1065 及漏極配線1066的側(cè)部的制造方法，參照附圖進(jìn)行說明。[TFT基板的制造方法中的第二實(shí)施方式的應(yīng)用例]圖12是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。而且，本應(yīng)用例的制造方法與權(quán)利要求沈相對(duì)應(yīng)。該圖所示的本應(yīng)用例涉及的TFT基板1001a’的制造方法代替上述的第二實(shí)施方式的步驟S1007a、1008a、1009a、1010a,層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060及第三抗蝕劑 1061a，，并利用第三掩模1062a，，形成第三抗蝕劑1061a，(步驟S1007a，)。此外，使用第三抗蝕劑1061a，而形成漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、像素電極1067及漏極配線1066及柵極配線焊盤1025(步驟S1008a，)。此外，層疊保護(hù)用絕緣膜1070及第四抗蝕劑1071a’ (步驟S1009a’)。進(jìn)而使用第四抗蝕劑1071a’，使像素電極1067、漏極配線焊盤 1068及柵極配線焊盤1025露出(步驟SlOlOa，)。這些方面與上述第二實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第二實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第二實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖12所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖12所示，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060及第三抗蝕劑1061a’，并使用第三掩模1062a’，將第三抗蝕劑1061a’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007a’)。接下來，對(duì)于使用第三掩模1062a’的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三掩模的處理)圖13是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/剝離第三抗蝕劑后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，與第二實(shí)施方式相同，使用氧化銦-氧化鋅(In2O3 ZnO = 約90 IOwt % )的濺射靶，在露出的層間絕緣膜1050、η型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020上將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層1060成膜。此時(shí)的條件為，氧氬比約為10 90Vol. %，且基板溫度約為150°C。接下來，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上涂敷第三抗蝕劑1061a’，并通過第三掩模 1062a，，將第三抗蝕劑1061a，形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007a，)。即，第三抗蝕劑1061a， 形成為覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、漏極配線1066、像素電極1067及柵極配線焊盤1025的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑1061a’及蝕刻液 (草酸水溶液)，對(duì)氧化物透明導(dǎo)電體層1060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、像素電極1067、漏極配線1066及柵極配線焊盤1025(步驟S1008a，)。接下來，如圖12所示，層疊保護(hù)用絕緣膜1070及第四抗蝕劑1071a’，并使用第四掩模1072a’，將第四抗蝕劑1071a’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1009a’)。接下來，對(duì)使用第四掩模1072a’的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第四掩模的處理)圖14是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，利用輝光放電CVD(化學(xué)蒸鍍)法，在層間絕緣膜1050及氧化物透明導(dǎo)電體層1060上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜1070。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，在保護(hù)用絕緣膜1070上涂敷第四抗蝕劑1071a’，并使用第四掩模1072a’， 將第四抗蝕劑1071a’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1009a’)。即，第四抗蝕劑1071a’形成為像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的上方的保護(hù)用絕緣膜1070露出的形狀(步驟S1009a')。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，首先，使用第四抗蝕劑1071a’及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，使像素電極1067、 漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出(步驟SlOlOa，)。接下來，若將第四抗蝕劑 1071a，灰化，則如圖15所示，在玻璃基板1010上，保護(hù)用絕緣膜1070露出。如圖14(b)所示，漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、源極配線1065及像素電極1067 表示圖15中的H’-H’剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示I’ -I’剖面。此外，柵極配線焊盤1025表示J，-J，剖面。如此，根據(jù)本應(yīng)用例的TFT基板1001a’的制造方法，具有與第二實(shí)施方式大致同樣的效果，進(jìn)而，由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋，以不使源電極1063、漏電極1064、源極配線 1065及漏極配線1066露出。此外，TFT基板1001a，具備保護(hù)用絕緣膜1070。S卩，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板1001a’。[TFT基板的制造方法中的第三實(shí)施方式]圖16表示用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求27對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的TFT基板IOOlb的制造方法代替上述的第二實(shí)施方式的步驟S1007a，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、輔助導(dǎo)電層1080、保護(hù)用絕緣膜1070及第三抗蝕劑1071，并利用第三半色調(diào)掩模1072來形成第三抗蝕劑1071 (步驟S1007b)。上述這些點(diǎn)與第二實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第二實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第二實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖16所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖16所示，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、輔助導(dǎo)電層1080、保護(hù)用絕緣膜1070及第三抗蝕劑1071，并利用第三半色調(diào)掩模1072及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑 1071形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007b)。接下來，對(duì)于使用第三半色調(diào)掩模1072的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三掩模的處理)圖17是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/輔助導(dǎo)電層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，與第二實(shí)施方式大致相同，使用氧化銦-氧化鋅-氧化錫 (In2O3 ZnO SnA=約60 20 20wt% )的濺射靶，在露出的層間絕緣膜1050、η型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020上將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層1060成膜。 此時(shí)的條件為，氧氬比約為99 IVol. %，且基板溫度約為150°C。由該氧化銦-氧化鋅-氧化錫構(gòu)成的氧化物透明導(dǎo)電體層1060是非晶體，且溶解于草酸水溶液，但不溶解于混酸，因此是有用的。在此，可以將氧化錫的含有量設(shè)為約10 40重量％，氧化鋅約為10 40重量％， 其余為氧化銦。其理由是，若氧化錫、氧化鋅都不足約10重量％，則喪失對(duì)于混酸的耐性而溶解。此外，若氧化錫超過約40重量％，則變得不溶解于草酸水溶液，比阻抗變大。進(jìn)而， 若氧化鋅超過約40重量％，則喪失對(duì)于混酸的耐性的緣故。例外，氧化錫、氧化鋅的比適宜選擇即可。此外，氧化物透明導(dǎo)電體層1060并不限定于氧化銦-氧化鋅-氧化錫系的氧化物透明導(dǎo)電體層。只要能夠由草酸水溶液蝕刻，且不溶解于混酸的氧化物透明導(dǎo)電體層即可使用。在此情況下，在非晶體的狀態(tài)下，即使溶解于草酸水溶液或混酸的情況，只要通過加熱等而帶來結(jié)晶化等的膜質(zhì)變化，從而不溶于混酸即可使用。作為此種氧化物透明導(dǎo)電體層可以舉出在氧化銦中含有氧化錫、氧化鍺、氧化鋯、氧化鎢、氧化鉬、氧化鈰等鑭系元素的氧化物透明導(dǎo)電體層。其中，氧化銦和氧化錫、氧化銦和氧化鎢、氧化銦和氧化鈰等的氧化鑭系元素的組合適合使用。作為添加的金屬的量， 相對(duì)于氧化銦約為1 20wt%，優(yōu)選約3 15wt%。其理由是，若不足約Iwt %，則在成膜時(shí)結(jié)晶化，變得不溶解于草酸水溶液，或比阻抗變大，存在不適合用于氧化物透明導(dǎo)電體層的情況。此外，若超過約20wt%，則在利用加熱而使結(jié)晶化等的膜質(zhì)變化的情況下，產(chǎn)生不發(fā)生膜質(zhì)變化，溶解于混酸，且難以形成像素電極等的問題的緣故。
此外，包含氧化銦-氧化錫-氧化釤等鑭元素的氧化物透明導(dǎo)電體層在室溫成膜后為非晶體，溶解于草酸水溶液或混酸，但通過加熱等結(jié)晶化后，能夠變得不溶于草酸水溶液或混酸，適合使用。接下來，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上形成輔助導(dǎo)電層1080。首先，使用高頻濺射法，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上層疊Mo至膜厚約50nm。接下來，使用高頻濺射法，層疊Al至膜厚約250nm。即，輔助導(dǎo)電層1080雖然未圖示，但由Mo薄膜層和Al薄膜層構(gòu)成， 首先，使用Mo濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Mo薄膜層。然后，使用 Al濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Al薄膜層。而且，代替上述的Mo，能夠使用Ti、Cr等。此外，Al可以是純Al (純度約100% 的Al)，但也可添加Nd(釹)、Ce(鈰)、Mo、W(鎢)、Nb(鈮)等金屬。另夕卜，Ce、W、Nb等適于抑制與氧化物透明導(dǎo)電體層1060的電池反應(yīng)。添加量可以適宜地選擇，但優(yōu)選約0. 1 2wt%。此外，Al與氧化物透明導(dǎo)電體層1060的接觸阻抗小到可以忽略的情況下，不需要將Mo等金屬用于中間層。此外，在本實(shí)施方式中，作為輔助導(dǎo)電層1080使用了 Mo薄膜層及Al薄膜層，但并不限定于此，作為輔助導(dǎo)電層1080也可使用例如由氧化銦-氧化錫(In2O3 SnO=約 90 10wt% )等構(gòu)成的氧化物透明導(dǎo)電體層。接下來，利用輝光放電CVD(化學(xué)蒸鍍)法等，在輔助導(dǎo)電層1080上堆積氮化硅 (SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜1070至膜厚約200nm。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在保護(hù)用絕緣膜1070上涂敷第三抗蝕劑1071，并通過第三半色調(diào)掩模1072及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑1071形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007b)。即， 第三抗蝕劑1071形成為覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、漏極配線1066、像素電極1067及柵極配線焊盤1025，且利用半色調(diào)掩模部1721，形成為覆蓋像素電極1067、 漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的部分比其他的部分薄的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑1071及蝕刻氣體 (CHF (CF4, CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，然后，使用第三抗蝕劑 1071及蝕刻液(混酸)，對(duì)露出的輔助導(dǎo)電層1080進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而，利用第三抗蝕劑1071 及蝕刻液(草酸水溶液)，對(duì)氧化物透明導(dǎo)電體層1060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極1064、源電極 1063、源極配線1065、像素電極1067、漏極配線1066及柵極配線焊盤1025(步驟S1008a)。圖18是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，將上述第三抗蝕劑1071灰化，將第三抗蝕劑1071再形成為像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的上方的保護(hù)用絕緣膜1070露出的形狀 (步驟 S1009a)。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，使用再形成的第三抗蝕劑1071及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，然后，使用再形成的第三抗蝕劑1071及蝕刻液(混酸)，對(duì)露出的輔助導(dǎo)電層1080進(jìn)行蝕刻，并使像素電極 1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出(步驟SlOlOa)。接下來，若將再形成后的第三抗蝕劑1071灰化，則如圖19所示，層疊在漏電極1064、源電極1063、源極配線1065 及漏極配線1066的上部的保護(hù)用絕緣膜1070露出在玻璃基板1010上。如圖18(b)所示， 漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、源極配線1065及像素電極1067表示圖19中的K-K剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示L-L剖面。此外，柵極配線焊盤1025 表示M-M剖面。 如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板IOOlb的制造方法，具有與第二實(shí)施方式大致同樣的效果，并且，輔助導(dǎo)電層1080形成在源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線1066的上部。由此，能夠降低源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線 1066的電阻。因此，能夠提高可靠性，并能夠抑制能量效率的降低。而且，在本實(shí)施方式中，源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線1066 的側(cè)部露出，但也可由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋他們的側(cè)部。接下來，對(duì)由保護(hù)用絕緣膜1070也覆蓋源電極1063、漏電極1064、源極配線1065 及漏極配線1066的側(cè)部的制造方法，參照附圖進(jìn)行說明。[TFT基板的制造方法中的第三實(shí)施方式的應(yīng)用例]圖20是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。而且，本應(yīng)用例的制造方法與權(quán)利要求28相對(duì)應(yīng)。該圖所示的本應(yīng)用例涉及的TFT基板1001b’的制造方法代替上述的第二實(shí)施方式的應(yīng)用例的步驟S1007a’，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、輔助導(dǎo)電層1080及第三抗蝕劑1081b’(步驟S1007b’)。