專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著光電技術(shù)的進步，發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)的制作與應(yīng)用已逐漸趨于成熟。由于發(fā)光二極管具有低污染、低功率消耗、反應(yīng)時間(response time)短、使用壽命長等優(yōu)點，因此其已逐漸被應(yīng)用在各式光源或照明的領(lǐng)域，而取代熒光燈管、白熾燈泡或鹵素燈等傳統(tǒng)發(fā)光元件。由于世界各國的環(huán)保意識逐漸高漲，在未來，發(fā)光二極管還可望成為主要照明光源，而取代目前熒光燈管的地位。發(fā)光二極管的主要結(jié)構(gòu)-發(fā)光二極管芯片-中，包括N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型 半導(dǎo)體層。此外，為了使發(fā)光二極管芯片能與外部電路電性連接，N型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層上各配置有電極，例如是含有金的電極。電極可通過打線接合的方式或覆晶結(jié)合的方式與外部電路電性連接。再者，一種現(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片的部分表面披覆有絕緣層，以避免芯片于遭到污染時產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。然而，一般而言，發(fā)光二極管芯片的電極的上表面或側(cè)表面沒有覆蓋絕緣層，或者，即使一開始制造時電極的部分上表面或側(cè)表面覆蓋有絕緣層，但由于絕緣層與電極的上表面的粘性較差，往往在使用一段時間后，絕緣層的覆蓋電極的部分就會脫落。如此一來，水氣便容易入侵電極。一般而言，電極的底部是采用對于半導(dǎo)體層有較佳附著性的金屬粘著層。當金屬粘著層遇到水氣及逆向電壓時，會容易解離而遷移(migrate)至電極外,而使得金屬粘著層逐漸消失，進而導(dǎo)致電極從半導(dǎo)體層上脫落。因此，現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片容易因電極脫落而使使用壽命難以提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有較長使用壽命的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的一實施例提出一種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第一電極、絕緣層及第一粘著層。發(fā)光層配置于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間。第一電極配置于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上，其中第一電極具有背對于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第一上表面及連接第一上表面與第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第一側(cè)表面。絕緣層覆蓋部分第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第一電極的第一側(cè)表面及第一電極的第一上表面的邊緣，其中絕緣層具有第一開口，以暴露出第一電極的部分第一上表面，且絕緣層的材質(zhì)為不含金屬元素的化合物。第一粘著層配置于第一上表面的邊緣與絕緣層之間，以接合第一上表面與絕緣層。本發(fā)明的另一實施例提出一種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第一電極、絕緣層及第一粘著層。發(fā)光層配置于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間。第一電極配置于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上，其中第一電極具有背對于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第一上表面及連接第一上表面與第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第一側(cè)表面。絕緣層覆蓋部分第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第一電極的第一側(cè)表面及第一電極的第一上表面的邊緣，其中絕緣層具有第一開口，以暴露出第一電極的部分第一上表面，且絕緣層在第一電極的第一側(cè)表面上的正投影涵蓋第一電極的整個第一側(cè)表面。第一粘著層配置于第一上表面的邊緣與絕緣層之間，以接合第一上表面與絕緣層。在本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)中，由于米用了第一粘著層以接合第一電極與絕緣層，因此絕緣層隨著使用時間的增長并不容易從第一電極的第一上表面脫落，所以可以有效保護電極不受水氣的入侵。如此一來，第一電極便不易從第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上脫落，進而延長半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的使用壽命。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖I為本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。 圖2A為圖I中的第一電極及其上的絕緣層的上視示意圖。圖2B顯示圖2A的第一電極及其上的絕緣層的其他變化。圖3為本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明的第三實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6為本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明的第六實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖8為本發(fā)明的第七實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。附圖標記100、100a、100b、100c、IOOcUIOOeUOOf :半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)110、I IOe :基板120 :第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層122:平臺區(qū)124 :下陷區(qū)130 :發(fā)光層140 :第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層150:第一電極151 :第一上表面152、154、162、162a、164 :金屬層153 :第一側(cè)表面160、160a :第二電極161 :第二上表面163 :第二側(cè)表面170、170a:透明導(dǎo)電層172:開口180U80bU80f :第一粘著層
