專利名稱：制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件、一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法、以及一種具有半導(dǎo)體器件的電子裝置。特別地，本發(fā)明涉及一種形成在半導(dǎo)體器件中的電極和用于形成該電極的方法。應(yīng)注意，該半導(dǎo)體器件包括晶體管。
背景技術(shù)：
近年來，具有薄膜晶體管(以下稱作TFT)的半導(dǎo)體器件的技術(shù)已經(jīng)得到廣泛發(fā)展。半導(dǎo)體器件的制造可以大致分為前步驟和后步驟。后步驟中之一為切割設(shè)置有集成電路的半導(dǎo)體元件并封裝每個切開的半導(dǎo)體元件的步驟。在封裝步驟中，向切割的半導(dǎo)體元件附接上蓋膜從而保護(hù)半導(dǎo)體元件免受雜質(zhì)粒子的影響。封裝好的半導(dǎo)體器件稱作半導(dǎo)體封裝件。由于半導(dǎo)體封裝件可以實(shí)現(xiàn)尺寸的減小和電路機(jī)構(gòu)和裝置容量的增加，半導(dǎo)體封裝件正廣泛應(yīng)用于各種電子裝置。另外，通過使用半導(dǎo)體封裝件，可以簡化組裝和制造工藝并且可以減小半導(dǎo)體器件的尺寸?？梢詫㈦婂兎ā⑼裹c(diǎn)法、印刷法、或蒸發(fā)法作為形成將半導(dǎo)體器件和外部端子彼此連接的電極的方法。在凸點(diǎn)法中，按以下方式形成具有尖銳頂端的電極，在金屬引線邊緣通過熱能形成球，在向其施加壓力的同時將形成的球通過表面張力與集成電路接合在一起， 并隨后切割金屬引線。在將按此方式形成的電極插入天線時，半導(dǎo)體器件的電極可以具有與外部端子的物理接觸。另外，由于電極可以形成為具有尖銳頂端，可以將凸點(diǎn)法作為一種通過其還可以形成良好電性接觸且能提供高可靠性的方法。凸點(diǎn)法可以用于設(shè)置了安裝有電路的器件的產(chǎn)品，該電路諸如為設(shè)置在用于計算機(jī)的母板(也稱主板)上的各種集成電路。另外，凸點(diǎn)法還可以用于連接能夠無線通訊的半導(dǎo)體器件的天線和集成電路，諸如 RFID (射頻識別)標(biāo)簽。當(dāng)形成在待連接于外電路的半導(dǎo)體器件中的電極在其中間具有突出部分時，集成電路與外電路之間的連接變得良好。這是因?yàn)?，通過在電極中間具有突出部分，可以通過突出部分的連接點(diǎn)形成連接(例如，參考文獻(xiàn)1 日本公開專利申請No. 2001-175829)。或者，電極可以通過絲網(wǎng)印刷法形成?？梢詫⒗鐓⒖嘉墨I(xiàn)2(日本公開專利申請 No. 2005-340282)作為通過絲網(wǎng)印刷法形成電極的技術(shù)的示例。

發(fā)明內(nèi)容
當(dāng)半導(dǎo)體器件與外電路經(jīng)中間具有突出部分的電極彼此連接時，連接部分處的接觸面積很小，使得電流流經(jīng)的面積也小，并且存在由于產(chǎn)生焦耳熱使得他們彼此斷開的風(fēng)險。另外，由于凸塊法使用特殊設(shè)備，當(dāng)在中間具有突出部分的電極通過凸塊法形成時，存在步驟數(shù)量增加、成本增加和產(chǎn)率下降的問題。為形成確保物理接觸并使電性接觸良好同時增加連接部分處的接觸面積的電極， 必須設(shè)計電極中間的突出部分的形狀。圖2A至2C示出了具有各種形狀突出部分的電極的示意圖。圖2A示出了設(shè)置在電極形成的表面20上的柱狀電極21。圖2B示出了錐形電極 22。圖2C示出了具有平坦外圍部分23和尖銳突出部分M的鞍形電極25。對于圖2A所示的柱狀電極，當(dāng)膜形成在此電極上方時，例如，膜無法充分覆蓋電極且另外電極難以與將在后續(xù)步驟中連接的外電路良好地緊密接觸。對于圖2B所示的錐形電極，與圖2A所示具有柱狀形狀的電極相比電極更易于與外電路緊密接觸；然而，連接的外電路會分開。由于圖2C所示的鞍形電極在中間具有尖銳的突出部分M，電極通過尖銳的突出部分M插入外電路中而連接于外電路；然而，突出部分周圍的平坦外圍部分23難以緊密接觸。因此，必須設(shè)計電極的形狀使得能夠確保物理接觸并使電性接觸良好。另外，通常，ACP(各向異性導(dǎo)電膠)設(shè)置在集成電路與外電路之間。ACP為其中導(dǎo)電顆粒分散并且有助于電性連接的樹脂膠；然而，在壓力接合步驟中會損害元件。另外，由于ACP昂貴，因此不利于降低成本。由上述問題可見，本發(fā)明提供了一種可用于集成電路與外電路之間連接部分的電極、具有該電極的半導(dǎo)體器件、以及電子裝置。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有待連接于集成電路和外電路的電極。該電極具有端部、 具有突出部分的中間部分、以及在端部與中間部分之間的外圍部分。外圍部分具有膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀，而突出部分具有漸窄的形狀。當(dāng)半導(dǎo)體器件能夠進(jìn)行無線通訊時，外電路可以是天線。外電路可以包括設(shè)置在基體上方的導(dǎo)電膜，諸如聚乙烯膜。電極優(yōu)選通過絲網(wǎng)印刷法形成。本發(fā)明的電子裝置包括具有集成電路和電極的半導(dǎo)體器件、以及電極連接至其的外電路。彼此連接半導(dǎo)體器件和外電路的電極具有端部，具有突出部分的中間部分，以及端部與中間部分之間的外圍部分。外圍部分具有膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀， 而突出部分具有漸窄的形狀。電極優(yōu)選物理連接于外電路。當(dāng)半導(dǎo)體器件能夠進(jìn)行無線通訊時，外電路可以是天線。外電路可以包括設(shè)置在基體上方的導(dǎo)電膜，諸如聚乙烯膜。電極優(yōu)選通過絲網(wǎng)印刷法形成。另外，由于在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件和電子裝置中電極和外電路彼此良好連接，因此不必在外電路與電極之間插入導(dǎo)電顆粒，并且外電路和電極可以經(jīng)絕緣物質(zhì)彼此連接。 即，它們可以經(jīng)NCP (非導(dǎo)電樹脂膠)彼此連接，而非ACP。用于制造本發(fā)明半導(dǎo)體器件的方法為用于通過使用具有絲網(wǎng)篩的印刷板的絲網(wǎng)印刷法在設(shè)置有集成電路的芯片上方形成連接至集成電路的電極的方法。本發(fā)明的方法包括通過掃描刮刀填充絲網(wǎng)篩的圖案的孔，將芯片設(shè)置在絲網(wǎng)篩下，通過在絲網(wǎng)篩上方掃描具有墨的橡皮輥向絲網(wǎng)篩涂墨，使電極形成在芯片上。此時，橡皮輥的掃描速度X范圍從 0. 15m/sec (米/秒)至0. 20m/seco沿垂直于橡皮輥印刷板的方向由橡皮輥施加的壓力y 范圍從 94MPa 至 188MPa，且設(shè)置為滿足 U80x_103 ^ y ^ 2240x_217。