這些方面與上述第二實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第二實(shí)施方式的應(yīng)用例大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第二實(shí)施方式的應(yīng)用例相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖20所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖20所示，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、輔助導(dǎo)電層1080及第三抗蝕劑1081b，，并使用第三掩模1082b，，將第三抗蝕劑1081b，形成為規(guī)定的形狀(步驟 S1007b’ )。接下來，對(duì)于使用第三掩模1082b’的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三掩模的處理)圖21是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/輔助導(dǎo)電層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/剝離第三抗蝕劑后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，與第三實(shí)施方式大致相同，使用氧化銦-氧化鋅-氧化錫 (In2O3 ZnO SnA=約60 20 20wt% )的濺射靶，在露出的層間絕緣膜1050、η型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020上將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層1060成膜。 此時(shí)的條件為，氧氬比約為99 IVol. %，且基板溫度約為150°C。接下來，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上形成輔助導(dǎo)電層1080。即，首先使用高頻濺射法，將MO層疊至膜厚約50nm。接下來，使用高頻濺射法，將Al層疊至膜厚約250nm。接下來，在輔助導(dǎo)電層1080上涂敷第三抗蝕劑1081b，，并通過第三掩模1082b，， 將第三抗蝕劑1081b，形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007b，)。即，第三抗蝕劑1081b，形成為覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、漏極配線1066、像素電極1067及柵極配線焊盤1025的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，通過第三抗蝕劑1081b’及蝕刻液(混酸)，對(duì)輔助導(dǎo)電層1080及氧化物透明導(dǎo)電體層1060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極1064、 源電極1063、源極配線1065、像素電極1067、漏極配線1066及柵極配線焊盤1025(步驟 S1008a')。接下來，如圖20所示，層疊保護(hù)用絕緣膜1070及第四抗蝕劑1071a’，并使用第四掩模1072a’，將第四抗蝕劑1071a’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1009a’)。接下來，對(duì)使用第四掩模1072a’的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第四掩模的處理)圖22是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，與第二實(shí)施方式的應(yīng)用例相同，首先，利用輝光放電CVD(化學(xué)蒸鍍)法，在層間絕緣膜1050及輔助導(dǎo)電層1080上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜1070。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-R系的混合氣體。下面，在保護(hù)用絕緣膜1070上涂敷第四抗蝕劑1071a’，并使用第四掩模1072a’， 將第四抗蝕劑1071a’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1009a’)。即，第四抗蝕劑1071a’形成為像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的上方的保護(hù)用絕緣膜1070露出的形狀(步驟S1009a')。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，首先，使用第四抗蝕劑1071a’及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，然后，使用第四抗蝕劑1071a’及蝕刻液(混酸)，對(duì)露出的輔助導(dǎo)電層1080進(jìn)行蝕刻，使像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出(步驟SlOlOa，)。接下來，若將第四抗蝕劑1071a， 灰化，則如圖23所示，在玻璃基板1010上，保護(hù)用絕緣膜1070露出。如圖22(b)所示，漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、源極配線1065及像素電極1067表示圖 23中的K，-K，剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示L，-L，剖面。此外，柵極配線焊盤1025 表示Μ’ -M’剖面。如此，根據(jù)本應(yīng)用例的TFT基板1001b’的制造方法，具有與第三實(shí)施方式大致同樣的效果，進(jìn)而，由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋，以不使源電極1063、漏電極1064、源極配線 1065及漏極配線1066露出。此外，TFT基板1001b，具備保護(hù)用絕緣膜1070。S卩，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板1001b’。[TFT基板的制造方法中的第四實(shí)施方式]圖M表示用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求四對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的TFT基板IOOlc的制造方法代替上述的第三實(shí)施方式的步驟S1007b，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090及第三抗蝕劑1091，并利用第三半色調(diào)掩模1092來形成第三抗蝕劑1091 (步驟S1007c)。此外，代替第三實(shí)施方式的步驟SlOlOa，使用再形成的第三抗蝕劑1091，使像素電極1067的一部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出，并且形成反射金屬部1094 (步驟SlOlOc)。上述這些點(diǎn)與第三實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第三實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第三實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖M所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖M所示，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090及第三抗蝕劑1091，并利用第三半色調(diào)掩模1092及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑1091形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007c)。接下來，對(duì)于使用第三半色調(diào)掩模1092的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三掩模的處理)圖25是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/反射金屬層成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，使用氧化銦-氧化鋅-氧化錫(In2O3 ZnO SnA =約 60 20 20wt%)的濺射靶，利用濺射法在露出的層間絕緣膜1050、η型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020上將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層1060成膜。另外，由氧化銦-氧化錫-氧化鋅構(gòu)成的氧化導(dǎo)電體層如上所述是非晶體，且溶解于草酸水溶液，但不溶解于混酸。由此，上述氧化物導(dǎo)電體層是有用的。接下來，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上形成反射金屬層1090。首先，使用高頻濺射法，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上層疊Mo至膜厚約50nm。接下來，使用高頻濺射法，層疊Al至膜厚約250nm。即，反射金屬層1090雖然未圖示，但由Mo薄膜層和Al薄膜層構(gòu)成， 首先，使用Mo濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Mo薄膜層。然后，使用 Al濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Al薄膜層。在此，作為Mo以外的金屬，能夠使用Ti、Cr等。而且，作為反射金屬層1090，可以使用Ag、Au等金屬薄膜，或也可以使用包含Al、Ag、Au的至少一種的合金薄膜。此外，Al與氧化物透明導(dǎo)電體層1060的接觸阻抗小到可以忽略的情況下，不需要將Mo等金屬用于中間層。下面，如該圖(a)所示，在反射金屬層1090上涂敷第三抗蝕劑1091，并通過第三半色調(diào)掩模1092及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑1091形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007c)。艮口， 第三抗蝕劑1091形成為覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、漏極配線1066、反射金屬部1094、像素電極1067及柵極配線焊盤1025的形狀。此外，第三抗蝕劑1091利用半色調(diào)掩模部1921形成為，將除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025覆蓋的部分比其他的部分薄的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑1091及蝕刻液 (混酸)，對(duì)露出的反射金屬層1090進(jìn)行蝕刻，然后，通過第三抗蝕劑1091及蝕刻液(草酸水溶液)，對(duì)氧化物透明導(dǎo)電體層1060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極1064、源電極1063、源極配線 1065、像素電極1067、漏極配線1066及柵極配線焊盤1025(步驟S1008a)。圖沈是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，將上述第三抗蝕劑1091灰化，將第三抗蝕劑1091再形成為除了反射金屬部1094的像素電極1067的一部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的上方的反射金屬層1090露出的形狀(步驟S1009a)。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，首先，使用再形成的第三抗蝕劑1091及蝕刻液(混酸)，對(duì)露出的反射金屬層1090進(jìn)行選擇蝕刻，使除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出，并且形成由反射金屬層 1090構(gòu)成的反射金屬部1094(步驟SlOlOc)。接下來，若將再形成后的第三抗蝕劑1091灰化，則如圖27所示，在玻璃基板1010上，層疊在漏電極1064、源電極1063、源極配線1065 及漏極配線1066上的反射金屬層1090以及反射金屬部1094露出。如圖沈(b)所示，漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、源極配線1065、反射金屬部1094及像素電極1067表示圖27中的N-N剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示0-0剖面。此外，柵極配線焊盤1025表示P-P剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板IOOlc的制造方法，具有與第一實(shí)施方式大致同樣的效果，并且，能夠制造VIA孔溝道型的半反射型的TFT基板。此外，在源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線1066的上部形成有反射金屬層1090，所以能夠降低源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線1066的電阻，且能夠提高可靠性，并能夠抑制能量效率的降低。而且，在本實(shí)施方式中，除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分由氧化物透明導(dǎo)電體層1060構(gòu)成，在經(jīng)由該部分使光透過的情況下，能夠?qū)FT基板IOOlc作為半透過型的TFT基板使用。另外，在本實(shí)施方式中，在步驟S1007中，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090及第三抗蝕劑1091，并利用第三半色調(diào)掩模1092及半色調(diào)曝光將第三抗蝕劑 1091形成為規(guī)定的形狀。但是并不限定于此。例如，代替步驟S1007C，也可層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090、金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095(參照?qǐng)D36(a))及第三抗蝕劑1091，并利用第三半色調(diào)掩模1092及半色調(diào)曝光將第三抗蝕劑1091形成為規(guī)定的形狀。即，在反射金屬層1090上，使用由氧化銦-氧化鋅(ΙΖ0 In2O3 ZnO SnO2 = 約90 10wt%)構(gòu)成的濺射靶，形成膜厚約50nm的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095。 在此，IZO膜可通過混酸來蝕刻，且能夠與反射金屬層1090 —起蝕刻。因而，能夠制造在反射金屬層1090的上部形成有金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095的TFT基板。根據(jù)此種第四實(shí)施方式的應(yīng)用例(未圖示)，反射金屬層1090由金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095保護(hù)，因此能夠防止反射金屬層1090的變色等，并能夠防止反射金屬層1090的反射率降低等不良情況。[TFT基板的制造方法中的第五實(shí)施方式]圖觀表示用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求30對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的TFT基板IOOld的制造方法代替上述的第四實(shí)施方式的步驟S1007c，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090、保護(hù)用絕緣膜1070及第三抗蝕劑1091，并利用第三半色調(diào)掩模1072d來形成第三抗蝕劑1071d (步驟S1007d)。 此外，代替第四實(shí)施方式的步驟SlOlOc，使用再形成的第三抗蝕劑1071d，使像素電極1067 的一部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出，并且形成反射金屬部1094 (步驟SlOlOd)。上述這些點(diǎn)與第四實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第四實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第四實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖觀所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖觀所示，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090、保護(hù)用絕緣膜1070及第三抗蝕劑1071d，并利用第三半色調(diào)掩模1072d及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑 1071d形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007d)。接下來，對(duì)于使用第三半色調(diào)掩模1072d的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三半色調(diào)掩模的處理)圖四是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/反射金屬層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，與第四實(shí)施方式同樣地，使用氧化銦-氧化鋅-氧化錫 (In2O3 ZnO Sr^2 =約60 20 20wt% )的濺射靶，利用濺射法在露出的層間絕緣膜 1050、η型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020上將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層 1060成膜。