181、183、191、193 :子粘著層182、192、214、214c、214d、218c、218d :內(nèi)緣190、190b、190f :第二粘著層210、210c、210d、210e :絕緣層212、212c、212d :第一開口
216、216c、216d :第二開口220:導(dǎo)電反射層C1、C2:中央Rl:內(nèi)徑R2 :外徑
具體實施例方式圖I為本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，而圖2A為圖I中的第一電極及其上的絕緣層的上視示意圖。請參照圖I與圖2A，本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100例如為發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100包括第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120、第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140、發(fā)光層130、第一電極150、絕緣層210及第一粘著層180。發(fā)光層130配置于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140之間。在本實施例中，第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120為N型半導(dǎo)體層，而第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140為P型半導(dǎo)體層。然而，在其他實施例中，亦可以是第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120為P型半導(dǎo)體層，而第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140為N型半導(dǎo)體層。此外，在本實施例中，第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120例如為N型氮化鎵(gallium nitride,GaN)層,而第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140例如為P型氮化鎵層。然而,在其他實施例中，第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140亦可以是砷化鎵(galliumarsenide,GaAs)層或其他三五族半導(dǎo)體層、二六族半導(dǎo)體層或其他適當?shù)陌雽?dǎo)體層。再者，發(fā)光層130例如為量子講(quantum well)層或多重量子講(multiple quantum well)層。在本實施例中，第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120配置于基板110上,其中基板110例如為娃基板、銅基板、碳化娃(silicon carbide, SiC)基板或藍寶石(sapphire)基板。第一電極150配置于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120上。在本實施例中，第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120包括互相連接的平臺區(qū)122及下陷區(qū)124，平臺區(qū)122的厚度大于下陷區(qū)124的厚度，而第一電極150配置于下陷區(qū)124上。在本實施例中，第一電極150包括由靠近第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的一側(cè)往遠離第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的一側(cè)依序堆疊的多個金屬層152及154，且最靠近第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的金屬層152為金屬粘著層。舉例而言，金屬層152例如為鉻(chromium, Cr)層,而金屬層154例如為金(gold, Au)層。由于鉻層對于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的附著性較佳，因此藉由鉻層，金層可較為穩(wěn)固地附著于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120上。然而，在其他實施例中，這些依序堆疊的金屬層亦可以是由靠近第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的一側(cè)往遠離第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的一側(cè)依序堆疊的鎳層及金層、依序堆疊的鈦層、鋁層、鈦層及金層、依序堆疊的鉻層、鉬層及金層、依序堆疊的鉻層、鋁層、鉬層及金層或其他適當?shù)囊佬蚨询B的復(fù)合金屬層。此外，在一實施例中，第一電極150亦可以由單一的金屬層所構(gòu)成，例如整個第一電極150皆為銅層。第一電極150具有背對于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的第一上表面151及連接第一上表面151與第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的第一側(cè)表面153。絕緣層210覆蓋部分第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120、第一電極150的第一側(cè)表面153及第一電極150的第一上表面151的邊緣。絕緣層210具有第一開口 212,以暴露出第一電極150的部分第一上表面151,例如是暴露出第一上表面151的中央Cl及其附近的中央?yún)^(qū)域。第一電極150可藉由打線接合或覆晶接合的方式與外部電路電性連接。第一粘著層180配置于第一上表面151的邊緣與絕緣層210之間，以接合第一上表面151與絕緣層210。在本實施例中，絕緣層210的材質(zhì)例如為不含金屬元素的化合物，此處的不含金屬元素的化合物包括含類金屬(metalloid)元素的化合物或含非金屬元素的化合物。舉例而言，在本實施例中，絕緣層210的材質(zhì)例如為氧化硅，其化學式例如為SiOx，其中X大于O?；蛘?，在其他實施例中，絕緣層210的材質(zhì)亦可以是其他不含金屬元素的氧化物、其他不含金屬元素的氮化物、不含金屬元素的有機化合物或其他不含金屬元素的化合物。舉例而言，在其他實施例中，絕緣層210的材質(zhì)亦可以是氮化硅。在本實施例中，第一粘著層180的材質(zhì)例如為鈦。然而，在其他實施例中，第一粘著層180的材質(zhì)可包括鈦、鑰、鉈、鎳、鋁、鉻及鎢的至少其一。