在制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法中，橡皮輥優(yōu)選具有切角或楔形的形狀。注意，本發(fā)明中，“連接”表示電性連接。因此，本發(fā)明中公開的結(jié)構(gòu)中，除了預(yù)定的連接關(guān)系外，可以插入能夠進(jìn)行電性連接的另一元件(諸如開關(guān)、晶體管、電容器、電感器、電阻器、或二極管)。根據(jù)本發(fā)明，集成電路和外電路在其連接部分彼此接觸面積增加，使得其連接變得良好。當(dāng)接觸面積增加時，電性連接變得良好。另外，以前使集成電路和外電路彼此良好連接所必須的昂貴的ACP不再必須，可以使用便宜的NCP(非導(dǎo)電樹脂膠)。由于NCP不包括導(dǎo)電顆粒，可以不損害元件的連接。因此，可以低成本和高產(chǎn)出率地制造高可靠性的半導(dǎo)體器件。通過本發(fā)明，集成電路和外電路彼此物理連接，另外彼此良好電性連接。另外，通過使用絲網(wǎng)印刷法，可以簡化工藝。 通過本發(fā)明，可以減少集成電路與具有天線能夠無線通訊的半導(dǎo)體器件的天線之間的不良連接，并且可以高產(chǎn)出率地制造能夠無線通訊的高可靠性的半導(dǎo)體器件。


在附圖中圖IA和IB示出了根據(jù)本發(fā)明形成的電極的形狀；圖2A至2C示出了與本發(fā)明不同的各種形狀的電極；圖3A和;3B說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；圖4A和4B說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；圖5A至5C說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；圖6A和6B說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；圖7A和7B說明了形成本發(fā)明的電極的示例；圖8A和8B說明了形成本發(fā)明的電極的示例；圖9示出了形成本發(fā)明的電極所用的橡皮輥的形狀和尺寸；圖10說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；圖IlA至IlF說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；圖12A和12B示出了具有本發(fā)明形狀的電極可以形成的范圍；圖13A和13B說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；圖14為NOR型閃存的電路圖；圖15A和15B說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；以及圖16A至16C示出了安裝半導(dǎo)體器件的方式。標(biāo)號說明10 外圍部分，11 襯底，12 電極，13 =NCP, 14 天線，16 突出部分，20 其上形成電極的表面，21 電極，22 電極，23 外圍部分，24 突出部分，25 電極，30 襯底，31 由虛線包圍的區(qū)域，32 絕緣層，33 多個晶體管，34 絕緣層，35 絕緣層，36 絕緣層，37 導(dǎo)電層，45 絕緣層，46 半導(dǎo)體層，47 雜質(zhì)區(qū)，48 溝道形成區(qū)，49 導(dǎo)電層，50 疊層體，51 膜， 52 膜，53 電極，54 接觸部分，55 天線，70 半導(dǎo)體器件，80 外框，81 刮刀，82 墨，83 孔，84 填充有墨的孔，85 絲網(wǎng)篩，86 印刷臺，87 目標(biāo)，88 圖案，89 橡皮輥，90 半導(dǎo)體器件，91 :NCP,92 部分，93 負(fù)荷，100 半導(dǎo)體器件，101 算術(shù)處理電路，102 存儲電路， 103 天線，104 電源電路，105 解調(diào)電路，106 調(diào)制電路，107 讀取器/寫入器，130 襯底， 132 絕緣層，133 絕緣層，134 絕緣層，135 絕緣層，136 絕緣層，137 導(dǎo)電層，139 浮置柵極，145 絕緣層，146 半導(dǎo)體層，147 雜質(zhì)區(qū)，148 溝道形成區(qū)，149 導(dǎo)電層，150 存儲元件，151 由虛線包圍的區(qū)域，153 電極，巧4 電極，160 半導(dǎo)體元件，161 連接部分，162 半導(dǎo)體元件，163 連接部分，164 電極，165 半導(dǎo)體元件，166 電極，230 硅襯底，233 絕緣層，234 絕緣層，235 絕緣層，236 絕緣層，237 導(dǎo)電層，239 浮置柵極，245 絕緣層， 247 雜質(zhì)區(qū)，248 溝道形成區(qū)，249 導(dǎo)電層，250 存儲元件，253 電極，2 電極，300 近似線，301 近似線。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于以下介紹，本領(lǐng)域技術(shù)人員易于理解，在不脫離本發(fā)明范圍和實(shí)質(zhì)的情況下可以對方式和細(xì)節(jié)做各種改變。因此，本發(fā)明不應(yīng)解釋為受以下所示的實(shí)施方式和實(shí)施例的介紹限制。注意， 在以下介紹的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，指示相同部件的附圖標(biāo)記在不同附圖中通用。(實(shí)施方式1)本實(shí)施方式將參照圖IA和IB說明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的電極。圖IA和IB示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的電極12，其將外電路與集成電路彼此連接在一起。圖IA和IB中所示的電極12包括具有其膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀的外圍部分10、以及具有其傾角從外圍部分朝向中間部分連續(xù)改變的形狀的突出部分 16。此突出部分16使得集成電路與外電路之間的連接更加良好。另外，由于外圍部分10 具有其膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀，漸窄形狀的外圍部分10易于與外電路緊密接觸，且這可以增加接觸面積。由此，集成電路和外電的電極可以彼此物理連接，并且彼此良好地電性連接。為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件設(shè)置從而連接外電路的電極通過絲網(wǎng)印刷法形成。絲網(wǎng)印刷在調(diào)整橡皮輥的壓強(qiáng)和速度的同時進(jìn)行，該橡皮輥具有斜切的角或呈楔形。在絲網(wǎng)印刷中使用具有預(yù)定形狀的橡皮輥，且在掃描橡皮輥時調(diào)整壓強(qiáng)和速度至特定范圍。