接下來，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上形成反射金屬層1090。即，首先使用高頻濺射法，將Mo層疊至膜厚約50nm。接下來，使用高頻濺射法，層疊Al至膜厚約250nm。 然后，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍)法，在反射金屬層1090上堆積膜厚約200nm的氮化硅 (SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜1070。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用S^-NH3J2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在保護(hù)用絕緣膜1070上涂敷第三抗蝕劑1071d，并通過第三半色調(diào)掩模1072d及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑1071d形成為規(guī)定的形狀(步驟 S1007d)。即，第三抗蝕劑1071d形成為覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、漏極配線1066、反射金屬部1094、像素電極1067及柵極配線焊盤1025的形狀。此外，第三抗蝕劑1071d利用半色調(diào)掩模部1721形成為，將除了反射金屬部1094的像素電極1067的一部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025覆蓋的部分比其他的部分薄的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑1071d及蝕刻氣體 (CHF (CF4XHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻。然后，使用第三抗蝕劑 1071d及蝕刻液(混酸)，對(duì)露出的反射金屬層1090進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而，利用第三抗蝕劑1071d 及蝕刻液(草酸水溶液)，對(duì)氧化物透明導(dǎo)電體層1060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極1064、源電極 1063、源極配線1065、像素電極1067、漏極配線1066及柵極配線焊盤1025(步驟S1008a)。圖30是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，將上述第三抗蝕劑1071d灰化，并將第三抗蝕劑1071d再形成為除了反射金屬部1094的像素電極1067的一部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025 的上方的反射金屬層1090露出的形狀(步驟S1009a)。
接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，首先，使用再形成的第三抗蝕劑1071d及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，接下來，使用再形成的第三抗蝕劑1071d及蝕刻液(混酸)，對(duì)露出的反射金屬層1090進(jìn)行選擇蝕刻，使除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025 露出，并且形成由反射金屬層1090構(gòu)成的反射金屬部1094 (步驟SlOlOd)。接下來，若將再形成后的第三抗蝕劑1071d灰化，則如圖31所示，在玻璃基板1010上，層疊在漏電極1064、 源電極1063、源極配線1065、反射金屬部1094及漏極配線1066上的保護(hù)用絕緣膜1070露出。如圖30(b)所示，漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、源極配線1065、 反射金屬部1094及像素電極1067表示圖31中的Q-Q剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示R-R剖面。此外，柵極配線焊盤1025表示S-S剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板IOOld的制造方法，具有與第四實(shí)施方式大致同樣的效果，進(jìn)而，由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065及漏極配線1066的上部，由此能夠使工作穩(wěn)定性提高。而且，在本實(shí)施方式中，源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線1066 的側(cè)部露出，但也可由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋他們的側(cè)部。接下來，對(duì)由保護(hù)用絕緣膜1070也覆蓋源電極1063、漏電極1064、源極配線1065 及漏極配線1066的側(cè)部的制造方法，參照附圖進(jìn)行說明。[TFT基板的制造方法中的第五實(shí)施方式的應(yīng)用例]圖32是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。而且，本應(yīng)用例的制造方法與權(quán)利要求31相對(duì)應(yīng)。該圖所示的本應(yīng)用例涉及的TFT基板lOOld’的制造方法在上述的第四實(shí)施方式的步驟SIOIOc后，接著層疊保護(hù)用絕緣膜1070及第四抗蝕劑1071d’，并利用第四掩模 1072d’，將第四抗蝕劑1071d’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1011)。進(jìn)而，使用第四抗蝕劑 1071d，，使漏極配線焊盤1068、像素電極1067的一部分以及柵極配線焊盤1025露出(步驟 S1012)。這些方面與上述第四實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第四實(shí)施方式的應(yīng)用例大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第四實(shí)施方式的應(yīng)用例相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。如圖32所示，接著步驟SlOlOc，層疊保護(hù)用絕緣膜1070及第四抗蝕劑1071d’，并利用第四掩模1072d’，將第四抗蝕劑1071d’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1011)。接下來，對(duì)于使用第四掩模1072d’的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第四掩模的處理)圖33是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第六蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，利用輝光放電CVD(化學(xué)蒸鍍)法，在層間絕緣膜1050、反射金屬層1090及氧化物透明導(dǎo)電體層1060上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜1070。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，在保護(hù)用絕緣膜1070上涂敷第四抗蝕劑1071d，，并使用第四掩模1072d，， 將第四抗蝕劑1071d’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1010)。即，第四抗蝕劑1071d’形成為像素電極1067的除了反射金屬部1094的部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的上方的保護(hù)用絕緣膜1070露出的形狀。接下來，如該圖(b)所示，作為第六蝕刻，首先，使用第四抗蝕劑1071d’及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，使除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出(步驟 S1012)。接下來，若將第四抗蝕劑1071d，灰化，則如圖34所示，在玻璃基板1010上，保護(hù)用絕緣膜1070露出。如圖33(b)所示，漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、 源極配線1065、反射金屬部1094及像素電極1067表示圖34中的Q，-Q'剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示R，-R'剖面。此外，柵極配線焊盤1025表示S，-S，剖面。如此，根據(jù)本應(yīng)用例的TFT基板lOOld’的制造方法，具有與第四實(shí)施方式大致同樣的效果，進(jìn)而，由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋，以不使源電極1063、漏電極1064、源極配線 1065及漏極配線1066露出。由此，TFT基板lOOld，具備保護(hù)用絕緣膜1070。因而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料等的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板lOOld’。[TFT基板的制造方法中的第六實(shí)施方式]圖35表示用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求30+權(quán)利要求32對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的TFT基板IOOle的制造方法代替上述的第五實(shí)施方式的步驟S1007d，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090、金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095、保護(hù)用絕緣膜1070及第三抗蝕劑1071d，并利用第三半色調(diào)掩模1072d來形成第三抗蝕劑1071d(步驟S1007e)。上述這些點(diǎn)與第三實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第五實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第五實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖35所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖35所示，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090、金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095、保護(hù)用絕緣膜1070及第三抗蝕劑1071d，并利用第三半色調(diào)掩模1072d及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑1071d形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007e)。接下來，對(duì)于使用第三半色調(diào)掩模1072d的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三掩模的處理)圖36是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/反射金屬層成膜/金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，與第五實(shí)施方式相同，使用氧化銦-氧化鋅-氧化錫 (In2O3 ZnO Sr^2 =約60 20 20wt% )的濺射靶，利用濺射法在露出的層間絕緣膜 1050、η型氧化物半導(dǎo)體層1040及金屬層1020上將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層 1060成膜。接下來，在氧化物透明導(dǎo)電體層1060上形成反射金屬層1090。即，首先使用高頻濺射法，將Mo層疊至膜厚約50nm。接下來，使用高頻濺射法，層疊Al至膜厚約250nm。接下來，在反射金屬層1090上，使用由氧化銦-氧化鋅(ΙΖ0 In2O3 ZnO =約 90 10wt%)構(gòu)成的濺射靶，形成膜厚約50nm的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095。在此，IZO膜可由混酸蝕刻，且可與反射金屬層1090 —起蝕刻，也可在利用草酸系蝕刻液僅蝕刻IZO膜后，由混酸蝕刻反射金屬層1090。然后，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍)法，在金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜1070。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在保護(hù)用絕緣膜1070上涂敷第三抗蝕劑1071d，并通過第三半色調(diào)掩模1072d及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑1071d形成為規(guī)定的形狀(步驟 S1007e)。即，第三抗蝕劑1071d形成為覆蓋漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、漏極配線1066、反射金屬部1094、像素電極1067及柵極配線焊盤1025的形狀。此外，第三抗蝕劑1071d利用半色調(diào)掩模部1721形成為，將除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025覆蓋的部分比其他的部分薄的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑1071d及蝕刻氣體 (CHF(CF4, CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻。接下來，使用第三抗蝕劑1071d及蝕刻液(混酸)，對(duì)露出的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095及反射金屬層 1090進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而，利用第三抗蝕劑1071d及蝕刻液(草酸水溶液)，對(duì)氧化物透明導(dǎo)電體層1060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、像素電極1067、漏極配線1066及柵極配線焊盤1025 (步驟S1008a)。圖37是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，將上述第三抗蝕劑1071d灰化，并將第三抗蝕劑1071d再形成為除了反射金屬部1094的像素電極1067的一部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025 的上方的反射金屬層1090露出的形狀(步驟S1009a)。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，首先，使用再形成的第三抗蝕劑1071d及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，接下來，使用再形成的第三抗蝕劑1071d及蝕刻液(混酸)，對(duì)露出的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層 1095及反射金屬層1090進(jìn)行選擇蝕刻，使除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分、 漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出，并且形成由金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層 1095及反射金屬層1090構(gòu)成的反射金屬部1094(步驟SlOlOd)。接下來，若將再形成后的第三抗蝕劑1071d灰化，則如圖38所示，在玻璃基板1010 上，層疊在漏電極1064、源電極1063、源極配線1065、反射金屬部1094及漏極配線1066上的保護(hù)用絕緣膜1070露出。如圖37(b)所示，漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、源極配線1065、反射金屬部1094及像素電極1067表示圖38中的T-T剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示U-U剖面。此外，柵極配線焊盤1025表示V-V剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板IOOle的制造方法，具有與第五實(shí)施方式大致同樣的效果，進(jìn)而，由金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095保護(hù)反射金屬層1090，所以能夠防止反射金屬層1090的變色，由此能夠防止反射金屬層1090的反射率降低的不良情況。而且，在本實(shí)施方式中，源電極1063、漏電極1064、源極配線1065及漏極配線1066的側(cè)部露出，但也可由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋他們的側(cè)部。接下來，對(duì)由保護(hù)用絕緣膜1070也覆蓋源電極1063、漏電極1064、源極配線1065 及漏極配線1066的側(cè)部的制造方法，參照附圖進(jìn)行說明。[TFT基板的制造方法中的第六實(shí)施方式的應(yīng)用例]圖39是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。