在本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100中，由于米用了第一粘著層180以接合第一電極150與絕緣層210，因此絕緣層210隨著使用時間的增長并不容易從第一電極150的第一上表面151脫落，所以可以有效保護電極150不受水氣的入侵。如此一來，第一電極150便不易從第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120上脫落，進而延長半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100的使用壽命。舉例而言，藉由絕緣層210的保護，水氣便不容易入侵至用以附著于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的金屬層152(如鉻層)而使金屬層152中的鉻解離或遷移。如此一來，金屬層152便不會隨著使用時間增長而消失，因此第一電極150便不易從第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120上脫落。為了進一步確保水氣不會入侵至第一電極150的底部(例如入侵至金屬層152)，在本實施例中，可使絕緣層210在第一電極150的第一側(cè)表面153上的正投影涵蓋第一電極150的整個第一側(cè)表面153。換言之，即絕緣層210直接或間接地完全包覆第一電極150的第一側(cè)表面153，如此即可達到良好的防止水氣入侵的效果。在本實施例中，第一粘著層180例如呈環(huán)狀，亦即第一粘著層180環(huán)繞第一上表面151的中央Cl。此外，在其他實施例中，絕緣層210的第一開口 212的內(nèi)緣214與第一粘著層180的靠近中央Cl的內(nèi)緣182實質(zhì)上切齊。在本實施例中，第一電極150例如呈圓形，而第一粘著層180例如呈圓環(huán)狀，如圖2A所示。在另一實施例中，第一電極150亦可以是呈矩形，而第一粘著層180例如呈矩形環(huán)狀，如圖2B所示。然而，本發(fā)明并不限制第一電極150及第一粘著層180的形狀。在其他實施例中，第一電極150及第一粘著層180亦可以是呈其他規(guī)則的或不規(guī)則的形狀。此外，在本實施例中，第一開口 212的內(nèi)徑Rl與第一電極150的外徑R2的比值大于O. 2且小于I。如此可確保第一粘著層180在有效地粘住絕緣層210的同時，亦使第一電極150能夠藉由打線接合制程或覆晶封裝制程而良好地電性連接至外部電路。為了使第一電極150電性連接至外部電路的狀態(tài)更為良好，在一實施例中，可使內(nèi)徑Rl與外徑R2的比值大于等于O. 5且小于I。在本實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100還包括第二電極160及第二粘著層190。第二電極160配置于第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140上，且第二電極160具有背對于第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140的第二上表面161及連接第二上表面161與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140的第二側(cè)表面163。絕緣層210覆蓋部分第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140、第二電極160的第二側(cè)表面163及第二電極160的第二上表面161的邊緣。此外，絕緣層210還具有第二開口 216，以暴露出第二電極160的部分第二上表面161，例如是暴露出第二上表面161的中央C2及其附近的中央?yún)^(qū)域。第二粘著層190配置于第二上表面161的邊緣與絕緣層之間，以接合第二上表面161與絕緣層210。藉由第二粘著層190將絕緣層210牢固地粘住，可確保絕緣層210在長期使用后不易從第二電極160上脫落。如此一來，絕緣層210便可有效保護第二電極160不受水氣入侵，以使第二電極160不易從第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140上脫落，進而延長本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100的使用壽命。第二電極160、第二粘著層190與第二開口 216的其他細節(jié)(例如形狀、材料、比例及功效)可參照上述第一電極150、第一粘著層180與第一開口 212 的細節(jié)(例如形狀、材料、比例及功效)，在此不再重述。此外，第二電極160的依序堆疊的多個金屬層162及164例如分別為鉻層與金層。然而,在其他實施例中，第二電極160亦可以采用其他材質(zhì)，這些材質(zhì)可參照第一電極150的材質(zhì)，在此不再重述。為了進一步確保水氣不會入侵至第二電極150的底部(例如入侵至金屬層162)，在本實施例中，可使絕緣層210在第二電極160的第二側(cè)表面163上的正投影涵蓋第二電極160的整個第一側(cè)表面163。換言之，即絕緣層210直接或間接地完全包覆第二電極160的第一側(cè)表面163，如此即可達到良好的防止水氣入侵的效果。再者，為了確保外界污染源(例如液體或?qū)щ娏Ｗ?導(dǎo)致半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100短路，在本實施例中，可使絕緣層210包覆至少部分第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140、發(fā)光層130及第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120的側(cè)表面。此夕卜，在本實施例中，絕緣層210 —體成型地從第一電極150處依序經(jīng)由第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120、發(fā)光層130及第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140的側(cè)表面而延伸至第二電極160處。