由此，可以形成電極，該電極包括具有其膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀的外圍部分和具有其傾角從外圍部分朝向中間部分連續(xù)改變的形狀的突出部分。(實(shí)施方式2)應(yīng)用了本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法的示例參照圖3A至9進(jìn)行解釋。在本實(shí)施方式中，將介紹在襯底30上制造六個薄膜集成電路的情況。在圖3A至5C中，將要設(shè)置一個薄膜集成電路的區(qū)域?qū)?yīng)于由虛線包圍的區(qū)域31，其在圖3A、4A和5A中示出。圖3B、 4B和5B中的每一個對應(yīng)于圖3A、4A和5A中每個沿線A-B的橫截面圖。首先，在襯底30的表面上形成絕緣層32(見圖3B)。接著，通過半導(dǎo)體層46、絕緣層34、以及導(dǎo)電層49在絕緣層32上方形成包括多個晶體管33的層。接著，在包括多個晶體管33的層上方順序形成絕緣層35和絕緣層36。隨后，經(jīng)過設(shè)置在多個晶體管33中絕緣層34、35和36中的開口形成連接多個晶體管33中每個的源極或漏極區(qū)域的導(dǎo)電層37。 接著，形成絕緣層45覆蓋導(dǎo)電層37。襯底30可以是玻璃襯底、塑料襯底、硅襯底、石英襯底等。優(yōu)選使用玻璃襯底或塑料襯底。當(dāng)使用玻璃襯底或塑料襯底作為襯底時，容易制造在一側(cè)具有1米或更大長度半導(dǎo)體器件或具有期望形狀的半導(dǎo)體器件。因此，例如在使用一側(cè)長度為1米或更大的方形大玻璃或塑料襯底時，可以明顯改善生產(chǎn)率。絕緣層32用于防止雜質(zhì)從襯底30進(jìn)入，并且也稱作基礎(chǔ)層。絕緣層32通過濺射法、等離子體CVD法等利用作為單層或疊層的氧化硅基膜或氮化硅基膜形成。氧化硅基膜是由包括硅和氧作為其主要成分的物質(zhì)形成的膜，對應(yīng)于氧化硅膜、氮氧化硅膜等。氮化硅基膜是由包括硅和氮作為其主要成分的物質(zhì)形成的膜，對應(yīng)于氮化硅膜、氧氮化硅膜等。當(dāng)使用諸如石英襯底的不包括雜質(zhì)的襯底作為襯底30時，不必設(shè)置絕緣層32。此說明書中，注意，氮氧化硅代表氧的成分比與氮相比更高的物質(zhì)，且還可以稱作含氮的氧化硅。類似的，氧氮化硅表示氮的成分比與氧相比更高的物質(zhì)，且還可以稱作含氧的氮化硅。多個晶體管33中的每一個包括半導(dǎo)體層46、絕緣層34、以及作為柵電極的導(dǎo)電層 49。半導(dǎo)體層46可以由硅形成。半導(dǎo)體層46通過使用以硅烷為代表的半導(dǎo)體材料氣體的 LPCVD法、等離子體CVD法、蒸汽生長法、或?yàn)R射法來形成。由于此處形成的半導(dǎo)體膜為非晶的，半導(dǎo)體膜優(yōu)選要晶體化。非晶半導(dǎo)體膜可以通過激光晶體化法、熱晶體化法、使用諸如鎳的元素增進(jìn)晶體化的熱晶體化法等來晶體化。在此實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層由多晶硅半導(dǎo)體形成。半導(dǎo)體層46具有雜質(zhì)區(qū)47和溝道形成區(qū)48，雜質(zhì)區(qū)47每個作為源極或漏極區(qū)域。向雜質(zhì)區(qū)47添加帶有N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(屬于15族的元素，諸如磷(P)或砷 (As))或帶有P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(硼(B)或鋁(Al))。雜質(zhì)元素可以通過使用擴(kuò)散源的方法、離子注入法等引入。雖未示出，在引入雜質(zhì)元素時，優(yōu)選形成LDD (輕摻雜漏極)區(qū)域。特別地，將LDD區(qū)域設(shè)置在向其中引入了帶有N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(屬于15族的元素，諸如磷(P)或砷(As))作為雜質(zhì)元素的N型TFT中是有效的。注意，在多晶硅半導(dǎo)體形成的TFT中，LDD區(qū)域是為了改善可靠性而形成的區(qū)域。 例如，在半導(dǎo)體層是由多晶硅形成的TFT中抑制斷路電流是十分重要的。特別地，當(dāng)TFT用作像素電路等中的模擬開關(guān)時，足夠低的斷路電流是十分必要的。然而，由于漏極結(jié)部分處的反偏置強(qiáng)電場，即使當(dāng)TFT斷開時也會有泄漏電流流經(jīng)缺陷。由于漏極邊緣附近的電場通過LDD區(qū)域而有所緩和，因此可以降低斷路電流。另外，漏極結(jié)部分處的反偏置電場可以擴(kuò)散到溝道區(qū)域與LDD區(qū)域結(jié)合的部分和LDD區(qū)域與漏極區(qū)域結(jié)合的部分。由此，由于電場可以緩和，因此可以降低泄漏電流。絕緣層34為柵極絕緣層。與絕緣層32類似的，絕緣層34可以利用濺射法、等離子CVD法等通過單層或疊層的氧化硅基膜或氮化硅基膜形成。導(dǎo)電層49可以由導(dǎo)電物質(zhì)形成，且材料及其形成方法并無特別限制。導(dǎo)電層49 可以通過CVD法、濺射法、液滴排放法(droplet discharging)等形成。絕緣層35和36利用SOG(旋涂玻璃)法、液滴排放法、絲網(wǎng)印刷法等通過單層或疊層的無機(jī)或有機(jī)材料形成。例如，絕緣層35可以通過氮化硅基膜形成，而絕緣層36可以通過氧化硅基膜形成。另外，與絕緣層32和34類似的，絕緣層36可以通過濺射法、等離子體CVD法等形成。導(dǎo)電層37由導(dǎo)電物質(zhì)形成，并且可以通過CVD法、濺射法、液滴排放法等利用與導(dǎo)電層49類似的材料形成。導(dǎo)電層37可以形成為單層或疊層。與絕緣層35和36類似的，絕緣層45優(yōu)選通過SOG(旋涂玻璃)法、液滴排放法、絲網(wǎng)印刷法等，由單層或疊層的無機(jī)或有機(jī)材料形成。與絕緣層32和34類似的，絕緣層45 可以通過濺射法、等離子體CVD法等形成。雖然在所示結(jié)構(gòu)中僅形成了多個晶體管33，但本發(fā)明不限于此結(jié)構(gòu)。設(shè)置在襯底 30上方的元件可以根據(jù)半導(dǎo)體器件的用途適當(dāng)調(diào)整。在制造具有存儲數(shù)據(jù)功能的半導(dǎo)體器件的情況中，優(yōu)選在襯底30上方形成多個晶體管和存儲元件(諸如晶體管或存儲晶體管)。 在制造具有控制電路功能、產(chǎn)生信號功能等的半導(dǎo)體器件(諸如CPU或信號發(fā)生電路)的情況中，優(yōu)選在襯底30上方形成晶體管。除上述以外，可以根據(jù)需要形成諸如電阻器或電容器的其它元件。接著，用于連接外界的電極形成在期望位置。電極形成在集成電路中期望引線暴露出來的位置(見圖4A和4B)。