而且，本應(yīng)用例的制造方法與權(quán)利要求31+權(quán)利要求32相對(duì)應(yīng)。該圖所示的本應(yīng)用例涉及的TFT基板lOOle’的制造方法代替上述的第五實(shí)施方式的應(yīng)用例的步驟S1007C，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090、金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095及第三抗蝕劑1091，并利用第三半色調(diào)掩模1092，將第三抗蝕劑 1091形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007e’ )。這些方面與上述第五實(shí)施方式的應(yīng)用例不同。因而，其他的工序與第五實(shí)施方式的應(yīng)用例大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第五實(shí)施方式的應(yīng)用例相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。如圖39所示，代替第五實(shí)施方式的應(yīng)用例的步驟S1007c，層疊氧化物透明導(dǎo)電體層1060、反射金屬層1090、金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095及第三抗蝕劑1091，并利用第三半色調(diào)掩模1092，將第三抗蝕劑1091形成為規(guī)定的形狀(步驟S1007e’)，進(jìn)而，若進(jìn)行步驟S1008a、1009a及IOlOc的處理，則與上述的第四實(shí)施方式的應(yīng)用例相同，制造在反射金屬層1090的上部形成有金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095的TFT基板。接下來，在上述步驟SIOIOc后，接著層疊保護(hù)用絕緣膜1070及第四抗蝕劑 1071d’，并利用第四掩模1072d’，將第四抗蝕劑1071d’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1011)，進(jìn)而使用第四抗蝕劑1071d，，使漏極配線1068、像素電極1067的一部分及柵極配線焊盤1025 露出(步驟S1012)。(使用第四掩模的處理)圖40是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第六蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，利用輝光放電CVD(化學(xué)蒸鍍)法，在層間絕緣膜1050、金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095及氧化物透明導(dǎo)電體層1060上堆積膜厚約200nm的氮化硅 (SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜1070。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用S^-NH3J2系的混合氣體。下面，在保護(hù)用絕緣膜1070上涂敷第四抗蝕劑1071d’，并使用第四掩模1072d’， 將第四抗蝕劑1071d’形成為規(guī)定的形狀(步驟S1010)。即，第四抗蝕劑1071d’形成為除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025的上方的保護(hù)用絕緣膜1070露出的形狀。接下來，如該圖(b)所示，作為第六蝕刻，首先，使用第四抗蝕劑1071d’及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜1070進(jìn)行干蝕刻，使除了反射金屬部1094的像素電極1067的部分、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025露出(步驟 S1012)。接下來，若將第四抗蝕劑1071d，灰化，則如圖40所示，在玻璃基板1010上，保護(hù)用絕緣膜1070露出。如圖40(b)所示，漏電極1064、柵電極1023、溝道部1044、源電極1063、 源極配線1065、反射金屬部1094及像素電極1067表示圖41中的T，-T'剖面。此外，漏極配線焊盤1068表示U，-U，剖面。此外，柵極配線焊盤1025表示V，-V，剖面。如此，根據(jù)本應(yīng)用例的TFT基板lOOle’的制造方法，具有與第五實(shí)施方式大致同樣的效果，進(jìn)而，由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋，以不使源電極1063、漏電極1064、源極配線 1065及漏極配線1066露出。由此，TFT基板lOOle，具備保護(hù)用絕緣膜1070。因而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料等的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板lOOle’。[TFT基板的第一實(shí)施方式]此外，本發(fā)明作為TFT基板1001的發(fā)明有效。第一實(shí)施方式涉及的TFT基板1001如圖6(b)及圖7所示，具備玻璃基板1010、 柵電極1023及柵極配線1024、η型氧化物半導(dǎo)體層1040、氧化物透明導(dǎo)電體層1060、溝道保護(hù)層1500。柵電極1023及柵極配線10Μ形成在玻璃基板1010上，且上表面被柵極絕緣膜 1030覆蓋，并且側(cè)面被層間絕緣膜1050覆蓋，從而被絕緣。作為氧化物層的η型氧化物半導(dǎo)體層1040形成在柵電極1023上的柵極絕緣膜 1030 上。作為導(dǎo)電體層的氧化物透明導(dǎo)電體層1060在η型氧化物半導(dǎo)體層1040上由溝道部1044隔開而形成。溝道保護(hù)層1500形成在η型氧化物半導(dǎo)體層1040的溝道部1044上，且保護(hù)溝道部 1044。該溝道保護(hù)層1500由形成有一對(duì)開口部1631、1641的層間絕緣膜1050構(gòu)成， 在開口部1631、1641上形成有由氧化物透明導(dǎo)電體層1060構(gòu)成的源電極1063及漏電極 1064。如此，溝道部1044的η型氧化物半導(dǎo)體層1040的上部由溝道保護(hù)層1500保護(hù)， 所以在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定工作。此外，可靠且容易地制造溝道保護(hù)層1500、溝道部1044、漏電極 1064及源電極1063，所以改善成品率，且能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的下降。此外，TFT基板1001利用氧化物透明導(dǎo)電體層1060形成源極配線1065、漏極配線
1066、源電極1063、漏電極1064及像素電極1067。由此，氧化物透明導(dǎo)電體層1060起到作為源極配線1065、漏極配線1066、源電極1063、漏電極1064及像素電極1067的作用。如上所述，有效地制造源極配線1065、漏極配線1066、源電極1063、漏電極1064及像素電極
1067。即，在制造時(shí)能夠消減使用的掩模數(shù)，并消減制造工序，由此生產(chǎn)效率提高，并能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。進(jìn)而，TFT基板1001將氧化物層作為η型氧化物半導(dǎo)體層1040，且將導(dǎo)電體層作為氧化物透明導(dǎo)電體層1060。由此，作為TFT的活性層使用氧化物半導(dǎo)體層。因而，電流流過穩(wěn)定，對(duì)于利用電流控制工作的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光裝置是有用的。此外，TFT基板1001僅在與溝道部1044、源電極1063及漏電極1064對(duì)應(yīng)的位置處形成η型氧化物半導(dǎo)體層1040，所以能夠排除柵極配線10Μ之間發(fā)生干涉(相互干擾) 的擔(dān)心。此外，本實(shí)施方式的柵電極1023及柵極配線10Μ作為金屬層1020。如此，在TFT 基板1001具備金屬層1020的情況下，可以將保護(hù)金屬層1020的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層(未圖示)形成在金屬層1020上。如此一來，在形成柵極配線焊盤1025用的開口部1251時(shí)，能夠防止金屬表面露出，且能夠使連接可靠性提高。此外，TFT基板1001的源極配線1065、漏極配線1066、源電極1063、漏電極1064 及像素電極1067由氧化物透明導(dǎo)電體層1060構(gòu)成。由此，光的透過量增大，所以能夠提供亮度優(yōu)良的顯示裝置。進(jìn)而，η型氧化物半導(dǎo)體層1040及氧化物透明導(dǎo)電體層1060的能隙形成為約 3. OeV以上，所以能夠防止光導(dǎo)致的誤操作。如此，本實(shí)施方式的TFT基板1001的溝道部1044由溝道保護(hù)層1500來保護(hù)，因此，能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作。此外，η型氧化物半導(dǎo)體層1040僅在規(guī)定的位置(與溝道部 1044、源電極1063及漏電極1064對(duì)應(yīng)的位置)處形成，所以能夠排除柵極配線IOM之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。而且，在本實(shí)施方式中，在玻璃基板1010上層疊金屬層1020、柵極絕緣膜1030及 η型氧化物半導(dǎo)體層1040，進(jìn)而，層疊層間絕緣膜1050及氧化物透明導(dǎo)電體層1060。但是， 并不限定于此。例如，在各層間也可經(jīng)由其他的層而層疊。其他的層例如為不損害本實(shí)施方式的功能和效果的層，或輔助其他的功能和效果的層。其與后述的實(shí)施方式相同。[TFT基板的第二實(shí)施方式]第二實(shí)施方式涉及的TFT基板100lb，如圖22(b)及圖23所示，在源極配線1065、 漏極配線1066、源電極1063、漏電極1064及像素電極1067上形成有輔助導(dǎo)電層1080。此外，TFT基板1001b，的玻璃基板1010的上方被保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋，且保護(hù)用絕緣膜1070在與像素電極1067、漏極配線焊盤1068及柵極配線焊盤1025對(duì)應(yīng)的位置
具有開口部。另外，其他的構(gòu)造與TFT基板1001大致相同。如此，本實(shí)施方式的TFT基板1001b，具有與第一實(shí)施方式的TFT基板1001大致同樣的效果。此外，能夠降低源極配線1065、漏極配線1066、源電極1063、漏電極1064及像素電極1067的電阻，因此使可靠性提高，并且能夠抑制能量效率的降低。此外，TFT基板 1001b’具備保護(hù)用絕緣膜1070。因而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)。[TFT基板的第三實(shí)施方式]第三實(shí)施方式的TFT基板lOOle，如圖40(b)及圖41所示，像素電極1067的一部分被由反射金屬層1090構(gòu)成的反射金屬部1094覆蓋?？梢詫⒃摲瓷浣饘賹?090形成為由鋁、銀或金構(gòu)成的薄膜、或者包含鋁、銀或金的合金層，如此，能夠反射更多的光，并能夠提高由反射光形成的亮度。此外，TFT基板lOOle，的反射金屬層1090層疊在源極配線1065、漏極配線1066、 源電極1063及漏電極1064上。因而，能夠反射更多的光，并能夠使反射光形成的亮度提高。 進(jìn)而，反射金屬層1090作為輔助導(dǎo)電層1080起作用，所以能夠降低各電極和配線的電阻。 因而能夠使可靠性提高，并能夠抑制能量效率的降低。進(jìn)而，在TFT基板lOOle’中，保護(hù)反射金屬層1090的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層1095層疊在反射金屬層1090的上部。如此一來，能夠防止反射金屬層1090的變色，并能夠防止反射金屬層1090的反射率降低的不良情況。此外，防止反射金屬層1090的腐蝕， 并使耐久性提高。
另外，其他的構(gòu)造與第一實(shí)施方式的TFT基板1001大致相同。如此，本實(shí)施方式的TFT基板lOOle，具有與第一實(shí)施方式的TFT基板1001大致相同的效果，進(jìn)而能夠作為半反射型或半透過型的TFT基板來使用。[TFT基板的制造方法中的第七實(shí)施方式]圖42表示用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求34對(duì)應(yīng)。在該圖中，首先在玻璃基板2010上依次層疊作為柵電極/配線用薄膜的金屬層 2020及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 、柵極絕緣膜2030、作為氧化物層的η型氧化物半導(dǎo)體層2040以及第一抗蝕劑2041，并利用第一半色調(diào)掩模2042及半色調(diào)曝光，將第一抗蝕劑2041形成規(guī)定的形狀(步驟S2001)。接下來，對(duì)使用第一半色調(diào)掩模2042的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用了第一半色調(diào)掩模的處理)圖43是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第一半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示金屬層成膜/金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/柵極絕緣膜成膜/n型氧化物半導(dǎo)體層成膜/第一抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第一蝕刻/第一抗蝕劑的再形成后的剖面圖，(c)表示第二蝕刻/剝離第一抗蝕劑后的剖面圖。在該圖(a)中，首先準(zhǔn)備透光性的玻璃基板2010。而且，作為TFT基板2001的基材的板狀部件并不限定于上述玻璃基板2010，例如樹脂制的板狀部件或片狀部件也可。此外，上述板狀部件并不限定于透光性的玻璃基板 2010。例如，遮光性或半透明的玻璃基板也可。接下來，在玻璃基板2010上，形成用于形成柵電極2023及柵極配線20 的金屬層。首先，使用高頻濺射法，將Al層疊至膜厚約250nm。接下來，使用高頻濺射法，將Mo (鉬) 層疊至膜厚約50nm。S卩，金屬層2020雖然未圖示，但由Al薄膜層和Mo薄膜層構(gòu)成，首先， 使用Al濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Al薄膜層。此外，使用Mo濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Mo薄膜層。接下來，在金屬層2020上，使用由氧化銦-氧化鋅(通常稱為IZO。In2O3 ZnO =約90 10wt%)構(gòu)成的濺射靶，形成膜厚約IOOnm的金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2(^6。此時(shí)的條件為，氧氬比約為1 99Vol. %，且基板溫度約為150°C。在該條件下，金屬薄膜保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 作為非晶體膜得到。如此，將IZO等的透明導(dǎo)電膜作為金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 配置在柵極配線20M的表面。因而， 為形成柵極配線焊盤2025，在柵極絕緣膜2030形成開口部2251時(shí)，柵極配線20M所使用的金屬表面不露出。由此，能夠防止金屬層2020的腐蝕，并提高耐久性，形成可靠性高的連接。從而，TFT基板2001的工作可靠性提高，使用了 TFT基板2001的液晶顯示裝置或電場(chǎng)發(fā)光裝置等(未圖示)也穩(wěn)定地共作。此外，作為柵極絕緣膜2030，使用SiNx、SiONx, SiO2 等絕緣物，并利用使用了 CHF (CF4, CHF3等)的反應(yīng)性離子蝕刻法，在柵極絕緣膜2030形成開口部2251的情況下，IZO等透明導(dǎo)電膜也成為金屬層(Al/Mo層)2020的保護(hù)膜，能夠降低CHF對(duì)金屬層2020的破壞。上述金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層20 只要是能夠利用Al薄膜層的蝕刻液即混酸(通常也稱為PAN)能夠同時(shí)蝕刻的導(dǎo)電性的金屬氧化物即可，并不限定于上述氧化銦-氧化鋅。即，作為氧化銦-氧化鋅的組成，只要是利用PAN能夠與Al同時(shí)蝕刻的組合即能夠使用，但I(xiàn)n/(In+ai)=約0.5 0.95(重量比)，優(yōu)選約0.7 0.9(重量比)。其理由是，若不足約0. 5(重量比)，則有時(shí)導(dǎo)電性的金屬氧化物自身的耐久性低，如果超過約 0.95(重量比)，則有時(shí)難以與Al同時(shí)蝕刻的緣故。此外，在與Al同時(shí)蝕刻的情況下，期望導(dǎo)電性的金屬氧化物為非晶體。其理由是，在結(jié)晶化了的膜的情況下，有時(shí)與Al同時(shí)蝕刻變得困難。此外，金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層20 的厚度只要是約10 200nm即可。優(yōu)選約15 150nm，更優(yōu)選約20 lOOnm。其理由是，若不足約lOnm，則存在作為保護(hù)膜的效果小的情況，若超過200nm，則在經(jīng)濟(jì)上不利的緣故。作為代替IZO的材料可以使用在ITO中含有鑭系元素的材料或添加有Mo、W等高熔點(diǎn)金屬氧化物的材料。添加量相對(duì)于所有金屬元素約30原子％以下，優(yōu)選約1 20原子％。其理由是，若超過約30原子％，則存在由草酸水溶液或混酸進(jìn)行的蝕刻速度降低的情況的緣故。此外，膜厚約20nm 500nm，優(yōu)選約30nm 300nm。其理由是，若不足約20nm， 則形成針孔，存在不能作為保護(hù)膜起作用的情況，若超過500·，則成膜或蝕刻需要時(shí)間，經(jīng)濟(jì)上的損失增大的緣故。令外，Al上的Mo以降低與金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 的接觸阻抗為目的而使用，在接觸阻抗低到可以忽略的程度的情況下，也可不形成Mo層。此外，代替上述的Mo，能夠使用Ti (鈦)、Cr (鉻)等。