另外，在本實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100還包括透明導(dǎo)電層170，配置于第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140上，且電性連接至第二電極160。透明導(dǎo)電層170具有開口 172，而第二電極160貫穿開口 172而連接至第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140。透明導(dǎo)電層170的材質(zhì)例如為氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)或其他適當?shù)耐该鲗?dǎo)電材質(zhì)。圖3為本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖3，本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOa與圖I的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100類似，而兩者的差異如下所述。在本實施例中，第二電極160a沒有貫穿透明導(dǎo)電層170a，而透明導(dǎo)電層170a連接第二電極160a與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140。換言之,第二電極160a的金屬層162a沒有直接接觸第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140，而是藉由透明導(dǎo)電層170a而配置于第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140上。圖4為本發(fā)明的第三實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖4，本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOb與圖I的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100類似，而兩者的差異如下所述。在本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOb中，第一粘著層180b還配置于第一電極150的第一側(cè)表面153與絕緣層210的覆蓋第一側(cè)表面153的部分之間，以接合第一側(cè)表面153與絕緣層210。如此一來，可使絕緣層210更為穩(wěn)固地粘著于第一電極150上，而不易因長期使用而從第一電極150脫落。同樣地，在本實施例中，亦可使第二粘著層190b配置于第二電極160的第二側(cè)表面163與絕緣層210的覆蓋第二側(cè)表面163的部分之間，以接合第二側(cè)表面163與絕緣層210。
圖5為本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖5，本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOc與圖I的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100類似，而兩者的差異如下所述。在本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOc中，絕緣層210c包覆第一粘著層180，且絕緣層210c的第一開口 212c的內(nèi)緣214c位于第一上表面151的中央Cl與第一粘著層180之間。同樣地，在本實施例中，亦可使絕緣層210c包覆第二粘著層190，且絕緣層210c的第二開口 216c的內(nèi)緣218c位于第二上表面161的中央C2與第二粘著層190之間。圖6為本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖6，本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOd與圖I的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100類似，而兩者的差異如下所述。在本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOd中，絕緣層210d暴露出部分第一粘著層180，且第一粘著層180的靠近第一上表面151的中央Cl的內(nèi)緣182位于第一上表面151的中央Cl與絕緣 層210d的第一開口 212d的內(nèi)緣214d之間。同樣地，在本實施例中，亦可使絕緣層210d暴露出部分第二粘著層190，且第二粘著層190的靠近第二上表面161的中央C2的內(nèi)緣192位于第二上表面161的中央C2與絕緣層210d的第二開口 216d的內(nèi)緣218d之間。圖7為本發(fā)明的第六實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖7，本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOe與圖I的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100類似，而兩者的差異如下所述。圖I的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100為水平式電極結(jié)構(gòu)，而本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOe為垂直式電極結(jié)構(gòu)。具體而言，在本實施例中，基板IlOe為導(dǎo)電基板,且基板IlOe可作為電極。此夕卜，基板IlOe (即電極)與第一電極150是配置于半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOe的相對兩側(cè),這樣的結(jié)構(gòu)通稱為垂直式電極結(jié)構(gòu)。此外，在本實施例中，第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120配置于第一電極150與發(fā)光層130之間，且第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140配置于發(fā)光層130與基板IlOe之間。另外，在本實施例中，第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層140與基板IlOe之間亦可配置有導(dǎo)電反射層220 (例如為金屬反射層)，以反射來自發(fā)光層130的光。