此處，電極通過絲網(wǎng)印刷法形成在元件上方(絕緣層45上方)。絲網(wǎng)印刷法是通過該方法利用墨填充印刷板上所繪制圖案的孔并將印刷板上所繪圖案轉(zhuǎn)移到目標(biāo)，由此形成圖案的方法。盡管，在此實(shí)施方式中，電極是形成于襯底上方的元件上方，電極可以形成在相反一側(cè)，即，形成在襯底的底面。用于本實(shí)施方式的絲網(wǎng)印刷法參照圖8A和8B介紹。注意，以下介紹的絲網(wǎng)印刷的條件僅是一種示例，本發(fā)明不限于此。圖8A和8B每一幅示出了使用絲網(wǎng)印刷形成圖案時的狀態(tài)的截面圖。此處，將導(dǎo)電膠用作墨82。優(yōu)選地，使用銅膠、鎳膠、鋁膠或金膠作為導(dǎo)電膠。更加優(yōu)選的是使用銀膠。在使用銀膠的情況下，可以使用環(huán)氧樹脂作為膠的粘結(jié)劑， 并可以使用二甘醇丁醚醋酸作為溶劑。銀膠的粘性為40 · S。要使用的印刷板具有外框 80和絲網(wǎng)篩85。為了用墨填充設(shè)置在絲網(wǎng)篩期望部分的孔83，通過使用刮刀81將墨82涂于絲網(wǎng)篩85。通過涂覆墨82，利用墨填充孔83，由此獲得填有墨的孔84。接著，將其上待形成電極的目標(biāo)設(shè)置在印刷臺86上，隨后將印刷臺86設(shè)置在印刷板下。按以下方式進(jìn)行印刷，用橡皮輥89在具有以墨填充的孔84的絲網(wǎng)篩85上方掃描。用于本實(shí)施方式的橡皮棍的形狀和尺寸在圖9中示出。橡皮輥89為具有70士5°的硬度的DB-R橡皮輥(由Microtek有限公司制造)。橡皮輥89與墨82接觸的部分已經(jīng)過斜切。橡皮輥底部與斜切部分之間的角度為132°，橡皮輥以相對于垂直狀態(tài)約20°傾斜的掃描。由此，絲網(wǎng)篩85與橡皮輥同墨82接觸的部分之間的角θ為約。當(dāng)通過掃描橡皮輥89涂覆墨82時，可以將圖案88轉(zhuǎn)移到目標(biāo)87。此處，烘焙并干燥其上已經(jīng)形成了圖案的結(jié)構(gòu)對象。烘焙并干燥是在大氣壓的氮?dú)鈿夥障略?00°C下執(zhí)行30分鐘。根據(jù)上述步驟，可以形成包括具有其膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀的外圍部分和具有其傾角從外圍部分朝向中間部分連續(xù)改變的形狀的突出部分的電極。如上所述，通過應(yīng)用本發(fā)明，可以通過絲網(wǎng)印刷法形成包括具有其膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀的外圍部分和具有其傾角從外圍部分朝向中間部分連續(xù)改變的形狀的突出部分的電極。接著，切割每個都設(shè)置有電極的半導(dǎo)體器件(見圖5A至5C)。切割可以利用劃片設(shè)備，或者通過使用激光束(以下，激光束包括激光)的切割工藝來執(zhí)行。切割表面的角通過使用激光束的燒蝕工藝圓化，這樣來防止破碎和斷裂。此處用于切割的激光器優(yōu)選為能夠發(fā)射波長在紫外區(qū)域的激光束的固體激光器。 紫外區(qū)域表示波長在從1至380nm范圍的區(qū)域。更加優(yōu)選地使用Nd:YVO4激光器。這是因?yàn)閺腘chYVO4激光器射出的波長在紫外區(qū)域的激光束于具有更長波長的其它激光器相比更容易在襯底中吸收，并且能夠進(jìn)行燒蝕工藝。玻璃易于吸收紫外區(qū)域中的激光束；因此，當(dāng)將玻璃用作襯底時，燒蝕工藝變得容易。接著，將作為外電路的電極53和天線55在接觸部分M彼此連接。如上所述，電極53形成在疊層體50的期望位置。NCP 91形成在具有漸窄形狀的電極53的外圍部分。 NCP 91由絕緣材料形成，并且作為填充層間空隙的粘結(jié)劑。NCP 91的材料沒有特別限制。 NCP 91可以通過液滴排放法、旋涂法等形成。天線55在其上形成有NCP 91的元件上方制備，并且通過加壓接合機(jī)施加負(fù)荷93 (見圖7A)。此時施加的負(fù)荷93優(yōu)選在3MPa至4MPa 的范圍。更加優(yōu)選地，在施加負(fù)荷93時執(zhí)行利用熱量的加壓接合。此時NCP 91的溫度優(yōu)選為120°C。通過上述步驟，電極53和天線55按照電極53中間的突出部分插在天線55的部分 92中的方式彼此連接，如圖7B所示。根據(jù)上述步驟，可以制造具有天線的半導(dǎo)體器件90。 盡管在本所實(shí)施方式中是在切割半導(dǎo)體器件后彼此連接電極和天線，半導(dǎo)體器件也可以在將電極和天線彼此連接后切割半導(dǎo)體器件。接著，根據(jù)需要，包括襯底30和多個晶體管33的疊層體50通過使用膜51和52密封(見圖6A和6B)。膜51和52由聚乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、氯乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等、或纖維材料(諸如紙)形成。膜 51和52均可以是單層或多層膜的疊層。另外，膜51和52其表面上可以具有粘結(jié)層。粘結(jié)層為包括以下任意一種粘結(jié)劑的層聚酯基熱塑樹脂、聚酯基熱固樹脂、聚酯基紫外固化樹脂、聚烯烴基熱塑樹脂、聚烯烴基熱固樹脂、聚烯烴基紫外固化樹脂、醋酸乙烯酯樹脂基粘結(jié)劑、乙烯基共聚物樹脂基粘結(jié)劑、環(huán)氧樹脂基粘結(jié)劑、聚氨酯樹脂基粘結(jié)劑、橡膠基粘結(jié)劑、丙烯酸樹脂基粘結(jié)劑等。膜51和52的表面可以利用二氧化硅粉末涂覆。通過涂覆，即使在高溫或高濕的環(huán)境下，也可以保持防水性。即，改善了抗?jié)裥?。另外，?1和52的表面可以用諸如氧化銦錫的導(dǎo)電材料涂覆。當(dāng)膜51和52的表面用諸如氧化銦錫的導(dǎo)電材料涂覆時，涂覆材料具有靜電；因此，可以保護(hù)多個晶體管33免受靜電影響。換言之，可以改善抗靜電功能。另外，膜51和52的表面可以用包括以碳作為其主要成份的材料涂覆(諸如類金剛石碳或包括氮的碳)。通過用這些材料涂覆，半導(dǎo)體器件的強(qiáng)度增強(qiáng)，并且可以抑制半導(dǎo)體器件的性能下降和損傷。另外，膜51和52可以由襯底材料(諸如樹脂)與二氧化硅、導(dǎo)電材料、以及包括碳作為其主要成份的材料中之一的混和物形成。抗靜電功能可以通過利用表面活性劑涂覆膜51和52的表面或直接擠壓表面活性劑到膜51和52中來提供。多個晶體管33通過在熱處理中熔化膜51和52每個的表面或膜51和52每個上的粘結(jié)層利用膜51和52密封。另外，根據(jù)需要進(jìn)行加壓處理來執(zhí)行粘結(jié)。在其中將包括襯底30和多個晶體管33的疊層體50設(shè)置在膜51與52之間的半導(dǎo)體器件中，可以抑制有害氣體、水和雜質(zhì)元素的進(jìn)入。因此，可以抑制多個晶體管33的性能下降和損害，并且可以改善其可靠性。盡管在本實(shí)施方式中是在形成天線后通過膜進(jìn)行密封，也可以在通過膜密封后形成天線。膜51和52可以用作基體，并且膜51和52中之一或兩者可以設(shè)置有起天線作用的導(dǎo)電層。然后，當(dāng)包括多個晶體管33的疊層體50通過膜51和52密封時，將設(shè)置于膜51