此外，作為柵極配線20M也能夠使用Ag(銀)、 Cu(銅)等金屬薄膜或合金薄膜。在本實(shí)施方式中，形成Mo薄膜層，特別地，若為Mo，則能過與Al薄膜層或金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 同樣由PAN蝕刻，能夠不增加工序地進(jìn)行加工，故而適合。上述Mo、Ti、Cr等的金屬薄膜的厚度只要約10 200nm即可。 優(yōu)選約15 lOOnm，更優(yōu)選約20 50nm。其理由是，若不足約lOnm，則存在降低接觸阻抗的效果小的情況，若超過約200nm，則經(jīng)濟(jì)上不利。此外，Al可以是純Al (純度約100%的Al)，但也可添加Nd(釹)、Ce(鈰)、Mo、 W(鎢)、Nb(鈮)等金屬。另外，Ce、W、Nb等例如適于抑制與氧化物透明導(dǎo)電體層2060的電池反應(yīng)。添加量可以適宜地選擇，但優(yōu)選約0. 1 2wt%。此外，在本實(shí)施方式中，作為柵電極/配線用薄膜使用了金屬層2020及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2(^6。但并不限定于此，作為柵電極/配線用薄膜也可使用例如由氧化銦-氧化錫(In2O3 SnO=約90 10wt% )等構(gòu)成的氧化物透明導(dǎo)電體層。進(jìn)而，作為金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 的材料，可以使用與后述的氧化物透明導(dǎo)電體層2060相同的材料。如此，能夠降低使用的材料的種類，并能夠得到期望的TFT基板2001。金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 的材料基于蝕刻特性或保護(hù)膜特性來選擇。另外，金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 并不限定于形成在作為柵電極/配線用薄膜的金屬層2020的上部的情況。例如，雖未圖示，但在氧化物透明導(dǎo)電體層2060的上方層疊有由金屬構(gòu)成的輔助導(dǎo)電層的情況下，也可形成在該輔助導(dǎo)電層的上部。接下來，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍法)法等，在金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 上堆積氮化硅(SiNx)膜即柵極絕緣膜2030至膜厚約300nm。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。而且，在本實(shí)施方式中，柵極絕緣膜2030使用了 SiNx等氮化硅膜，但也可以將氧化物絕緣體用作絕緣膜。在此情況下，氧化物絕緣膜的介電常數(shù)越大，越有利于薄膜晶體管的工作。此外，絕緣性優(yōu)選越大越好。作為滿足其的例子，優(yōu)選具有氧化物的超晶格構(gòu)造的氧化物的氧化物絕緣膜。進(jìn)而，也能夠使用非晶體的氧化物絕緣膜。在非晶體氧化物絕緣膜的情況下，能夠?qū)⒊赡囟染S持在低溫，因此，在塑料基板等耐熱性欠缺的基板的情況下是有利的。例如，也可以使用ScAlMg04、ScAlZnO4, ScAICoO4, ScAlMnO4, ScGaZnO4, ScGaMgO4 或者 ScAlZn3O6^ ScAlZn4O7^ ScAlZn7O10、或者 ScGaZn3O6^ ScGaZn5O8^ ScGaZn7O10 或者 ScFeZn2O5^ ScFeZn3O6、ScFeZn6O9 等。此外，也可以使用氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鑭(酸化，> 夕7 4 k)等氧化物以及超晶格構(gòu)造的復(fù)合氧化物。接下來，在柵極絕緣膜2030上，使用氧化銦-氧化鋅(In2O3 ZnO =約 97 3wt% )的濺射靶，將膜厚約150nm的η型氧化物半導(dǎo)體層2040成膜。此時(shí)的條件為，氧氬比約為10 90Vol. %，且基板溫度約為150°C。在該條件下，η型氧化物半導(dǎo)體層2040作為非晶體膜得到。而且，η型氧化物半導(dǎo)體層2040在以約200°C以下的低溫進(jìn)行成膜的情況下，作為非晶體膜得到，以超過約200的高溫成膜的情況下，作為結(jié)晶體膜得到。此外，上述非晶體膜通過熱處理也能夠使其結(jié)晶化。在本實(shí)施方式中，將η型氧化物半導(dǎo)體層2040作為非晶體膜形成，并使其結(jié)晶化而使用。而且，η型氧化物半導(dǎo)體層2040并不限定于由上述氧化銦-氧化鋅構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體層，例如，也可為由氧化銦_氧化鎵_氧化鋅系、或氧化銦_氧化釤、氧化鋅_氧化鎂等構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體層。此外，上述氧化銦-氧化鋅薄膜的載流子密度在io+16cnt3以下，是足夠作為半導(dǎo)體工作的區(qū)域。此外，孔移動(dòng)度為25cm7V*sec。通常，載流子密度只要不足約10+17cm_3，則構(gòu)成足夠的工作區(qū)域，且移動(dòng)度與非晶體硅的移動(dòng)相比大10倍以上，因此，η型氧化物半導(dǎo)體層2040是十分有用的半導(dǎo)體薄膜。此外，η型氧化物半導(dǎo)體層2040需要透明性，因此可以使用能隙約3. OeV以上的氧化物。優(yōu)選約3.2eV以上，更優(yōu)選約3.4eV以上。上述的氧化銦-氧化鋅系、氧化銦-氧化鎵_氧化鋅系、或氧化銦_氧化釤、氧化鋅_氧化鎂等構(gòu)成的η型氧化物半導(dǎo)體層的能隙約3. 2eV以上，適宜使用。此外，這些薄膜(η型氧化物半導(dǎo)體層)在非晶體的情況下能夠溶解于草酸水溶液或混酸，但通過使其加熱結(jié)晶化，變得不溶于草酸水溶液或混酸，顯示出耐性。此外，結(jié)晶化的溫度能夠根據(jù)添加的氧化鋅的量來控制。接下來，如該圖(a)所示，在η型氧化物半導(dǎo)體層2040上涂敷第一抗蝕劑2041， 并利用第一半色調(diào)掩模2042及半色調(diào)曝光，將第一抗蝕劑2041形成規(guī)定的形狀(步驟 S2001)。即，第一抗蝕劑2041覆蓋柵電極2023及柵極配線2024，并且利用半色調(diào)掩模 2421，形成為覆蓋柵極配線2024的部分比其它的部分薄的形狀。接下來，如該圖(b)所示，作為第一蝕刻，首先利用第一抗蝕劑2041及蝕刻液(草酸水溶液)，對(duì)η型氧化物半導(dǎo)體層2040進(jìn)行蝕刻，接下來，使用第一抗蝕劑2041及蝕刻氣體(CHF (CF4XHF3氣體等))，對(duì)柵極絕緣膜2030進(jìn)行干蝕刻，進(jìn)而，利用第一抗蝕劑2041及蝕刻液(混酸)，對(duì)金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2026及金屬層2020進(jìn)行蝕刻，形成柵電極2023及柵極配線2024 (步驟S2002)。接下來，將上述第一抗蝕劑2041灰化，柵極配線2024的上方的η型氧化物半導(dǎo)體層2040露出，并且，將第一抗蝕劑2041再形成為覆蓋柵電極2023的上方的η型氧化物半導(dǎo)體層2040的形狀(S2003)。接下來，如該圖(C)所示，作為第二蝕刻，使用再形成的第一抗蝕劑2041及蝕刻液 (草酸水溶液)，并利用蝕刻將露出的柵極配線2024上的η型氧化物半導(dǎo)體層2040除去， 形成由η型氧化物半導(dǎo)體層2040構(gòu)成的溝道部2044(S2004)。接下來，如果將再形成的第一抗蝕劑2041灰化，則如圖44所示，在玻璃基板2010 上，層疊在柵極配線2024上的柵極絕緣膜1030及經(jīng)由柵極絕緣膜2030形成在柵電極2023 上的溝道部2044露出。如圖43 (c)所示，柵電極2023及溝道部2044表示圖44中的A-A 剖面。此外，柵極配線2024表示B-B剖面。如此，作為TFT活性層使用η型氧化物半導(dǎo)體層2040，由此即使流過電流也穩(wěn)定， 對(duì)于作為由電流控制而工作的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件是有用的。此外，在本發(fā)明中，η型氧化物半導(dǎo)體層2040僅形成在與溝道部2044、源電極2063 及漏電極2064對(duì)應(yīng)的規(guī)定位置，因此，能夠排除對(duì)于柵極配線2024發(fā)生干涉(相互干擾) 的擔(dān)心。接下來，如圖42所示，在玻璃基板2010、柵極絕緣膜2030及η型氧化物半導(dǎo)體層 2040上依次層疊層間絕緣膜2050及第二抗蝕劑2051，并使用第二掩模2052將第二抗蝕劑 2051形成規(guī)定的形狀(步驟S2005)。接下來，對(duì)于使用第二掩模2052的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第二掩模的處理)圖45是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第二掩模的處理的概略圖，(a)表示層間絕緣膜成膜/第二抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第三蝕刻后的剖面圖，(c)表示第二抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，利用輝光放電CVD(化學(xué)蒸鍍)法，在露出的玻璃基板2010、 柵極絕緣膜2030及η型氧化物半導(dǎo)體層2040上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即層間絕緣膜2050。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在層間絕緣膜2050上涂敷第二抗蝕劑2051，并使用第二掩模2052，將第二抗蝕劑2051形成為規(guī)定的形狀(步驟S2005)。即，第二抗蝕劑2051形成在除了與后面工序中形成的源電極2063及漏電極2064對(duì)應(yīng)的部分的上方以及柵極配線焊盤2250的上方以外的層間絕緣膜2050上。柵極配線2024及柵電極2023的上表面被柵極絕緣膜2030覆蓋，且側(cè)面被層間絕緣膜2050覆蓋，由此而被絕緣。接下來，使用第二抗蝕劑2051及蝕刻氣體(CHF (CF4、CHF3氣體等))，對(duì)與源電極 2063及漏電極2064對(duì)應(yīng)的部分的層間絕緣膜1050、以及柵極配線焊盤2250的上方的柵極絕緣膜2030及層間絕緣膜2050進(jìn)行蝕刻，并形成源電極2063及漏電極2064用的一對(duì)開口部2631、2641，以及柵極配線焊盤2025用的開口部2251 (步驟S2006)。此時(shí)，因?yàn)镃HF 中的η型氧化物半導(dǎo)體層2040的蝕刻速度極為緩慢，因此η型氧化物半導(dǎo)體層2040不會(huì)受到損害。此外，溝道部2044由形成在溝道部1044上的層間絕緣膜2050構(gòu)成的溝道保護(hù)層2500保護(hù)，因此能夠使TFT基板2001的工作穩(wěn)定性提高。下面，如果將第二抗蝕劑2051灰化，則如圖(c)所示，在玻璃基板2010的上方，層間絕緣膜2050、η型氧化物半導(dǎo)體層2040及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2026露出 (參照?qǐng)D46)。η型氧化物半導(dǎo)體層2040經(jīng)由開口部2631、2641露出，金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2026經(jīng)由開口部2251露出。如圖45(c)所示，柵電極2023、溝道部2044及開口部2631、2641表示圖46中的C-C剖面。此外，柵極配線焊盤2250及開口部2251表示 D-D剖面。而且，開口部2631、2641、2251的形狀和大小沒有特別限定。下面，如圖42所示，在形成有開口部2631、2641、2251的玻璃基板2010的上方依次層疊作為導(dǎo)電體層的氧化物透明導(dǎo)電體層2060及第三抗蝕劑2061，并使用第三掩模 2062而將第三抗蝕劑2061形成為規(guī)定的形狀(步驟S2007)。而且，在本實(shí)施方式中，作為導(dǎo)電體層，使用氧化物透明導(dǎo)電體層2060，但并不限定于此。例如，也可使用具有導(dǎo)電性的金屬層，或半透明或非透明的氧化物導(dǎo)電體層等。例如，上述導(dǎo)電體層可以由金屬構(gòu)成，如此能夠提供長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作，此外，改善成品率，并且可以實(shí)現(xiàn)制造成本降低的反射型的TFT基板。下面，對(duì)使用了第三掩模2062的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用了第三掩模的處理)圖47是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，使用氧化銦-氧化鋅(In2O3 ZnO =約90 IOwt% )的濺射靶， 在露出的層間絕緣膜2050、n型氧化物半導(dǎo)體層2040及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層 2026上，將膜厚約120nm的氧化物透明導(dǎo)電體層2060成膜。此時(shí)的條件為，氧氬比約為 10 90Vol. %，且基板溫度約為150°C。在該條件下，氧化物透明導(dǎo)電體層2060作為非晶體膜得到。而且，非晶體的氧化銦_氧化鋅薄膜能夠利用混酸或草酸水溶液蝕刻。氧化物透明導(dǎo)電體層2060并不限定于由上述的氧化銦-氧化鋅構(gòu)成的氧化物導(dǎo)電體層。例如，也可是由氧化銦_氧化錫、氧化銦_氧化錫_氧化鋅、氧化銦_氧化錫_氧化釤等構(gòu)成的氧化物導(dǎo)電體層，或者在氧化銦-氧化鋅、氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化錫-氧化鋅、氧化銦-氧化錫-氧化釤等中添加有鑭(，> 夕"K )元素的氧化物導(dǎo)電體層。此外，在本實(shí)施方式中，利用氧化物透明導(dǎo)電體層2060來形成源電極2063、漏電極2064、源極配線2065、漏極配線2066及像素電極1067。從而，氧化物透明導(dǎo)電體層2060 的導(dǎo)電性優(yōu)良。此外，氧化物透明導(dǎo)電體層2060需要透明性，因此形成為能隙約3. OeV以上的氧化物。優(yōu)選約3.2eV以上，更優(yōu)選約3.4eV以上。上述氧化銦-氧化鋅、氧化銦-氧化錫、 氧化銦_氧化錫_氧化鋅、氧化銦_氧化錫_氧化釤等構(gòu)成的氧化物導(dǎo)電體層，或者在氧化銦_氧化鋅、氧化銦_氧化錫、氧化銦_氧化錫_氧化鋅、氧化銦_氧化錫_氧化釤等中添加有鑭(，> 夕7 < K)元素的氧化物導(dǎo)電體層的能隙都在約3. 2eV以上，因此適合使用。下面，如該圖(a)所示，在氧化物透明導(dǎo)電體層2060上涂敷第三抗蝕劑2061，使用第三掩模2062而將第三抗蝕劑2061形成為規(guī)定的形狀(步驟S2007)。即，第三抗蝕劑2061形成為覆蓋漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、漏極配線2066、像素電極2067 及柵極配線焊盤2025的形狀(參照該圖(b))。而且，在本實(shí)施方式中，形成為將像素電極 2067和源電極2063經(jīng)由源極配線2065而連接的結(jié)構(gòu)，但也可形成為像素電極2067和漏電極經(jīng)由漏極配線連接的結(jié)構(gòu)。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，使用第三抗蝕劑2061及草酸水溶液，對(duì)氧化物透明導(dǎo)電體層2060進(jìn)行蝕刻，形成漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線2066及柵極配線焊盤2025 (步驟S2008)。如此，因?yàn)樵趯娱g絕緣膜2050的一對(duì)開口部2631、2641分別形成由氧化物透明導(dǎo)電體層2060構(gòu)成的源電極2063及漏電極2064，因此源電極2063及漏電極2064被溝道保護(hù)層2500及溝道部2044確實(shí)地隔開。即，確實(shí)且容易地制造溝道保護(hù)層2500、溝道部2044、 源電極2063及漏電極2064，所以改善成品率，并且能夠?qū)崿F(xiàn)制造原價(jià)的成本降低。將此種構(gòu)造的TFT基板2001稱為VIA孔溝道型TFT基板。此外，由氧化物透明導(dǎo)電體層2060構(gòu)成的漏電極2064、源電極2063、源極配線 2065、像素電極2067及漏極配線2066通過第四蝕刻有效地形成。即，能夠消減制造時(shí)使用的掩模數(shù)，并消減制造工序，由此生產(chǎn)效率提高，并能夠?qū)崿F(xiàn)制造原價(jià)的成本降低。進(jìn)而，漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067及漏極配線2066 由氧化物透明導(dǎo)電體層2060構(gòu)成，由此光的透過量增大，所以能夠提供亮度優(yōu)良的顯示裝置。接下來，若將第三抗蝕劑2061灰化，則由氧化物透明導(dǎo)電體層2060構(gòu)成的漏電極 2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線2066以及柵極配線焊盤2025 露出。如圖47 (b)所示，漏電極2064、柵電極2023、溝道部2044、源電極2063、源極配線2065 及像素電極2067表示圖48中的E-E剖面。此外，漏極配線2066表示F-F剖面。此外，柵極配線焊盤2025表示G-G剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板2001的制造方法，使用三片掩模2044、2052、 2062，在活性半導(dǎo)體層上能夠制造使用了氧化物半導(dǎo)體層(η型氧化物半導(dǎo)體層2040)的 VIA孔溝道型TFT基板2001。即，因?yàn)橄麥p了制造工序，所以能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。此外，因?yàn)闇系啦?044被溝道保護(hù)層2500保護(hù)，所以能夠在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定地工作。此外，η型氧化物半導(dǎo)體層2040僅在規(guī)定的位置(與溝道部2044、源電極2063及漏電極2064對(duì)應(yīng)的規(guī)定的位置)形成，所以能夠排除柵極配線2024之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。