絕緣層210e與第一電極150及第一粘著層180的相對位置關(guān)系及其他細節(jié)可參照圖I的實施例中的絕緣層210與第一電極150及第一粘著層180的相對位置關(guān)系及其他細節(jié)，在此不再重述。此外，絕緣層210e覆蓋部分第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層120。圖8為本發(fā)明的第七實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖8，本實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOf與圖I的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)100類似，而兩者的差異如下所述。在半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)IOOf中，第一粘著層180f包括多個材料不相同的子粘著層181與183，并由子粘著層181與183堆疊而成，且第二粘著層190f包括多個材料不相同的子粘著層191與193，并由子粘著層191與193堆疊而成。在本實施例中，子粘著層181與183例如分別為鉻層與鈦層，且子粘著層191與193例如分別為鉻層與鈦層?；蛘撸诹硪粚嵤├?，子粘著層181與183例如分別為鈦層與氧化鈦層，且子粘著層191與193例如分別為鈦層與氧化鈦層。此外，本發(fā)明并不限定第一粘著層180f及第二粘著層190f所各自包括的子粘著層的數(shù)量，在其他實施例中，第一粘著層180f及第二粘著層190f所各自包括的子粘著層的數(shù)量可以是大于或等于3。包括多個堆疊的子粘著層的第一粘著層180f及第二粘著層190f亦可應(yīng)用于上述其他實施例，例如第二至第六實施例，以取代其單層結(jié)構(gòu)的第一粘著層與第二粘著層。綜上所述，在本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)中，由于采用了第一粘著層以接合第一電極與絕緣層，因此絕緣層隨著使用時間的增長并不容易從第一電極的第一上表面脫落，所以可以有效保護電極不受水氣的入侵。如此一來，第一電極便不易從第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上脫落，進而延長半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的使用壽命。雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，當可作些許更動與潤飾，而 不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層； 第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層； 發(fā)光層，配置于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間； 第一電極，配置于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上，其中所述第一電極具有背對于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第一上表面及連接所述第一上表面與所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第一側(cè)表面； 絕緣層，覆蓋部分所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、所述第一電極的所述第一側(cè)表面及所述第一電極的所述第一上表面的邊緣，其中所述絕緣層具有第一開口，以暴露出所述第一電極的部分所述第一上表面，且所述絕緣層的材質(zhì)為不含金屬元素的化合物；以及 第一粘著層，配置于所述第一上表面的邊緣與所述絕緣層之間，以接合所述第一上表面與所述絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一粘著層呈環(huán)狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層的所述第一開口的內(nèi)緣與所述第一粘著層的靠近所述第一上表面的中央的內(nèi)緣實質(zhì)上切齊。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層暴露出部分所述第一粘著層，且所述第一粘著層的靠近所述第一上表面的中央的內(nèi)緣位于所述第一上表面的所述中央與所述絕緣層的所述第一開口的內(nèi)緣之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層包覆所述第一粘著層，且所述絕緣層的所述第一開口的內(nèi)緣位于所述第一上表面的中央與所述第一粘著層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一粘著層還配置于所述第一電極的所述第一側(cè)表面與所述絕緣層的覆蓋所述第一側(cè)表面的部分之間，以接合所述第一側(cè)表面與所述絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極包括由靠近所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的一側(cè)往遠離所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的一側(cè)依序堆疊的多個金屬層，且最靠近所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的所述金屬層為金屬粘著層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 第二電極，配置于所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上，其中所述第二電極具有背對于所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第二上表面及連接所述第二上表面與所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第二側(cè)表面，所述絕緣層覆蓋部分所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、所述第二電極的所述第二側(cè)表面及所述第二電極的所述第二上表面的邊緣，且所述絕緣層還具有第二開口，以暴露出所述第二電極的部分所述第二上表面；以及 第二粘著層，配置于所述第二上表面的邊緣與所述絕緣層之間，以接合所述第二上表面與所述絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開口的內(nèi)徑與所述第一電極的外徑的比值大于O. 2且小于I。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一粘著層的材質(zhì)包括鈦、鑰、鉈、鎳、鋁、鉻及鎢的至少其一。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一粘著層包括多個堆疊的子粘著層，且所述多個子粘著層的材料不相同。