10和52中之一或兩者的導(dǎo)電層連接于多個晶體管33。此時，包括多個晶體管33的疊層體50 設(shè)置有包括具有其膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀的外圍部分和具有其傾角從外圍部分朝向中間部分連續(xù)改變的形狀的突出部分的電極。當(dāng)膜51和52中的每個設(shè)置有導(dǎo)電層時，使電極在密封時與設(shè)置于膜51和52的導(dǎo)電層接觸。由此，可以制造能夠無線通訊的半導(dǎo)體器件。襯底30可以通過在襯底30的另一表面(未設(shè)置有薄膜的表面)上進(jìn)行使用研磨設(shè)備(諸如研磨機(jī))和拋光設(shè)備(諸如砂輪)中之一或兩者的研磨或拋光中之一或兩者來減薄。減薄后，選擇性地進(jìn)行利用激光束的照射來切割絕緣層32、34、35、36和45、以及已經(jīng)減薄的襯底30。接著，包括襯底30和多個晶體管33的疊層體50通過使用膜51和52來密封(見圖6B)。注意，優(yōu)選進(jìn)行研磨和拋光中之一或兩者，使得襯底30具有100 μ m或更小的厚度，更加優(yōu)選的為50 μ m或更小，并且再更加優(yōu)選的為5 μ m或更小。當(dāng)執(zhí)行研磨和拋光中之一或兩者時，優(yōu)選設(shè)置一層膜，使得疊層體50固定在絕緣層45上，用于保護(hù)。固定疊層體50后，優(yōu)選在襯底30的另一表面上執(zhí)行研磨和拋光中之一或兩者。設(shè)置在絕緣層45上的膜優(yōu)選為其表面上設(shè)置有UV固化粘結(jié)劑的膜。另外，在執(zhí)行研磨和拋光中之一或兩者后，可以移除設(shè)置在絕緣層45上的膜。按此方式，在減薄襯底30時，可以通過使用激光束在短時間內(nèi)輕易切割絕緣層 32、34、35和36、以及襯底30。另外，通過減薄襯底，可以提供柔性的半導(dǎo)體器件。當(dāng)襯底為柔性時，可以將半導(dǎo)體器件輕易安裝在具有改善設(shè)計的柔性產(chǎn)品上，并且可以用于各種領(lǐng)域。按此方式，通過本發(fā)明，電極可以形成為具有確保與外電路的物理接觸并且使其電性接觸良好的形狀，并且可以制造具有電極的半導(dǎo)體器件。通過根據(jù)本發(fā)明制造，可以將集成電路和天線彼此良好連接，并且可以以高產(chǎn)出率制造高可靠性的RFID標(biāo)簽。根據(jù)本發(fā)明，增加了集成電路和天線在其連接部分彼此接觸的面積，使得產(chǎn)生良好的連接。接觸面積的增加可以使電性連接良好。另外，以前將集成電路和天線彼此良好連接所必需的昂貴的ACP不再必要，并且可以使用便宜的NCP(非導(dǎo)電膠)。由于NCP不包括導(dǎo)電顆粒，其可以形成連接而不損傷元件。因此，可以在低成本下并且以高產(chǎn)出率制造能夠進(jìn)行無線通訊的高可靠性半導(dǎo)體器件，并且可以降低天線與集成電路之間連接部分處的不良連接。盡管本實(shí)施方式說明了能夠進(jìn)行無線通訊的半導(dǎo)體器件，本發(fā)明卻不限于此，并且本發(fā)明還可以應(yīng)用于需要與外電路連接的任何半導(dǎo)體器件，即使是無需天線的半導(dǎo)體器件。(實(shí)施方式3)參照圖10介紹應(yīng)用了本發(fā)明的能夠進(jìn)行無線通訊的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件100包括算術(shù)處理電路101、存儲電路102、天線103、電源電路104、解調(diào)電路105、以及調(diào)制電路106。作為半導(dǎo)體器件100的每個電路，適當(dāng)設(shè)置根據(jù)半導(dǎo)體器件100的用途必須的電路。算術(shù)處理電路101分析指令，控制存儲電路102、基于從解調(diào)電路105輸入的信號輸出用于外部發(fā)送的數(shù)據(jù)至調(diào)制電路106等。存儲電路102包括具有存儲元件的電路和用于寫入和讀取數(shù)據(jù)的控制電路。存儲電路102至少存儲半導(dǎo)體器件本身的識別碼。識別碼用來與另一半導(dǎo)體器件區(qū)別。存儲單元102包括從以下選擇出的一種或多種有機(jī)存儲器、DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、!^eRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器)、掩碼R0M(只讀存儲器)、 PROM(可編程只讀存儲器)、EPROM(電可編程只讀存儲器)、EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)、以及閃存。有機(jī)存儲裝置有其中包括有機(jī)化合物的層插在一對導(dǎo)電層之間的簡單結(jié)構(gòu)；因此，其具有至少兩個優(yōu)勢。一個在于可以簡化制造工藝，從而可以降低成本。另一個在于疊層體的面積可以輕易減小，這可以方便地實(shí)現(xiàn)更高的容量。因此，優(yōu)選將有機(jī)存儲器用于存儲電路102。天線103將由讀取器/寫入器107提供的載波轉(zhuǎn)化為AC電信號。另外，通過調(diào)制電路106施加負(fù)載調(diào)制。電源電路104通過使用由天線103轉(zhuǎn)化的AC電信號產(chǎn)生電源電壓并將電源電壓供給每個電路。解調(diào)電路105將通過天線103轉(zhuǎn)化的AC電信號解調(diào)制并將解調(diào)制的信號供給算術(shù)處理電路101。調(diào)制電路106基于由算術(shù)處理電路101供給的信號向天線施加負(fù)載調(diào)制。讀取器/寫入器107接收施加于天線103的負(fù)載調(diào)制作為載波。讀取器/寫入器 107將載波發(fā)送給半導(dǎo)體器件100。載波為通過讀取器/寫入器107接收和發(fā)送的電磁波， 并且讀取器/寫入器107接收已經(jīng)通過調(diào)制電路106調(diào)制的載波。通過使用本發(fā)明的電極，即，包括具有其膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄形狀的外圍部分和具有其傾角從外圍部分朝向中間部分連續(xù)改變的形狀的突出部分的電極， 可以制造具有能夠確保與作為外電路的天線的物理接觸并且使得其間的電性連接良好的電極。例如，可以使天線103與解調(diào)電路105之間的連接或天線103與調(diào)制電路106之間的連接良好。因此，例如，在制造RFID標(biāo)簽的情況中，可以以高產(chǎn)出率制造具有集成電路與天線之間彼此良好電性連接的高可靠性半導(dǎo)體器件。