而且，在本實(shí)施方式中，在玻璃基板2010上層疊金屬層2020、金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2026、柵極絕緣膜2030、η型氧化物半導(dǎo)體層2040以及第一抗蝕劑2041， 進(jìn)而層疊層間絕緣膜2050及第二抗蝕劑2051，進(jìn)而層疊氧化物透明導(dǎo)電體層2060及第三抗蝕劑2061。但是并不限定于此。例如，在各層間也可經(jīng)由其他的層而層疊。其他的層例如不對(duì)本實(shí)施方式的功能或效果帶來?yè)p害的層或輔助其他的功能或效果的層。此與后述的實(shí)施方式也相同。[TFT基板的制造方法中的第七實(shí)施方式的應(yīng)用例]圖49是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的概略流程圖。而且，本應(yīng)用例的制造方法與權(quán)利要求35相對(duì)應(yīng)。該圖所示的本應(yīng)用例涉及的TFT基板2001a’的制造方法是在上述第七實(shí)施方式的TFT基板2001上層疊保護(hù)用絕緣膜2070及第四抗蝕劑2071 (步驟S2009)。進(jìn)而使用第四抗蝕劑2071，使像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出(步驟 S2010)。這些方面與上述第七實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與第七實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第七實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖49所示的使用第一半色調(diào)掩模、第二掩模及第三掩模的處理與第七實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖49所示，層疊保護(hù)用絕緣膜2070及第四抗蝕劑2071，并使用第四掩模2072，將第四抗蝕劑2071形成為規(guī)定的形狀(步驟S2009)。接下來，對(duì)使用第四掩模2072的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第四掩模的處理)圖50是用于說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的應(yīng)用例的、 使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍)法，在層間絕緣膜2050及氧化物透明導(dǎo)電體層2060上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜2070。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，在保護(hù)用絕緣膜2070上涂敷第四抗蝕劑2071，并使用第四掩模2072，將第四抗蝕劑2071形成為規(guī)定的形狀(步驟S2009)。即，第四抗蝕劑2071形成為像素電極 2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025的上方的保護(hù)用絕緣膜2070露出的形狀 (步驟 S2009)。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，首先，使用第四抗蝕劑2071及蝕刻氣體 (CHF(CF4XHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜2070進(jìn)行干蝕刻，使像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出(步驟S2010)。接下來，若將第四抗蝕劑2071灰化，則如圖51所示，在玻璃基板2010上，保護(hù)用絕緣膜2070露出。如圖50 (b)所示，漏電極2064、柵電極2023、溝道部2044、源電極2063、源極配線2065及像素電極2067表示圖51 中的E，-E，剖面。此外，漏極配線焊盤2068表示F，-F，剖面。此外，柵極配線焊盤2025 表示G’ -G’剖面。如此，根據(jù)本應(yīng)用例的TFT基板2001’的制造方法，具有與第七實(shí)施方式大致同樣的效果，并且，由保護(hù)用絕緣膜1070覆蓋，以不使源電極2063、漏電極2064、源極配線2065 及漏極配線2066露出。由此，TFT基板2001’具備保護(hù)用絕緣膜1070。從而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板2001’。另外，在本應(yīng)用例中，形成了將源電極2063、漏電極2064、源極配線2065及漏極配線2066的上表面及側(cè)面大致覆蓋的方法，但如反射型TFT基板2001b的制造方法的第二實(shí)施方式所示，也可形成將源電極2063、漏電極2064、漏電極2064及漏極配線2066的上表面大致覆蓋的方法。[反射型TFT基板的制造方法的第一實(shí)施方式]圖52表示用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求36對(duì)應(yīng)。
該圖所示的本實(shí)施方式涉及的TFT基板2001a的制造方法代替上述的TFT基板 2001的第七實(shí)施方式中的步驟S2007，層疊反射金屬層2060a及第三抗蝕劑2061，并利用第三掩模2062來形成第三抗蝕劑2061 (步驟S2007a)。上述這些點(diǎn)與第七實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與TFT基板2001的制造方法的第七實(shí)施方式大致相同。此外， 對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖52所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與TFT基板2001的制造方法的第七實(shí)施方式大致相同。下面，如圖52所示，在形成有開口部2631、2641、2251的玻璃基板2010的上方依次層疊反射金屬層2060a及第三抗蝕劑2061，并使用第三掩模2062而將第三抗蝕劑2061 形成為規(guī)定的形狀(步驟S2007a)。接下來，對(duì)于使用第三掩模2062的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用了第三掩模的處理)圖53是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三掩模的處理的概略圖，(a)表示反射金屬層成膜/第三抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，在露出的層間絕緣膜2050、η型氧化物半導(dǎo)體層2040及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2026上將Al層疊至膜厚約120nm，形成由Al構(gòu)成的反射金屬層 2060a。即，使用Al濺射靶，利用高頻濺射法，在氬100%的條件下形成Al薄膜層。而且，將反射金屬層2060a的反射率設(shè)為80%以上即可，如此，能夠提供亮度優(yōu)良的反射型TFT基板 2001a。此外，代替由Al構(gòu)成的反射金屬層2060a，也可使用Ag或Au等金屬薄膜，如此，能夠反射更多的光，并能使亮度提高。下面，如該圖(a)所示，在反射金屬層2060a上涂敷第三抗蝕劑2061，使用第三掩模2062而將第三抗蝕劑2061形成為規(guī)定的形狀(步驟S2007)。即，第三抗蝕劑2061形成為覆蓋漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、漏極配線2066、像素電極2067及柵極配線焊盤2025的形狀(參照該圖(b))。而且，在本實(shí)施方式中，形成為將像素電極2067和源電極2063經(jīng)由源極配線2065而連接的結(jié)構(gòu)，但也可形成為像素電極2067和漏電極經(jīng)由漏極配線連接的結(jié)構(gòu)。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，使用第三抗蝕劑2061及混酸，對(duì)反射金屬層2060a構(gòu)成的源電極2063進(jìn)行蝕刻，形成漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線2066及柵極配線焊盤2025 (步驟S2008)。如此，因?yàn)樵趯娱g絕緣膜2050的一對(duì)開口部2631、2641分別形成由反射金屬層 2060a構(gòu)成的源電極2063及漏電極2064，因此源電極2063及漏電極2064被溝道保護(hù)層 2500及溝道部2044確實(shí)地隔開。即，確實(shí)且容易地制造溝道保護(hù)層2500、溝道部2044、源電極2063及漏電極2064，所以改善成品率，并且能夠?qū)崿F(xiàn)制造原價(jià)的成本降低。將此種構(gòu)造的反射型TFT基板2001a稱為VIA孔溝道型TFT基板。此外，由反射金屬層2060a構(gòu)成的漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067及漏極配線2066通過第四蝕刻有效地形成。即，能夠消減制造時(shí)使用的掩模數(shù)， 并消減制造工序，由此生產(chǎn)效率提高，并能夠?qū)崿F(xiàn)制造原價(jià)的成本降低。接下來，若將第三抗蝕劑2061灰化，則由反射金屬層2060a構(gòu)成的漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線2066以及柵極配線焊盤2025露出。 如圖53 (b)所示，漏電極2064、柵電極2023、溝道部2044、源電極2063、源極配線2065及像素電極2067表示圖54中的H-H剖面。此外，漏極配線2066表示I-I剖面。此外，柵極配線焊盤2025表示J-J剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的反射型TFT基板2001a的制造方法，使用三片掩模2044、 2052、2062，在活性半導(dǎo)體層上能夠制造使用了氧化物半導(dǎo)體層(η型氧化物半導(dǎo)體層 2040)的VIA孔溝道型TFT基板2001a。另外，消減了制造工序，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。 此外，因?yàn)闇系啦?044被溝道保護(hù)層2500保護(hù)，所以能夠在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定地工作。此外， η型氧化物半導(dǎo)體層2040僅在規(guī)定的位置(與溝道部2044、源電極2063及漏電極2064對(duì)應(yīng)的規(guī)定的位置)形成，所以能夠排除柵極配線2024之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。[反射型TFT基板的制造方法的第二實(shí)施方式]圖55表示用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求37對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的TFT基板2001b的制造方法代替上述的反射型TFT 基板2001a的制造方法中的第一實(shí)施方式的步驟S2007a及步驟S2008，層疊反射金屬層 2060a、保護(hù)用絕緣膜2070b及第三抗蝕劑2071b，并利用第三半色調(diào)掩模2072b來形成第三抗蝕劑2071b (步驟S2007b)，并使用第三抗蝕劑2071，形成漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線2066及柵極配線焊盤2025 (步驟S2008b)，并再形成第三抗蝕劑2071b (步驟S2009b)，進(jìn)而，使用再形成的第三抗蝕劑2071b，使像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出(步驟S2010b)。這些點(diǎn)與反射型TFT基板的制造方法中的第一實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與反射型TFT基板的制造方法中的第一實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第一實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖55所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖55所示，層疊反射金屬層2060a、保護(hù)用絕緣膜2070b及第三抗蝕劑 2071，并利用第三半色調(diào)掩模2072b及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑2071b形成為規(guī)定的形狀 (步驟 S2007b)。接下來，對(duì)于使用第三半色調(diào)掩模2072b的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三半色調(diào)掩模的處理)圖56是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示反射金屬層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，與反射型TFT基板的制造方法的第一實(shí)施方式相同，在露出的層間絕緣膜2050、η型氧化物半導(dǎo)體層2040及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2026 上將Al層疊至膜厚約120nm，形成由Al構(gòu)成的反射金屬層2060a。接下來，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍)法，在反射金屬層2060a上堆積膜厚約 200nm的氮化硅(SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜2070b。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在保護(hù)用絕緣膜2070b上涂敷第三抗蝕劑2071b，并通過第三半色調(diào)掩模2072b及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑2071b形成為規(guī)定的形狀(步驟 S2007b)。即，第三抗蝕劑207 Ib形成為覆蓋漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、漏極配線2066、像素電極2067及柵極配線焊盤2025，且利用半色調(diào)掩模部2721b，形成為覆蓋像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025的部分比其他的部分薄的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑2071b及蝕刻氣體 (CHF (CF4XHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜2070b進(jìn)行干蝕刻，進(jìn)而，通過第三抗蝕劑 2071b及蝕刻液(混酸)，對(duì)反射金屬層2060a進(jìn)行蝕刻，形成漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線2066及柵極配線焊盤2025 (步驟S2008b)。圖57是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻 /第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，將上述第三抗蝕劑2071b灰化，將第三抗蝕劑2071b再形成為像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025的上方的保護(hù)用絕緣膜2070露出的形狀(步驟S2009b)。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，使用再形成的第三抗蝕劑2071b及蝕刻氣體(CHF (CF4, CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜2070b進(jìn)行干蝕刻，使像素電極 2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出(步驟S2010b)。接下來，若將再形成后的第三抗蝕劑2071b灰化，則如圖58所示，在玻璃基板2010上，層疊在漏電極2064、源電極2063、源極配線2065及漏極配線2066上的保護(hù)用絕緣膜2070露出。如圖57(b)所示，漏電極2064、柵電極2023、溝道部2044、源電極2063、源極配線2065及像素電極2067 表示圖58中的Hb-Hb剖面。此外，漏極配線焊盤2068表示Ib-Ib剖面。此外，柵極配線焊盤2025表示Jb-Jb剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的反射型TFT基板2001b的制造方法，具有與反射型TFT基板的制造方法的第一實(shí)施方式大致同樣的效果。進(jìn)而，由保護(hù)用絕緣膜2070b覆蓋源電極 2063、漏電極2064、源極配線2065及漏極配線2066的上部，由此能夠使TFT的工作穩(wěn)定性提尚。此外，在本實(shí)施方式中，在源電極2063及源極配線2065上形成保護(hù)用絕緣膜 2070b，但也可不形成該保護(hù)用絕緣膜2070b。如此，源電極2063及源極配線2065的上表面也作為反射層起作用，所以能夠使反射的光量增大，并能夠使亮度提高。而且，在本實(shí)施方式中，源電極2063、漏電極2064、源極配線2065及漏極配線1066 的側(cè)部露出，但也可由保護(hù)用絕緣膜2070c覆蓋他們的側(cè)部。接下來，對(duì)由保護(hù)用絕緣膜2070c也覆蓋源電極2063、漏電極2064、源極配線2065 及漏極配線2066的側(cè)部的制造方法，參照附圖進(jìn)行說明。[反射型TFT基板的制造方法中的第三實(shí)施方式]圖59表示用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求38對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板2001c的制造方法是在上述的第一實(shí)施方式的反射型TFT基板2001a上層疊保護(hù)用絕緣膜2070c及第四抗蝕劑2071c (步驟S2009c)，進(jìn)而，使用第四抗蝕劑2071c使源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出(步驟S2010c)。