12.—種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu),其特征在于,包括 第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層； 第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層； 發(fā)光層，配置于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間； 第一電極，配置于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上，其中所述第一電極具有背對于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第一上表面及連接所述第一上表面與所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第一側(cè)表面； 絕緣層，覆蓋部分所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、所述第一電極的所述第一側(cè)表面及所述第一電極的所述第一上表面的邊緣，其中所述絕緣層具有第一開口，以暴露出所述第一電極的部分所述第一上表面，且所述絕緣層在所述第一電極的第一側(cè)表面上的正投影涵蓋所述第一電極的整個所述第一側(cè)表面；以及 第一粘著層，配置于所述第一上表面的邊緣與所述絕緣層之間，以接合所述第一上表面與所述絕緣層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一粘著層呈環(huán)狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層的所述第一開口的內(nèi)緣與所述第一粘著層的靠近所述第一上表面的中央的內(nèi)緣實質(zhì)上切齊。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層暴露出部分所述第一粘著層，且所述第一粘著層的靠近所述第一上表面的中央的內(nèi)緣位于所述第一上表面的所述中央與所述絕緣層的所述第一開口的內(nèi)緣之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層包覆所述第一粘著層，且所述絕緣層的所述第一開口的內(nèi)緣位于所述第一上表面的中央與所述第一粘著層之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一粘著層還配置于所述第一電極的所述第一側(cè)表面與所述絕緣層的覆蓋所述第一側(cè)表面的部分之間，以接合所述第一側(cè)表面與所述絕緣層。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極包括由靠近所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的一側(cè)往遠離所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的一側(cè)依序堆疊的多個金屬層，且最靠近所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的所述金屬層為金屬粘著層。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 第二電極，配置于所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上，其中所述第二電極具有背對于所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第二上表面及連接所述第二上表面與所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的第二側(cè)表面，所述絕緣層覆蓋部分所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、所述第二電極的所述第二側(cè)表面及所述第二電極的所述第二上表面的邊緣，且所述絕緣層還具有第二開口，以暴露出所述第二電極的部分所述第二上表面；以及 第二黏著層，配置于所述第二上表面的邊緣與所述絕緣層之間，以接合所述第二上表面與所述絕緣層。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開口的內(nèi)徑與所述第一電極的外徑的比值大于O. 2且小于I。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一粘著層的材質(zhì)包括鈦、鑰、鉈、鎳、鋁、鉻及鎢的至少其一。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)為不含金屬兀素的化合物。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一粘著層包括多個堆疊的子粘著層，且所述多個子粘著層的材料不相同。
全文摘要
一種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第一電極、絕緣層及第一粘著層。發(fā)光層配置于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間。第一電極配置于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上，其中第一電極具有第一上表面及第一側(cè)表面。絕緣層覆蓋部分第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第一電極的第一側(cè)表面及第一電極的第一上表面的邊緣，其中絕緣層具有第一開口，以暴露出第一電極的部分第一上表面。第一粘著層配置于第一上表面的邊緣與絕緣層之間，以接合第一上表面與絕緣層。
文檔編號H01L33/44GK102738346SQ20111020035
公開日2012年10月17日 申請日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月1日
發(fā)明者屠德威, 溫偉值, 王泰鈞, 許志平, 賴柏宏 申請人:廣鎵光電股份有限公司