本實(shí)施方式中所期望的具有無線發(fā)送和接收電磁波的功能的半導(dǎo)體器件可以是 RFID (射頻識別)、RF芯片、RF標(biāo)簽、IC芯片、IC標(biāo)簽、IC標(biāo)識、無線芯片、無線標(biāo)簽、電子芯片、電子標(biāo)簽、無線處理器、無線存儲器等。通過本發(fā)明，可以以高產(chǎn)出率制造各種能夠進(jìn)行無線通訊的高可靠性半導(dǎo)體器件，其中每一種都能實(shí)現(xiàn)集成電路部分與天線彼此電性連接良好。(實(shí)施方式4)本發(fā)明不僅可以應(yīng)用于以RFID為代表的能夠進(jìn)行無需接觸的無線通訊半導(dǎo)體器件，如實(shí)施方式2中所述，還可以應(yīng)用于待連接于外電路的各種集成電路的接線端部分。作為其一個示例，參照圖13A至15B介紹通過應(yīng)用本發(fā)明制造的NOR型閃存。NOR型閃存例如附接于母板(也稱作主板)上，并且用于記錄BIOS (基本輸入輸出系統(tǒng))。母板為計算機(jī)的部件之一，指的的是向其附接諸如CPU(中央處理器)的各種模塊的基板。閃存元件制造中的多個步驟與TFT的步驟相類似。下面將參照圖13A和1 對存儲元件150進(jìn)行說明。首先，在襯底130的一個表面上形成絕緣層132。接著，在絕緣層 132上方形成含半導(dǎo)體層146的包括多個晶體管的層。半導(dǎo)體層146具有雜質(zhì)區(qū)147和溝道形成區(qū)148。接著，在包括多個晶體管的層上方形成絕緣層133、浮置柵極層139、以及絕緣層134。接著，形成導(dǎo)電層149并順序形成絕緣層135和136。隨后，形成待經(jīng)過設(shè)置在多個晶體管中的絕緣層133、134、135和136中設(shè)置的開口與多個晶體管中每一個的源極或漏極區(qū)域連接的導(dǎo)電層137。接著，形成覆蓋導(dǎo)電層137的絕緣層145。襯底130可以是玻璃襯底、塑料襯底、石英襯底等。優(yōu)選使用玻璃襯底或塑料襯底。在使用玻璃襯底或塑料襯底作為襯底時，易于制造一側(cè)長度為1米或更長的半導(dǎo)體器件或具有期望形狀的半導(dǎo)體器件。絕緣層132具有防止雜質(zhì)從襯底130進(jìn)入的功能。絕緣層132通過濺射法、等離子體CVD法等利用單層或疊層的氧化硅基膜或氮化硅基膜形成。若非必須，不必設(shè)置絕緣層132。半導(dǎo)體層146由硅形成。形成半導(dǎo)體層146的方法與實(shí)施方式2中絕緣層32的形成方法類似。半導(dǎo)體層146具有其每一個用作源極或漏極區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)147和溝道形成區(qū)148。 向雜質(zhì)區(qū)147添加帶有N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(屬于15族的元素，諸如磷(P)或砷(As)) 或帶有P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(諸如硼(B)或鋁(Al))。雜質(zhì)元素可以通過使用擴(kuò)散源的方法、離子注入法等引入。雖未示出，優(yōu)選在引入雜質(zhì)元素前形成LDD區(qū)域。絕緣層133和 134可以通過與絕緣層132類似的方法形成。絕緣層135和136通過SOG(旋涂玻璃)法、液滴排放法、絲網(wǎng)印刷等由單層或疊層的無機(jī)或有機(jī)材料形成。例如，絕緣層135可以由氮化硅基膜形成，而絕緣層136可以由包括有機(jī)材料的膜形成。絕緣層135和136可以通過與絕緣層132、133和134類似的濺射法、等離子體CVD法等形成。浮置柵極層139、導(dǎo)電層137、以及導(dǎo)電層149每一層都是由導(dǎo)電物質(zhì)形成，并且可以通過CVD法、濺射法、液滴排放法等形成為單層或疊層。絕緣層145通過與絕緣層135和136類似的SOG(旋涂玻璃)法、液滴排放法、絲網(wǎng)印刷等由無機(jī)或有機(jī)材料形成為單層或疊層。絕緣層145可以通過與絕緣層132、133和 134類似的濺射法、等離子體CVD法等形成。電極153和巧4通過絲網(wǎng)印刷法形成在其中暴露出導(dǎo)電層137的區(qū)域，與實(shí)施方式2類似。形成電極后，將元件逐個切開(見圖13A和13B)。雖然在所示結(jié)構(gòu)中僅形成了存儲元件，但本發(fā)明不限于此結(jié)構(gòu)。設(shè)置在襯底130 上方的元件可以根據(jù)半導(dǎo)體器件的用途適當(dāng)調(diào)整。例如，優(yōu)選安裝擦除電壓控制電路。諸如電阻器或電容器的其它元件可以根據(jù)需要形成。上述閃存電路圖的示例在圖14中示出。寫入操作和讀取操作通過使用字線W1至 W7和位線&至氏進(jìn)行。字線和位線連接于控制操作的電路?；蛘?，這些線可以連接于在后面步驟中延伸至控制操作的電路的引線。另外，字線連接于存儲元件中的柵電極(控制柵極)，而位線連接于存儲元件的源極或漏極。由虛線包圍的區(qū)域151對應(yīng)于單位存儲元件。雖未示出，還可以通過采用多層引線結(jié)構(gòu)安裝具有更加復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的小器件。使用單晶硅襯底的作為襯底形成存儲元件250的結(jié)構(gòu)示例在圖15A和15B中示出。當(dāng)襯底如圖15A和15B所示為單晶硅襯底時，溝道區(qū)域可以形成在襯底中；因此，不必形成作為晶體管的半導(dǎo)體層。另外，不必形成用于防止雜質(zhì)從襯底進(jìn)入的絕緣層。單晶硅襯底230包括每個作為源極或漏極區(qū)域的多個雜質(zhì)區(qū)247和溝道形成區(qū) 2480向雜質(zhì)區(qū)247添加帶有N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(屬于15族的元素，諸如磷(P)或砷 (As))或帶有P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(諸如硼(B)或鋁(Al))。雜質(zhì)元素可以通過使用擴(kuò)散源的方法、離子注入法等引入。絕緣層233和234通過濺射法、等離子體CVD法等利用氧化硅基膜或氮化硅基膜形成為單層或疊層。絕緣層235和236通過SOG(旋涂玻璃)法、液滴排放法、絲網(wǎng)印刷等由單層或疊層的無機(jī)或有機(jī)材料形成。例如，絕緣層235可以由氮化硅基膜形成，而絕緣層136可以由包括有機(jī)材料的膜形成。另外，絕緣層235和236可以通過與絕緣層233等類似的濺射法、 等離子體CVD法等形成。浮置柵極層239、導(dǎo)電層237、以及導(dǎo)電層249每一層都包括導(dǎo)電物質(zhì)，并且可以通過CVD法、濺射法、液滴排放法等形成為單層或疊層。