這些點(diǎn)與反射型TFT基板2001a 的制造方法的第一實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與反射型TFT基板2001a的制造方法的第一實(shí)施方式大致相同， 對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第一實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖59所示的使用第一半色調(diào)掩模、第二掩模及第三掩模的處理與第一實(shí)施方式大致相同。接下來，如圖59所示，層疊保護(hù)用絕緣膜2070c及第四抗蝕劑2071c，并使用第四掩模2072c，將第四抗蝕劑2071c形成為規(guī)定的形狀(步驟S2009c)。接下來，對(duì)使用第四掩模2072c的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第四掩模的處理)圖60是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第四掩模的處理的概略圖，(a)表示保護(hù)用絕緣膜成膜/第四抗蝕劑涂敷/曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第四抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍)法，在層間絕緣膜2050及反射金屬層2060a上堆積膜厚約200nm的氮化硅(SiNx)膜即保護(hù)用絕緣膜2070c。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，在保護(hù)用絕緣膜2070c上涂敷第四抗蝕劑2071c，并使用第四掩模2072c，將第四抗蝕劑2071c形成為規(guī)定的形狀(步驟S2009c)。即，第四抗蝕劑2071c形成為源電極 2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025的上方的保護(hù)用絕緣膜2070c露出的形狀(步驟S2009c)。而且，在本實(shí)施方式中，作為源電極2063及源極配線2065露出的方法，但并不限定于此。例如，至少像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出即可。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，首先，使用第四抗蝕劑2071c及蝕刻氣體 (CHF(CF4XHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜2070進(jìn)行干蝕刻，使源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出(步驟S2010c)。接下來，若將第四抗蝕劑2071c灰化，則如圖61所示，在玻璃基板2010上，保護(hù)用絕緣膜2070 露出。如圖60 (b)所示，漏電極2064、柵電極2023、溝道部2044、源電極2063、源極配線2065 及像素電極2067表示圖61中的Hc-Hc剖面。此外，漏極配線焊盤2068表示Ic-Ic剖面。 此外，柵極配線焊盤2025表示Jc-Jc剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的反射型TFT基板2001c的制造方法，具有與第一實(shí)施方式大致同樣的效果。此外，由保護(hù)用絕緣膜2070c覆蓋，以不使漏電極2064及漏極配線2066 露出，且反射型TFT基板2001c具備保護(hù)用絕緣膜2070c。即，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的反射型TFT基板2001c。[反射型TFT基板的制造方法中的第四實(shí)施方式]圖62表示用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求37+權(quán)利要求40對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板2001d的制造方法與上述的反射型 TFT基板2001b的制造方法中的第二實(shí)施方式相比，在反射金屬層2060a的上方層疊金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2069 (步驟S2007d)。這些點(diǎn)與反射型TFT基板2001b的制造方法中的第二實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與反射型TFT基板2001b的制造方法中的第二實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第二實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖62所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第二實(shí)施方式大致相同。接下來，對(duì)于使用第三半色調(diào)掩模2072d的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三半色調(diào)掩模的處理)圖63是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示反射金屬層成膜/金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖， (b)表示第四蝕刻后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，在露出的層間絕緣膜2050、n型氧化物半導(dǎo)體層2040及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2026上將Al層疊至膜厚約120nm，形成由Al構(gòu)成的反射金屬層2060a。S卩，使用Al濺射靶，利用高頻濺射法，在氬100%的條件下，形成Al薄膜層。接下來，在反射金屬層2060a上使用由氧化銦-氧化鋅(通常稱為ΙΖ0。Ιη203 ZnO =約90 10wt%)構(gòu)成的濺射靶，形成膜厚約50nm的金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層 2069。此時(shí)的條件為，氧氬比約為1 99Vol. %，且基板溫度約為150°C。在該條件下， 金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2069作為非晶體膜得到。如此，使用混酸能夠與反射金屬層2060a —起蝕刻，所以能夠使生產(chǎn)效率提高。接下來，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍法)法等，在金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2069上堆積氮化硅(SiNx)膜即柵極絕緣膜2030至膜厚約200nm。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在保護(hù)用絕緣膜2070b上涂敷第三抗蝕劑2071d，并通過第三半色調(diào)掩模2072d及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑2071d形成為規(guī)定的形狀(步驟 S2007d)。即，第三抗蝕劑2071d形成為覆蓋漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、漏極配線2066、像素電極2067及柵極配線焊盤2025的形狀，此外，第三抗蝕劑2071d利用半色調(diào)掩模部2721d形成為覆蓋源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤 2068及柵極配線焊盤2025的部分比其他的部分薄的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑2071d及蝕刻氣體 (CHF (CF4XHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜2070b進(jìn)行干蝕刻，進(jìn)而，通過第三抗蝕劑 2071b及蝕刻液(混酸)，對(duì)金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2069及反射金屬層2060a 共同蝕刻，形成漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線2066及柵極配線焊盤2025 (步驟S2008d)。圖64是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，將上述第三抗蝕劑2071d灰化，將第三抗蝕劑2071b再形成為源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025的上方的保護(hù)用絕緣膜2070露出的形狀(步驟S2009d)。
接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，使用再形成的第三抗蝕劑2071d及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜2070b進(jìn)行干蝕刻，使源電極 2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出(步驟S2010d)。接下來，若將再形成后的第三抗蝕劑2071b灰化，則如圖65所示，在玻璃基板 2010上，層疊在漏電極2064及漏極配線2066上的保護(hù)用絕緣膜2070露出。如圖64(b)所示，漏電極2064、柵電極2023、溝道部2044、源電極2063、源極配線2065及像素電極2067 表示圖65中的Hd-Hd剖面。此外，漏極配線焊盤2068表示Id-Id剖面。此外，柵極配線焊盤2025表示Jd-Jd剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的反射型TFT基板2001d的制造方法，具有與反射型TFT基板的制造方法的第二實(shí)施方式大致同樣的效果。此外，能夠防止反射金屬層2060a的腐蝕， 并提高耐久性。此外，能夠防止反射金屬層2060a的變色，并能夠防止反射金屬層2060a的反射率降低的不良情況。進(jìn)而，在本實(shí)施方式中，在源電極2063及源極配線2065上不形成保護(hù)用絕緣膜2070b，源電極2063及源極配線2065露出。因而，源電極2063及源極配線 2065的上表面也作為反射層起作用，能夠使反射的光量增大，并能夠使亮度提高。而且，在本實(shí)施方式中，形成的金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2069也能夠在上述的反射型TFT基板的制造方法的第一實(shí)施方式及第三實(shí)施方式中成形，并能夠起到與本實(shí)施方式同樣的效果。[反射型TFT基板的制造方法中的第五實(shí)施方式]圖66表示用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的概略流程圖。而且，本實(shí)施方式的制造方法與權(quán)利要求37+權(quán)利要求39對(duì)應(yīng)。該圖所示的本實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板2001e的制造方法與上述的反射型 TFT基板2001d的制造方法中的第四實(shí)施方式相比，在η型氧化物半導(dǎo)體層2040與反射金屬層2060a之間層疊氧化物透明導(dǎo)電體層2060 (步驟S2007e)。這些點(diǎn)與反射型TFT基板 2001d的制造方法中的第四實(shí)施方式不同。因而，其他的工序與反射型TFT基板2001d的制造方法中的第四實(shí)施方式大致相同。此外，對(duì)于同樣的工序，在圖中標(biāo)注與第四實(shí)施方式相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。圖66所示的使用第一半色調(diào)掩模及第二掩模的處理與第四實(shí)施方式大致相同。接下來，對(duì)于使用第三半色調(diào)掩模2072d的處理，參照附圖進(jìn)行說明。(使用第三半色調(diào)掩模的處理)圖67是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/反射金屬層成膜/金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層成膜/保護(hù)用絕緣膜成膜/第三抗蝕劑涂敷/半色調(diào)曝光/顯影后的剖面圖，(b)表示第四蝕刻后的剖面圖。在該圖(a)中，首先，在露出的層間絕緣膜2050、n型氧化物半導(dǎo)體層2040及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2026上，使用由氧化銦-氧化鋅(通常稱為IZO。In2O3 ZnO =約90 10wt%)構(gòu)成的濺射靶，形成膜厚約50nm的氧化物透明導(dǎo)電體層2060。此時(shí)的條件為，氧氬比約為1 99Vol. %，且基板溫度約為150°C。在該條件下，氧化物透明導(dǎo)電體層2060作為非晶體膜得到。如此，使用混酸能夠與屬薄膜保護(hù)用氧化物導(dǎo)電層2069 及反射金屬層2060e —起蝕刻，所以能夠使生產(chǎn)效率提高。
接下來，在氧化物透明導(dǎo)電體層2060上形成反射金屬層2060e。首先，使用高頻濺射法，層疊Mo至膜厚約50nm。接下來，使用高頻濺射法，層疊Al至膜厚約250nm。S卩，反射金屬層2060e雖然未圖示，但由Mo薄膜層和Al薄膜層構(gòu)成，首先，使用Mo濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Mo薄膜層。然后，使用Al濺射靶，并利用高頻濺射法在氬100%的條件下形成Al薄膜層。接下來，在反射金屬層2060e上使用由氧化銦-氧化鋅(通常稱為ΙΖ0。Ιη203 ZnO =約90 10wt%)構(gòu)成的濺射靶，形成膜厚約50nm的金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層 2069。此時(shí)的條件為，氧氬比約為1 99Vol. %，且基板溫度約為150°C。接下來，利用輝光放電CVD (化學(xué)蒸鍍法)法等，在金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2069上堆積氮化硅(SiNx)膜即柵極絕緣膜2070b至膜厚約lOOnm。而且，在本實(shí)施方式中，作為放電氣體使用SiH4-NH3-N2系的混合氣體。下面，如該圖(a)所示，在保護(hù)用絕緣膜2070b上涂敷第三抗蝕劑2071d，并通過第三半色調(diào)掩模2072d及半色調(diào)曝光，將第三抗蝕劑2071d形成為規(guī)定的形狀(步驟 S2007e)。即，第三抗蝕劑2071d形成為覆蓋漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、漏極配線2066、像素電極2067及柵極配線焊盤2025的形狀，此外，第三抗蝕劑2071d利用半色調(diào)掩模部2721d形成為覆蓋源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤 2068及柵極配線焊盤2025的部分比其他的部分薄的形狀(參照該圖(b))。接下來，如該圖(b)所示，作為第四蝕刻，首先，使用第三抗蝕劑2071d及蝕刻氣體 (CHF (CF4XHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜2070b進(jìn)行干蝕刻，進(jìn)而，通過第三抗蝕劑 2071d及蝕刻液(混酸)，對(duì)金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層2069及反射金屬層2060e 及氧化物透明導(dǎo)電體層2060共同蝕刻，形成漏電極2064、源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線2066及柵極配線焊盤2025 (步驟S2008e)。圖68是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板的制造方法的、使用了第三半色調(diào)掩模的處理的概略圖，(a)表示再形成第三抗蝕劑后的剖面圖，(b)表示第五蝕刻/第三抗蝕劑剝離后的剖面圖。在該圖(a)中，將上述第三抗蝕劑2071d灰化，將第三抗蝕劑2071d再形成為源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025的上方的保護(hù)用絕緣膜2070b露出的形狀(步驟S2009e)。接下來，如該圖(b)所示，作為第五蝕刻，使用再形成的第三抗蝕劑2071d及蝕刻氣體(CHF(CF4、CHF3氣體等))，對(duì)露出的保護(hù)用絕緣膜2070b進(jìn)行干蝕刻，使源電極 2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025露出(步驟S2010e)。接下來，若將再形成后的第三抗蝕劑2071d灰化，則如圖69所示，在玻璃基板 2010上，層疊在漏電極2064及漏極配線2066上的保護(hù)用絕緣膜2070露出。如圖69(b)所示，漏電極2064、柵電極2023、溝道部2044、源電極2063、源極配線2065及像素電極2067 表示圖68中的He-He剖面。此外，漏極配線焊盤2068表示Ie-Ie剖面。此外，柵極配線焊盤2025表示Je-Je剖面。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的反射型TFT基板2001e的制造方法，具有與反射型TFT基板的制造方法的第四實(shí)施方式大致同樣的效果，并且能夠使TFT的開關(guān)速度高速化，進(jìn)而提高TFT的耐久性。