絕緣層245通過與絕緣層235和236類似的SOG(旋涂玻璃)法、液滴排放法、絲網(wǎng)印刷等由無機(jī)或有機(jī)材料形成為單層或疊層。絕緣層245可以通過與絕緣層233和234 類似的濺射法、等離子體CVD法等形成。電極253和2M通過絲網(wǎng)印刷法形成在其中暴露出導(dǎo)電層237的區(qū)域，與實(shí)施方式2類似。形成電極后，將元件彼此分開(見圖15A和15B)。切割成形有電極153和154(或電極253和254)的逐個元件的集成電路連接于襯底上方形成有期望引線圖案的外電路。雖然此處僅介紹了 NOR型閃存，但本發(fā)明不限于此，且本發(fā)明也可以應(yīng)用于NAND 型閃存。另外，本發(fā)明不僅可以應(yīng)用于閃存，而且可以應(yīng)用于具有薄膜集成電路的任何存儲元件。通過本發(fā)明，可以制造電極能夠與外電路物理連接和電性連接良好的半導(dǎo)體器件。通過應(yīng)用本發(fā)明，可以以高產(chǎn)出率制造其中集成電路(諸如閃存)與形成在襯底上方具有期望引線圖案的外電路(諸如包括形成在母板上方的圖案的引線)彼此良好連接的高可靠性半導(dǎo)體器件。(實(shí)施方式5)本發(fā)明不僅可以如實(shí)施例2和3介紹的可以應(yīng)用于RFID和如實(shí)施方式4中介紹的應(yīng)用于閃存，還可以應(yīng)用于任何種類結(jié)構(gòu)的集成電路。本實(shí)施方式將介紹與實(shí)施方式2 至4中所介紹的方式不同的結(jié)構(gòu)。圖16A至16C為示出典型安裝方式的截面圖。圖16A示出了稱作腳距密集化 QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)的安裝方法，用于外部輸入和輸出的引腳排列在集成電路的四個側(cè)面。圖16B示出了稱作腳距密集化BGA (球柵陣列)的安裝方法，用于外部輸入和輸出的焊盤設(shè)置在扁平封裝的底面。圖16C示出了稱作晶片級CSP (芯片尺寸封裝)，用于與單個芯片相同尺寸的目前工藝水平的半導(dǎo)體安裝方法。圖16A中，半導(dǎo)體元件160通過連接部分161連接于外電路。圖16B中，半導(dǎo)體元件162通過連接部分163和電極164連接于外電路。圖16C中，半導(dǎo)體元件165通過電極 166連接于外電路。通過在圖16B和16C所示的結(jié)構(gòu)中應(yīng)用本發(fā)明，與傳統(tǒng)的球形電極相比，可以實(shí)現(xiàn)與外電路更加方便的物理連接和良好的電性連接。圖16C中所示結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的，因?yàn)橥ǔＷ鳛楹蟛襟E中之一的安裝步驟可以在生產(chǎn)線的前步驟中順序進(jìn)行。通過采用本發(fā)明，可以制造具有能夠與外電路物理連接和電性連接良好的半導(dǎo)體器件。通過應(yīng)用本發(fā)明，可以以高產(chǎn)出率制造其中集成電路(諸如閃存)與形成在襯底上方具有期望引線圖案的外電路(諸如包括形成在母板上方的引線圖案)彼此良好連接的高可靠性半導(dǎo)體器件。(實(shí)施方式6)應(yīng)用本發(fā)明能夠無線通訊的半導(dǎo)體器件可以提供給各種產(chǎn)品和用于各種系統(tǒng)。產(chǎn)品包括，例如，鑰匙(見圖11A)、鈔票、硬幣、價值文件、無記名債券、身份識別(諸如駕駛執(zhí)照或居留卡，見圖11B)、書、容器(諸如皮氏培養(yǎng)皿，見圖11C)、包裝物(諸如包裝紙或瓶子，見圖IlE和11F)、記錄媒質(zhì)(諸如磁盤或錄像帶)、交通工具(諸如自行車)、配飾(諸如包或眼鏡，見圖11D)、食品、服裝、普通商品、電子裝置(諸如液晶顯示裝置、EL顯示裝置、 電視機(jī)、或移動終端)等。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件通過附接在器件表面上或嵌入器件內(nèi)而固定于具有上述各種形狀的產(chǎn)品。系統(tǒng)包括產(chǎn)品管理系統(tǒng)、授權(quán)功能系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)等。通過使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，系統(tǒng)可以具有更高的可靠性。本實(shí)施方式可以與其它實(shí)施方式和其它實(shí)施例自由組合。[實(shí)施例1]參照附圖介紹通過應(yīng)用本發(fā)明形成的電極。如實(shí)施方式1所述，本發(fā)明的電極僅可以在預(yù)定范圍的條件下形成。因此，以下介紹是針對在通過絲網(wǎng)印刷形成本發(fā)明的電極中掃描橡皮輥的壓力和速度做各種變化從而形成包括突出部分和具有漸窄形狀外圍部分的電極的條件下進(jìn)行的，外圍部分的膜厚從中間部分朝向端部減小。本實(shí)施例中使用的絲網(wǎng)印刷法與實(shí)施方式2中的類似。即，絲網(wǎng)印刷法是按照參照圖8A和8B在實(shí)施方式2中介紹的方式進(jìn)行。圖8A和8B為示出通過絲網(wǎng)印刷法形成圖案的截面圖。此處，使用銀膠作為墨82。在使用銀膠的情況下，使用環(huán)氧樹脂作為膠中的粘結(jié)劑，并使用二甘醇丁醚醋酸作為溶劑。銀膠的粘性為40 · S。在絲網(wǎng)印刷中，使用具有外框80和絲網(wǎng)篩85的印刷板。為了用墨82填絲網(wǎng)篩85的孔83，通過使用刮刀81將墨 82涂于絲網(wǎng)篩85。通過涂墨82，利用墨填充孔83，由此獲得填有墨的孔84。接著，將其上待形成電極的目標(biāo)(例如，半導(dǎo)體芯片等)設(shè)置在印刷臺86上，隨后將印刷臺86設(shè)置在印刷板下。其后，通過在絲網(wǎng)篩85上掃描橡皮輥89進(jìn)行印刷。圖9示出了用于本實(shí)施例的橡皮棍的形狀和尺寸。此處，使用切角的橡皮輥。橡皮輥89為具有70士5°的硬度的DB-R 橡皮輥(由Microtek有限公司制造)。橡皮輥89與墨82接觸的部分已經(jīng)過斜切。橡皮輥底部與斜切部分之間的角度為132°，橡皮輥以相對于垂直狀態(tài)約20°傾斜的掃描。由此， 絲網(wǎng)篩85與橡皮輥同墨82接觸的部分之間的角θ為約。當(dāng)通過掃描橡皮輥89涂覆墨82時，將圖案88轉(zhuǎn)移到目標(biāo)87。注意，印刷板的尺寸為近似380nm長，380nm寬。形成電極的表面為厚度為0. 7mm的玻璃襯底的表面，印刷板與形成電極的表面之間的距離設(shè)置為 0. 7mmο如上形成的電極在圖IA和IB中示出。在圖IA和IB中，電極12形成在襯底11 上方，電極12和天線14按照電極插入天線14的方式彼此連接。NCP 13設(shè)置在天線14與電極12具有漸窄形狀的外圍部分之間。所形成的電極的形狀在形成電極時改變條件的同時進(jìn)行觀察。即，橡皮輥的掃描速度設(shè)置為60、80、100、120、150、180和200mm/sec，而橡皮輥掃描的壓力在0. 15MPa至 0. 2MPa的范圍內(nèi)按每次0. 005MPa改變，檢查具有本發(fā)明形狀的電極是否形成在整個表面上。
圖12A示出了上述實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。其中電極每個都形成有本發(fā)明形狀的條件由符號 “〇”示出，其中電極每個都部分或整個表面沒形成有本發(fā)明形狀的情況由符號“ X ”示出。 例如，當(dāng)橡皮輥壓力為0. 15MPa時，每個都具有本發(fā)明形狀的電極僅在120m/sec的橡皮輥掃描速度下形成在整個表面上。另外，在每個都不具有本發(fā)明形狀的電極形成在部分或整個表面的情況下，所形成的電極具有各種形狀。在圖12A中，當(dāng)壓力大于120MPa時，即在由虛線包圍的區(qū)域中，電極具有不完整形狀，并且在其它“ X，，區(qū)域具有頂點(diǎn)褶皺且中間區(qū)域未形成突出部分的形狀。其中形成具有本發(fā)明形狀的電極的范圍基于圖12A的數(shù)據(jù)進(jìn)行計算。近似線300 和近似線301關(guān)于橡皮輥每個掃描速度下橡皮輥所施加的壓力的上限和下限形成。這在圖 12B中示出，其中水平軸(χ軸)表示橡皮輥的掃描速度(m/sce)，而垂直軸(y軸)表示由橡皮輥施加的壓力(MPa)。圖12B中，垂直軸(y軸)示出的不是橡皮輥的壓力而是由橡皮輥施加的壓力 (MPa)。由橡皮輥施加的壓力為橡皮輥的壓力沿垂直于絲網(wǎng)方向的分量。當(dāng)橡皮輥的壓力表示為P時，由橡皮輥施加的壓力在此實(shí)施例中成為近似I3Sin 70°。當(dāng)橡皮輥的壓力P為 200MPa時，由橡皮輥施加的壓力近似為188MPa，而當(dāng)橡皮輥的壓力P為IOOMPa時，由橡皮輥施加的壓力近似為94MPa。另外，當(dāng)橡皮輥的壓力P為60MPa時，由橡皮輥施加的壓力近似為56MPa。當(dāng)近似線繪制如圖12B所示時，上限的直線為y = 2240X-217，下限的直線為y = 1280X-103。即，當(dāng)掃描速度為x(m/sec)和橡皮輥施加的壓力為y (MPa)，可以說形成本發(fā)明的電極的范圍為約 0. 15 彡 χ 彡 0. 20,94 ^ y ^ 188，以及 U80x_103 ^ y ^ 2M0x_217。如本實(shí)施例所述，僅在橡皮輥的速度和由橡皮輥施加的壓力在預(yù)定范圍中時，才能形成具有本發(fā)明形狀的電極。本申請基于2006年4月27日提交至日本專利局的日本專利申請序列號 2006-123589，其全部內(nèi)容在此通過參考引入。
權(quán)利要求
1.一種通過絲網(wǎng)印刷法使用包括絲網(wǎng)篩的印刷板制造半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟用墨填充絲網(wǎng)篩的孔；將目標(biāo)設(shè)置在所述絲網(wǎng)篩下；以及通過在所述絲網(wǎng)篩上方掃描橡皮輥并將墨轉(zhuǎn)移到所述目標(biāo)上形成圖案， 其中，所述橡皮輥的掃描速度X的范圍為從0. 15米/秒至0. 20米/秒，并且其中，由所述橡皮輥施加的壓力y的范圍為從94MI^至188MPa，且由所述橡皮輥施加的所述壓力1滿足U80X-103 ^y^ 2240χ-217,由所述橡皮輥施加的所述壓力y為所述橡皮輥的壓力沿垂直于所述絲網(wǎng)篩的方向的分量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述橡皮輥具有切角的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述橡皮輥具有楔形形狀。
4.一種通過絲網(wǎng)印刷法使用包括絲網(wǎng)篩的印刷板制造半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟用墨填充絲網(wǎng)篩的孔；將包括多個晶體管的層設(shè)置在所述絲網(wǎng)篩下；以及通過在所述絲網(wǎng)篩上方掃描橡皮輥并將墨轉(zhuǎn)移到所述包括多個晶體管的層上形成圖案，其中，所述橡皮輥的掃描速度χ的范圍為從0. 15米/秒至0. 20米/秒，并且其中，由所述橡皮輥施加的壓力y的范圍為從94MI^至188MPa，且由所述橡皮輥施加的所述壓力1滿足U80X-103 ^y^ 2240χ-217,由所述橡皮輥施加的所述壓力y為所述橡皮輥的壓力沿垂直于所述絲網(wǎng)篩的方向的分量。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述橡皮輥具有切角的形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述橡皮輥具有楔形形狀。
7.一種通過絲網(wǎng)印刷法使用包括絲網(wǎng)篩的印刷板制造半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟用墨填充絲網(wǎng)篩的孔；將包括多個晶體管的層設(shè)置在所述絲網(wǎng)篩下；以及通過在所述絲網(wǎng)篩上方掃描橡皮輥并將墨轉(zhuǎn)移到所述包括多個晶體管的層上形成圖案，其中，所述橡皮輥的掃描速度χ的范圍為從0. 15米/秒至0. 20米/秒， 其中，由所述橡皮輥施加的壓力y的范圍為從94MI^至188MPa，且由所述橡皮輥施加的所述壓力1滿足U80X-103 ^y^ 2240χ-217,由所述橡皮輥施加的所述壓力y為所述橡皮輥的壓力沿垂直于所述絲網(wǎng)篩的方向的分量，并且其中，所述多個晶體管中的每一個均包括含硅的半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述橡皮輥具有切角的形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述橡皮輥具有楔形形狀。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法。為了將包括集成電路的半導(dǎo)體器件連接至以天線為代表的外電路，設(shè)計待形成在半導(dǎo)體器件上的接觸電極的形狀，使得外電路與接觸電極不易產(chǎn)生不良連接并且提供具有高度可靠性的接觸電極。接觸電極利用具有切角或楔形形狀的橡皮輥通過絲網(wǎng)印刷方法形成。接觸電極具有外圍部分和中間部分。外圍部分具有膜厚從中間部分朝向端部減小的漸窄部分，而中間部分具有延續(xù)漸窄部分的突出部分。
文檔編號H01L23/00GK102280414SQ201110199758
公開日2011年12月14日 申請日期2007年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月27日
發(fā)明者山田大干, 青木智幸 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所