而且，在本實(shí)施方式中，形成的氧化物透明導(dǎo)電體層2060也能夠在上述的反射型 TFT基板的制造方法的第一實(shí)施方式及第三實(shí)施方式中成形，并能夠起到與本實(shí)施方式同樣的效果。[TFT基板的第四實(shí)施方式]接下來，對(duì)本發(fā)明的TFT基板2001的實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖47 (b)及圖48所示，第四實(shí)施方式涉及的TFT基板2001具備玻璃基板 2010、柵電極2023及柵極配線2024、柵極絕緣膜2030、n型氧化物半導(dǎo)體層2040、層間絕緣膜2050、源電極2063、漏電極2064。柵電極2023及柵極配線2024形成在玻璃基板2010上。柵極絕緣膜2030形成在柵電極2023及柵極配線2024的上方，且將柵電極2023 及柵極配線2024的上表面絕緣。η型氧化物半導(dǎo)體層2040在柵電極2023的上方，且形成在柵極絕緣膜2030的上方。層間絕緣膜2050形成在柵電極2023及柵極配線2024的側(cè)方，以及η型氧化物半導(dǎo)體層2040的上方及側(cè)方。此外，層間絕緣膜2050將柵電極2023及柵極配線2024的側(cè)面以及η型氧化物半導(dǎo)體層2040絕緣。進(jìn)而，層間絕緣膜2050在由η型氧化物半導(dǎo)體層2040的溝道部2044隔開的位置上分別形成有源電極用開口部2631及漏電極用開口部 2641。源電極2063形成在源電極用開口部2631。漏電極2064形成在漏電極用開口部2641。此外，在TFT基板2001中，作為構(gòu)成源電極2063及漏電極2064的導(dǎo)電體層，形成同一氧化物透明導(dǎo)電體層2060，利用該氧化物透明導(dǎo)電體層2060，至少形成像素電極 2067。而且，在本實(shí)施方式中，使用氧化物透明導(dǎo)電體層2060作為導(dǎo)電體層，但并不限定于此。例如，也可使用由金屬構(gòu)成的導(dǎo)電體層。如此，能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作，此外，改善成品率。進(jìn)而能夠提供制造成本降低的反射型TFT基板。此外，在TFT基板2001中，作為氧化物層使用η型氧化物半導(dǎo)體層2040。作為TFT 的活性層，使用η型氧化物半導(dǎo)體層2040，由此電流流過穩(wěn)定。從而，對(duì)于作為由電流控制工作的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光裝置是有用的。此外，在TFT基板2001中，η型氧化物半導(dǎo)體層2040形成在與溝道部2044、源電極2063及漏電極2064對(duì)應(yīng)的規(guī)定的位置。如此，通常，η型氧化物半導(dǎo)體層2040僅形成在規(guī)定的位置，所以能夠排除柵極配線2024之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板2001，構(gòu)成溝道部2044的η型氧化物半導(dǎo)體層 2040由層間絕緣膜2050保護(hù)，所以能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定地工作。此外，溝道部2044、漏電極2064 及源電極2063可靠且容易地制造。從而，改善成品率并能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。進(jìn)而， 能夠消減制造時(shí)使用的掩模數(shù)，并消減制造工序。從而，生產(chǎn)效率提高，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。而且，TFT基板2001具有各種應(yīng)用例，例如，如圖50 (b)及圖51所示，玻璃基板2010的上方被保護(hù)用絕緣膜2070覆蓋，且保護(hù)用絕緣膜2070也可形成在與像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025對(duì)應(yīng)的位置具有開口部的結(jié)構(gòu)。如此，，TFT 基板2001’具備保護(hù)用絕緣膜2070。從而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL 材料的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的TFT基板2001a’。而且，在本實(shí)施方式中，在玻璃基板2010上，形成層疊金屬層2020、柵極絕緣膜 2030及η型氧化物半導(dǎo)體層2040，進(jìn)而，層疊層間絕緣膜2050及氧化物透明導(dǎo)電體層2060 的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此。例如，在各層間經(jīng)由其他的層也可。其他的層例如不對(duì)本實(shí)施方式的功能或效果帶來?yè)p害的層或輔助其他的功能或效果的層。此與后述的實(shí)施方式也相同。[反射型TFT基板的第一實(shí)施方式]接下來，對(duì)本發(fā)明的反射型TFT基板2001a的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。第一實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板2001a如圖53(b)及圖M所示，具備玻璃基板2010、柵電極2023及柵極配線20M、作為氧化物層的η型氧化物半導(dǎo)體層2040、反射金屬層2060a、溝道保護(hù)層2500。柵電極2023及柵極配線2024形成在玻璃基板2010上。此外，柵電極2023及柵極配線20M的上表面被柵極絕緣膜2030覆蓋，并且側(cè)面被層間絕緣膜2050覆蓋，從而被絕緣。η型氧化物半導(dǎo)體層2040在柵電極2023的上方，且形成在柵極絕緣膜2030的上方。反射金屬層2060a在η型氧化物半導(dǎo)體層2040上由溝道部2044隔開而形成。溝道保護(hù)層2500形成在η型氧化物半導(dǎo)體層2040的溝道部2044上，且保護(hù)溝道部 2044。溝道保護(hù)層2500由形成有一對(duì)開口部沈31、2641的層間絕緣膜2050構(gòu)成，在開口部沈31、2641上形成有具備反射金屬層2060a的源電極2063及漏電極2064。如此，溝道部2044的η型氧化物半導(dǎo)體層2040的上部由溝道保護(hù)層2500保護(hù)， 所以在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定工作。此外，可靠且容易地制造溝道保護(hù)層2500、溝道部2044、漏電極 2064及源電極2063。從而改善成品率，且能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的下降。此外，優(yōu)選反射金屬層2060a形成為由鋁、銀或金構(gòu)成的薄膜、或者包含鋁、銀或金的合金層。如此，能夠反射更多的光，并能夠提高由反射光形成的亮度。此外，反射型TFT基板2001a的溝道保護(hù)層2500由層間絕緣膜2050構(gòu)成，且在層間絕緣膜2050的一對(duì)開口部沈41、2631上分別形成漏電極2064及源電極2063。如此，可靠且容易地制造溝道部2044、漏電極2064及源電極2063。從而改善成品率，且能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的下降。此外，反射型TFT基板2001a利用反射金屬層2060a形成源極配線2065、漏極配線2066、源電極2063、漏電極2064及像素電極2067。從而，如上所述，有效地制造源極配線2065、漏極配線2066、源電極2063、漏電極2064及像素電極2067。即，在制造時(shí)能夠消減使用的掩模數(shù)，并消減制造工序，由此生產(chǎn)效率提高，并能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。進(jìn)而，反射型TFT基板2001a將氧化物層作為η型氧化物半導(dǎo)體層2040，且將導(dǎo)電體層作為氧化物透明導(dǎo)電體層1060。由此，作為TFT的活性層使用氧化物半導(dǎo)體層。因而，電流流過穩(wěn)定，對(duì)于利用電流控制工作的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光裝置是有用的。進(jìn)而，因?yàn)棣切脱趸锇雽?dǎo)體層2040的能隙為3. OeV以上，所以能夠防止由于光而導(dǎo)致的誤操作。此外，在反射型TFT基板2001a中，η型氧化物半導(dǎo)體層2040僅形成在與溝道部 2044、源電極2063及漏電極2064對(duì)應(yīng)的位置處，所以能夠排除柵極配線20 之間發(fā)生干涉(相互干擾)的擔(dān)心。此外，在反射型TFT基板2001a中，柵電極2023及柵極配線20M由金屬層2020 及金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體層20 構(gòu)成，能夠防止金屬層2020的腐蝕，并提高耐久性。如此一來，在形成柵極配線焊盤2025用的開口部2251時(shí)，能夠防止金屬表面露出，且能夠使連接可靠性提高。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的反射型TFT基板2001a，利用溝道保護(hù)層2500保護(hù)溝道部 2044的η型氧化物半導(dǎo)體層2040的上部，所以在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定工作。此外，可靠且容易地制造溝道保護(hù)層2500、溝道部2044、漏電極2064及源電極2063。從而改善成品率，且能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的下降。[反射型TFT基板的第二實(shí)施方式]接下來，對(duì)本發(fā)明的反射型TFT基板2001b的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。第二實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板2001b與第一實(shí)施方式的反射型TFT基板 200Ia相比，如圖57 (b)及圖58所示，具備覆蓋源電極2063、源極配線2065、漏電極2064及漏極配線2066的上表面的保護(hù)用絕緣膜2070b，且保護(hù)用絕緣膜2070b在像素電極2067、 漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025的上方分別具有開口部。這些方面與第一實(shí)施方式的反射型TFT基板2001a不同。而且，其他的結(jié)構(gòu)大致與反射型TFT基板2001a相同。如此，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT基板2001b，由保護(hù)用絕緣膜2070b覆蓋源電極 2063、漏電極2064、源極配線2065及漏極配線2066的上部，由此，能夠使TFT的工作穩(wěn)定性提尚。此外，在本實(shí)施方式中，在源電極2063及源極配線2065上形成保護(hù)用絕緣膜 2070b，但也可不形成該保護(hù)用絕緣膜2070b。如此，源電極2063及源極配線2065的上表面作為反射層起作用，能夠使反射的光量增大，并能夠使亮度提高。[反射型TFT基板的第三實(shí)施方式]接下來，對(duì)本發(fā)明的反射型TFT基板2001c的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。第三實(shí)施方式涉及的反射型TFT基板2001c與第一實(shí)施方式的反射型TFT基板 200Ia相比，如圖60 (b)及圖61所示，玻璃基板2010的上方大致全部被保護(hù)用絕緣膜2070c 覆蓋，且保護(hù)用絕緣膜2070c在與源電極2063、源極配線2065、像素電極2067、漏極配線焊盤2068及柵極配線焊盤2025對(duì)應(yīng)的位置具有開口部。這些方面與第一實(shí)施方式的反射型 TFT基板2001a不同。而且，其他的結(jié)構(gòu)大致與反射型TFT基板2001a相同。如此，本實(shí)施方式的反射型TFT基板2001c具備保護(hù)用絕緣膜2070c。從而，能夠提供可以容易地制造利用了液晶或有機(jī)EL材料等的顯示機(jī)構(gòu)或發(fā)光機(jī)構(gòu)的反射型TFT基板 2001c。而且，本發(fā)明的反射型TFT基板除上述實(shí)施方式以外，具有各種應(yīng)用例，例如，如圖64 (b)及圖65所示的反射型TFT基板2001d在反射金屬層2060a之上具備保護(hù)反射金屬層2060a的金屬層保護(hù)用氧化物透明導(dǎo)電體2069。如此，能夠防止反射金屬層2060a的變色，并能夠防止反射金屬層2060a的反射率降低的不良情況。進(jìn)而，因?yàn)橥该?，所以光的透過量不減少，故而能夠提供亮度優(yōu)良的顯示裝置。此外，作為應(yīng)用例的一例，例如圖68(b)及圖69所示的反射型TFT基板2001e在 η型氧化物半導(dǎo)體層2040和反射金屬層2060a之間具備氧化物透明導(dǎo)電體層2060。如此， TFT的開關(guān)速度高速化，并且能夠提高TFT的耐久性。以上，對(duì)本發(fā)明的TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法例示了優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說明，但本發(fā)明涉及的TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法并不限定于上述的實(shí)施方式，當(dāng)然可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更實(shí)施。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法并不限定于IXD(液晶顯示裝置)或有機(jī)EL顯示裝置中使用的TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法。例如，作為 LCD (液晶顯示裝置)或有機(jī)EL顯示裝置以外的顯示裝置，或者其他用途中使用的TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法也可適用本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種TFT基板，其特征在于，具備 基板；形成在該基板的上方，并且上表面被柵極絕緣膜覆蓋，且側(cè)面被層間絕緣膜覆蓋而絕緣的柵電極及柵極配線；在所述柵電極的上方，且在所述柵極絕緣膜的上方形成的氧化物層； 在所述氧化物層的上方，由溝道部隔開而形成的導(dǎo)電體層； 形成在所述溝道部的上方，保護(hù)所述溝道部的溝道保護(hù)層，所述溝道保護(hù)層由所述層間絕緣膜構(gòu)成，在所述層間絕緣膜的一對(duì)開口部分別形成有由所述導(dǎo)電體層構(gòu)成的漏電極及源電極，所述導(dǎo)電體層至少作為像素電極起作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其特征在于， 所述氧化物層是η型氧化物半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于， 所述導(dǎo)電體層是氧化物導(dǎo)電體層及/或金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，所述氧化物層形成在與所述溝道部、源電極及漏電極相對(duì)應(yīng)的規(guī)定位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，所述基板的上方由保護(hù)用絕緣膜覆蓋，且所述保護(hù)用絕緣膜在與像素電極、源/漏極配線焊盤及柵極配線焊盤相對(duì)應(yīng)的位置具有開口部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板具備柵電極、柵極配線、源極配線、漏極配線、源電極、漏電極或像素電極，且在所述柵電極、柵極配線、源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極的上方形成有輔助導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板具備金屬層，并具有保護(hù)所述金屬層的金屬層保護(hù)用氧化物導(dǎo)電體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板具備柵電極、柵極配線、源極配線、漏極配線、源電極、漏電極或像素電極，且所述柵電極、柵極配線、源極配線、漏極配線、源電極、漏電極及像素電極由氧化物透明導(dǎo)電體層構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于， 所述氧化物層及/或?qū)щ婓w層的能隙為3. OeV以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板具備像素電極，所述像素電極的一部分由反射金屬層覆蓋。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT基板，其特征在于，所述反射金屬層至少作為源極配線、漏極配線、源電極及漏電極的至少一種起作用。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT基板，其特征在于，所述反射金屬層是由鋁、銀或金構(gòu)成的薄膜，或者由包含鋁、銀或金的合金層構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種TFT基板，其能夠長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地工作，并能夠防止相互干擾，且通過消減制造工序的工序數(shù)，能夠大幅地降低制造成本。TFT基板(1)具備玻璃基板(10)；上表面被柵極絕緣膜(30)覆蓋，且側(cè)面被層間絕緣膜(50)覆蓋而絕緣的柵電極(23)及柵極配線(24)；在柵電極(23)上的柵極絕緣膜(30)上形成的n型氧化物半導(dǎo)體層(40)；在n型氧化物半導(dǎo)體層(40)上，由溝道部(44)隔開而形成的氧化物透明導(dǎo)電體層(60)；保護(hù)溝道部(44)的溝道保護(hù)層(500)。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102244103SQ20111019862
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2007年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日
發(fā)明者井上一吉, 田中信夫, 矢野公規(guī) 申請(qǐng)人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社